Результат пошуку "50n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 10 шт
5 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN-1730981.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.97 грн
10+431.26 грн
25+341.33 грн
100+313.01 грн
240+288.52 грн
480+285.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi / Fairchild fdbl0150n60-d.pdf MOSFETs Update code D
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.37 грн
10+407.49 грн
100+313.01 грн
500+298.47 грн
1000+284.70 грн
2000+265.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.97 грн
10+225.31 грн
100+150.00 грн
500+133.93 грн
1000+114.03 грн
2000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.97 грн
10+225.31 грн
100+150.00 грн
500+133.93 грн
1000+114.03 грн
2000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.90 грн
10+247.31 грн
100+173.73 грн
500+154.59 грн
1000+132.40 грн
2500+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.47 грн
10+212.99 грн
100+138.52 грн
500+123.22 грн
1000+117.09 грн
2500+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2-3360056.pdf IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.19 грн
10+411.01 грн
25+215.82 грн
100+214.29 грн
240+175.26 грн
480+144.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.72 грн
4+239.16 грн
11+226.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+431.67 грн
4+298.03 грн
11+271.69 грн
120+261.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+294.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60T IGW50N60T Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.08 грн
10+262.27 грн
100+184.44 грн
480+163.78 грн
1200+140.82 грн
2640+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+391.49 грн
4+235.97 грн
11+223.22 грн
30+221.62 грн
120+214.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+469.79 грн
4+294.06 грн
11+267.86 грн
30+265.95 грн
120+257.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.54 грн
10+223.55 грн
100+145.41 грн
480+129.34 грн
1200+110.97 грн
2640+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TPXKSA1 IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361671.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.50 грн
10+267.56 грн
25+146.18 грн
100+120.15 грн
240+118.62 грн
480+93.37 грн
1200+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.63 грн
4+290.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+570.75 грн
4+361.61 грн
9+329.09 грн
480+327.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.54 грн
25+213.87 грн
240+185.21 грн
480+178.32 грн
5040+173.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN-3362166.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.65 грн
10+415.41 грн
100+292.35 грн
480+259.44 грн
1200+221.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN-1369176.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.72 грн
25+389.89 грн
100+332.15 грн
240+331.38 грн
2640+323.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.35 грн
7+137.92 грн
19+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.40 грн
10+342.36 грн
25+174.49 грн
100+143.11 грн
240+142.35 грн
480+112.50 грн
1200+110.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.54 грн
10+346.77 грн
100+244.90 грн
240+244.14 грн
480+216.58 грн
1200+185.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+159.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.64 грн
4+285.40 грн
10+269.46 грн
120+265.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+475.97 грн
4+355.65 грн
10+323.35 грн
120+318.56 грн
480+310.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.76 грн
10+449.74 грн
25+231.13 грн
100+192.09 грн
240+191.33 грн
480+156.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.83 грн
10+342.36 грн
100+240.31 грн
480+213.52 грн
1200+182.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+300.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+300.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.57 грн
3+327.65 грн
8+310.11 грн
30+304.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.69 грн
3+408.30 грн
8+372.14 грн
30+365.44 грн
120+358.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.83 грн
10+342.36 грн
100+240.31 грн
480+215.82 грн
1200+182.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.17 грн
2+511.81 грн
6+483.90 грн
120+477.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+763.40 грн
2+637.79 грн
6+580.68 грн
120+573.03 грн
510+558.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.62 грн
10+543.91 грн
120+461.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.05 грн
2+503.04 грн
6+475.13 грн
120+457.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+990.06 грн
2+626.86 грн
6+570.16 грн
120+549.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.10 грн
2+593.12 грн
5+560.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1135.32 грн
2+739.12 грн
5+672.52 грн
510+670.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.34 грн
10+616.96 грн
120+535.72 грн
510+488.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.45 грн
2+656.10 грн
3+655.30 грн
4+620.23 грн
10+619.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1183.74 грн
2+817.60 грн
3+786.36 грн
4+744.27 грн
10+743.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1109.22 грн
2+739.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1331.06 грн
2+921.91 грн
4+839.94 грн
10+838.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS media-3323158.pdf IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.98 грн
10+903.00 грн
120+720.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS media-3319329.pdf IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+999.12 грн
10+801.79 грн
120+510.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS media-3319508.pdf IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.38 грн
10+755.14 грн
510+643.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS media-3323788.pdf IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.91 грн
10+618.72 грн
120+460.72 грн
510+444.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS media-3320068.pdf IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2124.14 грн
10+1748.79 грн
100+1330.12 грн
500+1314.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd-1395994.pdf MOSFETs
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.75 грн
10+178.66 грн
100+123.98 грн
500+104.08 грн
800+88.78 грн
2400+83.42 грн
4800+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.25 грн
10+231.47 грн
100+145.41 грн
500+116.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.50 грн
10+245.55 грн
100+166.07 грн
500+140.05 грн
1000+130.87 грн
2000+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.37 грн
10+566.79 грн
100+465.31 грн
500+414.80 грн
1000+358.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.18 грн
10+274.60 грн
100+170.67 грн
500+141.58 грн
1000+138.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.40 грн
10+329.16 грн
100+206.64 грн
500+205.87 грн
1000+194.39 грн
3000+172.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.79 грн
10+254.35 грн
100+194.39 грн
500+172.96 грн
1000+167.60 грн
3000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+673.22 грн
10+458.54 грн
100+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.83 грн
10+236.75 грн
100+148.47 грн
500+120.15 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 10 шт
5 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+255.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN-1730981.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.97 грн
10+431.26 грн
25+341.33 грн
100+313.01 грн
240+288.52 грн
480+285.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
FDBL0150N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.37 грн
10+407.49 грн
100+313.01 грн
500+298.47 грн
1000+284.70 грн
2000+265.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf
IGB50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.97 грн
10+225.31 грн
100+150.00 грн
500+133.93 грн
1000+114.03 грн
2000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.97 грн
10+225.31 грн
100+150.00 грн
500+133.93 грн
1000+114.03 грн
2000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf
IGP50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.90 грн
10+247.31 грн
100+173.73 грн
500+154.59 грн
1000+132.40 грн
2500+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf
IGP50N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.47 грн
10+212.99 грн
100+138.52 грн
500+123.22 грн
1000+117.09 грн
2500+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2-3360056.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.19 грн
10+411.01 грн
25+215.82 грн
100+214.29 грн
240+175.26 грн
480+144.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+359.72 грн
4+239.16 грн
11+226.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.67 грн
4+298.03 грн
11+271.69 грн
120+261.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60T Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf
IGW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.08 грн
10+262.27 грн
100+184.44 грн
480+163.78 грн
1200+140.82 грн
2640+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+391.49 грн
4+235.97 грн
11+223.22 грн
30+221.62 грн
120+214.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.79 грн
4+294.06 грн
11+267.86 грн
30+265.95 грн
120+257.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.54 грн
10+223.55 грн
100+145.41 грн
480+129.34 грн
1200+110.97 грн
2640+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TPXKSA1 Infineon_IGW50N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361671.pdf
IGW50N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.50 грн
10+267.56 грн
25+146.18 грн
100+120.15 грн
240+118.62 грн
480+93.37 грн
1200+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.63 грн
4+290.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.75 грн
4+361.61 грн
9+329.09 грн
480+327.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.54 грн
25+213.87 грн
240+185.21 грн
480+178.32 грн
5040+173.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN-3362166.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.65 грн
10+415.41 грн
100+292.35 грн
480+259.44 грн
1200+221.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN-1369176.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.72 грн
25+389.89 грн
100+332.15 грн
240+331.38 грн
2640+323.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.35 грн
7+137.92 грн
19+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.40 грн
10+342.36 грн
25+174.49 грн
100+143.11 грн
240+142.35 грн
480+112.50 грн
1200+110.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf
IKW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.54 грн
10+346.77 грн
100+244.90 грн
240+244.14 грн
480+216.58 грн
1200+185.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+159.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.64 грн
4+285.40 грн
10+269.46 грн
120+265.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.97 грн
4+355.65 грн
10+323.35 грн
120+318.56 грн
480+310.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.76 грн
10+449.74 грн
25+231.13 грн
100+192.09 грн
240+191.33 грн
480+156.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.83 грн
10+342.36 грн
100+240.31 грн
480+213.52 грн
1200+182.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.57 грн
3+327.65 грн
8+310.11 грн
30+304.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.69 грн
3+408.30 грн
8+372.14 грн
30+365.44 грн
120+358.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.83 грн
10+342.36 грн
100+240.31 грн
480+215.82 грн
1200+182.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.17 грн
2+511.81 грн
6+483.90 грн
120+477.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+763.40 грн
2+637.79 грн
6+580.68 грн
120+573.03 грн
510+558.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 media-3322766.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+886.62 грн
10+543.91 грн
120+461.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+825.05 грн
2+503.04 грн
6+475.13 грн
120+457.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.06 грн
2+626.86 грн
6+570.16 грн
120+549.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.10 грн
2+593.12 грн
5+560.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1135.32 грн
2+739.12 грн
5+672.52 грн
510+670.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 media-3322766.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+922.34 грн
10+616.96 грн
120+535.72 грн
510+488.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.45 грн
2+656.10 грн
3+655.30 грн
4+620.23 грн
10+619.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1183.74 грн
2+817.60 грн
3+786.36 грн
4+744.27 грн
10+743.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.22 грн
2+739.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1331.06 грн
2+921.91 грн
4+839.94 грн
10+838.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 media-3323158.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1241.98 грн
10+903.00 грн
120+720.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 media-3319329.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+999.12 грн
10+801.79 грн
120+510.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 media-3319508.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1205.38 грн
10+755.14 грн
510+643.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 media-3323788.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.91 грн
10+618.72 грн
120+460.72 грн
510+444.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 media-3320068.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2124.14 грн
10+1748.79 грн
100+1330.12 грн
500+1314.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W rm150n60hd-1395994.pdf
RM150N60HD-W
Виробник: Rectron
MOSFETs
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.75 грн
10+178.66 грн
100+123.98 грн
500+104.08 грн
800+88.78 грн
2400+83.42 грн
4800+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.25 грн
10+231.47 грн
100+145.41 грн
500+116.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.50 грн
10+245.55 грн
100+166.07 грн
500+140.05 грн
1000+130.87 грн
2000+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.37 грн
10+566.79 грн
100+465.31 грн
500+414.80 грн
1000+358.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.18 грн
10+274.60 грн
100+170.67 грн
500+141.58 грн
1000+138.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.40 грн
10+329.16 грн
100+206.64 грн
500+205.87 грн
1000+194.39 грн
3000+172.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.79 грн
10+254.35 грн
100+194.39 грн
500+172.96 грн
1000+167.60 грн
3000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+673.22 грн
10+458.54 грн
100+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.83 грн
10+236.75 грн
100+148.47 грн
500+120.15 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]