Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1248) > Сторінка 11 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3404LL G3404LL Goford Semiconductor G3404LL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
15000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL GOFORD SEMICONDUCTOR G3404LL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 6A; 1.2W; SOT23-6
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Gate charge: 12.2nC
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL GOFORD Semiconductor G3404LL.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3416 G3416 Goford Semiconductor G3416.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3416 G3416 Goford Semiconductor G3416.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.52 грн
22+13.74 грн
100+8.60 грн
500+5.98 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 GOFORD SEMICONDUCTOR G350N06D32.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 10A; 20W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.14 грн
10+43.42 грн
100+28.30 грн
500+20.48 грн
1000+18.52 грн
2000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 GOFORD Semiconductor G350N06D32.pdf Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G350P02LLE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; 1.4W; SOT23-6
Mounting: SMD
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 17.2nC
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT23-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE G350P02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G350P02LLE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1126 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.44 грн
15000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE GOFORD Semiconductor GOFORD-G350P02LLE.pdf P-CH -20V -4.5A 35mOhm/MAX at -4.5V,45mOhm/MAX at -2.5V SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K G35N02K Goford Semiconductor G35N02K.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.64 грн
15000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K G35N02K Goford Semiconductor G35N02K.pdf Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K G35N02K Goford Semiconductor G35N02K.pdf Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+31.71 грн
100+20.48 грн
500+14.68 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02S G35N02S Goford Semiconductor G35N02S.pdf Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5.pdf Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5.pdf Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.71 грн
10+44.25 грн
100+29.01 грн
500+21.06 грн
1000+19.07 грн
2000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.89 грн
10+32.92 грн
100+21.25 грн
500+15.21 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K GOFORD SEMICONDUCTOR G36N03K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 36A; 31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K Goford Semiconductor G370P10K.pdf Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.31 грн
10+56.78 грн
100+37.65 грн
500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K Goford Semiconductor G370P10K.pdf Description: MOSFET,P-CH,-100V,-34A,94W,TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K Goford Semiconductor G370P10K.pdf Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3K8N15KE GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 150V; 6A; 20W; TO252; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S GOFORD Semiconductor G400P06S.pdf P-CH,-60V,-6A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.46 грн
10+33.90 грн
100+21.93 грн
500+15.76 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor G400P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor G400P06T.pdf Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
50+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T GOFORD Semiconductor G400P06T.pdf P-CH,-60V,-32A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.63 грн
10+46.89 грн
100+30.65 грн
500+22.20 грн
1000+20.09 грн
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 GOFORD SEMICONDUCTOR G40P03D5.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -35A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 GOFORD Semiconductor G40P03D5.pdf P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.35 грн
10+42.74 грн
100+27.85 грн
500+20.10 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K GOFORD Semiconductor G40P03K.pdf P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.97 грн
15000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K GOFORD Semiconductor G40P03K.pdf P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1136+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 1136
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K GOFORD SEMICONDUCTOR G40P03K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -40A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5 Goford Semiconductor G450N10D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5 Goford Semiconductor G450N10D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.01 грн
10+59.57 грн
100+39.57 грн
500+29.09 грн
1000+26.51 грн
2000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.30 грн
10+38.58 грн
100+25.05 грн
500+18.04 грн
1000+16.28 грн
2000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD Semiconductor G45P02D3.pdf GOFORD-G45P02D3.pdf G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.64 грн
15000+13.80 грн
30000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.30 грн
15000+10.29 грн
30000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.43 грн
10+56.25 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.45 грн
6000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T GOFORD SEMICONDUCTOR products-detail.php?ProId=642 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
G3404LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.27 грн
15000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 6A; 1.2W; SOT23-6
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Gate charge: 12.2nC
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3416 G3416.pdf
G3416
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3416 G3416.pdf
G3416
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.52 грн
22+13.74 грн
100+8.60 грн
500+5.98 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 10A; 20W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.14 грн
10+43.42 грн
100+28.30 грн
500+20.48 грн
1000+18.52 грн
2000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE GOFORD-G350P02LLE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; 1.4W; SOT23-6
Mounting: SMD
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 17.2nC
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT23-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE GOFORD-G350P02LLE.pdf
G350P02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1126 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.44 грн
15000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE GOFORD-G350P02LLE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -20V -4.5A 35mOhm/MAX at -4.5V,45mOhm/MAX at -2.5V SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K G35N02K.pdf
G35N02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 35A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.64 грн
15000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K G35N02K.pdf
G35N02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K G35N02K.pdf
G35N02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+31.71 грн
100+20.48 грн
500+14.68 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02S G35N02S.pdf
G35N02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.71 грн
10+44.25 грн
100+29.01 грн
500+21.06 грн
1000+19.07 грн
2000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.89 грн
10+32.92 грн
100+21.25 грн
500+15.21 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 36A; 31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.31 грн
10+56.78 грн
100+37.65 грн
500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-100V,-34A,94W,TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3K8N15KE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 150V; 6A; 20W; TO252; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-6A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.46 грн
10+33.90 грн
100+21.93 грн
500+15.76 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.57 грн
50+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-32A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.63 грн
10+46.89 грн
100+30.65 грн
500+22.20 грн
1000+20.09 грн
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -35A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.35 грн
10+42.74 грн
100+27.85 грн
500+20.10 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.97 грн
15000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1136+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 1136
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -40A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5.pdf
G450N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5.pdf
G450N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.01 грн
10+59.57 грн
100+39.57 грн
500+29.09 грн
1000+26.51 грн
2000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.30 грн
10+38.58 грн
100+25.05 грн
500+18.04 грн
1000+16.28 грн
2000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf GOFORD-G45P02D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.64 грн
15000+13.80 грн
30000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.30 грн
15000+10.29 грн
30000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.43 грн
10+56.25 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.45 грн
6000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]