Продукція > IQD

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; -101dBm; 10dBm; Dim: 88x38x22mm
Type of communications module: DALI Bridge
Frequency: 868MHz
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 130m
Components: DCTR-76D
Communictions protocol: DALI
Kind of modulation: GFSK
Connection: screw
Operating temperature: -10...60°C
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Dimensions: 88x38x22mm
Kit contents: base board
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2026.02 грн
3+1816.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 400m
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
Connection: RJ45; USB A; USB B micro
Operating temperature: -10...40°C
Dimensions: 50x54x36mm
Kit contents: base board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+13584.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.01 грн
10+185.10 грн
100+130.77 грн
500+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.07 грн
10+218.48 грн
25+210.83 грн
100+165.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+265.07 грн
65+218.48 грн
68+210.83 грн
100+165.39 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.19 грн
500+122.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.53 грн
10+193.30 грн
100+148.19 грн
500+122.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.74 грн
10+231.95 грн
100+187.66 грн
500+156.30 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.07 грн
10+219.11 грн
100+146.35 грн
500+134.62 грн
1000+129.78 грн
2500+124.95 грн
5000+115.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.66 грн
500+156.30 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.10 грн
10+227.12 грн
100+161.08 грн
500+130.13 грн
1000+118.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.10 грн
10+223.88 грн
100+138.07 грн
500+120.12 грн
2500+115.98 грн
5000+112.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.08 грн
500+130.13 грн
1000+118.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.36 грн
500+139.10 грн
1000+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.10 грн
10+223.88 грн
100+138.07 грн
500+120.12 грн
2500+115.98 грн
5000+112.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.26 грн
10+243.23 грн
100+172.36 грн
500+139.10 грн
1000+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.17 грн
10+216.58 грн
100+153.57 грн
500+121.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.97 грн
500+142.10 грн
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.54 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.85 грн
10+243.23 грн
100+173.97 грн
500+142.10 грн
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.54 грн
10+257.80 грн
25+201.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
10+251.58 грн
100+203.58 грн
500+169.82 грн
1000+145.41 грн
2000+136.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.80 грн
10+288.98 грн
100+184.32 грн
500+164.30 грн
1000+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGInfineon Technologies IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.27 грн
10+233.57 грн
100+194.10 грн
500+165.28 грн
1000+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.10 грн
500+165.28 грн
1000+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.49 грн
10+196.39 грн
25+180.51 грн
100+153.06 грн
250+145.27 грн
500+140.57 грн
1000+134.47 грн
2500+134.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+234.37 грн
500+194.45 грн
1000+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.96 грн
10+272.22 грн
100+234.37 грн
500+194.45 грн
1000+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+295.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.94 грн
10+253.53 грн
100+205.51 грн
500+167.20 грн
1000+149.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.71 грн
500+164.53 грн
1000+146.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.55 грн
10+142.03 грн
25+140.62 грн
100+124.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.41 грн
10+308.82 грн
100+197.44 грн
500+176.04 грн
1000+156.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.55 грн
100+142.03 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.34 грн
10+273.03 грн
100+195.71 грн
500+164.53 грн
1000+146.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.89 грн
10+313.36 грн
25+297.39 грн
100+252.96 грн
250+198.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.83 грн
10+199.08 грн
100+167.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.61 грн
10+282.69 грн
100+202.96 грн
500+183.23 грн
1000+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.89 грн
46+313.36 грн
48+297.39 грн
100+252.96 грн
250+198.79 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.46 грн
10+247.69 грн
100+156.71 грн
500+139.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.96 грн
500+183.23 грн
1000+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGInfineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
10+211.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
10+202.22 грн
25+185.98 грн
100+157.81 грн
250+149.83 грн
500+145.02 грн
1000+138.74 грн
2500+138.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCInfineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.97 грн
10+281.89 грн
100+206.99 грн
500+176.50 грн
1000+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.57 грн
10+261.01 грн
25+253.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.99 грн
500+176.50 грн
1000+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCInfineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+244.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.23 грн
10+331.05 грн
100+211.93 грн
500+188.46 грн
1000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+235.18 грн
500+199.68 грн
1000+177.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.29 грн
10+263.70 грн
100+189.62 грн
500+163.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.85 грн
10+324.58 грн
100+235.18 грн
500+199.68 грн
1000+177.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.53 грн
10+268.34 грн
100+167.75 грн
500+151.18 грн
1000+141.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.81 грн
10+282.69 грн
100+202.15 грн
500+182.48 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+370.82 грн
44+326.12 грн
46+309.68 грн
100+263.62 грн
250+206.72 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.82 грн
10+326.12 грн
25+309.68 грн
100+263.62 грн
250+206.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.15 грн
500+182.48 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.36 грн
10+231.32 грн
100+165.79 грн
500+150.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGInfineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.27 грн
10+196.76 грн
25+180.98 грн
100+153.52 грн
250+145.74 грн
500+141.05 грн
1000+134.94 грн
2500+134.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.77 грн
10+305.65 грн
100+195.37 грн
500+173.97 грн
1000+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.75 грн
10+229.54 грн
100+194.10 грн
500+150.32 грн
1000+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+244.52 грн
500+231.52 грн
1000+218.53 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.10 грн
500+150.32 грн
1000+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]