Результат пошуку "nm60" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF7NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STF9NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STI13NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL3NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP11NM60FD | ST |
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP11NM60FDFP | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP13NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP13NM60ND | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP18NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20NM60 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20NM60FP | STMicroelectronics |
 MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP20NM60FP | ST |
N-MOSFET 20A 600V 45W STP20NM60FP TSTP20NM60FP кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP22NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP22NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| STP22NM60N | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A STP22NM60N TSTP22NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP24NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 339 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP28NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP34NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP34NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP9NM60N | ST |
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STU10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STU10NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STU7NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW25NM60ND | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STW26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STF34NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 435.68 грн |
| 3+ | 378.62 грн |
| 4+ | 290.51 грн |
| 10+ | 274.7 грн |
| STF7NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.86 грн |
| 10+ | 123.3 грн |
| 25+ | 93.23 грн |
| 100+ | 84.57 грн |
| 500+ | 81.91 грн |
| STF7NM60N |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 28.9 грн |
| STF9NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 201.22 грн |
| 10+ | 164.65 грн |
| 100+ | 113.87 грн |
| 250+ | 113.21 грн |
| 500+ | 95.89 грн |
| 1000+ | 81.24 грн |
| 2000+ | 77.25 грн |
| STI13NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.07 грн |
| 10+ | 111.04 грн |
| 100+ | 78.58 грн |
| 250+ | 72.59 грн |
| 500+ | 66.26 грн |
| 1000+ | 56.27 грн |
| 2000+ | 53.54 грн |
| STL26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 363.6 грн |
| 10+ | 300.2 грн |
| 25+ | 247.06 грн |
| 100+ | 211.77 грн |
| 250+ | 199.78 грн |
| 500+ | 188.46 грн |
| 1000+ | 161.16 грн |
| STL3NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.13 грн |
| 10+ | 73.37 грн |
| 100+ | 62.33 грн |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.45 грн |
| 10+ | 177.67 грн |
| 25+ | 119.2 грн |
| 100+ | 109.21 грн |
| 250+ | 101.89 грн |
| 500+ | 93.23 грн |
| 1000+ | 91.23 грн |
| STP11NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 169.58 грн |
| 5+ | 141.51 грн |
| 8+ | 108.91 грн |
| 21+ | 102.67 грн |
| STP11NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.49 грн |
| 5+ | 176.34 грн |
| 8+ | 130.69 грн |
| 21+ | 123.2 грн |
| STP11NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.45 грн |
| 10+ | 244.3 грн |
| 25+ | 208.44 грн |
| 100+ | 172.48 грн |
| 250+ | 169.15 грн |
| 500+ | 155.83 грн |
| 1000+ | 129.86 грн |
| STP11NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.25 грн |
| 9+ | 98.5 грн |
| 23+ | 92.95 грн |
| STP11NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.08 грн |
| 3+ | 157.33 грн |
| 9+ | 118.2 грн |
| 23+ | 111.54 грн |
| STP11NM60FD |
|
Виробник: ST
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 102.26 грн |
| STP11NM60FDFP |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.83 грн |
| 10+ | 249.66 грн |
| 25+ | 207.77 грн |
| 1000+ | 163.82 грн |
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.23 грн |
| 9+ | 89.49 грн |
| 25+ | 84.63 грн |
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.64 грн |
| 3+ | 146.09 грн |
| 9+ | 107.38 грн |
| 25+ | 101.56 грн |
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.92 грн |
| 10+ | 163.89 грн |
| 25+ | 136.52 грн |
| 100+ | 127.19 грн |
| 250+ | 125.2 грн |
| 1000+ | 124.53 грн |
| 2000+ | 123.86 грн |
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.35 грн |
| STP13NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.4 грн |
| 10+ | 77.69 грн |
| 12+ | 67.29 грн |
| 33+ | 63.13 грн |
| STP13NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.92 грн |
| 10+ | 93.23 грн |
| 12+ | 80.74 грн |
| 33+ | 75.75 грн |
| STP13NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.19 грн |
| 25+ | 200.65 грн |
| 100+ | 161.16 грн |
| 250+ | 160.49 грн |
| 500+ | 135.18 грн |
| STP13NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 84.68 грн |
| STP13NM60N |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 68.24 грн |
| STP13NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.36 грн |
| STP18NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.35 грн |
| 10+ | 117.94 грн |
| 100+ | 91.9 грн |
| 500+ | 82.58 грн |
| 1000+ | 75.92 грн |
| 2000+ | 73.25 грн |
| 5000+ | 71.26 грн |
| STP20NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 414.1 грн |
| 10+ | 397.46 грн |
| 25+ | 287.68 грн |
| 100+ | 257.05 грн |
| 250+ | 252.39 грн |
| 500+ | 229.08 грн |
| 1000+ | 205.11 грн |
| STP20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.12 грн |
| 3+ | 177.58 грн |
| 6+ | 141.51 грн |
| 16+ | 133.88 грн |
| 50+ | 133.19 грн |
| STP20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.62 грн |
| STP20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 452.95 грн |
| 10+ | 382.15 грн |
| 25+ | 262.38 грн |
| 100+ | 247.73 грн |
| 250+ | 239.07 грн |
| 500+ | 228.42 грн |
| 1000+ | 214.43 грн |
| STP20NM60FP | |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 485.58 грн |
| 10+ | 470.22 грн |
| 25+ | 280.36 грн |
| 100+ | 259.71 грн |
| 250+ | 258.38 грн |
| 500+ | 239.74 грн |
| 1000+ | 231.08 грн |
| STP20NM60FP | |
|
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 151.69 грн |
| STP22NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 279.69 грн |
| 10+ | 216.73 грн |
| 25+ | 153.83 грн |
| 100+ | 137.85 грн |
| 500+ | 127.19 грн |
| 1000+ | 115.87 грн |
| STP22NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STP22NM60N |
|
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 109.45 грн |
| STP24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.78 грн |
| 9+ | 93.65 грн |
| STP24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.7 грн |
| 3+ | 153.01 грн |
| 9+ | 112.38 грн |
| 24+ | 105.72 грн |
| STP24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 229.19 грн |
| 10+ | 196.82 грн |
| 25+ | 136.52 грн |
| 100+ | 121.87 грн |
| 500+ | 121.2 грн |
| 1000+ | 101.89 грн |
| 2000+ | 95.23 грн |
| STP26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.48 грн |
| 3+ | 162.32 грн |
| 7+ | 124.17 грн |
| 18+ | 117.23 грн |
| STP26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.18 грн |
| 3+ | 202.28 грн |
| 7+ | 149 грн |
| 18+ | 140.68 грн |
| STP26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 442.07 грн |
| 10+ | 373.72 грн |
| 100+ | 271.04 грн |
| 500+ | 239.07 грн |
| 1000+ | 205.11 грн |
| STP26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 168.59 грн |
| STP28NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.38 грн |
| 10+ | 448.01 грн |
| 25+ | 318.98 грн |
| 100+ | 285.69 грн |
| 250+ | 269.04 грн |
| 500+ | 257.05 грн |
| 1000+ | 225.09 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 327.95 грн |
| 3+ | 274 грн |
| 4+ | 228.92 грн |
| 10+ | 216.43 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 393.54 грн |
| 3+ | 341.45 грн |
| 4+ | 274.7 грн |
| 10+ | 259.71 грн |
| 250+ | 249.73 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 696.9 грн |
| 10+ | 588.92 грн |
| 25+ | 464.82 грн |
| 100+ | 426.86 грн |
| 250+ | 401.56 грн |
| 500+ | 376.25 грн |
| 1000+ | 338.96 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 379.92 грн |
| STP34NM60N |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 184.53 грн |
| STP34NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 594.35 грн |
| 10+ | 582.79 грн |
| 25+ | 444.84 грн |
| 100+ | 416.88 грн |
| 250+ | 414.88 грн |
| 500+ | 365.6 грн |
| STP9NM60N |
|
Виробник: ST
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n
кількість в упаковці: 10 шт
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 41.38 грн |
| STU10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 89.65 грн |
| 5+ | 57.92 грн |
| 25+ | 40.04 грн |
| 67+ | 37.88 грн |
| STU10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STU7NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.37 грн |
| 10+ | 106.45 грн |
| 100+ | 83.24 грн |
| 250+ | 81.24 грн |
| 500+ | 73.25 грн |
| 1000+ | 64.4 грн |
| 3000+ | 63.26 грн |
| STW20NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 277.9 грн |
| 3+ | 240.31 грн |
| 6+ | 177.31 грн |
| 15+ | 168.15 грн |
| STW20NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.52 грн |
| 25+ | 289.48 грн |
| 100+ | 236.41 грн |
| 250+ | 219.09 грн |
| 600+ | 204.44 грн |
| STW20NM60 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.25 грн |
| STW25NM60ND |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 248.83 грн |
| STW26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 502.91 грн |
| 3+ | 417.52 грн |
| 4+ | 265.54 грн |
| 10+ | 251.39 грн |
| STW26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.35 грн |
| STW26NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 498.79 грн |
| 10+ | 488.6 грн |
| 25+ | 345.62 грн |
| 100+ | 311.66 грн |
| 250+ | 287.68 грн |
| 600+ | 241.73 грн |