Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141978) > Сторінка 35 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3906TFR 2N3906TFR onsemi pzt3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.60 грн
4000+2.34 грн
6000+2.26 грн
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.90 грн
4000+2.62 грн
6000+2.44 грн
10000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TAR 2N4401TAR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.42 грн
4000+2.83 грн
10000+2.56 грн
14000+2.44 грн
20000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403TFR 2N4403TFR onsemi 2N4403T.PDF Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.82 грн
4000+2.69 грн
6000+2.50 грн
10000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BC81740MTF BC81740MTF onsemi BC817%2CBC818.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 BCP55 onsemi bcp55-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A onsemi FDD6670A-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 FDLL4148 onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 232500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+0.88 грн
5000+0.70 грн
7500+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.69 грн
6000+12.99 грн
9000+12.40 грн
15000+11.02 грн
21000+10.65 грн
30000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 506500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.90 грн
6000+3.37 грн
9000+3.17 грн
15000+2.77 грн
21000+2.65 грн
30000+2.53 грн
75000+2.23 грн
150000+2.07 грн
300000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P onsemi ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 367403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
6000+4.76 грн
9000+4.49 грн
15000+3.94 грн
21000+3.78 грн
30000+3.62 грн
75000+3.21 грн
150000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT549 FMMT549 onsemi fmmt549-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
6000+7.52 грн
9000+7.14 грн
15000+6.30 грн
21000+6.07 грн
30000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
H11L1SR2M H11L1SR2M onsemi H11L3M-D.PDF description Description: OPTOISO 4.17KV OPEN COLL 6-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Data Rate: 1MHz
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 30mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 100ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 4µs, 4µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.89 грн
2000+29.03 грн
3000+28.18 грн
5000+25.54 грн
7000+24.99 грн
10000+24.47 грн
25000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1203 MMBD1203 onsemi MMBD1202-D.PDF Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V
на замовлення 59750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
6000+2.62 грн
9000+2.54 грн
15000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1204 MMBD1204 onsemi ONSM-S-A0003587619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+3.03 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1503A MMBD1503A onsemi mmbd1501-d.pdf Description: DIODE ARR GP 200V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.47 грн
9000+3.25 грн
15000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4148CC MMBD4148CC onsemi mmbd4148se-d.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+1.95 грн
9000+1.83 грн
15000+1.58 грн
21000+1.51 грн
30000+1.43 грн
75000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126 MMBT4126 onsemi 2N4126_MMBT4126.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087 MMBT5087 onsemi 2N5086%2C%202N5087%2C%20MMBT5087.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5179 MMBT5179 onsemi MMBT5179-D.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
6000+2.32 грн
9000+2.28 грн
15000+2.09 грн
21000+2.07 грн
30000+2.04 грн
75000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427 MMBT6427 onsemi 2N6427%2C%20MMBT6427.pdf Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH81 MMBTH81 onsemi mpsh81-d.pdf Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
6000+3.05 грн
9000+2.99 грн
15000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMPQ2222A MMPQ2222A onsemi mmpq2222a-d.pdf Description: TRANS 4NPN QUAD 40V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.31 грн
5000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MMPQ2907A MMPQ2907A onsemi mmpq2907a-d.pdf Description: TRANS 4PNP QUAD 60V 600MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 PNP (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.31 грн
5000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06_D26Z MPSA06_D26Z onsemi MPSA06%2CMMBTA06%2CPZTA06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42_D26Z MPSA42_D26Z onsemi DS_261_MMBTA42.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00P5 NC7SZ00P5 onsemi ONSM-S-A0005492789-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ16P6 NC7WZ16P6 onsemi ONSM-S-A0003590680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
6000+10.64 грн
9000+10.13 грн
15000+8.98 грн
21000+8.66 грн
30000+8.36 грн
75000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN NDS351AN onsemi nds351an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN onsemi NDS355AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.07 грн
6000+12.43 грн
9000+11.87 грн
15000+10.54 грн
21000+10.18 грн
30000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP NDS356AP onsemi ONSM-S-A0003585169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.29 грн
8000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PN100RM PN100RM onsemi PN100(A),%20MMBT100(A).pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222ATFR PN2222ATFR onsemi pn2222a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.60 грн
4000+3.96 грн
6000+3.72 грн
10000+3.25 грн
14000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
RC1117S33T RC1117S33T onsemi RC1117.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 7.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
PSRR: 72dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RC1585MT RC1585MT onsemi RC1585.pdf Description: IC REG CONV PENTIUM 1OUT TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Voltage - Output: 1.5V ~ 3.6V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.5V ~ 7V
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Applications: Converter, Intel Pentium® II GTL+, Pro
Supplier Device Package: TO-263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9955DY SI9955DY onsemi SI9955DY.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.66 грн
6000+11.17 грн
9000+10.64 грн
15000+9.44 грн
21000+9.11 грн
30000+8.79 грн
75000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.78 грн
6000+10.38 грн
9000+9.89 грн
15000+8.76 грн
21000+8.46 грн
30000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N3595TR 1N3595TR onsemi 1n3595-d.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
на замовлення 12195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.37 грн
50+6.64 грн
100+5.40 грн
500+3.55 грн
1000+3.18 грн
2000+2.93 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448TR 1N4448TR onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 2732512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.66 грн
109+3.03 грн
123+2.67 грн
500+1.76 грн
1000+1.40 грн
2000+1.35 грн
5000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
1N4454TR 1N4454TR onsemi 1n4454-d.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 687179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.66 грн
94+3.53 грн
107+3.07 грн
500+2.03 грн
1000+1.72 грн
2000+1.59 грн
5000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
1N914BTR 1N914BTR onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 39633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.66 грн
115+2.87 грн
134+2.46 грн
500+1.65 грн
1000+1.40 грн
2000+1.24 грн
5000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904TFR 2N3904TFR onsemi pzt3904-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.92 грн
60+5.49 грн
100+5.43 грн
500+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR 2N3906TFR onsemi pzt3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.07 грн
49+6.72 грн
100+6.13 грн
500+4.68 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR 2N4401TFR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.63 грн
47+7.05 грн
100+6.89 грн
500+4.99 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TAR 2N4401TAR onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 90311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.63 грн
36+9.18 грн
100+7.45 грн
500+5.22 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403TFR 2N4403TFR onsemi 2N4403T.PDF Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.63 грн
39+8.45 грн
100+7.37 грн
500+5.09 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 BCP55 onsemi bcp55-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.21 грн
10+33.38 грн
100+21.51 грн
500+15.39 грн
1000+13.84 грн
2000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A onsemi FDD6670A-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.59 грн
10+78.48 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 FDLL4148 onsemi 1n914-d.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 232668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.81 грн
112+2.95 грн
125+2.62 грн
500+1.77 грн
1000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 76725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.17 грн
10+36.82 грн
100+23.86 грн
500+17.13 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.45 грн
10+64.78 грн
100+43.04 грн
500+31.63 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 507842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.74 грн
30+11.23 грн
100+6.95 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P FDV302P onsemi ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 367603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.55 грн
22+15.25 грн
100+9.56 грн
500+6.65 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT549 FMMT549 onsemi fmmt549-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 59341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
15+22.88 грн
100+14.52 грн
500+10.25 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR pzt3906-d.pdf
2N3906TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+2.60 грн
4000+2.34 грн
6000+2.26 грн
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR MMBT4401-D.PDF
2N4401TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+2.90 грн
4000+2.62 грн
6000+2.44 грн
10000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TAR MMBT4401-D.PDF
2N4401TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+3.42 грн
4000+2.83 грн
10000+2.56 грн
14000+2.44 грн
20000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403TFR 2N4403T.PDF
2N4403TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+2.82 грн
4000+2.69 грн
6000+2.50 грн
10000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BC81740MTF BC817%2CBC818.pdf
BC81740MTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 bcp55-d.pdf
BCP55
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A-D.pdf
FDD6670A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 1n914-d.pdf
FDLL4148
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 232500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+0.88 грн
5000+0.70 грн
7500+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.69 грн
6000+12.99 грн
9000+12.40 грн
15000+11.02 грн
21000+10.65 грн
30000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.49 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 506500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.90 грн
6000+3.37 грн
9000+3.17 грн
15000+2.77 грн
21000+2.65 грн
30000+2.53 грн
75000+2.23 грн
150000+2.07 грн
300000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDV302P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 367403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.47 грн
6000+4.76 грн
9000+4.49 грн
15000+3.94 грн
21000+3.78 грн
30000+3.62 грн
75000+3.21 грн
150000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT549 fmmt549-d.pdf
FMMT549
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.59 грн
6000+7.52 грн
9000+7.14 грн
15000+6.30 грн
21000+6.07 грн
30000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
H11L1SR2M description H11L3M-D.PDF
H11L1SR2M
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV OPEN COLL 6-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Data Rate: 1MHz
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 30mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 100ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 4µs, 4µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.89 грн
2000+29.03 грн
3000+28.18 грн
5000+25.54 грн
7000+24.99 грн
10000+24.47 грн
25000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1203 MMBD1202-D.PDF
MMBD1203
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V
на замовлення 59750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.90 грн
6000+2.62 грн
9000+2.54 грн
15000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1204 ONSM-S-A0003587619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBD1204
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.33 грн
6000+3.03 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1503A mmbd1501-d.pdf
MMBD1503A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 200V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.86 грн
6000+3.47 грн
9000+3.25 грн
15000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4148CC mmbd4148se-d.pdf
MMBD4148CC
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.28 грн
6000+1.95 грн
9000+1.83 грн
15000+1.58 грн
21000+1.51 грн
30000+1.43 грн
75000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126 2N4126_MMBT4126.pdf
MMBT4126
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087 2N5086%2C%202N5087%2C%20MMBT5087.pdf
MMBT5087
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5179 MMBT5179-D.PDF
MMBT5179
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.51 грн
6000+2.32 грн
9000+2.28 грн
15000+2.09 грн
21000+2.07 грн
30000+2.04 грн
75000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427 2N6427%2C%20MMBT6427.pdf
MMBT6427
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH81 mpsh81-d.pdf
MMBTH81
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.28 грн
6000+3.05 грн
9000+2.99 грн
15000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMPQ2222A mmpq2222a-d.pdf
MMPQ2222A
Виробник: onsemi
Description: TRANS 4NPN QUAD 40V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.31 грн
5000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MMPQ2907A mmpq2907a-d.pdf
MMPQ2907A
Виробник: onsemi
Description: TRANS 4PNP QUAD 60V 600MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 PNP (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.31 грн
5000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06_D26Z MPSA06%2CMMBTA06%2CPZTA06.pdf
MPSA06_D26Z
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42_D26Z DS_261_MMBTA42.pdf
MPSA42_D26Z
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00P5 ONSM-S-A0005492789-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7SZ00P5
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ16P6 ONSM-S-A0003590680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7WZ16P6
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.07 грн
6000+10.64 грн
9000+10.13 грн
15000+8.98 грн
21000+8.66 грн
30000+8.36 грн
75000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN nds351an-d.pdf
NDS351AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN-D.PDF
NDS355AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.07 грн
6000+12.43 грн
9000+11.87 грн
15000+10.54 грн
21000+10.18 грн
30000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP ONSM-S-A0003585169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NDS356AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.29 грн
8000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PN100RM PN100(A),%20MMBT100(A).pdf
PN100RM
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222ATFR pn2222a-d.pdf
PN2222ATFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.60 грн
4000+3.96 грн
6000+3.72 грн
10000+3.25 грн
14000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
RC1117S33T RC1117.pdf
RC1117S33T
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 7.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
PSRR: 72dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RC1585MT RC1585.pdf
RC1585MT
Виробник: onsemi
Description: IC REG CONV PENTIUM 1OUT TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Voltage - Output: 1.5V ~ 3.6V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.5V ~ 7V
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Applications: Converter, Intel Pentium® II GTL+, Pro
Supplier Device Package: TO-263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9955DY SI9955DY.pdf
SI9955DY
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.66 грн
6000+11.17 грн
9000+10.64 грн
15000+9.44 грн
21000+9.11 грн
30000+8.79 грн
75000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.78 грн
6000+10.38 грн
9000+9.89 грн
15000+8.76 грн
21000+8.46 грн
30000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N3595TR 1n3595-d.pdf
1N3595TR
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 150V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
на замовлення 12195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.37 грн
50+6.64 грн
100+5.40 грн
500+3.55 грн
1000+3.18 грн
2000+2.93 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448TR 1n914-d.pdf
1N4448TR
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 2732512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.66 грн
109+3.03 грн
123+2.67 грн
500+1.76 грн
1000+1.40 грн
2000+1.35 грн
5000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
1N4454TR 1n4454-d.pdf
1N4454TR
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 687179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.66 грн
94+3.53 грн
107+3.07 грн
500+2.03 грн
1000+1.72 грн
2000+1.59 грн
5000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
1N914BTR 1n914-d.pdf
1N914BTR
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 39633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.66 грн
115+2.87 грн
134+2.46 грн
500+1.65 грн
1000+1.40 грн
2000+1.24 грн
5000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904TFR pzt3904-d.pdf
2N3904TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.92 грн
60+5.49 грн
100+5.43 грн
500+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR pzt3906-d.pdf
2N3906TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.07 грн
49+6.72 грн
100+6.13 грн
500+4.68 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR MMBT4401-D.PDF
2N4401TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.63 грн
47+7.05 грн
100+6.89 грн
500+4.99 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TAR MMBT4401-D.PDF
2N4401TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 90311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.63 грн
36+9.18 грн
100+7.45 грн
500+5.22 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403TFR 2N4403T.PDF
2N4403TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.63 грн
39+8.45 грн
100+7.37 грн
500+5.09 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 bcp55-d.pdf
BCP55
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.21 грн
10+33.38 грн
100+21.51 грн
500+15.39 грн
1000+13.84 грн
2000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A-D.pdf
FDD6670A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.59 грн
10+78.48 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 1n914-d.pdf
FDLL4148
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 232668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.81 грн
112+2.95 грн
125+2.62 грн
500+1.77 грн
1000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 76725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.17 грн
10+36.82 грн
100+23.86 грн
500+17.13 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.45 грн
10+64.78 грн
100+43.04 грн
500+31.63 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N fdv301n-d.pdf
FDV301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 507842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.74 грн
30+11.23 грн
100+6.95 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P ONSM-S-A0003587552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDV302P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 367603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.55 грн
22+15.25 грн
100+9.56 грн
500+6.65 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT549 fmmt549-d.pdf
FMMT549
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 59341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.32 грн
15+22.88 грн
100+14.52 грн
500+10.25 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]