Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 33 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 44 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK2P60D(TE16L1,NQ) TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q) TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQ TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q) TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M) TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=22751&prodName=TK3A60DA Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM) TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=2338&prodName=TK3A65DA Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M) TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK3A65D Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10K3,S1X(S TK40E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40P03M1(T6RDS-Q) TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1_datasheet_en_20160217.pdf?did=1366&prodName=TK40P03M1 Description: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S10K3Z(T6L1,NQ TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1584&prodName=TK40S10K3Z Description: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK45P03M1,RQ(S TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A50D(STA4,Q,M) TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22671&prodName=TK4A50D Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
50+50.44 грн
100+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A53D(STA4,Q,M) TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=603&prodName=TK4A53D Description: MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55DA(STA4,Q,M) TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=654&prodName=TK4A55DA Description: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55D(STA4,Q,M) TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=924&prodName=TK4A55D Description: MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,Q,M) TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A65DA(STA4,Q,M) TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2374&prodName=TK4A65DA Description: MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P50D(T6RSS-Q) TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P50D Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P55DA(T6RSS-Q) TK4P55DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P55DA Description: MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P55D(T6RSS-Q) TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P55D Description: MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA(T6RSS-Q) TK4P60DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2286&prodName=TK4P60DA Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DB(T6RSS-Q) TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2438&prodName=TK4P60DB Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3A,S1X(S TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3(S1SS-Q) TK50E06K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E08K3,S1X(S TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(Q) TK50J60U(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK50J60U Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A45DA(STA4,Q,M) TK5A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6321&prodName=TK5A45DA Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A53D(STA4,Q,M) TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=694&prodName=TK5A53D Description: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A55D(STA4,Q,M) TK5A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=824&prodName=TK5A55D Description: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M) TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2376&prodName=TK5A60D Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DA(STA4,Q,M) TK5A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65DA_datasheet_en_20140105.pdf?did=6132&prodName=TK5A65DA Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60E08K3,S1X(S TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60P03M1,RQ(S TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7131&prodName=TK60P03M1 Description: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04K3L(T6L1,NQ TK65S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A45DA(STA4,Q,M) TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8900&prodName=TK6A45DA Description: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A50D(STA4,Q,M) TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1082&prodName=TK6A50D Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A53D(STA4,Q,M) TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=703&prodName=TK6A53D Description: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A55DA(STA4,Q,M) TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=927&prodName=TK6A55DA Description: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A45DA(STA4,Q,M) TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4484&prodName=TK7A45DA Description: MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A50D(STA4,Q,M) TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21793&prodName=TK7A50D Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A55D(STA4,Q,M) TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2384&prodName=TK7A55D Description: MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L(T6L1,NQ TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L(T6L1,NQ TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10574&prodName=TK80S06K3L Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45DA(STA4,Q,M) TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45D(STA4,Q,M) TK8A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6102&prodName=TK8A45D Description: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DA(STA4,Q,M) TK8A50DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2399&prodName=TK8A50DA Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DA(STA4,Q,M) TK8A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A55DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=2380&prodName=TK8A55DA Description: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A45D(STA4,Q,M) TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4465&prodName=TK9A45D Description: MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A55DA(STA4,Q,M) TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9A55DA Description: MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A60D(STA4,Q,M) TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=829&prodName=TK9A60D Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6008-H Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6009-H Description: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6010-H(TE85L,FM TPC6010-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6418&prodName=TPC6010-H Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: VS-6 (2.9x2.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6011(TE85L,F,M) TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: VS-6 (2.9x2.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6012(TE85L,F,M) TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: VS-6 (2.9x2.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6110 Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6113 Description: MOSFET P-CH 20V 5A VS6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NQ) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK2Q60D(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)
TK35E10K3(S1SS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M) TK3A60DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=22751&prodName=TK3A60DA
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM) TK3A65DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=2338&prodName=TK3A65DA
TK3A65DA(STA4,QM)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK3A65D
TK3A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10K3,S1X(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK40E10K3,S1X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40P03M1(T6RDS-Q) TK40P03M1_datasheet_en_20160217.pdf?did=1366&prodName=TK40P03M1
TK40P03M1(T6RDS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S10K3Z(T6L1,NQ docget.jsp?did=1584&prodName=TK40S10K3Z
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK45P03M1,RQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK45P03M1,RQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A50D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=22671&prodName=TK4A50D
TK4A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
50+50.44 грн
100+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A53D(STA4,Q,M) TK4A53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=603&prodName=TK4A53D
TK4A53D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=654&prodName=TK4A55DA
TK4A55DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A55D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=924&prodName=TK4A55D
TK4A55D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DB(STA4,Q,M)
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A65DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=2374&prodName=TK4A65DA
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P50D(T6RSS-Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P50D
TK4P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P55DA(T6RSS-Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P55DA
TK4P55DA(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P55D(T6RSS-Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P55D
TK4P55D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA(T6RSS-Q) docget.jsp?did=2286&prodName=TK4P60DA
TK4P60DA(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DB(T6RSS-Q) docget.jsp?did=2438&prodName=TK4P60DB
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3A,S1X(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK50E06K3A,S1X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3(S1SS-Q)
TK50E06K3(S1SS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E08K3,S1X(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK50E08K3,S1X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E10K3(S1SS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK50J60U
TK50J60U(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A45DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=6321&prodName=TK5A45DA
TK5A45DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A53D(STA4,Q,M) TK5A53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=694&prodName=TK5A53D
TK5A53D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A55D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=824&prodName=TK5A55D
TK5A55D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=2376&prodName=TK5A60D
TK5A60D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DA(STA4,Q,M) TK5A65DA_datasheet_en_20140105.pdf?did=6132&prodName=TK5A65DA
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60E08K3,S1X(S
TK60E08K3,S1X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60P03M1,RQ(S docget.jsp?did=7131&prodName=TK60P03M1
TK60P03M1,RQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04K3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L
TK65S04K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A45DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=8900&prodName=TK6A45DA
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A50D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=1082&prodName=TK6A50D
TK6A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A53D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=703&prodName=TK6A53D
TK6A53D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A55DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=927&prodName=TK6A55DA
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A45DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=4484&prodName=TK7A45DA
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A50D(STA4,Q,M) TK7A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21793&prodName=TK7A50D
TK7A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A55D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=2384&prodName=TK7A55D
TK7A55D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D
TK7A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.33 грн
10+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L(T6L1,NQ
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=10574&prodName=TK80S06K3L
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45DA(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK8A45DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=6102&prodName=TK8A45D
TK8A45D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DA(STA4,Q,M) docget.jsp?did=2399&prodName=TK8A50DA
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DA(STA4,Q,M) TK8A55DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=2380&prodName=TK8A55DA
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A45D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=4465&prodName=TK9A45D
TK9A45D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A55DA(STA4,Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9A55DA
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A60D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=829&prodName=TK9A60D
TK9A60D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6008-H(TE85L,FM docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6008-H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6009-H(TE85L,FM docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6009-H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6010-H(TE85L,FM docget.jsp?did=6418&prodName=TPC6010-H
TPC6010-H(TE85L,FM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: VS-6 (2.9x2.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6011(TE85L,F,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TPC6011(TE85L,F,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: VS-6 (2.9x2.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6012(TE85L,F,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TPC6012(TE85L,F,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: VS-6 (2.9x2.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6110(TE85L,F,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6110
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6113(TE85L,F,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6113
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A VS6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 44 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]