Продукція > IQD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IQD-DB1M-01A

Category: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; -101dBm; 10dBm; Dim: 88x38x22mm
Operating temperature: -10...60°C
Dimensions: 88x38x22mm
Frequency: 868MHz
Kind of connector: screw
Receiver sensitivity: -101dBm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Range: 130m
Transmitter output power: 10dBm
Kit contents: base board
Communictions protocol: DALI
Type of communications module: DALI Bridge
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3006.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD-DB1M-01A

IQRF TECH

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2505.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD-GW-02

IQRF TECH

Category: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 400m
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Operating temperature: -10...40°C
Dimensions: 50x54x36mm
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	15349.81 грн
3+	14594.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD-GW-02

IQRF TECH

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	12791.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	348.90 грн
10+	237.96 грн
100+	171.91 грн
500+	150.98 грн
1000+	131.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.90 грн
10+	209.25 грн
100+	147.83 грн
500+	114.13 грн
1000+	107.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.29 грн
10+	189.25 грн
100+	126.07 грн
500+	112.48 грн
1000+	105.69 грн
5000+	101.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	247.99 грн
10+	204.40 грн
25+	197.24 грн
100+	154.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	231.46 грн
65+	190.78 грн
68+	184.09 грн
100+	144.42 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

INFINEON

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	171.91 грн
500+	150.98 грн
1000+	131.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.27 грн
500+	110.88 грн
1000+	100.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.91 грн
10+	175.36 грн
25+	139.66 грн
100+	126.07 грн
250+	118.52 грн
500+	114.74 грн
2500+	113.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.49 грн
10+	171.91 грн
100+	142.27 грн
500+	110.88 грн
1000+	100.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.98 грн
10+	176.38 грн
25+	161.61 грн
100+	136.45 грн
250+	129.20 грн
500+	124.83 грн
1000+	119.24 грн
2500+	115.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	239.66 грн
500+	198.95 грн
1000+	171.30 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.11 грн
10+	278.61 грн
100+	239.66 грн
500+	198.95 грн
1000+	171.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.88 грн
10+	212.69 грн
25+	183.44 грн
100+	164.57 грн
250+	155.51 грн
500+	138.90 грн
1000+	128.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.52 грн
10+	221.37 грн
100+	155.51 грн
500+	138.90 грн
1000+	118.52 грн
2500+	113.99 грн
5000+	110.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 4988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.45 грн
10+	264.53 грн
100+	214.06 грн
500+	178.56 грн
1000+	152.89 грн
2000+	143.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	299.45 грн
48+	263.23 грн
50+	249.61 грн
100+	212.77 грн
250+	166.87 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	320.84 грн
10+	282.03 грн
25+	267.44 грн
100+	227.97 грн
250+	178.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.29 грн
10+	291.69 грн
25+	239.30 грн
100+	205.33 грн
250+	194.01 грн
500+	182.68 грн
1000+	156.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.09 грн
10+	203.74 грн
25+	187.28 грн
100+	158.81 грн
250+	150.72 грн
500+	145.85 грн
1000+	139.52 грн
2500+	139.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.19 грн
10+	245.58 грн
100+	204.09 грн
500+	173.78 грн
1000+	156.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.43 грн
10+	250.89 грн
25+	200.80 грн
100+	181.18 грн
250+	172.12 грн
500+	166.08 грн
1000+	161.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	204.09 грн
500+	173.78 грн
1000+	156.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.58 грн
10+	286.23 грн
100+	246.43 грн
500+	204.45 грн
1000+	175.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	246.43 грн
500+	204.45 грн
1000+	175.66 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.49 грн
10+	266.57 грн
100+	216.09 грн
500+	175.80 грн
1000+	157.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	400.72 грн
10+	270.86 грн
100+	171.36 грн
500+	152.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.38 грн
10+	226.11 грн
100+	202.39 грн
500+	184.01 грн
1000+	166.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	310.76 грн
46+	273.62 грн
48+	259.68 грн
100+	220.88 грн
250+	173.58 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	332.95 грн
10+	293.17 грн
25+	278.23 грн
100+	236.66 грн
250+	185.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.46 грн
10+	209.33 грн
100+	175.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

INFINEON

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	202.39 грн
500+	184.01 грн
1000+	166.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.56 грн
500+	180.86 грн
1000+	159.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.88 грн
10+	260.44 грн
25+	208.35 грн
100+	188.72 грн
250+	178.91 грн
500+	172.87 грн
1000+	166.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 4760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.52 грн
10+	212.63 грн
25+	195.55 грн
100+	165.93 грн
250+	157.54 грн
500+	152.48 грн
1000+	145.88 грн
2500+	145.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	336.20 грн
10+	255.75 грн
100+	212.56 грн
500+	180.86 грн
1000+	159.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.16 грн
10+	325.19 грн
100+	278.61 грн
500+	239.05 грн
1000+	201.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	391.92 грн
10+	323.81 грн
25+	265.72 грн
100+	227.22 грн
250+	215.15 грн
500+	202.31 грн
1000+	173.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	278.61 грн
500+	239.05 грн
1000+	201.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 4527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.12 грн
10+	271.37 грн
100+	219.34 грн
500+	178.78 грн
1000+	176.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	262.52 грн
500+	216.25 грн
1000+	171.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	398.01 грн
10+	324.34 грн
100+	262.52 грн
500+	216.25 грн
1000+	171.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.92 грн
10+	323.81 грн
25+	265.72 грн
100+	227.22 грн
250+	215.15 грн
500+	202.31 грн
1000+	173.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	338.89 грн
10+	244.16 грн
100+	184.77 грн
500+	144.18 грн
1000+	141.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	323.79 грн
44+	284.76 грн
46+	270.40 грн
100+	230.19 грн
250+	180.50 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.64 грн
10+	224.85 грн
100+	162.30 грн
500+	141.92 грн
1000+	140.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.92 грн
10+	305.10 грн
25+	289.72 грн
100+	246.64 грн
250+	193.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.31 грн
10+	226.08 грн
25+	207.94 грн
100+	176.39 грн
250+	167.45 грн
500+	162.07 грн
1000+	155.05 грн
2500+	150.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.56 грн
500+	179.29 грн
1000+	157.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.04 грн
10+	255.75 грн
100+	212.56 грн
500+	179.29 грн
1000+	157.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	344.36 грн
10+	256.97 грн
25+	206.09 грн
100+	186.46 грн
250+	179.67 грн
500+	178.91 грн
1000+	177.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.78 грн
10+	297.77 грн
100+	209.86 грн
500+	186.46 грн
1000+	160.04 грн
2500+	150.98 грн
5000+	150.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.78 грн
10+	297.77 грн
100+	209.86 грн
500+	186.46 грн
1000+	172.87 грн
5000+	172.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.74 грн
10+	224.27 грн
100+	187.07 грн
500+	168.99 грн
1000+	167.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	336.50 грн
43+	294.00 грн
45+	279.56 грн
100+	239.26 грн
250+	187.72 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	360.54 грн
10+	315.00 грн
25+	299.53 грн
100+	256.35 грн
250+	201.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.87 грн
10+	243.08 грн
25+	210.62 грн
100+	183.44 грн
500+	181.18 грн
1000+	155.51 грн
2500+	146.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	218.48 грн
500+	191.87 грн
1000+	172.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.51 грн
10+	219.16 грн
25+	201.62 грн
100+	171.16 грн
250+	162.54 грн
500+	157.35 грн
1000+	150.57 грн
2500+	150.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.98 грн
10+	243.08 грн
25+	194.01 грн
100+	175.89 грн
250+	166.83 грн
500+	161.55 грн
1000+	157.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.36 грн
10+	262.52 грн
100+	218.48 грн
500+	191.87 грн
1000+	172.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	324.19 грн
10+	267.67 грн
100+	221.45 грн
500+	181.22 грн
1000+	179.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	178.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	343.48 грн
10+	290.82 грн
25+	249.87 грн
100+	217.41 грн
500+	194.01 грн
1000+	169.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	165.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.35 грн
10+	310.79 грн
100+	218.92 грн
500+	194.01 грн
1000+	166.08 грн
2500+	157.02 грн
5000+	156.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.12 грн
10+	274.99 грн
100+	222.77 грн
500+	181.22 грн
1000+	179.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	326.74 грн
10+	229.19 грн
25+	188.72 грн
100+	149.47 грн
250+	146.45 грн
500+	123.80 грн
1000+	117.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.21 грн
10+	215.62 грн
100+	174.48 грн
500+	145.54 грн
1000+	124.62 грн
2000+	117.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.43 грн
500+	128.96 грн
1000+	115.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.80 грн
10+	220.51 грн
25+	174.38 грн
100+	154.00 грн
250+	144.94 грн
500+	138.90 грн
1000+	130.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.43 грн
10+	185.46 грн
100+	152.43 грн
500+	128.96 грн
1000+	115.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 4447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.45 грн
10+	171.82 грн
25+	157.40 грн
100+	132.84 грн
250+	125.75 грн
500+	121.47 грн
1000+	116.02 грн
2500+	112.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	306.49 грн
10+	253.49 грн
25+	207.60 грн
100+	178.16 грн
250+	168.34 грн
500+	158.53 грн
1000+	135.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 4963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.28 грн
10+	207.75 грн
100+	175.58 грн
500+	132.48 грн
1000+	117.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	307.37 грн
10+	254.36 грн
25+	208.35 грн
100+	178.91 грн
250+	168.34 грн
500+	158.53 грн
1000+	135.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	339.07 грн
10+	237.87 грн
25+	192.50 грн
100+	154.75 грн
250+	148.71 грн
500+	128.33 грн
1000+	122.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.49 грн
10+	202.56 грн
100+	142.82 грн
500+	113.69 грн
1000+	111.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.88 грн
10+	186.65 грн
25+	148.71 грн
100+	133.62 грн
250+	126.07 грн
500+	122.29 грн
1000+	118.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 66A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.89 грн
10+	182.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

на замовлення 4231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.18 грн
10+	169.62 грн
25+	155.35 грн
100+	131.09 грн
250+	124.07 грн
500+	119.84 грн
1000+	114.46 грн
2500+	110.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.31 грн
10+	263.04 грн
25+	209.11 грн
100+	189.48 грн
250+	159.28 грн
500+	150.22 грн
1000+	137.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.31 грн
10+	263.04 грн
25+	209.11 грн
100+	189.48 грн
250+	159.28 грн
500+	150.22 грн
1000+	137.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.26 грн
10+	195.33 грн
100+	140.33 грн
500+	121.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.82 грн
10+	233.73 грн
100+	169.37 грн
500+	133.68 грн
1000+	120.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.88 грн
10+	190.12 грн
100+	128.33 грн
500+	122.29 грн
1000+	118.52 грн
2500+	116.25 грн
5000+	103.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.78 грн
10+	270.14 грн
100+	221.87 грн
500+	174.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

IQDH45N04LM6CGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 7735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.48 грн
10+	159.55 грн
25+	146.20 грн
100+	123.47 грн
250+	116.92 грн
500+	112.97 грн
1000+	107.92 грн
2500+	106.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 6412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.33 грн
10+	195.33 грн
25+	155.51 грн
100+	140.41 грн
250+	132.86 грн
500+	128.33 грн
1000+	124.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	115.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	221.87 грн
500+	174.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	228.65 грн
500+	196.59 грн
1000+	171.30 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.74 грн
10+	226.58 грн
25+	194.01 грн
100+	159.28 грн
500+	141.17 грн
1000+	135.13 грн
5000+	134.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.19 грн
10+	263.37 грн
100+	228.65 грн
500+	196.59 грн
1000+	171.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.65 грн
10+	213.56 грн
25+	184.19 грн
100+	169.85 грн
250+	159.28 грн
500+	141.17 грн
1000+	131.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.07 грн
10+	263.37 грн
100+	213.40 грн
500+	186.37 грн
1000+	147.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.20 грн
10+	267.38 грн
25+	227.98 грн
100+	169.10 грн
250+	168.34 грн
500+	146.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 4697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.50 грн
10+	254.93 грн
100+	182.26 грн
500+	141.95 грн
1000+	138.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.07 грн
10+	263.37 грн
100+	213.40 грн
500+	186.37 грн
1000+	147.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	319.26 грн
10+	241.35 грн
100+	200.70 грн
500+	171.42 грн
1000+	153.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 3332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.19 грн
10+	199.89 грн
25+	183.79 грн
100+	155.78 грн
250+	147.82 грн
500+	143.03 грн
1000+	136.80 грн
2500+	136.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

на замовлення 4775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	200.70 грн
500+	171.42 грн
1000+	153.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.27 грн
10+	246.55 грн
25+	197.03 грн
100+	178.16 грн
250+	169.10 грн
500+	163.81 грн
1000+	158.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.03 грн
10+	275.22 грн
100+	237.11 грн
500+	195.80 грн
1000+	169.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	237.11 грн
500+	195.80 грн
1000+	169.13 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.