Продукція > IQD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQD-DB1M-01A | IQRF TECH | IQD-DB1M-01A RF modules | на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD-GW-02 | IQRF TECH | IQD-GW-02 RF modules | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 Код товару: 198771
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 4802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 597A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | на замовлення 4528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 6316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 9Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | на замовлення 4527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 6083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 4833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 4353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 4680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 4643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 4730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 4963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 4563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 4432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | на замовлення 4826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 789A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 789A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | на замовлення 3511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH29NE2LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V | на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | на замовлення 4823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | на замовлення 4231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 9Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH35N03LM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 637A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | на замовлення 5639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 6412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 637A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGATMA1 | Infineon Technologies | IQDH45N04LM6CGATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 637A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 611A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH45N04LM6SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | на замовлення 3826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 9Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 7926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V | на замовлення 4793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 4436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|