Результат пошуку "50n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 217211
Додати до обраних Обраний товар
China Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 9 шт
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 11 шт
10 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon info-tigw50n60h3.pdf IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+323.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon info-tikw50n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+175.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon TIKW50n60t_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+243.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon TIKW50n60t_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+243.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+401.15 грн
10+250.28 грн
30+230.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+720.26 грн
5+565.86 грн
10+504.75 грн
30+488.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+803.20 грн
10+616.92 грн
30+479.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+796.88 грн
10+619.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+960.05 грн
3+802.74 грн
10+707.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1062.81 грн
3+896.50 грн
10+783.49 грн
30+704.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 VISHAY sihh250n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 13A; 89W; 8,X
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 89W
Case: 8; X
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+219.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 51 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+173.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
E250N60 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TP Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60AU1 IXYS IXGK50N60AU1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 ABB IXGN50N60BD2%2C3.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1 IXYS IXSK50N60AU1.pdf 09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60U1 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor ngtb50n60l2w-d.pdf
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWG ON Semiconductor ngtg50n60fw-d.pdf
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS INFINEON MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TD250N600KOF AEG 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3
Код товару: 107816
Додати до обраних Обраний товар
Infineon igw50n60h3_2_2.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товару немає в наявності
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 транзистор
Код товару: 205715
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3
Код товару: 94376
Додати до обраних Обраний товар
INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T
Код товару: 145126
Додати до обраних Обраний товар
INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TA
Код товару: 139366
Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3
Код товару: 152198
Додати до обраних Обраний товар
IXFx50N60P3.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N60C2D1
Код товару: 166974
Додати до обраних Обраний товар
media?resourcetype=datasheets&itemid=25267EBF-74B7-4504-A856-C327530D0239&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGX50N60C2D1-Datasheet.PDF Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KGT50N60KDA (транзистор)
Код товару: 49839
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454
Додати до обраних Обраний товар
NGTG50N60FLWG.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5SDD 50N6000 ABB 5SDD_50N6000.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/Ø100mm
Mounting: Press-Pack
Max. off-state voltage: 6kV
Load current: 4.21kA
Max. forward impulse current: 71.2kA
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of diode: hockey-puck rectifying
Body dimensions: Ø151/Ø100mm
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS IXXH50N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS IXXH50N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS IXYN150N60B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 217211
Додати до обраних Обраний товар
SGW50N60HS
Виробник: China
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 9 шт
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар
SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 11 шт
10 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 info-tigw50n60h3.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 info-tikw50n60h3.pdf
IKW50N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T TIKW50n60t_0001.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T TIKW50n60t_0001.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.15 грн
10+250.28 грн
30+230.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+720.26 грн
5+565.86 грн
10+504.75 грн
30+488.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+803.20 грн
10+616.92 грн
30+479.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.88 грн
10+619.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.05 грн
3+802.74 грн
10+707.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.81 грн
3+896.50 грн
10+783.49 грн
30+704.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 13A; 89W; 8,X
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 89W
Case: 8; X
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+219.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 51 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+173.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
E250N60
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60AU1 IXGK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2%2C3.pdf
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1 IXSK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60U1
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TD250N600KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65F1A
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65T1
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3
Код товару: 107816
Додати до обраних Обраний товар
igw50n60h3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 транзистор
Код товару: 205715
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3
Код товару: 94376
Додати до обраних Обраний товар
INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKW50N60H3
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T
Код товару: 145126
Додати до обраних Обраний товар
INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TA
Код товару: 139366
Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3
Код товару: 152198
Додати до обраних Обраний товар
IXFx50N60P3.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N60C2D1
Код товару: 166974
Додати до обраних Обраний товар
media?resourcetype=datasheets&itemid=25267EBF-74B7-4504-A856-C327530D0239&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGX50N60C2D1-Datasheet.PDF
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KGT50N60KDA (транзистор)
Код товару: 49839
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454
Додати до обраних Обраний товар
NGTG50N60FLWG.pdf
NGTG50N60FLWG
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5SDD 50N6000 5SDD_50N6000.pdf
Виробник: ABB
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/Ø100mm
Mounting: Press-Pack
Max. off-state voltage: 6kV
Load current: 4.21kA
Max. forward impulse current: 71.2kA
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of diode: hockey-puck rectifying
Body dimensions: Ø151/Ø100mm
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CT.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXA50N60B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3.pdf
IXXH50N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]