Продукція > IQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 130m
Components: DCTR-76D
Communictions protocol: DALI
Kind of modulation: GFSK
Kind of connector: screw
Operating temperature: -10...60°C
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Dimensions: 88x38x22mm
Kit contents: base board
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2544.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 130m
Components: DCTR-76D
Communictions protocol: DALI
Kind of modulation: GFSK
Kind of connector: screw
Operating temperature: -10...60°C
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Dimensions: 88x38x22mm
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3052.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 400m
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Operating temperature: -10...40°C
Dimensions: 50x54x36mm
Kit contents: base board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12965.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 400m
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Operating temperature: -10...40°C
Dimensions: 50x54x36mm
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+15558.15 грн
3+14764.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.63 грн
10+241.19 грн
100+174.24 грн
500+153.03 грн
1000+133.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.38 грн
10+212.09 грн
100+149.83 грн
500+115.68 грн
1000+108.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.77 грн
10+191.82 грн
100+127.78 грн
500+114.01 грн
1000+107.12 грн
5000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+242.69 грн
10+200.03 грн
25+193.03 грн
100+151.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+226.51 грн
65+186.70 грн
68+180.16 грн
100+141.33 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.24 грн
500+153.03 грн
1000+133.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.61 грн
10+174.24 грн
100+144.20 грн
500+112.38 грн
1000+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.30 грн
10+178.77 грн
25+163.80 грн
100+138.30 грн
250+130.95 грн
500+126.52 грн
1000+120.86 грн
2500+117.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.13 грн
10+177.74 грн
25+141.55 грн
100+127.78 грн
250+120.13 грн
500+116.30 грн
2500+115.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.20 грн
500+112.38 грн
1000+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+242.91 грн
500+201.65 грн
1000+173.63 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.30 грн
10+215.58 грн
25+185.93 грн
100+166.80 грн
250+157.62 грн
500+140.79 грн
1000+130.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.61 грн
10+282.39 грн
100+242.91 грн
500+201.65 грн
1000+173.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.47 грн
10+224.38 грн
100+157.62 грн
500+140.79 грн
1000+120.13 грн
2500+115.54 грн
5000+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.90 грн
10+268.12 грн
100+216.97 грн
500+180.98 грн
1000+154.97 грн
2000+145.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+293.05 грн
48+257.60 грн
50+244.27 грн
100+208.22 грн
250+163.31 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.98 грн
10+276.00 грн
25+261.72 грн
100+223.09 грн
250+174.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.07 грн
10+295.65 грн
25+242.55 грн
100+208.12 грн
250+196.64 грн
500+185.16 грн
1000+158.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.55 грн
10+208.18 грн
25+191.38 грн
100+162.28 грн
250+157.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.60 грн
10+248.92 грн
100+206.86 грн
500+176.14 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.00 грн
10+254.30 грн
25+203.53 грн
100+183.63 грн
250+174.45 грн
500+168.33 грн
1000+163.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.86 грн
500+176.14 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+249.78 грн
500+207.23 грн
1000+178.04 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.19 грн
10+290.12 грн
100+249.78 грн
500+207.23 грн
1000+178.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.35 грн
10+270.19 грн
100+219.02 грн
500+178.19 грн
1000+159.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+304.11 грн
46+267.77 грн
48+254.13 грн
100+216.16 грн
250+169.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.83 грн
10+286.90 грн
25+272.28 грн
100+231.60 грн
250+182.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.24 грн
10+212.17 грн
100+178.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.16 грн
10+274.53 грн
100+173.69 грн
500+154.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.44 грн
500+183.32 грн
1000+161.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.60 грн
10+263.97 грн
25+211.18 грн
100+191.29 грн
250+181.34 грн
500+175.22 грн
1000+169.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.76 грн
10+259.22 грн
100+215.44 грн
500+183.32 грн
1000+161.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.48 грн
10+215.91 грн
25+198.55 грн
100+168.47 грн
250+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
1+397.24 грн
10+328.21 грн
25+269.33 грн
100+230.31 грн
250+218.07 грн
500+205.06 грн
1000+175.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.01 грн
10+275.05 грн
100+222.32 грн
500+181.20 грн
1000+179.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.24 грн
10+328.21 грн
25+269.33 грн
100+230.31 грн
250+218.07 грн
500+205.06 грн
1000+175.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.49 грн
10+247.48 грн
100+187.28 грн
500+146.13 грн
1000+143.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+316.87 грн
44+278.68 грн
46+264.62 грн
100+225.27 грн
250+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.58 грн
10+227.90 грн
100+164.51 грн
500+143.85 грн
1000+142.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.50 грн
10+298.58 грн
25+283.53 грн
100+241.36 грн
250+189.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.62 грн
10+259.22 грн
100+215.44 грн
500+181.72 грн
1000+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.52 грн
10+229.14 грн
25+210.76 грн
100+178.79 грн
250+169.73 грн
500+164.27 грн
1000+157.15 грн
2500+152.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.44 грн
500+181.72 грн
1000+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.03 грн
10+260.45 грн
25+208.88 грн
100+188.99 грн
250+182.10 грн
500+181.34 грн
1000+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.81 грн
10+301.81 грн
100+212.71 грн
500+188.99 грн
1000+162.21 грн
2500+153.03 грн
5000+152.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.81 грн
10+301.81 грн
100+212.71 грн
500+188.99 грн
1000+175.22 грн
5000+174.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+329.31 грн
43+287.72 грн
45+273.59 грн
100+234.15 грн
250+183.71 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+352.83 грн
10+308.27 грн
25+293.13 грн
100+250.87 грн
250+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.79 грн
10+246.38 грн
25+213.47 грн
100+185.93 грн
500+183.63 грн
1000+157.62 грн
2500+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.44 грн
10+227.71 грн
100+189.95 грн
500+171.58 грн
1000+169.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 0.0051 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.92 грн
10+266.08 грн
100+222.31 грн
500+189.69 грн
1000+169.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.41 грн
10+222.53 грн
25+204.74 грн
100+173.78 грн
250+165.03 грн
500+159.76 грн
1000+152.88 грн
2500+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.39 грн
10+246.38 грн
25+196.64 грн
100+178.28 грн
250+169.10 грн
500+163.74 грн
1000+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 0.0051 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+222.31 грн
500+189.69 грн
1000+169.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.14 грн
10+294.77 грн
25+253.26 грн
100+220.36 грн
500+196.64 грн
1000+171.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.52 грн
10+315.01 грн
100+221.89 грн
500+196.64 грн
1000+168.33 грн
2500+159.15 грн
5000+158.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.18 грн
10+232.30 грн
25+191.29 грн
100+151.50 грн
250+148.44 грн
500+125.48 грн
1000+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.82 грн
10+218.54 грн
100+176.84 грн
500+147.52 грн
1000+126.31 грн
2000+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.78 грн
10+187.98 грн
100+154.50 грн
500+130.71 грн
1000+116.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.83 грн
10+223.50 грн
25+176.75 грн
100+156.09 грн
250+146.91 грн
500+140.79 грн
1000+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.50 грн
500+130.71 грн
1000+116.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.68 грн
10+174.15 грн
25+159.53 грн
100+134.64 грн
250+127.45 грн
500+123.12 грн
1000+117.59 грн
2500+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.65 грн
10+256.93 грн
25+210.41 грн
100+180.57 грн
250+170.63 грн
500+160.68 грн
1000+136.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.07 грн
10+210.57 грн
100+177.96 грн
500+134.28 грн
1000+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
2+311.54 грн
10+257.81 грн
25+211.18 грн
100+181.34 грн
250+170.63 грн
500+160.68 грн
1000+137.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+343.68 грн
10+241.10 грн
25+195.11 грн
100+156.85 грн
250+150.73 грн
500+130.07 грн
1000+123.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.69 грн
10+205.31 грн
100+144.76 грн
500+115.24 грн
1000+112.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.30 грн
10+189.18 грн
25+150.73 грн
100+135.43 грн
250+127.78 грн
500+123.95 грн
1000+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 66A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.37 грн
10+171.92 грн
25+157.46 грн
100+132.87 грн
250+125.76 грн
500+121.47 грн
1000+116.01 грн
2500+112.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.20 грн
10+185.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.89 грн
10+266.61 грн
25+211.94 грн
100+192.05 грн
250+161.45 грн
500+152.26 грн
1000+139.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.89 грн
10+266.61 грн
25+211.94 грн
100+192.05 грн
250+161.45 грн
500+152.26 грн
1000+139.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.48 грн
10+236.90 грн
100+171.67 грн
500+135.49 грн
1000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.17 грн
10+197.98 грн
100+142.24 грн
500+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.30 грн
10+192.70 грн
100+130.07 грн
500+123.95 грн
1000+120.13 грн
2500+117.83 грн
5000+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+224.88 грн
500+176.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.91 грн
10+197.98 грн
25+157.62 грн
100+142.32 грн
250+134.67 грн
500+130.07 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesIQDH45N04LM6CGATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.27 грн
10+165.70 грн
25+151.88 грн
100+128.27 грн
250+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.85 грн
10+273.81 грн
100+224.88 грн
500+176.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.37 грн
10+229.66 грн
25+196.64 грн
100+161.45 грн
500+143.08 грн
1000+136.96 грн
5000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+231.75 грн
500+199.26 грн
1000+173.63 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.60 грн
10+266.94 грн
100+231.75 грн
500+199.26 грн
1000+173.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.09 грн
10+216.46 грн
25+186.69 грн
100+172.16 грн
250+161.45 грн
500+143.08 грн
1000+133.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.09 грн
10+266.94 грн
100+216.30 грн
500+188.89 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.59 грн
10+271.01 грн
25+231.07 грн
100+171.39 грн
250+170.63 грн
500+148.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.91 грн
10+258.40 грн
100+184.73 грн
500+143.88 грн
1000+140.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.09 грн
10+266.94 грн
100+216.30 грн
500+188.89 грн
1000+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.42 грн
500+173.75 грн
1000+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.58 грн
10+204.28 грн
25+187.81 грн
100+159.18 грн
250+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.75 грн
10+249.90 грн
25+199.70 грн
100+180.57 грн
250+171.39 грн
500+166.04 грн
1000+160.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.59 грн
10+244.62 грн
100+203.42 грн
500+173.75 грн
1000+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+240.33 грн
500+198.46 грн
1000+171.42 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.46 грн
10+278.96 грн
100+240.33 грн
500+198.46 грн
1000+171.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.