Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148773) > Сторінка 2479 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY8CKIT-062S2-43012 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-062S2-43012_PSoC_62S2_Wi-Fi_BT_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01c8f11927&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Unclassified
Description: CY8CKIT-062S2-43012
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+13454.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 187A; 188W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 187A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4426SPBF IRS4426SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -3.3...2.3A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.80 грн
15+28.82 грн
100+26.76 грн
250+25.52 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B1565JFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3BXX65J-DS-v02_09-en.pdf?fileId=db3a3043394427e4013953109b207cb2 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF IR2102SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2101_2102.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC066N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR15N20DTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 2.7Ω
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr4105.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.54 грн
31+13.46 грн
100+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP40E65D2XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube; Ifsm: 250A; TO220-2; 36ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO220-2
Reverse recovery time: 36ns
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.19 грн
10+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.83 грн
10+124.71 грн
50+114.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2203nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDI05I12AFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDIxxI12AF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Output current: -0.5...0.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.07 грн
10+99.93 грн
50+85.07 грн
100+79.28 грн
250+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.48 грн
12+36.01 грн
25+27.25 грн
50+22.38 грн
100+19.08 грн
200+17.01 грн
500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 16A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.35 грн
28+15.03 грн
31+13.63 грн
50+10.57 грн
100+9.33 грн
250+7.68 грн
500+6.44 грн
1000+5.37 грн
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.90 грн
25+16.68 грн
100+9.25 грн
500+6.19 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6346pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.57 грн
24+17.34 грн
50+12.14 грн
100+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6246pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 107W
Drain current: 13.3A
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.01 грн
10+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Power dissipation: 96W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6c201097f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 69W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 48W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.39 грн
1000+182.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB015N04NX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04LG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
On-state resistance: 29/58mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1 IPP60R385CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R385CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R385CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-VSON-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA95R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 28W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Mounting: Press-Pack
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX007TAUMA1
+1
 		IFX007TAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IFX007T.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: 9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+215.24 грн
10+156.09 грн
25+151.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB031N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5 IDH06G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 54A
Leakage current: 1.2µA
Power dissipation: 62W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.72 грн
50+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4002ARPPE6327.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.23 грн
34+12.39 грн
100+11.89 грн
200+11.07 грн
250+10.90 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.67 грн
54+7.76 грн
59+7.10 грн
100+5.16 грн
500+3.98 грн
1000+3.54 грн
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.34 грн
41+10.24 грн
44+9.50 грн
100+6.85 грн
500+5.07 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.59 грн
12+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.28 грн
10+68.30 грн
100+60.29 грн
200+58.14 грн
250+57.40 грн
500+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2301-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+141.42 грн
5+113.15 грн
10+101.58 грн
25+87.54 грн
50+80.94 грн
95+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.83 грн
10+60.29 грн
50+42.78 грн
100+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7309q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7807zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7807vpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24PVXI CY8C29666-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C29466-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 3÷5.25VDC; Core: 8-bit
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 44
Kind of core: 8-bit
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH; 512kB SRAM
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Case: SSOP48
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1466.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 Infineon-CY8CKIT-062S2-43012_PSoC_62S2_Wi-Fi_BT_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01c8f11927&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY8CKIT-062S2-43012
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+13454.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 187A; 188W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 187A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4426SPBF IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS4426SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -3.3...2.3A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSG-DTE.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.80 грн
15+28.82 грн
100+26.76 грн
250+25.52 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B1565JFKLA1 Infineon-ICE3BXX65J-DS-v02_09-en.pdf?fileId=db3a3043394427e4013953109b207cb2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF description ir2101_2102.pdf
IR2102SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NS-DTE.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 2.7Ω
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3G-DTE.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL auirfr4105.pdf
AUIRFR4105ZTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53.pdf
BCX53H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.54 грн
31+13.46 грн
100+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1.pdf
IDP40E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube; Ifsm: 250A; TO220-2; 36ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO220-2
Reverse recovery time: 36ns
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.19 грн
10+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.83 грн
10+124.71 грн
50+114.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF irl2203nspbf.pdf
IRL2203NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDIxxI12AF.pdf
1EDI05I12AFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Output current: -0.5...0.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.07 грн
10+99.93 грн
50+85.07 грн
100+79.28 грн
250+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.48 грн
12+36.01 грн
25+27.25 грн
50+22.38 грн
100+19.08 грн
200+17.01 грн
500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLL2703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 16A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF irlml2803.pdf
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.35 грн
28+15.03 грн
31+13.63 грн
50+10.57 грн
100+9.33 грн
250+7.68 грн
500+6.44 грн
1000+5.37 грн
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.90 грн
25+16.68 грн
100+9.25 грн
500+6.19 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.57 грн
24+17.34 грн
50+12.14 грн
100+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF irlml6246pbf.pdf
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 107W
Drain current: 13.3A
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.01 грн
10+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Power dissipation: 96W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1 Infineon-ISC019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6c201097f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 69W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 48W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF irf2805spbf.pdf
IRF2805STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.39 грн
1000+182.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3G-DTE.pdf
BSB015N04NX3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LG.pdf
IPB015N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NG-DTE.pdf
IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF irf9317pbf.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
On-state resistance: 29/58mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01G.pdf
ICE2PCS01GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1 IPP60R385CP-DTE.pdf
IPP60R385CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CP-DTE.pdf
IPB60R385CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CP-DTE.pdf
IPL60R385CPAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-VSON-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7.pdf
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 28W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N14TOFXPSA1 T560N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Mounting: Press-Pack
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX007TAUMA1 IFX007T.pdf
IFX007TAUMA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: 9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.24 грн
10+156.09 грн
25+151.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5-DTE.pdf
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5
IDH06G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 54A
Leakage current: 1.2µA
Power dissipation: 62W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.72 грн
50+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327.pdf
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.23 грн
34+12.39 грн
100+11.89 грн
200+11.07 грн
250+10.90 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.67 грн
54+7.76 грн
59+7.10 грн
100+5.16 грн
500+3.98 грн
1000+3.54 грн
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.34 грн
41+10.24 грн
44+9.50 грн
100+6.85 грн
500+5.07 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752ltrpbf.pdf
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.59 грн
12+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.28 грн
10+68.30 грн
100+60.29 грн
200+58.14 грн
250+57.40 грн
500+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301-DTE.pdf
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.42 грн
5+113.15 грн
10+101.58 грн
25+87.54 грн
50+80.94 грн
95+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.83 грн
10+60.29 грн
50+42.78 грн
100+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF7807VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24PVXI CY8C29466-24PVXI.pdf
CY8C29666-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 3÷5.25VDC; Core: 8-bit
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 44
Kind of core: 8-bit
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH; 512kB SRAM
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Case: SSOP48
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1466.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480  [ Наступна Сторінка >> ]