Продукція > PMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMN.0M.302.XLM | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.0M.302.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.0M.303.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.0M.305.LLMA | LEMO | Standard Circular Connector Receptacle Size 0 5 Contacts Blue | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.0M.305.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector 5P FIX RCPT CRIMP ANITIVIBE SQ FLANGE | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.0M.305.XLMT | LEMO | Description: CONN INLINE RCPT 5SKT CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.1M.302.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.1M.305.XLMT | LEMO | Description: CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Color: Gray Current Rating (Amps): 9A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Shielding: Shielded Number of Positions: 5 Orientation: N (Normal) Shell Size - Insert: 305 Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Fastening Type: Threaded Termination: Crimp Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Cable Opening: 0.382" (9.70mm) Contact Finish - Mating: Gold Part Status: Active Shell Material: Aluminum Alloy Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.1M.305.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.1M.308.LLMTA | LEMO | Standard Circular Connector Receptacle Size 1 8 Contacts Blue | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.1M.308.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector 8P FIX RCPT FEM CRMP ANITIVIBE SQ FLANGE | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN.1M.308.XLMT | LEMO | Description: CONN RCPT FMALE 8POS GOLD CRIMP Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Color: Gray Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Shielding: Shielded Number of Positions: 8 Orientation: N (Normal) Shell Size - Insert: 308 Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Fastening Type: Threaded Termination: Crimp Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Cable Opening: 0.382" (9.70mm) Contact Finish - Mating: Gold Part Status: Active Shell Material: Aluminum Alloy Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN.2M.308.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.310.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.312.LLMTA | LEMO | Standard Circular Connector Receptacle Size 2 12 Contacts Blue | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.312.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector 12P RCPT FEM CRIMP ANITIVIBE SQ FLANGE | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN.2M.312.XLMT | LEMO | Description: CONN INLINE RCPT 12SKT CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.319.XLMT | LEMO | Description: CONN INLINE RCPT 19SKT CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.319.XLMT | LEMO | Standard Circular Connector 19P FIX RCP FEM CRMP ANITIVIBE SQ FLANGE | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.514.XLMT6 | LEMO | Standard Circular Connector RECPT CdN 8 CTS CAT6 6mm Max Cbl Out Dia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN.2M.514.XLMT6 | LEMO | Description: CABLE MOUNT RECEPTACLE CAT6 Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Color: Silver Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Shielding: Shielded Number of Positions: 14 Orientation: N (Normal) Shell Size - Insert: 514 Operating Temperature: -20°C ~ 200°C Fastening Type: Threaded Termination: Crimp Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Contact Finish - Mating: Gold Part Status: Active Shell Material: Aluminum Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN.2M.514.XLMT7 | LEMO | Standard Circular Connector PLUG CdN 8 CTS CAT6 6mm Max Cbl Out Dia | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN.MM.304.XLM | LEMO | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-3F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal nylon insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-3F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-3R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-3R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal nylon insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-4R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-5F-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-5F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal nylon insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-5R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal nylon insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN1-5R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | Nexperia | MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 42188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN100EPAX | NEXPERIA | PMN100EPAX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN12 | National Marker Company | Description: 12" SINGLE CHARACTER STENCIL, NU Packaging: Box Style: Individual Character Stencil Type: Number Set 0 ~ 9 Part Status: Active Height (Inches): 12 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN120ENEAX | NEXPERIA | P-Channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN120ENEAX | Nexperia | MOSFETs PMN120ENEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN120ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN120ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN120ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN120ENEX | NEXPERIA | PMN120ENEX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN120ENEX | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN120ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN120ENEX | Nexperia | MOSFET PMN120ENE SC-74 | на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN15ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 667mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN15ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN15ENEX | Nexperia | MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN15ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN15ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V | на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN15UN,115 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN15UN,115 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN15UN,115 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN15UN115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FET Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | Nexperia | MOSFETs PMN16XNE/SOT457/SC-74 | на замовлення 11530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | NEXPERIA | PMN16XNEX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN16XNEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN2-3F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN2-3F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal nylon insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN2-3R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN2-5F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal nylon insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN2-5F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN2-5R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal nylon insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN2-5R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.030" (0.76mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.970" (24.64mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN20EN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 545mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN20EN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 545mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN20ENAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN20ENAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN20ENAX | NEXPERIA | PMN20ENAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN20ENAX | NEXPERIA | 40 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN20ENAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN20ENAX - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN22XN,115 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN22XN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 545mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN230ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN230ENEAX | NEXPERIA | 60 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN230ENEAX | NEXPERIA | PMN230ENEAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN230ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN230ENEAX | Nexperia | MOSFETs PMN230ENEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 4911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN230ENEX | Nexperia | MOSFET PMN230ENE SC-74 | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN230ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 475mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN230ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 475mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN230ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMN230ENE - 60 V, N-CHANNEL TREN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN23UN | на замовлення 52600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN23UN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN23UN,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN23UN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | на замовлення 11649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN23UN,165 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN23UN,165 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25EN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25EN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEAH | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEAH | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEAX | NEXPERIA | PMN25ENEAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEAX | Nexperia | MOSFET 30V N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEAX | NEXPERIA | 30 V, N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEH | NEXPERIA | PMN25ENEH SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEH | Nexperia | MOSFET PMN25ENE/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEH | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEH | Nexperia USA Inc. | Description: PMN25ENE/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | NEXPERIA | PMN25ENEX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25ENEX | Nexperia | MOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25UN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V | на замовлення 4555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN25UN,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN25UN,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UN | PHILIPS | SOT363 | на замовлення 11800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | на замовлення 20250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN27UN,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UP | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN27UP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH -20 V -5.7 A | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UP,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 5.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UP,115-NXP | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UPH | Nexperia | MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27UPH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPE,115 | Nexperia | MOSFET PMN27XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 * | на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPE,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN27XPE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 34557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN27XPE115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FET Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPEA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN27XPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPEA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 4.4A 20V Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN27XPEAX | Nexperia | MOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPEAX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN27XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | Nexperia | MOSFETs PMN280ENEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN280ENEAX | NEXPERIA | 100 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN28UN | PHILIPS | SOT363 | на замовлення 19520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN28UN,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN28UN,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN28UN,165 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN28UNEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMN28UNE - 20 V, N-CHANNEL TRENC | на замовлення 35468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN28UNEX | Nexperia | MOSFET PMN28UNE/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN28UNEX | NEXPERIA | 20 V, N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30ENEAH | Nexperia | MOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | Nexperia | 40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | NEXPERIA | PMN30ENEAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | NEXPERIA | 40 V N-channel Trench MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | Nexperia | 40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | Nexperia | MOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 11723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30ENEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 667mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UN | Nexperia | Nexperia PMN30UN/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UN115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL, MOSFET | на замовлення 597000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNE | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNE115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN | на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNE115 | NXP | Description: NXP - PMN30UNE115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNEX | Nexperia | MOSFETs PMN30UNE/SOT457/SC-74 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V | на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNH | Nexperia USA Inc. | Description: PMN30UN/SOT457/SC-74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNH | Nexperia USA Inc. | Description: PMN30UN/SOT457/SC-74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V | на замовлення 5530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 530mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNH | Nexperia | MOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A | на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | Nexperia | MOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A | на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30UNX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNX | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30UNX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V | на замовлення 3617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XP | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | NEXPERIA | PMN30XPAX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Nexperia | MOSFETs PMN30XPA/SOT457/SC-74 | на замовлення 50911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEAX | Nexperia | MOSFETs PMN30XPEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 15582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEAX | NEXPERIA | Pmn30Xpea 20 V, P Channel Trench Mosfet End us | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEX | Nexperia | 20 V, P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPEX | NEXPERIA | 20 V, P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPEX | NEXPERIA | PMN30XPEX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPEX | Nexperia | MOSFET PMN30XPE/SOT457/SC-74 | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V | на замовлення 5884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V | на замовлення 122361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | NEXPERIA | PMN30XPX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN30XPX | Nexperia | MOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.2A | на замовлення 185915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN30XPX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN34LN | PHILIPS | SOT163 | на замовлення 18960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34LN | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 20 V | на замовлення 10173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN34LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UN | NXP Semiconductors | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UN,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UP | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UP,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN34UP,115 | Nexperia | MOSFET 20V 5 A P-CH TRENCH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN,115 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN,115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | на замовлення 211087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN35EN,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN,125 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN,125 | Nexperia | MOSFET N-Chan 30V 5.1A | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN,125 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN,125 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN35EN125 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V | на замовлення 360642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN37ENEX | Nexperia | MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 22879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN37ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN37ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN37ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 667mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN37ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V | на замовлення 5117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN38EN | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN38EN,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN38EN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN38EN,165 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN38EN,165 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | NEXPERIA | PMN40ENAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | NEXPERIA | 60 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40ENAX | Nexperia | MOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74 | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENEX | Nexperia | MOSFET PMN40ENE/SOT457/SC-74 | на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40ENEX - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40LN | PHILIPS | SOT163 | на замовлення 14600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V | на замовлення 24547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40LN,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40SNAH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40SNAH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | NEXPERIA | PMN40SNAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | Nexperia | MOSFETs SOT457 N-CH 60V 4.7A | на замовлення 136662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40SNAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40UPE,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40UPE,115 | Nexperia | MOSFET PMN40UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 * | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40UPE,115-NEX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40UPEA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40UPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 46497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40UPEA115 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 46497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40UPEAX | Nexperia | MOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40UPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40XPEAAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40XPEAAX | Nexperia | MOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40XPEAAX | NEXPERIA | 20 V, P-Channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN40XPEAAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40XPEAAX | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40XPEAX | Nexperia | MOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN40XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPE,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPE,115 | Nexperia | MOSFET PMN42XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 * | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEA,125 | Rochester Electronics, LLC | Description: 4A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL, S | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Nexperia | MOSFETs PMN42XPEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 4133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | NEXPERIA | PMN42XPEAH SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | Nexperia | MOSFETs PMN42XPEA/SOT457/SC-74 | на замовлення 89756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | NEXPERIA | PMN42XPEAX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN42XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN45EN | на замовлення 52600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN45EN,135 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN45EN,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V | на замовлення 450515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN45EN,165 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | Nexperia | MOSFETs SOT457 P CHAN 12V | на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | NEXPERIA | PMN48XP.115 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,125 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP,125 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,125 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,125 | Nexperia | MOSFETs SOT457 P CHAN 20V | на замовлення 3732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XP,125 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XP,125 | NEXPERIA | PMN48XP.125 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPA115 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | Nexperia | MOSFETs PMN48XPA2/SOT457/SC-74 | на замовлення 3530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPA2X | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMN48XP - 20V, P-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | NEXPERIA | PMN48XPAX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN48XPAX | Nexperia | MOSFETs PMN48XPA/SOT457/SC-74 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN49EN | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN49EN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN49EN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V | на замовлення 58959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN49EN,165 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | NEXPERIA | 30 V, P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | Nexperia | MOSFET PMN50EPE/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | NEXPERIA | PMN50EPEX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50EPEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50UPE,115 | Nexperia | MOSFET PMN50UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 * | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50UPE,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50XP | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN50XP | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50XP /T2 | NXP Semiconductors | MOSFETs TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50XP,165 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-74 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50XP,165 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN50XP,165 | Nexperia | MOSFETs TRENCH 30V G3-TAPE2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN5118UP | Flex Power Modules | Non-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 4.5-5.5V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN5118UP | Flex Power Modules | Description: DC DC CONVERTER 0.7-3.6V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN5118US | Ericsson Power Modules | Non-Isolated DC/DC Converters .7-3.6 Vdc 30A Iso Input 4.5-5.5V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN5118USR | Flex Power Modules | Description: DC DC CONVERTER 0.7-3.6V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN5118USR | Flex Power Modules | Non-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 4.5-5.5V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN52XP115 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 636000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V | на замовлення 5288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | Nexperia | MOSFET PMN52XP/SOT457/SC-74 | на замовлення 14284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN52XPX | NEXPERIA | PMN52XPX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENE | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENE | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | NEXPERIA | 60 V, N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | NEXPERIA | PMN55ENEAX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | Nexperia | MOSFETs SOT457 N-CH 60V 3.6A | на замовлення 6114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | NEXPERIA | PMN55ENEH SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | Nexperia | MOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74 | на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEH | NEXPERIA | 60 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | NEXPERIA | PMN55ENEX SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | Nexperia | MOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55LN | на замовлення 52600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN55LN,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN6-3R-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN6-4R-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal nylon insulated, 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN6-5F-2K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN6-5F-2K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal nylon insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN6-5R-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.040" (26.42mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN6-5R-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal nylon insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70EPEX | Nexperia | MOSFETs 30 V, P-channel Trench MOSFET | на замовлення 10245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70EPEX | NEXPERIA | 30 V, P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70EPEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMN70EPE - 30 V, P-CHANNEL TRENC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPE,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN70XPE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 47808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPE,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPE,115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PMN70XPE - SC-74 Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V | на замовлення 41368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPE,115 | Nexperia | MOSFET PMN70XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 * | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPEA115 | NXP USA Inc. | Description: 3.2A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL, | на замовлення 86973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPEAX | Nexperia | MOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 86500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMN70XPEAX - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 86500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPEAX | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN70XPX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 9314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPX | Nexperia | MOSFETs PMN70XP/SOT457/SC-74 | на замовлення 51079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMN70XPX | NEXPERIA | PMN70XPX SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN80XP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN80XP,115 | Nexperia | MOSFET 20V Single P-channel Trench MOSFET | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN80XP,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN8118UWP | Ericsson Power Modules | Non-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 5.5-14V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN8118UWP | ERICSSON | DIP 11+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN8118UWS | Ericsson Power Modules | Non-Isolated DC/DC Converters .7-3.6 Vdc 30A Iso Input 4.5-5.5V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMN8118UWSR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMN8118UWSR | Ericsson Power Modules | Non-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 5.5-14V 108W | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3F-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED Features: Serrated Termination Packaging: Cut Tape (CT) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.790" (20.06mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm) Contact Material: Brass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3F-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.790" (20.06mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal, funnel entry, nylon insulated, 0.5 – 1.0mm² wire range, M3 stud size | на замовлення 27369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-3F-C | Panduit | Terminals METRIC FK TERML RED 0.5-1.5mm | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3F-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.830" (21.08mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-3K | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.760" (19.30mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-C | PANDUIT | Description: PANDUIT - PMNF1-3R-C - Ringkabelschuh, M3, #5, 18 AWG, 1 mm², PMNF, Rot tariffCode: 85369010 productTraceability: No Leiterquerschnitt CSA: 1mm² rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Nylon (Polyamid) Bolzengröße - metrisch: M3 euEccn: NLR Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG Bolzengröße - imperial: #5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Isolatorfarbe: Rot usEccn: EAR99 Produktpalette: PMNF SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-C | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-C. | PANDUIT | Description: PANDUIT - PMNF1-3R-C. - TERMINAL, RING TONGUE, #5, 18AWG, RED tariffCode: 85369010 productTraceability: No Leiterquerschnitt CSA: 1mm² rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) Bolzengröße - metrisch: M3 euEccn: NLR Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG Bolzengröße - imperial: #5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Isolatorfarbe: Red usEccn: EAR99 Produktpalette: PMNF Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-3R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.760" (19.30mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-4F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-4F-C | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-4R-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M4 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M4 Stud Length - Overall: 0.850" (21.59mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.310" (7.87mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-4R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5F-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED | на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-5F-C | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-3K | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-C | Panduit | Ring Tongue Terminal 16-20AWG Copper Red 21.84mm Tin Bottle | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.860" (21.84mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-C | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF1-5R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3F-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3F-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3F-C | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.760" (19.30mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-3R-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP Features: Serrated Termination Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.760" (19.30mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-3R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3R-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-3R-C | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-3R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-4F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-4F-C | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-4R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-5F-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-5F-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-5F-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M5 BLU Features: Serrated Termination Packaging: Bulk Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.840" (21.34mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.338" (8.58mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-5F-C | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-5R-3K | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-5R-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-5R-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.880" (22.35mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.351" (8.92mm) Contact Material: Brass | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-5R-C | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF2-5R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-5R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-6F-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M6 BLU Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.031" (26.20mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.440" (11.18mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-6R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M6 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.043" (26.50mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.430" (10.92mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF2-6R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-3R-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-3R-2K | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-3R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 1.050" (26.67mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Brass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-3R-L | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-3R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-3R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-4F-L | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M4 YEL Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M4 Stud Length - Overall: 1.071" (27.20mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.311" (7.90mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-4R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M4 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M4 Stud Length - Overall: 1.080" (27.43mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.310" (7.87mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-4R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5F-2K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5F-2K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5F-L | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5F-L | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.059" (26.90mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm) Contact Material: Copper | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.040" (26.42mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.065" (27.04mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm) Contact Material: Brass | на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-L | Panduit | Terminals NYL-RING 4-6MM M5 | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.04mm Tin Bottle | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-5R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.065" (27.04mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-6F-L | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.142" (29.00mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.433" (11.00mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-6R-2K | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-6R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP Packaging: Bulk Features: Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.190" (30.23mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.430" (10.92mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-8R-L | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNF6-8R-X | Panduit Corp | Description: TERM RING FUNNEL ENTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMNN4434AR | Motorola | Description: RM SERIES STANDARD CAPACITY LI-I Packaging: Box Accessory Type: Battery | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNN4477AR | Motorola | Description: 800 MAH 3XAA NIMH REPLACEMENT BA Packaging: Box For Use With/Related Products: T400 Series Accessory Type: Battery Pack Part Status: Active | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMNN4497 | Motorola | Description: LITHIUM ION BATTERY FOR CLS SERI Packaging: Box For Use With/Related Products: CLS Series Accessory Type: Battery | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|