Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144197) > Сторінка 1113 з 2404

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1200 1440 1680 1920 2160 2400 2404  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMSZ5244B MMSZ5244B onsemi MMSZ5227B.pdf Description: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244B MMSZ5244B onsemi MMSZ5227B.pdf Description: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10 V
на замовлення 56970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADD5045-915-1-GEVK ADD5045-915-1-GEVK onsemi Description: AX5045 915MHZ DVK-2 ADD-ON BOARD
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: RF
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: AX5045
Platform: DVK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884 FDMC8884 onsemi FDMC8884_RevE4_Jun2014.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884 FDMC8884 onsemi FDMC8884_RevE4_Jun2014.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
на замовлення 22691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G onsemi nsr02301-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2X4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X4DFN (0.45x0.24)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G onsemi nsr02301-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2X4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X4DFN (0.45x0.24)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AMTF BC847AMTF onsemi ONSM-S-A0004900064-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 673032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7407+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 7407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847ALT1 BC847ALT1 onsemi BC846ALT1_Rev6.pdf Description: TRANS NPN 45V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 23905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE39ARL P6KE39ARL onsemi P6KE6.8A_Series.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT4053ADR2G MC74HCT4053ADR2G onsemi mc74hct4051a-d.pdf Description: IC MUX TRPL 2:1 100OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200nA
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT4053ADR2G MC74HCT4053ADR2G onsemi mc74hct4051a-d.pdf Description: IC MUX TRPL 2:1 100OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200nA
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4 1.5KE12ARL4 onsemi 1N6267A_Series.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3644HV3 onsemi ONSMS38987-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC LED DRVR RGLTR SGL WR 16TQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 7V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Frequency: 800kHz ~ 1.6MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight, Camera Flash
Current - Output / Channel: 25mA
Internal Switch(s): No
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Dimming: Single-Wire
Voltage - Supply (Min): 2.5V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3604HS4-TE13 onsemi CATSS00900-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC LED DRV RGLTR PWM 30MA 16TQFN
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: 16-TQFN (4x4)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 30mA
Applications: Backlight, Camera Flash
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1MHz
Number of Outputs: 4
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WQFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G BD435G onsemi bd437-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAD8253MX-1 FAD8253MX-1 onsemi fad8253-d.pdf Description: 1200V 2.5A HALF-BRIDGE GATE DRIV
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 2.5A, 3.4A
Current - Peak Output: 2.5A, 3.4A
Technology: IGBT
Voltage - Load: 10.6V ~ 22V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Fault Protection: Current Limiting, Shoot Through, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.82 грн
10+126.83 грн
25+115.97 грн
100+97.61 грн
250+92.26 грн
500+89.03 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA05 MPSA05 onsemi MPSA05%2CMMBTA05.pdf Description: TRANS NPN GP BIPO LP 60V TO-92
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CLT1 BAT54CLT1 onsemi bat54clt1-d.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 281978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1240AD065R2G NCP1240AD065R2G onsemi ncp1240-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.3V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Over Load, Over Power, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1240GD065R2G NCP1240GD065R2G onsemi ncp1240g-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.3V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Over Load, Over Power, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 13684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1240FD065R2G NCP1240FD065R2G onsemi ncp1240-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.3V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Over Load, Over Power, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT9M114EBLSTCZ-CR MT9M114EBLSTCZ-CR onsemi mt9m114-d.pdf Description: IMAGE SENSOR CMOS 55ODCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 55-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 1.9µm x 1.9µm
Active Pixel Array: 1296H x 976V
Supplier Device Package: 55-ODCSP (4.65x3.85)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085 FFSB3065B-F085 onsemi ffsb3065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+250.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085 FFSB3065B-F085 onsemi ffsb3065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+613.73 грн
10+403.08 грн
100+296.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSM00SUKA0-CPBR AR0144CSSM00SUKA0-CPBR onsemi AR0144CS_Web.pdf Description: IMAGE SENSOR CMOS ODCSP-69
Packaging: Tray
Package / Case: 69-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 69-ODCSP (5.55x5.57)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AP1302CSSL00SMGA0-DR AP1302CSSL00SMGA0-DR onsemi AP1302Datasheet.pdf Description: IMAGE SIGNAL PROCESSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 120-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Processor
Supplier Device Package: 120-VFBGA (6.5x6.5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-DPBR ASX340AT3C00XPED0-DPBR onsemi asx340at-d.pdf Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V, 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 720H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.89 грн
5+813.80 грн
10+776.39 грн
25+687.65 грн
40+668.85 грн
80+643.55 грн
440+582.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-DRBR ASX340AT2C00XPED0-DRBR onsemi asx340at-d.pdf Description: SENSOR IMAGE COLOR CMOS 48-ILCC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.41 грн
5+821.44 грн
10+783.57 грн
25+694.07 грн
40+675.10 грн
80+649.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170A NDSH25170A onsemi ndsh25170a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1179.88 грн
30+705.53 грн
120+618.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 onsemi ntbg015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1172.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 onsemi ntbg015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 10947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1892.72 грн
10+1382.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A FFSH50120A onsemi ffsh50120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.58 грн
30+943.25 грн
120+907.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2M09SURA0-DP AR0521SR2M09SURA0-DP onsemi AR0521-D.PDF Description: 5MP 1/2 CIS SO
Frames per Second: 60.0
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Type: CMOS
Package / Case: 52-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1340.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR AR0130CSSM00SPCA0-DRBR onsemi AR0130CS.pdf Description: IMAGE SENSOR
Frames per Second: 45.0
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Type: CMOS
Package / Case: 48-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.29 грн
5+1033.40 грн
10+995.76 грн
25+892.25 грн
50+863.38 грн
100+836.89 грн
500+770.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR1335CSSC11SMKA0-CP AR1335CSSC11SMKA0-CP onsemi ar1335?pdf=Y Description: IMAGE SENSOR 13MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 63-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Voltage - Supply: 1.8V, 2.8V
Pixel Size: 1.1µm x 1.1µm
Active Pixel Array: 4208H x 3120V
Supplier Device Package: 63-ODCSP (6.29x5.69)
Frames per Second: 30.0
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.98 грн
5+1163.51 грн
10+1121.75 грн
25+1005.84 грн
50+973.75 грн
100+944.31 грн
500+870.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR AR0134CSSC00SPCA0-DPBR onsemi ar0134cs-d.pdf Description: IMAGE SENSOR RGB CMOS
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Frames per Second: 54.0
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1765.06 грн
5+1555.98 грн
10+1502.54 грн
25+1349.97 грн
50+1308.91 грн
100+1271.23 грн
500+1175.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521SR2C09SURA0-DR onsemi AR0521-D.PDF Description: IMAGE SENSOR 5MP 1/2 CIS SO
Frames per Second: 60.0
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Type: CMOS
Package / Case: 52-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1876.86 грн
5+1654.64 грн
10+1597.68 грн
25+1435.55 грн
50+1391.89 грн
100+1351.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521SR2C09SURA0-DP onsemi AR0521-D.PDF Description: 5MP 1/2 CIS SO
Frames per Second: 60.0
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Type: CMOS
Package / Case: 52-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1911.75 грн
5+1685.48 грн
10+1627.61 грн
25+1462.61 грн
50+1418.25 грн
100+1377.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0135CS2M00SUEA0-DPBR AR0135CS2M00SUEA0-DPBR onsemi ar0135cs?pdf=Y Description: IMAGE SENSOR 1MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1857.04 грн
5+1637.53 грн
10+1581.56 грн
25+1421.48 грн
50+1378.54 грн
100+1339.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0522SRSM09SURA0-DP AR0522SRSM09SURA0-DP onsemi AR0522_Web.pdf Description: IMAGE SENSOR CMOS 5MP 52PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LCC
Type: CMOS
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1964.88 грн
5+1733.74 грн
10+1674.49 грн
25+1505.06 грн
50+1459.64 грн
100+1417.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0234CSSC28SUKA0-CP AR0234CSSC28SUKA0-CP onsemi ar0234cs?pdf=Y Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2467.59 грн
5+2182.41 грн
10+2110.25 грн
25+1899.29 грн
50+1843.80 грн
100+1792.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0234CSSC00SUKA0-CP AR0234CSSC00SUKA0-CP onsemi ar0234cs?pdf=Y Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2467.59 грн
5+2182.41 грн
10+2110.25 грн
25+1899.29 грн
50+1843.80 грн
100+1792.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTG NXH040F120MNF1PTG onsemi nxh040f120mnf1-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6311.71 грн
28+4947.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PG NXH040F120MNF1PG onsemi nxh040f120mnf1-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6215.77 грн
28+4857.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PG NXH020F120MNF1PG onsemi nxh020f120mnf1-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8693.67 грн
28+7272.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG NXH020F120MNF1PTG onsemi nxh020f120mnf1-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10468.25 грн
28+9053.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N456ATR 1N456ATR onsemi 1n456a-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N456ATR 1N456ATR onsemi 1n456a-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 25 V
на замовлення 39952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
42+7.33 грн
100+3.58 грн
500+2.80 грн
1000+1.95 грн
2000+1.69 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 172737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.82 грн
30+461.93 грн
120+393.39 грн
510+322.08 грн
1020+322.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1609.65 грн
30+982.78 грн
120+858.74 грн
510+789.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1151.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2002.94 грн
10+1407.17 грн
100+1357.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.88 грн
30+890.62 грн
120+775.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1880.03 грн
30+1163.34 грн
120+1023.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1937.13 грн
30+1201.64 грн
120+1063.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.44 грн
30+659.74 грн
120+568.89 грн
510+493.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+753.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1433.62 грн
10+987.74 грн
100+887.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+336.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244B MMSZ5227B.pdf
MMSZ5244B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244B MMSZ5227B.pdf
MMSZ5244B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10 V
на замовлення 56970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11539+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADD5045-915-1-GEVK
ADD5045-915-1-GEVK
Виробник: onsemi
Description: AX5045 915MHZ DVK-2 ADD-ON BOARD
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: RF
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: AX5045
Platform: DVK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884 FDMC8884_RevE4_Jun2014.pdf
FDMC8884
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884 FDMC8884_RevE4_Jun2014.pdf
FDMC8884
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
на замовлення 22691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
626+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G nsr02301-d.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2X4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X4DFN (0.45x0.24)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G nsr02301-d.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2X4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X4DFN (0.45x0.24)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AMTF ONSM-S-A0004900064-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847AMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 673032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7407+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 7407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847ALT1 BC846ALT1_Rev6.pdf
BC847ALT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 23905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE39ARL P6KE6.8A_Series.pdf
P6KE39ARL
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT4053ADR2G mc74hct4051a-d.pdf
MC74HCT4053ADR2G
Виробник: onsemi
Description: IC MUX TRPL 2:1 100OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200nA
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT4053ADR2G mc74hct4051a-d.pdf
MC74HCT4053ADR2G
Виробник: onsemi
Description: IC MUX TRPL 2:1 100OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200nA
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4 1N6267A_Series.pdf
1.5KE12ARL4
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1069+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3644HV3 ONSMS38987-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRVR RGLTR SGL WR 16TQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 7V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Frequency: 800kHz ~ 1.6MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight, Camera Flash
Current - Output / Channel: 25mA
Internal Switch(s): No
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Dimming: Single-Wire
Voltage - Supply (Min): 2.5V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
699+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3604HS4-TE13 CATSS00900-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 30MA 16TQFN
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: 16-TQFN (4x4)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 30mA
Applications: Backlight, Camera Flash
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1MHz
Number of Outputs: 4
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WQFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
807+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G bd437-d.pdf
BD435G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
704+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAD8253MX-1 fad8253-d.pdf
FAD8253MX-1
Виробник: onsemi
Description: 1200V 2.5A HALF-BRIDGE GATE DRIV
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 2.5A, 3.4A
Current - Peak Output: 2.5A, 3.4A
Technology: IGBT
Voltage - Load: 10.6V ~ 22V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Fault Protection: Current Limiting, Shoot Through, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.82 грн
10+126.83 грн
25+115.97 грн
100+97.61 грн
250+92.26 грн
500+89.03 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA05 MPSA05%2CMMBTA05.pdf
MPSA05
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN GP BIPO LP 60V TO-92
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CLT1 bat54clt1-d.pdf
BAT54CLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 281978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3030+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1240AD065R2G ncp1240-d.pdf
NCP1240AD065R2G
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.3V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Over Load, Over Power, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
437+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1240GD065R2G ncp1240g-d.pdf
NCP1240GD065R2G
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.3V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Over Load, Over Power, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 13684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
363+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1240FD065R2G ncp1240-d.pdf
NCP1240FD065R2G
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.3V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Over Load, Over Power, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
437+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT9M114EBLSTCZ-CR mt9m114-d.pdf
MT9M114EBLSTCZ-CR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR CMOS 55ODCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 55-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 1.9µm x 1.9µm
Active Pixel Array: 1296H x 976V
Supplier Device Package: 55-ODCSP (4.65x3.85)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085 ffsb3065b-f085-d.pdf
FFSB3065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+250.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085 ffsb3065b-f085-d.pdf
FFSB3065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+613.73 грн
10+403.08 грн
100+296.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSM00SUKA0-CPBR AR0144CS_Web.pdf
AR0144CSSM00SUKA0-CPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR CMOS ODCSP-69
Packaging: Tray
Package / Case: 69-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 69-ODCSP (5.55x5.57)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+770.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AP1302CSSL00SMGA0-DR AP1302Datasheet.pdf
AP1302CSSL00SMGA0-DR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SIGNAL PROCESSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 120-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Processor
Supplier Device Package: 120-VFBGA (6.5x6.5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-DPBR asx340at-d.pdf
ASX340AT3C00XPED0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V, 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 720H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+953.89 грн
5+813.80 грн
10+776.39 грн
25+687.65 грн
40+668.85 грн
80+643.55 грн
440+582.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-DRBR asx340at-d.pdf
ASX340AT2C00XPED0-DRBR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE COLOR CMOS 48-ILCC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+963.41 грн
5+821.44 грн
10+783.57 грн
25+694.07 грн
40+675.10 грн
80+649.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170A ndsh25170a-d.pdf
NDSH25170A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1179.88 грн
30+705.53 грн
120+618.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 ntbg015n065sc1-d.pdf
NTBG015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+1172.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 ntbg015n065sc1-d.pdf
NTBG015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 10947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1892.72 грн
10+1382.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ffsh50120a-d.pdf
FFSH50120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1594.58 грн
30+943.25 грн
120+907.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2M09SURA0-DP AR0521-D.PDF
AR0521SR2M09SURA0-DP
Виробник: onsemi
Description: 5MP 1/2 CIS SO
Frames per Second: 60.0
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Type: CMOS
Package / Case: 52-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1340.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR AR0130CS.pdf
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR
Frames per Second: 45.0
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Type: CMOS
Package / Case: 48-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1178.29 грн
5+1033.40 грн
10+995.76 грн
25+892.25 грн
50+863.38 грн
100+836.89 грн
500+770.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR1335CSSC11SMKA0-CP ar1335?pdf=Y
AR1335CSSC11SMKA0-CP
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR 13MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 63-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Voltage - Supply: 1.8V, 2.8V
Pixel Size: 1.1µm x 1.1µm
Active Pixel Array: 4208H x 3120V
Supplier Device Package: 63-ODCSP (6.29x5.69)
Frames per Second: 30.0
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1324.98 грн
5+1163.51 грн
10+1121.75 грн
25+1005.84 грн
50+973.75 грн
100+944.31 грн
500+870.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR ar0134cs-d.pdf
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR RGB CMOS
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Frames per Second: 54.0
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1765.06 грн
5+1555.98 грн
10+1502.54 грн
25+1349.97 грн
50+1308.91 грн
100+1271.23 грн
500+1175.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR 5MP 1/2 CIS SO
Frames per Second: 60.0
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Type: CMOS
Package / Case: 52-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1876.86 грн
5+1654.64 грн
10+1597.68 грн
25+1435.55 грн
50+1391.89 грн
100+1351.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP
Виробник: onsemi
Description: 5MP 1/2 CIS SO
Frames per Second: 60.0
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Type: CMOS
Package / Case: 52-LCC
Packaging: Tray
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1911.75 грн
5+1685.48 грн
10+1627.61 грн
25+1462.61 грн
50+1418.25 грн
100+1377.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0135CS2M00SUEA0-DPBR ar0135cs?pdf=Y
AR0135CS2M00SUEA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR 1MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1857.04 грн
5+1637.53 грн
10+1581.56 грн
25+1421.48 грн
50+1378.54 грн
100+1339.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0522SRSM09SURA0-DP AR0522_Web.pdf
AR0522SRSM09SURA0-DP
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR CMOS 5MP 52PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LCC
Type: CMOS
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1964.88 грн
5+1733.74 грн
10+1674.49 грн
25+1505.06 грн
50+1459.64 грн
100+1417.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0234CSSC28SUKA0-CP ar0234cs?pdf=Y
AR0234CSSC28SUKA0-CP
Виробник: onsemi
Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2467.59 грн
5+2182.41 грн
10+2110.25 грн
25+1899.29 грн
50+1843.80 грн
100+1792.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0234CSSC00SUKA0-CP ar0234cs?pdf=Y
AR0234CSSC00SUKA0-CP
Виробник: onsemi
Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2467.59 грн
5+2182.41 грн
10+2110.25 грн
25+1899.29 грн
50+1843.80 грн
100+1792.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTG nxh040f120mnf1-d.pdf
NXH040F120MNF1PTG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6311.71 грн
28+4947.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PG nxh040f120mnf1-d.pdf
NXH040F120MNF1PG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6215.77 грн
28+4857.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PG nxh020f120mnf1-d.pdf
NXH020F120MNF1PG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8693.67 грн
28+7272.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG nxh020f120mnf1-d.pdf
NXH020F120MNF1PTG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10468.25 грн
28+9053.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N456ATR 1n456a-d.pdf
1N456ATR
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N456ATR 1n456a-d.pdf
1N456ATR
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 25 V
на замовлення 39952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
42+7.33 грн
100+3.58 грн
500+2.80 грн
1000+1.95 грн
2000+1.69 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 172737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+804.82 грн
30+461.93 грн
120+393.39 грн
510+322.08 грн
1020+322.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1609.65 грн
30+982.78 грн
120+858.74 грн
510+789.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+1151.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2002.94 грн
10+1407.17 грн
100+1357.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1470.88 грн
30+890.62 грн
120+775.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1880.03 грн
30+1163.34 грн
120+1023.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1937.13 грн
30+1201.64 грн
120+1063.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1116.44 грн
30+659.74 грн
120+568.89 грн
510+493.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+753.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1433.62 грн
10+987.74 грн
100+887.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+336.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1200 1440 1680 1920 2160 2400 2404  [ Наступна Сторінка >> ]