Результат пошуку "50n1" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
ICS18L50N14POB2E1 ICS18L50N14POB2E1 Carlo Gavazzi ICS_E1_DS-2583661.pdf Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 CABLE LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7982.76 грн
5+ 7474.86 грн
10+ 6294.25 грн
25+ 6089.3 грн
ICS18L50N14POM1E1 ICS18L50N14POM1E1 Carlo Gavazzi ICS_E1_DS-2583661.pdf Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 PLUG LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7982.76 грн
5+ 7474.86 грн
10+ 6294.25 грн
25+ 6089.3 грн
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536 Description: IGBT 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+739.51 грн
30+ 576.65 грн
120+ 542.73 грн
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ50N120CH3_DataSheet_v02_04_EN-3362489.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.12 грн
10+ 688.68 грн
25+ 550.11 грн
50+ 549.45 грн
100+ 517.4 грн
240+ 429.94 грн
IKQ50N120CH7XKSA1 IKQ50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ50N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3362064.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.83 грн
10+ 560.46 грн
25+ 441.96 грн
100+ 405.91 грн
240+ 381.21 грн
480+ 357.84 грн
1200+ 321.79 грн
IKQ50N120CT2XKSA1 IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ50N120CT2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0be00a1b0a7a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.95 грн
30+ 577.72 грн
120+ 543.74 грн
IKW50N120CH7XKSA1 IKW50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362169.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.31 грн
10+ 514.4 грн
25+ 405.24 грн
100+ 372.53 грн
240+ 349.83 грн
480+ 327.8 грн
1200+ 295.08 грн
IKW50N120CS7XKSA1 IKW50N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d8862059d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.96 грн
30+ 459.49 грн
120+ 411.14 грн
IKW50N120CS7XKSA1 IKW50N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449224.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.24 грн
10+ 581.19 грн
25+ 431.95 грн
100+ 392.56 грн
240+ 378.54 грн
480+ 353.17 грн
1200+ 311.11 грн
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf SP005419710
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.13 грн
IKY50N120CH3XKSA1 IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817779d052e Description: IGBT 1200V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.73 грн
30+ 623.55 грн
120+ 557.91 грн
IKY50N120CH3XKSA1 IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY50N120CH3_DS_v02_03_EN-3361990.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.23 грн
10+ 734.74 грн
25+ 579.49 грн
100+ 518.74 грн
240+ 494.7 грн
480+ 421.93 грн
2640+ 402.57 грн
IKY50N120CH3XKSA1 IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies infineon-iky50n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.96 грн
IKY50N120CH7XKSA1 IKY50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362296.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.29 грн
10+ 570.44 грн
25+ 449.3 грн
100+ 413.25 грн
240+ 387.88 грн
480+ 363.85 грн
1200+ 327.8 грн
IKZA50N120CH7XKSA1 IKZA50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362540.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.93 грн
10+ 556.62 грн
25+ 439.29 грн
100+ 403.91 грн
240+ 379.2 грн
480+ 355.84 грн
1200+ 319.79 грн
IPA050N10NM5SXKSA1 IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.77 грн
10+ 150.14 грн
100+ 119.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB050N10NF2SATMA1 IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc12431b1b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.05 грн
10+ 107.93 грн
100+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB50N10S3L-16 IPB50N10S3L-16 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I50N10S3L_16_DataSheet_v01_02_EN-3362562.pdf MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.35 грн
10+ 140.5 грн
100+ 97.47 грн
500+ 82.78 грн
1000+ 70.1 грн
2000+ 64.56 грн
5000+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.04 грн
10+ 150 грн
100+ 119.38 грн
500+ 94.8 грн
1000+ 80.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD050N10N5_DS_v02_01_EN-1227168.pdf MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 12699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.95 грн
10+ 156.62 грн
100+ 114.16 грн
250+ 111.49 грн
500+ 96.8 грн
1000+ 82.12 грн
2500+ 75.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.55 грн
5000+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies ipd50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.6 грн
10+ 106.82 грн
100+ 85.07 грн
500+ 67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1 IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a836aa1acd Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF050N10NF2SATMA1 IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF050N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3107307.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155 грн
10+ 127.45 грн
100+ 88.12 грн
250+ 81.45 грн
500+ 74.11 грн
800+ 62.69 грн
2400+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1 IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a836aa1acd Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.44 грн
10+ 115.72 грн
100+ 92.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP050N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN-3362518.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.07 грн
10+ 171.98 грн
25+ 140.2 грн
100+ 119.5 грн
250+ 118.84 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS IXFK(X)250N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1502.64 грн
2+ 1370.12 грн
25+ 1307.69 грн
IXFN50N120SIC IXFN50N120SIC IXYS IXFN50N120SiC-DTE.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; 100nC; 26ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 0.1µC
Technology: HiPerFET™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 26ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4847.79 грн
IXFN50N120SIC IXFN50N120SIC IXYS IXFN50N120SiC-DTE.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; 100nC; 26ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 0.1µC
Technology: HiPerFET™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 26ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5817.35 грн
IXFN50N120SIC IXFN50N120SIC IXYS media-3323006.pdf Discrete Semiconductor Modules SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5771.51 грн
10+ 5226.11 грн
20+ 4454.31 грн
50+ 4366.86 грн
IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS IXFN50N120SK.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4746.68 грн
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1 IXYS IXGN50N120C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2152.41 грн
2+ 1890.18 грн
3+ 1889.48 грн
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1 IXYS IXGN50N120C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2582.89 грн
2+ 2355.45 грн
3+ 2267.38 грн
IXTA150N15X4 IXTA150N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta150n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.94 грн
50+ 699.12 грн
100+ 658 грн
IXTA150N15X4 IXTA150N15X4 IXYS media-3319291.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.36 грн
10+ 845.3 грн
50+ 664.27 грн
IXTH150N15X4 IXTH150N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_150n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.06 грн
30+ 615.9 грн
120+ 579.68 грн
510+ 493 грн
1020+ 452.2 грн
IXTH150N15X4 IXTH150N15X4 IXYS media-3323759.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+845.09 грн
10+ 766.99 грн
30+ 554.12 грн
60+ 546.77 грн
120+ 527.41 грн
510+ 507.39 грн
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+572.48 грн
3+ 440.24 грн
7+ 400.57 грн
50+ 393.89 грн
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS media-3323759.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.58 грн
10+ 552.78 грн
50+ 445.3 грн
100+ 398.56 грн
250+ 368.52 грн
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+720.77 грн
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_150n15p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.4 грн
30+ 609.24 грн
120+ 573.41 грн
510+ 487.67 грн
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.92 грн
2+ 614.06 грн
4+ 580.68 грн
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1109.91 грн
2+ 765.22 грн
4+ 696.82 грн
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3722.82 грн
10+ 3259.34 грн
100+ 2933.41 грн
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 IXYS media-3320798.pdf IGBT Transistors 1700V/120A High Volt
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3987.87 грн
10+ 3573.9 грн
100+ 2797.3 грн
200+ 2747.89 грн
500+ 2709.84 грн
MCAC50N10Y-TP MCAC50N10Y-TP Micro Commercial Co MCAC50N10Y(DNF5060).pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.78 грн
10000+ 45.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MCAC50N10Y-TP MCAC50N10Y-TP Micro Commercial Co MCAC50N10Y(DNF5060).pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 15 V
на замовлення 25403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.94 грн
10+ 89.92 грн
100+ 71.56 грн
500+ 56.82 грн
1000+ 48.21 грн
2000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXH350N100H4Q2F2P1G NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G_D-2319705.pdf IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15435.88 грн
10+ 14244.92 грн
25+ 12372.87 грн
36+ 11994.33 грн
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Panjit PJD50N10AL-3247402.pdf MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.26 грн
10+ 56.66 грн
100+ 38.39 грн
500+ 32.51 грн
1000+ 27.77 грн
3000+ 23.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD50N10AL-AU Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.72 грн
10+ 51.67 грн
100+ 40.22 грн
500+ 31.99 грн
1000+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJD50N10AL_L2_00001 PJD50N10AL_L2_00001 Panjit International Inc. PJD50N10AL.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.39 грн
10+ 51.18 грн
100+ 35.42 грн
500+ 27.78 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMB050N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.66 грн
10+ 131.85 грн
100+ 104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2_R2_00601 Panjit PSMB050N10NS2-3247427.pdf MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.81 грн
10+ 145.11 грн
100+ 100.81 грн
250+ 96.8 грн
500+ 84.79 грн
800+ 71.43 грн
2400+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP050N10NS2.pdf Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.1 грн
50+ 128.43 грн
100+ 105.67 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 71.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit PSMP050N10NS2-3049542.pdf MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.36 грн
10+ 145.87 грн
100+ 100.81 грн
250+ 92.8 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 72.1 грн
2500+ 68.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
R463N410050N1K R463N410050N1K KEMET KEM_F3095_R46_X2_310_110C.pdf Datasheet-R463N410050N1K.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; R46 310V; 1uF; 26.5x11x20mm; THT
Type of capacitor: polypropylene
Kind of capacitor: X2
Manufacturer series: R46 310V
Capacitance: 1µF
Body dimensions: 26.5x11x20mm
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Terminal pitch: 22.5mm
Operating temperature: -40...110°C
Climate class: 40/110/56; IEC 60068-1
Lead length: 25mm
Max. operating voltage: 310V AC; 630V DC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.37 грн
25+ 41.77 грн
35+ 28.46 грн
95+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
R463N410050N1K R463N410050N1K KEMET R463N410050N1K Description: CAP FILM 1UF 10% 630VDC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 0.886" (22.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X2
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 310V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 0.791" (20.10mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
Size / Dimension: 1.043" L x 0.433" W (26.50mm x 11.00mm)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.72 грн
10+ 56.82 грн
50+ 51.88 грн
250+ 37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
R463N410050N1M R463N410050N1M KEMET KEM_F3095_R46_X2_310_110C.pdf Description: CAP FILM SAFETY/EMI SUPP RAD
Packaging: Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.5 грн
10+ 51.6 грн
250+ 36.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
ICS18L50N14POB2E1 ICS_E1_DS-2583661.pdf
ICS18L50N14POB2E1
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 CABLE LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7982.76 грн
5+ 7474.86 грн
10+ 6294.25 грн
25+ 6089.3 грн
ICS18L50N14POM1E1 ICS_E1_DS-2583661.pdf
ICS18L50N14POM1E1
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 PLUG LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7982.76 грн
5+ 7474.86 грн
10+ 6294.25 грн
25+ 6089.3 грн
IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+739.51 грн
30+ 576.65 грн
120+ 542.73 грн
IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ50N120CH3_DataSheet_v02_04_EN-3362489.pdf
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+792.12 грн
10+ 688.68 грн
25+ 550.11 грн
50+ 549.45 грн
100+ 517.4 грн
240+ 429.94 грн
IKQ50N120CH7XKSA1 Infineon_IKQ50N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3362064.pdf
IKQ50N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.83 грн
10+ 560.46 грн
25+ 441.96 грн
100+ 405.91 грн
240+ 381.21 грн
480+ 357.84 грн
1200+ 321.79 грн
IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon-IKQ50N120CT2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0be00a1b0a7a
IKQ50N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+740.95 грн
30+ 577.72 грн
120+ 543.74 грн
IKW50N120CH7XKSA1 Infineon_IKW50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362169.pdf
IKW50N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.31 грн
10+ 514.4 грн
25+ 405.24 грн
100+ 372.53 грн
240+ 349.83 грн
480+ 327.8 грн
1200+ 295.08 грн
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon-IKW50N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d8862059d
IKW50N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+597.96 грн
30+ 459.49 грн
120+ 411.14 грн
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon_IKW50N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449224.pdf
IKW50N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+640.24 грн
10+ 581.19 грн
25+ 431.95 грн
100+ 392.56 грн
240+ 378.54 грн
480+ 353.17 грн
1200+ 311.11 грн
IKW50N120CS7XKSA1 infineon-ikw50n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SP005419710
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.13 грн
IKY50N120CH3XKSA1 Infineon-IKY50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817779d052e
IKY50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+811.73 грн
30+ 623.55 грн
120+ 557.91 грн
IKY50N120CH3XKSA1 Infineon_IKY50N120CH3_DS_v02_03_EN-3361990.pdf
IKY50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+869.23 грн
10+ 734.74 грн
25+ 579.49 грн
100+ 518.74 грн
240+ 494.7 грн
480+ 421.93 грн
2640+ 402.57 грн
IKY50N120CH3XKSA1 infineon-iky50n120ch3-ds-v02_03-en.pdf
IKY50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.96 грн
IKY50N120CH7XKSA1 Infineon_IKY50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362296.pdf
IKY50N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+675.29 грн
10+ 570.44 грн
25+ 449.3 грн
100+ 413.25 грн
240+ 387.88 грн
480+ 363.85 грн
1200+ 327.8 грн
IKZA50N120CH7XKSA1 Infineon_IKZA50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362540.pdf
IKZA50N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+658.93 грн
10+ 556.62 грн
25+ 439.29 грн
100+ 403.91 грн
240+ 379.2 грн
480+ 355.84 грн
1200+ 319.79 грн
IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d
IPA050N10NM5SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.77 грн
10+ 150.14 грн
100+ 119.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon-IPB050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc12431b1b
IPB050N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.05 грн
10+ 107.93 грн
100+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB50N10S3L-16 Infineon_IPP_B_I50N10S3L_16_DataSheet_v01_02_EN-3362562.pdf
IPB50N10S3L-16
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.35 грн
10+ 140.5 грн
100+ 97.47 грн
500+ 82.78 грн
1000+ 70.1 грн
2000+ 64.56 грн
5000+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB50N10S3L16ATMA1 ipp_b_i50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf
IPB50N10S3L16ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.04 грн
10+ 150 грн
100+ 119.38 грн
500+ 94.8 грн
1000+ 80.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD050N10N5ATMA1 Infineon_IPD050N10N5_DS_v02_01_EN-1227168.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 12699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.95 грн
10+ 156.62 грн
100+ 114.16 грн
250+ 111.49 грн
500+ 96.8 грн
1000+ 82.12 грн
2500+ 75.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+84.55 грн
5000+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N10S3L16ATMA1 ipd50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf
IPD50N10S3L16ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
IPD50N10S3L16ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.6 грн
10+ 106.82 грн
100+ 85.07 грн
500+ 67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1 Infineon-IPF050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a836aa1acd
IPF050N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF050N10NF2SATMA1 Infineon_IPF050N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3107307.pdf
IPF050N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155 грн
10+ 127.45 грн
100+ 88.12 грн
250+ 81.45 грн
500+ 74.11 грн
800+ 62.69 грн
2400+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1 Infineon-IPF050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a836aa1acd
IPF050N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.44 грн
10+ 115.72 грн
100+ 92.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon_IPP050N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN-3362518.pdf
IPP050N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.07 грн
10+ 171.98 грн
25+ 140.2 грн
100+ 119.5 грн
250+ 118.84 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFK250N10P IXFK(X)250N10P.pdf
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1502.64 грн
2+ 1370.12 грн
25+ 1307.69 грн
IXFN50N120SIC IXFN50N120SiC-DTE.pdf
IXFN50N120SIC
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; 100nC; 26ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 0.1µC
Technology: HiPerFET™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 26ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4847.79 грн
IXFN50N120SIC IXFN50N120SiC-DTE.pdf
IXFN50N120SIC
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; 100nC; 26ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 0.1µC
Technology: HiPerFET™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 26ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5817.35 грн
IXFN50N120SIC media-3323006.pdf
IXFN50N120SIC
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5771.51 грн
10+ 5226.11 грн
20+ 4454.31 грн
50+ 4366.86 грн
IXFN50N120SK IXFN50N120SK.pdf
IXFN50N120SK
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4746.68 грн
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1.pdf
IXGN50N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2152.41 грн
2+ 1890.18 грн
3+ 1889.48 грн
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1.pdf
IXGN50N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2582.89 грн
2+ 2355.45 грн
3+ 2267.38 грн
IXTA150N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta150n15x4_datasheet.pdf.pdf
IXTA150N15X4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+896.94 грн
50+ 699.12 грн
100+ 658 грн
IXTA150N15X4 media-3319291.pdf
IXTA150N15X4
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+960.36 грн
10+ 845.3 грн
50+ 664.27 грн
IXTH150N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_150n15x4_datasheet.pdf.pdf
IXTH150N15X4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+790.06 грн
30+ 615.9 грн
120+ 579.68 грн
510+ 493 грн
1020+ 452.2 грн
IXTH150N15X4 media-3323759.pdf
IXTH150N15X4
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+845.09 грн
10+ 766.99 грн
30+ 554.12 грн
60+ 546.77 грн
120+ 527.41 грн
510+ 507.39 грн
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+572.48 грн
3+ 440.24 грн
7+ 400.57 грн
50+ 393.89 грн
IXTP150N15X4 media-3323759.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+642.58 грн
10+ 552.78 грн
50+ 445.3 грн
100+ 398.56 грн
250+ 368.52 грн
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+720.77 грн
IXTQ150N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_150n15p_datasheet.pdf.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+781.4 грн
30+ 609.24 грн
120+ 573.41 грн
510+ 487.67 грн
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3d1.pdf
IXYH50N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+924.92 грн
2+ 614.06 грн
4+ 580.68 грн
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3d1.pdf
IXYH50N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1109.91 грн
2+ 765.22 грн
4+ 696.82 грн
IXYN50N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf
IXYN50N170CV1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3722.82 грн
10+ 3259.34 грн
100+ 2933.41 грн
IXYN50N170CV1 media-3320798.pdf
IXYN50N170CV1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 1700V/120A High Volt
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3987.87 грн
10+ 3573.9 грн
100+ 2797.3 грн
200+ 2747.89 грн
500+ 2709.84 грн
MCAC50N10Y-TP MCAC50N10Y(DNF5060).pdf
MCAC50N10Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.78 грн
10000+ 45.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MCAC50N10Y-TP MCAC50N10Y(DNF5060).pdf
MCAC50N10Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 15 V
на замовлення 25403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.94 грн
10+ 89.92 грн
100+ 71.56 грн
500+ 56.82 грн
1000+ 48.21 грн
2000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXH350N100H4Q2F2P1G NXH350N100H4Q2F2P1G_D-2319705.pdf
NXH350N100H4Q2F2P1G
Виробник: onsemi
IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15435.88 грн
10+ 14244.92 грн
25+ 12372.87 грн
36+ 11994.33 грн
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL-3247402.pdf
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Виробник: Panjit
MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.26 грн
10+ 56.66 грн
100+ 38.39 грн
500+ 32.51 грн
1000+ 27.77 грн
3000+ 23.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL-AU
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.72 грн
10+ 51.67 грн
100+ 40.22 грн
500+ 31.99 грн
1000+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJD50N10AL_L2_00001 PJD50N10AL.pdf
PJD50N10AL_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.39 грн
10+ 51.18 грн
100+ 35.42 грн
500+ 27.78 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMB050N10NS2_R2_00601
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.66 грн
10+ 131.85 грн
100+ 104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2-3247427.pdf
PSMB050N10NS2_R2_00601
Виробник: Panjit
MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.81 грн
10+ 145.11 грн
100+ 100.81 грн
250+ 96.8 грн
500+ 84.79 грн
800+ 71.43 грн
2400+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.1 грн
50+ 128.43 грн
100+ 105.67 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 71.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2-3049542.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.36 грн
10+ 145.87 грн
100+ 100.81 грн
250+ 92.8 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 72.1 грн
2500+ 68.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
R463N410050N1K KEM_F3095_R46_X2_310_110C.pdf Datasheet-R463N410050N1K.pdf
R463N410050N1K
Виробник: KEMET
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; R46 310V; 1uF; 26.5x11x20mm; THT
Type of capacitor: polypropylene
Kind of capacitor: X2
Manufacturer series: R46 310V
Capacitance: 1µF
Body dimensions: 26.5x11x20mm
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Terminal pitch: 22.5mm
Operating temperature: -40...110°C
Climate class: 40/110/56; IEC 60068-1
Lead length: 25mm
Max. operating voltage: 310V AC; 630V DC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.37 грн
25+ 41.77 грн
35+ 28.46 грн
95+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
R463N410050N1K R463N410050N1K
R463N410050N1K
Виробник: KEMET
Description: CAP FILM 1UF 10% 630VDC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 0.886" (22.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X2
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 310V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 0.791" (20.10mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
Size / Dimension: 1.043" L x 0.433" W (26.50mm x 11.00mm)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.72 грн
10+ 56.82 грн
50+ 51.88 грн
250+ 37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
R463N410050N1M KEM_F3095_R46_X2_310_110C.pdf
R463N410050N1M
Виробник: KEMET
Description: CAP FILM SAFETY/EMI SUPP RAD
Packaging: Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.5 грн
10+ 51.6 грн
250+ 36.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]