Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145212) > Сторінка 241 з 2421

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC608PZ FDC608PZ onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
11+27.24 грн
100+18.76 грн
500+15.04 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734 FDMS2734 onsemi FDMS2734-D.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.72 грн
10+281.54 грн
100+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 onsemi fdms3572-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.47 грн
10+145.81 грн
100+101.61 грн
500+82.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A FDS6574A onsemi ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX126BQX 74LCX126BQX onsemi ONSM-S-A0006342159-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14DQFN
Supplier Device Package: 14-DQFN (3x2.5)
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+44.77 грн
25+37.16 грн
100+26.78 грн
250+22.80 грн
500+20.34 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX16244GX 74LCX16244GX onsemi 74lcx16244-d.pdf Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 54FBGA
Supplier Device Package: 54-FBGA (5.5x8)
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 4
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 54-LFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVT574MTCX 74LVT574MTCX onsemi 74lvth574-d.pdf Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B EGF1B onsemi EGF1D-D.PDF Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+46.49 грн
100+30.39 грн
500+22.03 грн
1000+19.94 грн
2000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630A FDD6630A onsemi fdd6630a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A FDS4672A onsemi fds4672a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 43763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
10+58.50 грн
100+38.69 грн
500+28.32 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 onsemi fds4675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457N FDT457N onsemi fdt457n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 9521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.34 грн
10+53.13 грн
100+34.99 грн
500+25.53 грн
1000+23.17 грн
2000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4901TF FQS4901TF onsemi fqs4901-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 225mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 400V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF onsemi fqt5p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+50.15 грн
100+32.52 грн
500+23.97 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF FQT7N10TF onsemi fqt7n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
10+41.64 грн
100+28.79 грн
500+22.57 грн
1000+19.21 грн
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SB3157P6X NC7SB3157P6X onsemi NC7SB3157-D.PDF Description: IC SWITCH SPDT X 1 15OHM SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 221909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
28+10.82 грн
32+9.52 грн
100+7.64 грн
250+7.02 грн
500+6.64 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7385M FAN7385M onsemi fan7385-d.pdf Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.3V, 2.5V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Supplier Device Package: 14-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614 onsemi FDB2614-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710 onsemi fdb2710-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi FDB44N25-D.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.07 грн
1600+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.99 грн
1600+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442 FDB8442 onsemi FDB8442_RevC0_Nov2006.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.04 грн
6000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 onsemi FDD4243-D.PDF Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z FDFMA2N028Z onsemi fdfma2n028z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2P029Z FDFMA2P029Z onsemi fdfma2p029z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA520PZ FDMA520PZ onsemi fdma520pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ FDMA530PZ onsemi fdma530pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672 FDMS2672 onsemi ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 onsemi FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.39 грн
50+123.57 грн
100+111.89 грн
500+85.79 грн
1000+79.62 грн
2000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800 FDP5800 onsemi fdp5800-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
10+142.15 грн
100+98.84 грн
500+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.80 грн
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 onsemi fds8447-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.88 грн
5000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449 FDS8449 onsemi fds8449-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDW2508PB FDW2508PB onsemi FDW2508PB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJY3013R FJY3013R onsemi FJY3013R.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC89-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-89-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJY4009R FJY4009R onsemi FJY4009R.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90C FQP6N90C onsemi fqpf6n90c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2380BQX FSA2380BQX onsemi fsa2380-d.pdf Description: IC SWITCH AUDIO 3:1NEG 14-DQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3S ISL9V5045S3S onsemi ISLE9V5045S3(S).pdf Description: IGBT 480V 51A 300W D2PAK
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614 onsemi FDB2614-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710 onsemi fdb2710-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.83 грн
10+265.58 грн
100+193.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi FDB44N25-D.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.72 грн
10+160.58 грн
100+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.75 грн
10+136.56 грн
100+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.38 грн
100+24.27 грн
500+17.46 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 onsemi FDD4243-D.PDF Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.44 грн
10+55.59 грн
100+36.66 грн
500+26.78 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z FDFMA2N028Z onsemi fdfma2n028z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+47.91 грн
100+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ FDMA530PZ onsemi fdma530pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.54 грн
10+57.23 грн
100+37.94 грн
500+27.84 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672 FDMS2672 onsemi ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+131.03 грн
100+94.87 грн
500+74.08 грн
1000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.29 грн
10+199.24 грн
100+141.50 грн
500+124.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 38304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+47.61 грн
100+31.18 грн
500+22.63 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+66.34 грн
100+44.10 грн
500+32.45 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 onsemi fds8447-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+81.71 грн
100+63.53 грн
500+50.53 грн
1000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449 FDS8449 onsemi fds8449-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW2508PB FDW2508PB onsemi FDW2508PB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJY4009R FJY4009R onsemi FJY4009R.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2380BQX FSA2380BQX onsemi fsa2380-d.pdf Description: IC SWITCH AUDIO 3:1NEG 14-DQFN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3163BMNR2G NCP3163BMNR2G onsemi ncp3163-d.pdf Description: IC REG BUCK BST ADJ 3.4A 18DFN
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Max): 40V (Switch)
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: 18-DFN (5x6)
Topology: Buck, Boost
Voltage - Input (Max): 40V
Frequency - Switching: 50kHz ~ 300kHz
Output Configuration: Positive or Negative
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 3.4A (Switch)
Function: Step-Up, Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 18-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
FDC608PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.12 грн
11+27.24 грн
100+18.76 грн
500+15.04 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734 FDMS2734-D.pdf
FDMS2734
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.72 грн
10+281.54 грн
100+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 fdms3572-d.pdf
FDMS3572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.47 грн
10+145.81 грн
100+101.61 грн
500+82.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6574A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX126BQX ONSM-S-A0006342159-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LCX126BQX
Виробник: onsemi
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14DQFN
Supplier Device Package: 14-DQFN (3x2.5)
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+44.77 грн
25+37.16 грн
100+26.78 грн
250+22.80 грн
500+20.34 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX16244GX 74lcx16244-d.pdf
74LCX16244GX
Виробник: onsemi
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 54FBGA
Supplier Device Package: 54-FBGA (5.5x8)
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 4
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 54-LFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVT574MTCX 74lvth574-d.pdf
74LVT574MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B EGF1D-D.PDF
EGF1B
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+46.49 грн
100+30.39 грн
500+22.03 грн
1000+19.94 грн
2000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630A fdd6630a-d.pdf
FDD6630A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A fds4672a-d.pdf
FDS4672A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 43763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.09 грн
10+58.50 грн
100+38.69 грн
500+28.32 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675-d.pdf
FDS4675
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457N fdt457n-d.pdf
FDT457N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 9521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.34 грн
10+53.13 грн
100+34.99 грн
500+25.53 грн
1000+23.17 грн
2000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4901TF fqs4901-d.pdf
FQS4901TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 225mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 400V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+50.15 грн
100+32.52 грн
500+23.97 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF fqt7n10-d.pdf
FQT7N10TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
10+41.64 грн
100+28.79 грн
500+22.57 грн
1000+19.21 грн
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SB3157P6X NC7SB3157-D.PDF
NC7SB3157P6X
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 1 15OHM SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 221909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
28+10.82 грн
32+9.52 грн
100+7.64 грн
250+7.02 грн
500+6.64 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7385M fan7385-d.pdf
FAN7385M
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.3V, 2.5V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Supplier Device Package: 14-SOP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614-D.pdf
FDB2614
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
FDB2710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+84.07 грн
1600+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
FDB52N20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+75.99 грн
1600+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442 FDB8442_RevC0_Nov2006.pdf
FDB8442
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.04 грн
6000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243-D.PDF
FDD4243
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z fdfma2n028z-d.pdf
FDFMA2N028Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2P029Z fdfma2p029z-d.pdf
FDFMA2P029Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA520PZ fdma520pz-d.pdf
FDMA520PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ fdma530pz-d.pdf
FDMA530PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
FDMS5672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
FDP52N20
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.39 грн
50+123.57 грн
100+111.89 грн
500+85.79 грн
1000+79.62 грн
2000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800 fdp5800-d.pdf
FDP5800
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.27 грн
10+142.15 грн
100+98.84 грн
500+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.80 грн
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.88 грн
5000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449 fds8449-d.pdf
FDS8449
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDW2508PB FDW2508PB.pdf
FDW2508PB
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJY3013R FJY3013R.pdf
FJY3013R
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC89-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-89-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJY4009R FJY4009R.pdf
FJY4009R
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90C fqpf6n90c-d.pdf
FQP6N90C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2380BQX fsa2380-d.pdf
FSA2380BQX
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH AUDIO 3:1NEG 14-DQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3S ISLE9V5045S3(S).pdf
ISL9V5045S3S
Виробник: onsemi
Description: IGBT 480V 51A 300W D2PAK
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614-D.pdf
FDB2614
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
FDB2710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+406.83 грн
10+265.58 грн
100+193.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.72 грн
10+160.58 грн
100+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
FDB52N20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.75 грн
10+136.56 грн
100+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
10+37.38 грн
100+24.27 грн
500+17.46 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243-D.PDF
FDD4243
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.44 грн
10+55.59 грн
100+36.66 грн
500+26.78 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z fdfma2n028z-d.pdf
FDFMA2N028Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+47.91 грн
100+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ fdma530pz-d.pdf
FDMA530PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
10+57.23 грн
100+37.94 грн
500+27.84 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+131.03 грн
100+94.87 грн
500+74.08 грн
1000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
FDMS5672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+312.29 грн
10+199.24 грн
100+141.50 грн
500+124.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 38304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.04 грн
10+47.61 грн
100+31.18 грн
500+22.63 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.49 грн
10+66.34 грн
100+44.10 грн
500+32.45 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+81.71 грн
100+63.53 грн
500+50.53 грн
1000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449 fds8449-d.pdf
FDS8449
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW2508PB FDW2508PB.pdf
FDW2508PB
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJY4009R FJY4009R.pdf
FJY4009R
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2380BQX fsa2380-d.pdf
FSA2380BQX
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH AUDIO 3:1NEG 14-DQFN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3163BMNR2G ncp3163-d.pdf
NCP3163BMNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK BST ADJ 3.4A 18DFN
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Max): 40V (Switch)
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: 18-DFN (5x6)
Topology: Buck, Boost
Voltage - Input (Max): 40V
Frequency - Switching: 50kHz ~ 300kHz
Output Configuration: Positive or Negative
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 3.4A (Switch)
Function: Step-Up, Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 18-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]