Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 32 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 17515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
32+9.91 грн
100+5.36 грн
500+4.42 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05F30,H3F CUS05F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F30_datasheet_en_20140301.pdf?did=2108&prodName=CUS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 24741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
29+10.93 грн
100+5.36 грн
500+4.27 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4S15WBG,LF(S Toshiba Semiconductor and Storage TCR4S12WBG~%20R4S36WBG.pdf Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 80dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.35V @ 50mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL3,T) DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2429&prodName=SSM3J328R Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.17 грн
6000+5.42 грн
9000+4.46 грн
15000+4.09 грн
21000+3.99 грн
30000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.08 грн
16000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.74 грн
16000+3.28 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05F30,H3F CUS05F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F30_datasheet_en_20140301.pdf?did=2108&prodName=CUS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
6000+2.59 грн
9000+2.57 грн
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4S15WBG,LF(S Toshiba Semiconductor and Storage TCR4S12WBG~%20R4S36WBG.pdf Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 80dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.35V @ 50mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL3,T) DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL3,T) DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2429&prodName=SSM3J328R Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 171654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
19+17.46 грн
100+11.03 грн
500+7.73 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(GB-TP,E) TLP290-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4_datasheet_en_20191129.pdf?did=12855&prodName=TLP290-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 40231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.79 грн
10+73.68 грн
100+55.50 грн
500+44.54 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,Q) CRS10I30A(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRS10I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,Q) CRS10I30B(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRS10I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,Q) CRS10I30C(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14909&prodName=CRS10I30C Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,Q) CRS10I40A(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,Q) CRS10I40B(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,Q) CRS15I30A(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2130&prodName=CRS15I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK 1.2V 1A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK 1.5V 1A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK 1.8V 1A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK 3.3V 1A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 4.3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11689&prodName=TB7102AF Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 1A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7106F(T2LPP1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB7106F Description: IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7107FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 380kHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7109F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB7109F Description: IC CONV BUCK DC/DC 0.5A 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK ADJ DL 8SOP-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A, 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 500kHz
Voltage - Input (Max): 27V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.215V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7100AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCV7100AF Description: IC REG BUCK ADJ 2.5A SYNC 8SOPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCV7101F Description: IC REG BUCK ADJ 3.8A 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TCV7102F&lang=en&type=datasheet Description: IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCV7103AF Description: IC REG BUCK ADJ 6A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7103F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TCV7103F&lang=en&type=datasheet Description: IC REG BUCK ADJ 5A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7104FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7106FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 550kHz
Voltage - Input (Max): 5.6V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Both
Voltage - Output (Max): 5.6V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7108FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7150&prodName=TCV7108FN Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 5.6V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.6V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10113&prodName=TCV7113F Description: IC REG BUCK ADJ 6A 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L(T6L1,NQ TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ40S04M3L(T6L1,NQ TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11299&prodName=TJ40S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22588&prodName=TJ8S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A50D(STA4,Q,M) TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22026&prodName=TK10A50D Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A55D(STA4,Q,M) TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10S04K3L(T6L1,NQ TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A45D(STA4,Q,M) TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45D_datasheet_en_20131101.pdf?did=6742&prodName=TK11A45D Description: MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A50D(STA4,Q,M) TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=1085&prodName=TK11A50D Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.28 грн
50+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A55D(STA4,Q,M) TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22029&prodName=TK11A55D Description: MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A60D(STA4,Q,M) TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A45D(STA4,Q,M) TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D_datasheet_en_20131101.pdf?did=4482&prodName=TK12A45D Description: MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M) TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=11999&prodName=TK12A50D Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.43 грн
50+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A53D(STA4,Q,M) TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22028&prodName=TK12A53D Description: MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A55D(STA4,Q,M) TK12A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M) TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.91 грн
50+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60U,S1X(S TK12E60U,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60U.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A45D(STA4,Q,M) TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22025&prodName=TK13A45D Description: MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.73 грн
10+146.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA(STA4,Q,M TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=22027&prodName=TK13A50DA Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M) TK13A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.86 грн
50+125.91 грн
100+114.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DA(STA4,QM) TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=2172&prodName=TK13A55DA Description: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(S TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11796&prodName=TK13E25D Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.67 грн
10+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65U(F) TK13J65U(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK13J65U Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F30,H3F
CUS10F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 17515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
32+9.91 грн
100+5.36 грн
500+4.42 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05F30,H3F CUS05F30_datasheet_en_20140301.pdf?did=2108&prodName=CUS05F30
CUS05F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 24741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
29+10.93 грн
100+5.36 грн
500+4.27 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4S15WBG,LF(S TCR4S12WBG~%20R4S36WBG.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 80dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.35V @ 50mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL3,T) DF2B6.8FS.pdf
DF2B6.8FS(TPL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF docget.jsp?did=2429&prodName=SSM3J328R
SSM3J328R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.17 грн
6000+5.42 грн
9000+4.46 грн
15000+4.09 грн
21000+3.99 грн
30000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.08 грн
16000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K36MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.74 грн
16000+3.28 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F30,H3F
CUS10F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.99 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05F30,H3F CUS05F30_datasheet_en_20140301.pdf?did=2108&prodName=CUS05F30
CUS05F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.83 грн
6000+2.59 грн
9000+2.57 грн
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4S15WBG,LF(S TCR4S12WBG~%20R4S36WBG.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 80dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.35V @ 50mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL3,T) DF2B6.8FS.pdf
DF2B6.8FS(TPL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL3,T) DF2B6.8FS.pdf
DF2B6.8FS(TPL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF docget.jsp?did=2429&prodName=SSM3J328R
SSM3J328R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 171654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
19+17.46 грн
100+11.03 грн
500+7.73 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(GB-TP,E) TLP290-4_datasheet_en_20191129.pdf?did=12855&prodName=TLP290-4
TLP290-4(GB-TP,E)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 40231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.79 грн
10+73.68 грн
100+55.50 грн
500+44.54 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRS10I30A
CRS10I30A(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRS10I30B
CRS10I30B(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,Q) docget.jsp?did=14909&prodName=CRS10I30C
CRS10I30C(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,Q) docget.jsp?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,Q) docget.jsp?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,Q) docget.jsp?did=2130&prodName=CRS15I30A
CRS15I30A(TE85L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L1.2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK 1.2V 1A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L1.5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK 1.5V 1A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L1.8,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK 1.8V 1A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7101AF(T5L3.3,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK 3.3V 1A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Input (Min): 4.3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7102AF(TE85L,F) docget.jsp?did=11689&prodName=TB7102AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 1A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7106F(T2LPP1,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB7106F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7107FN(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 380kHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7109F(TE12L,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB7109F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CONV BUCK DC/DC 0.5A 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB7110F(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ DL 8SOP-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A, 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 500kHz
Voltage - Input (Max): 27V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.215V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7100AF(TE12L,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCV7100AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 2.5A SYNC 8SOPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7101F(TE12L,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCV7101F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 3.8A 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7102F(TE12L,Q) docget.jsp?pid=TCV7102F&lang=en&type=datasheet
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7103AF(TE12L,Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCV7103AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 6A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7103F(TE12L,Q) docget.jsp?pid=TCV7103F&lang=en&type=datasheet
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 5A SYNC 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7104FN(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7106FN(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 550kHz
Voltage - Input (Max): 5.6V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Both
Voltage - Output (Max): 5.6V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7108FN(TE85L,F) docget.jsp?did=7150&prodName=TCV7108FN
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 2A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 5.6V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.6V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCV7113F(TE12L,Q) docget.jsp?did=10113&prodName=TCV7113F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG BUCK ADJ 6A 8SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L(T6L1,NQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ40S04M3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11299&prodName=TJ40S04M3L
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) docget.jsp?did=22588&prodName=TJ8S06M3L
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A50D(STA4,Q,M) TK10A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22026&prodName=TK10A50D
TK10A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A55D(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK10A55D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10S04K3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A45D(STA4,Q,M) TK11A45D_datasheet_en_20131101.pdf?did=6742&prodName=TK11A45D
TK11A45D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A50D(STA4,Q,M) TK11A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=1085&prodName=TK11A50D
TK11A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.28 грн
50+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A55D(STA4,Q,M) TK11A55D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22029&prodName=TK11A55D
TK11A55D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A60D(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK11A60D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A45D(STA4,Q,M) TK12A45D_datasheet_en_20131101.pdf?did=4482&prodName=TK12A45D
TK12A45D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M) TK12A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=11999&prodName=TK12A50D
TK12A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.43 грн
50+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A53D(STA4,Q,M) TK12A53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22028&prodName=TK12A53D
TK12A53D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A55D(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK12A55D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK12A60D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.91 грн
50+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60U,S1X(S TK12E60U.pdf
TK12E60U,S1X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A45D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=22025&prodName=TK13A45D
TK13A45D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.73 грн
10+146.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50DA(STA4,Q,M TK13A50DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=22027&prodName=TK13A50DA
TK13A50DA(STA4,Q,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A50D(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK13A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.86 грн
50+125.91 грн
100+114.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A55DA(STA4,QM) TK13A55DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=2172&prodName=TK13A55DA
TK13A55DA(STA4,QM)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(S docget.jsp?did=11796&prodName=TK13E25D
TK13E25D,S1X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.67 грн
10+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65U(F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK13J65U
TK13J65U(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]