Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+690.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+828.43 грн
2+592.63 грн
6+539.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2062.74 грн
2+1811.01 грн
3+1810.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2475.29 грн
2+2256.80 грн
3+2172.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.81 грн
4+300.03 грн
9+283.02 грн
90+276.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+628.57 грн
4+373.88 грн
9+339.62 грн
90+332.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+366.41 грн
5+192.55 грн
13+182.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.70 грн
5+239.94 грн
13+218.99 грн
60+209.71 грн
120+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.26 грн
10+389.29 грн
25+190.78 грн
100+158.12 грн
240+152.18 грн
480+129.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1270.52 грн
25+770.03 грн
100+594.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.00 грн
10+636.00 грн
25+345.93 грн
100+291.74 грн
240+291.00 грн
480+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.20 грн
10+851.14 грн
25+441.70 грн
100+374.88 грн
240+374.14 грн
480+360.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.23 грн
10+501.12 грн
25+265.76 грн
100+221.96 грн
240+221.22 грн
1200+195.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+413.88 грн
4+256.73 грн
10+242.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+496.66 грн
4+319.92 грн
10+291.37 грн
510+285.80 грн
1020+278.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.63 грн
10+491.73 грн
25+294.71 грн
100+252.40 грн
240+251.65 грн
480+231.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+283.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.37 грн
25+382.46 грн
100+279.86 грн
240+279.12 грн
480+271.70 грн
2640+256.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.57 грн
10+527.58 грн
25+415.71 грн
100+381.57 грн
240+359.29 грн
480+337.02 грн
1200+317.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+302.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.89 грн
3+412.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.48 грн
10+635.15 грн
25+349.64 грн
100+294.71 грн
240+293.97 грн
480+272.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.77 грн
10+601.86 грн
100+435.76 грн
240+435.01 грн
480+384.53 грн
1200+345.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+440.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.92 грн
3+427.62 грн
6+404.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+717.50 грн
3+532.88 грн
6+485.31 грн
120+463.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.54 грн
10+728.20 грн
25+388.99 грн
100+330.34 грн
240+329.60 грн
480+309.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1074.79 грн
10+1042.36 грн
25+557.50 грн
100+478.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.53 грн
10+473.80 грн
25+318.47 грн
240+317.72 грн
480+299.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.61 грн
10+472.95 грн
25+319.21 грн
100+268.73 грн
240+259.08 грн
480+244.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+600.19 грн
10+586.49 грн
25+335.54 грн
100+293.23 грн
240+291.74 грн
480+272.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.72 грн
10+673.57 грн
25+380.08 грн
100+321.44 грн
240+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS media-3319048.pdf IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1500.90 грн
10+1400.92 грн
30+1034.09 грн
120+896.01 грн
270+860.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS media-3322693.pdf IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1571.05 грн
30+1137.98 грн
120+893.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS media-3320514.pdf IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1189.98 грн
30+883.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.53 грн
10+478.92 грн
100+345.93 грн
500+305.85 грн
800+274.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.60 грн
10+483.19 грн
100+350.39 грн
450+308.07 грн
900+277.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS media-3322236.pdf IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.07 грн
10+833.21 грн
30+591.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS media-3321654.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+919.77 грн
10+883.58 грн
30+521.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS media-3321921.pdf IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+972.60 грн
10+952.73 грн
30+507.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS media-3323848.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+860.01 грн
30+599.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS media-3319281.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3989.98 грн
10+3690.53 грн
25+2518.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS media-3319578.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4288.77 грн
10+3844.20 грн
100+3007.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS media-3321393.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4138.08 грн
10+3897.98 грн
30+2633.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf IGBTs
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+915.43 грн
10+653.08 грн
100+426.85 грн
500+410.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.89 грн
3+413.70 грн
7+391.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+771.47 грн
3+515.54 грн
7+469.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.28 грн
10+441.36 грн
30+256.85 грн
120+207.11 грн
300+201.92 грн
600+184.10 грн
1050+157.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.81 грн
10+552.34 грн
100+383.05 грн
500+368.95 грн
800+360.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.06 грн
10+1300.18 грн
100+1110.55 грн
250+1063.04 грн
500+948.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1101.64 грн
10+1085.05 грн
30+579.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1681.91 грн
10+1584.46 грн
30+1041.51 грн
120+1010.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.60 грн
10+785.40 грн
30+521.87 грн
120+481.04 грн
270+478.07 грн
510+458.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1597.03 грн
10+1521.29 грн
30+936.84 грн
120+930.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1164.00 грн
10+1121.76 грн
500+916.05 грн
800+809.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1922.67 грн
10+1663.85 грн
25+1444.60 грн
100+1380.02 грн
250+1234.52 грн
500+1185.52 грн
800+1146.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1541.60 грн
10+1499.94 грн
30+970.99 грн
120+954.66 грн
270+879.68 грн
510+878.19 грн
1020+871.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1501.76 грн
10+1476.04 грн
30+1187.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1342.41 грн
10+1318.96 грн
30+1142.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1364.92 грн
10+1007.36 грн
25+874.48 грн
100+769.07 грн
250+767.58 грн
500+766.10 грн
1000+651.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.43 грн
2+592.63 грн
6+539.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2062.74 грн
2+1811.01 грн
3+1810.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2475.29 грн
2+2256.80 грн
3+2172.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.81 грн
4+300.03 грн
9+283.02 грн
90+276.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.57 грн
4+373.88 грн
9+339.62 грн
90+332.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+366.41 грн
5+192.55 грн
13+182.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.70 грн
5+239.94 грн
13+218.99 грн
60+209.71 грн
120+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.26 грн
10+389.29 грн
25+190.78 грн
100+158.12 грн
240+152.18 грн
480+129.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1270.52 грн
25+770.03 грн
100+594.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.00 грн
10+636.00 грн
25+345.93 грн
100+291.74 грн
240+291.00 грн
480+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.20 грн
10+851.14 грн
25+441.70 грн
100+374.88 грн
240+374.14 грн
480+360.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.23 грн
10+501.12 грн
25+265.76 грн
100+221.96 грн
240+221.22 грн
1200+195.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+413.88 грн
4+256.73 грн
10+242.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.66 грн
4+319.92 грн
10+291.37 грн
510+285.80 грн
1020+278.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.63 грн
10+491.73 грн
25+294.71 грн
100+252.40 грн
240+251.65 грн
480+231.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.37 грн
25+382.46 грн
100+279.86 грн
240+279.12 грн
480+271.70 грн
2640+256.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.57 грн
10+527.58 грн
25+415.71 грн
100+381.57 грн
240+359.29 грн
480+337.02 грн
1200+317.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+302.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.89 грн
3+412.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.48 грн
10+635.15 грн
25+349.64 грн
100+294.71 грн
240+293.97 грн
480+272.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+712.77 грн
10+601.86 грн
100+435.76 грн
240+435.01 грн
480+384.53 грн
1200+345.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+440.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.92 грн
3+427.62 грн
6+404.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.50 грн
3+532.88 грн
6+485.31 грн
120+463.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.54 грн
10+728.20 грн
25+388.99 грн
100+330.34 грн
240+329.60 грн
480+309.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.79 грн
10+1042.36 грн
25+557.50 грн
100+478.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.53 грн
10+473.80 грн
25+318.47 грн
240+317.72 грн
480+299.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.61 грн
10+472.95 грн
25+319.21 грн
100+268.73 грн
240+259.08 грн
480+244.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.19 грн
10+586.49 грн
25+335.54 грн
100+293.23 грн
240+291.74 грн
480+272.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+693.72 грн
10+673.57 грн
25+380.08 грн
100+321.44 грн
240+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 media-3319048.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1500.90 грн
10+1400.92 грн
30+1034.09 грн
120+896.01 грн
270+860.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 media-3322693.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1571.05 грн
30+1137.98 грн
120+893.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 media-3320514.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1189.98 грн
30+883.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.53 грн
10+478.92 грн
100+345.93 грн
500+305.85 грн
800+274.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.60 грн
10+483.19 грн
100+350.39 грн
450+308.07 грн
900+277.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 media-3322236.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.07 грн
10+833.21 грн
30+591.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 media-3321654.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.77 грн
10+883.58 грн
30+521.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 media-3321921.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+972.60 грн
10+952.73 грн
30+507.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 media-3323848.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+860.01 грн
30+599.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 media-3319281.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3989.98 грн
10+3690.53 грн
25+2518.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 media-3319578.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4288.77 грн
10+3844.20 грн
100+3007.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 media-3321393.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4138.08 грн
10+3897.98 грн
30+2633.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+915.43 грн
10+653.08 грн
100+426.85 грн
500+410.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.89 грн
3+413.70 грн
7+391.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.47 грн
3+515.54 грн
7+469.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.28 грн
10+441.36 грн
30+256.85 грн
120+207.11 грн
300+201.92 грн
600+184.10 грн
1050+157.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+757.81 грн
10+552.34 грн
100+383.05 грн
500+368.95 грн
800+360.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1558.06 грн
10+1300.18 грн
100+1110.55 грн
250+1063.04 грн
500+948.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1101.64 грн
10+1085.05 грн
30+579.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1681.91 грн
10+1584.46 грн
30+1041.51 грн
120+1010.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.60 грн
10+785.40 грн
30+521.87 грн
120+481.04 грн
270+478.07 грн
510+458.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1597.03 грн
10+1521.29 грн
30+936.84 грн
120+930.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1164.00 грн
10+1121.76 грн
500+916.05 грн
800+809.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1922.67 грн
10+1663.85 грн
25+1444.60 грн
100+1380.02 грн
250+1234.52 грн
500+1185.52 грн
800+1146.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1541.60 грн
10+1499.94 грн
30+970.99 грн
120+954.66 грн
270+879.68 грн
510+878.19 грн
1020+871.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1501.76 грн
10+1476.04 грн
30+1187.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1342.41 грн
10+1318.96 грн
30+1142.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
SCTH40N120G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1364.92 грн
10+1007.36 грн
25+874.48 грн
100+769.07 грн
250+767.58 грн
500+766.10 грн
1000+651.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]