Продукція > IQD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IQD-DB1M-01A

Category: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; -101dBm; 10dBm; Dim: 88x38x22mm
Type of communications module: DALI Bridge
Frequency: 868MHz
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 130m
Components: DCTR-76D
Communictions protocol: DALI
Kind of modulation: GFSK
Connection: screw
Operating temperature: -10...60°C
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Dimensions: 88x38x22mm
Kit contents: base board

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2046.26 грн
3+	1834.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD-GW-02

Category: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 400m
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
Connection: RJ45; USB A; USB B micro
Operating temperature: -10...40°C
Dimensions: 50x54x36mm
Kit contents: base board

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	13720.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.67 грн
500+	123.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.11 грн
10+	195.23 грн
100+	149.67 грн
500+	123.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.59 грн
10+	213.14 грн
25+	205.68 грн
100+	161.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	241.35 грн
65+	198.93 грн
68+	191.96 грн
100+	150.59 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	294.93 грн
10+	186.95 грн
100+	132.08 грн
500+	113.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.45 грн
10+	184.42 грн
100+	129.69 грн
500+	116.44 грн
1000+	111.56 грн
5000+	108.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.66 грн
500+	106.50 грн
1000+	96.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.44 грн
10+	165.13 грн
100+	136.66 грн
500+	106.50 грн
1000+	96.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	230.20 грн
500+	191.10 грн
1000+	164.55 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 3842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	346.53 грн
10+	226.11 грн
100+	139.45 грн
500+	121.32 грн
2500+	117.14 грн
5000+	113.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	318.06 грн
10+	267.62 грн
100+	230.20 грн
500+	191.10 грн
1000+	164.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	346.53 грн
10+	226.11 грн
100+	139.45 грн
500+	121.32 грн
2500+	117.14 грн
5000+	113.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	343.56 грн
10+	218.75 грн
100+	155.11 грн
500+	123.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	312.25 грн
48+	274.48 грн
50+	260.28 грн
100+	221.86 грн
250+	174.01 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 4988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.54 грн
10+	254.10 грн
100+	205.62 грн
500+	171.52 грн
1000+	146.86 грн
2000+	138.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.56 грн
10+	294.09 грн
25+	278.87 грн
100+	237.71 грн
250+	186.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	325.38 грн
10+	269.41 грн
25+	221.02 грн
100+	189.65 грн
250+	179.19 грн
500+	168.73 грн
1000+	144.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	196.04 грн
500+	166.93 грн
1000+	149.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.73 грн
10+	231.73 грн
25+	185.46 грн
100+	167.34 грн
250+	158.97 грн
500+	153.39 грн
1000+	149.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.36 грн
10+	235.90 грн
100+	196.04 грн
500+	166.93 грн
1000+	149.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 2535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.18 грн
10+	198.35 грн
25+	182.31 грн
100+	154.59 грн
250+	146.72 грн
500+	141.98 грн
1000+	135.81 грн
2500+	135.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.19 грн
10+	274.94 грн
100+	236.71 грн
500+	196.39 грн
1000+	168.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	236.71 грн
500+	196.39 грн
1000+	168.73 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.35 грн
10+	256.06 грн
100+	207.57 грн
500+	168.87 грн
1000+	151.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD009N06NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	194.41 грн
500+	176.75 грн
1000+	159.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.12 грн
10+	250.17 грн
100+	158.27 грн
500+	140.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.48 грн
10+	201.07 грн
100+	169.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.13 грн
10+	217.19 грн
100+	194.41 грн
500+	176.75 грн
1000+	159.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	324.04 грн
46+	285.32 грн
48+	270.78 грн
100+	230.33 грн
250+	181.00 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	347.19 грн
10+	305.70 грн
25+	290.12 грн
100+	246.78 грн
250+	193.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.94 грн
10+	245.66 грн
100+	204.17 грн
500+	173.73 грн
1000+	153.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 4760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.03 грн
10+	204.24 грн
25+	187.84 грн
100+	159.39 грн
250+	151.32 грн
500+	146.46 грн
1000+	140.13 грн
2500+	139.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	204.17 грн
500+	173.73 грн
1000+	153.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.31 грн
10+	240.55 грн
25+	192.44 грн
100+	174.31 грн
250+	165.24 грн
500+	159.67 грн
1000+	154.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	361.98 грн
10+	299.08 грн
25+	245.43 грн
100+	209.87 грн
250+	198.71 грн
500+	186.86 грн
1000+	160.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.93 грн
10+	312.36 грн
100+	267.62 грн
500+	229.62 грн
1000+	193.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	267.62 грн
500+	229.62 грн
1000+	193.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.32 грн
10+	311.55 грн
100+	252.17 грн
500+	207.72 грн
1000+	164.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.37 грн
10+	266.33 грн
100+	191.52 грн
500+	164.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	252.17 грн
500+	207.72 грн
1000+	164.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	361.98 грн
10+	299.08 грн
25+	245.43 грн
100+	209.87 грн
250+	198.71 грн
500+	186.86 грн
1000+	160.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	422.99 грн
10+	285.52 грн
100+	204.17 грн
500+	184.30 грн
1000+	167.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 6083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.30 грн
10+	253.38 грн
100+	157.58 грн
500+	152.69 грн
1000+	144.33 грн
5000+	142.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	337.64 грн
44+	296.94 грн
46+	281.97 грн
100+	240.04 грн
250+	188.22 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.96 грн
10+	233.63 грн
100+	167.44 грн
500+	152.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.75 грн
10+	318.15 грн
25+	302.11 грн
100+	257.18 грн
250+	201.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	204.17 грн
500+	184.30 грн
1000+	167.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 4353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.96 грн
10+	198.05 грн
100+	147.81 грн
500+	143.63 грн
1000+	141.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	290.40 грн
10+	219.63 грн
100+	183.02 грн
500+	143.51 грн
1000+	128.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.97 грн
10+	198.73 грн
25+	182.79 грн
100+	155.06 грн
250+	147.20 грн
500+	142.46 грн
1000+	136.29 грн
2500+	135.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.02 грн
500+	143.51 грн
1000+	128.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.00 грн
10+	245.94 грн
100+	176.79 грн
500+	162.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	226.14 грн
500+	196.39 грн
1000+	176.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.83 грн
10+	313.99 грн
100+	226.14 грн
500+	196.39 грн
1000+	176.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 4438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.37 грн
10+	266.20 грн
100+	166.64 грн
500+	163.15 грн
1000+	154.79 грн
5000+	152.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	403.47 грн
10+	271.82 грн
100+	181.98 грн
500+	168.73 грн
1000+	154.79 грн
5000+	152.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 2671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.02 грн
10+	264.97 грн
100+	190.47 грн
500+	163.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	445.77 грн
10+	298.53 грн
100+	214.75 грн
500+	195.63 грн
1000+	173.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD020N10NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	214.75 грн
500+	195.63 грн
1000+	173.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.88 грн
10+	262.33 грн
100+	188.34 грн
500+	161.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	350.89 грн
43+	306.57 грн
45+	291.52 грн
100+	249.49 грн
250+	195.75 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	375.95 грн
10+	328.47 грн
25+	312.34 грн
100+	267.31 грн
250+	209.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 4640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.01 грн
10+	260.59 грн
100+	162.46 грн
500+	158.27 грн
1000+	156.18 грн
5000+	147.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.16 грн
10+	206.07 грн
100+	156.18 грн
500+	153.39 грн
1000+	152.69 грн
5000+	147.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	332.70 грн
10+	252.17 грн
100+	209.87 грн
500+	184.30 грн
1000+	165.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	294.93 грн
10+	215.42 грн
25+	198.17 грн
100+	168.24 грн
250+	161.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	209.87 грн
500+	184.30 грн
1000+	165.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 4559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.19 грн
10+	287.85 грн
100+	179.89 грн
500+	170.13 грн
1000+	165.24 грн
5000+	158.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	429.85 грн
10+	277.21 грн
100+	199.61 грн
500+	172.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	429.85 грн
10+	277.21 грн
100+	199.61 грн
500+	172.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 4426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.19 грн
10+	287.85 грн
100+	179.89 грн
500+	170.13 грн
1000+	165.24 грн
5000+	158.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	301.79 грн
10+	211.68 грн
25+	174.31 грн
100+	138.05 грн
250+	135.26 грн
500+	114.35 грн
1000+	108.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.71 грн
10+	207.11 грн
100+	167.59 грн
500+	139.80 грн
1000+	119.71 грн
2000+	112.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.90 грн
500+	105.75 грн
1000+	96.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 3511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.29 грн
10+	148.88 грн
25+	136.41 грн
100+	115.13 грн
250+	108.98 грн
500+	105.27 грн
1000+	100.55 грн
2500+	99.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.75 грн
10+	148.05 грн
100+	126.90 грн
500+	105.75 грн
1000+	96.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.13 грн
10+	203.66 грн
25+	161.06 грн
100+	142.24 грн
250+	133.87 грн
500+	128.29 грн
1000+	120.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.59 грн
10+	202.86 грн
25+	174.31 грн
100+	147.81 грн
250+	138.05 грн
500+	122.02 грн
1000+	119.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 4828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.77 грн
10+	192.61 грн
100+	136.31 грн
500+	118.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	283.89 грн
10+	234.93 грн
25+	192.44 грн
100+	165.24 грн
250+	155.48 грн
500+	146.42 грн
1000+	125.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.28 грн
10+	194.58 грн
100+	137.18 грн
500+	109.21 грн
1000+	106.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.97 грн
10+	181.40 грн
100+	143.17 грн
500+	115.57 грн
1000+	99.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.17 грн
10+	219.70 грн
25+	177.80 грн
100+	142.93 грн
250+	137.36 грн
500+	118.53 грн
1000+	112.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	143.17 грн
500+	115.57 грн
1000+	99.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.79 грн
500+	125.39 грн
1000+	113.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.64 грн
10+	172.39 грн
25+	137.36 грн
100+	123.41 грн
250+	116.44 грн
500+	112.95 грн
1000+	109.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

на замовлення 4231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.90 грн
10+	162.93 грн
25+	149.22 грн
100+	125.92 грн
250+	119.18 грн
500+	115.12 грн
1000+	109.94 грн
2500+	106.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.27 грн
10+	175.70 грн
100+	144.79 грн
500+	125.39 грн
1000+	113.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	168.38 грн
500+	149.56 грн
1000+	118.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.20 грн
10+	187.09 грн
100+	168.38 грн
500+	149.56 грн
1000+	118.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.55 грн
10+	242.95 грн
25+	193.13 грн
100+	175.01 грн
250+	147.12 грн
500+	138.75 грн
1000+	126.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.55 грн
10+	242.95 грн
25+	193.13 грн
100+	175.01 грн
250+	147.12 грн
500+	138.75 грн
1000+	126.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	190.35 грн
500+	150.31 грн
1000+	128.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.95 грн
10+	206.21 грн
100+	146.08 грн
500+	118.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH35N03LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	254.61 грн
10+	214.75 грн
100+	190.35 грн
500+	150.31 грн
1000+	128.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.26 грн
10+	224.51 грн
100+	162.69 грн
500+	128.41 грн
1000+	115.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.89 грн
10+	187.63 грн
100+	134.80 грн
500+	116.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.62 грн
10+	205.27 грн
100+	126.90 грн
500+	112.95 грн
1000+	110.86 грн
2500+	105.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 6412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.22 грн
10+	180.41 грн
25+	143.63 грн
100+	129.69 грн
250+	122.71 грн
500+	118.53 грн
1000+	115.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.03 грн
10+	183.84 грн
100+	152.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

IQDH45N04LM6CGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 5639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.35 грн
10+	154.32 грн
25+	141.40 грн
100+	119.41 грн
250+	113.08 грн
500+	109.26 грн
1000+	104.37 грн
2500+	103.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.29 грн
10+	209.28 грн
25+	179.19 грн
100+	147.12 грн
500+	130.38 грн
1000+	124.81 грн
5000+	124.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	219.63 грн
500+	188.83 грн
1000+	164.55 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.36 грн
10+	252.98 грн
100+	219.63 грн
500+	188.83 грн
1000+	164.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 611A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 611A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.46 грн
10+	224.51 грн
100+	138.75 грн
500+	126.20 грн
5000+	115.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.51 грн
10+	260.30 грн
100+	190.35 грн
500+	174.48 грн
1000+	149.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 3640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	327.00 грн
10+	234.13 грн
25+	202.90 грн
100+	148.51 грн
250+	147.81 грн
500+	143.63 грн
1000+	140.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 3826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.05 грн
10+	223.81 грн
100+	160.00 грн
500+	144.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	190.35 грн
500+	174.48 грн
1000+	149.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	185.46 грн
500+	168.44 грн
1000+	154.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 1649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	261.20 грн
10+	190.19 грн
25+	174.82 грн
100+	148.19 грн
250+	140.63 грн
500+	136.06 грн
1000+	130.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	306.67 грн
10+	213.94 грн
100+	185.46 грн
500+	168.44 грн
1000+	154.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 5175 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.57 грн
10+	206.07 грн
25+	165.24 грн
100+	148.51 грн
250+	143.63 грн
500+	140.14 грн
1000+	138.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	235.08 грн
500+	191.10 грн
1000+	159.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.23 грн
10+	265.18 грн
100+	235.08 грн
500+	191.10 грн
1000+	159.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 7926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.13 грн
10+	235.74 грн
25+	202.90 грн
100+	181.98 грн
250+	177.80 грн
500+	158.97 грн
1000+	143.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.25 грн
10+	230.60 грн
100+	165.13 грн
500+	149.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 4436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.03 грн
10+	249.37 грн
25+	214.75 грн
100+	191.04 грн
250+	184.07 грн
500+	163.85 грн
1000+	151.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	247.29 грн
500+	196.39 грн
1000+	167.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	323.75 грн
10+	280.64 грн
100+	247.29 грн
500+	196.39 грн
1000+	167.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQDH88N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 4793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.09 грн
10+	235.97 грн
100+	169.21 грн
500+	154.14 грн

В кошику од. на суму грн.