Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149481) > Сторінка 2478 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FZ600R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE894BC24492EF813D5&compId=FZ600R12KS4.pdf?ci_sign=a0460730c6d5a7ddfe7deaaf4d7f9bbcba82420d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM-2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-2
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 3.9kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.92 грн
25+40.67 грн
100+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BF2040.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Kind of channel: depletion
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+19.25 грн
35+12.30 грн
100+10.82 грн
500+9.92 грн
1000+9.10 грн
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.14 грн
23+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 BCR148SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58B4B5D02A469&compId=BCR148.pdf?ci_sign=e97eb104b0c53699eb1c27d2f3eeba910076f276 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 100MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.95 грн
55+7.46 грн
100+6.64 грн
500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9215.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.08 грн
4+123.83 грн
10+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.04 грн
42+9.92 грн
100+8.77 грн
500+7.87 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.17 грн
10+90.21 грн
20+80.37 грн
50+68.88 грн
100+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB639_659.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Capacitance: 2.4...40pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.01 грн
41+10.17 грн
75+7.24 грн
100+6.90 грн
500+5.37 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+159.85 грн
200+133.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+299.38 грн
150+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.10 грн
10+214.04 грн
100+191.89 грн
250+181.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.76 грн
10+159.91 грн
100+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+16042.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC155N06NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.52 грн
10+158.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SSOP24
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+437.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDC10I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Voltage class: 600/650/1200V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.01 грн
5+180.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25A9939DDA11C&compId=BSC014N04LS-DTE.pdf?ci_sign=702ca4986b6c1f5e5d8f755d7d5c4d74798c8fd0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25D852524411C&compId=BSC014N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=53868b51fbb5ec3ed88489a6d0c056d375046e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.48 грн
50+8.28 грн
65+6.31 грн
100+5.60 грн
250+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+369.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A5F4DDE2DCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7493pbf.pdf?ci_sign=c0b1b5129242a232c27549a49cf8e89a1f378ec3 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04NG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.21 грн
6+81.19 грн
10+72.99 грн
50+59.86 грн
100+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT
Technology: MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R250CPXKSA1 IPP60R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594521AEF3011BF&compId=IPP60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=079b2c37446f3fa596ccde728948be63713015c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.38 грн
6+80.37 грн
10+74.63 грн
50+63.14 грн
100+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7328-datasheet-en.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F99701188F1A303005056AB0C4F&compId=irf7328pbf.pdf?ci_sign=1056fd32db11150a9acdcdcd1953f3b20c8dc7dd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120P7 IPP60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1752E50D38749&compId=IPP60R120P7.pdf?ci_sign=db5d6da5af7792cb5fe3e97f682fefdab165ae7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.57 грн
12+36.66 грн
100+27.39 грн
250+24.19 грн
500+21.98 грн
1000+19.93 грн
2000+18.04 грн
2500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.51 грн
15+28.62 грн
100+26.57 грн
250+25.34 грн
500+22.72 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C139920DB3F1A303005056AB0C4F&compId=irfr2307zpbf.pdf?ci_sign=5a02cd30d3be63779fdc26a106cfb0d6acb4247b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 42A; 110W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L AUIRF2804L INFINEON TECHNOLOGIES irf2804.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7342q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+156.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.78 грн
10+135.31 грн
25+123.01 грн
100+104.97 грн
250+94.31 грн
500+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE3BR4765J_v2_2_10Jun08.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a3043156fd5730115da40851e152a Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+101.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KS4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE894BC24492EF813D5&compId=FZ600R12KS4.pdf?ci_sign=a0460730c6d5a7ddfe7deaaf4d7f9bbcba82420d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM-2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-2
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 3.9kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.92 грн
25+40.67 грн
100+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040.pdf
BF2040E6814HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Kind of channel: depletion
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+19.25 грн
35+12.30 грн
100+10.82 грн
500+9.92 грн
1000+9.10 грн
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.14 грн
23+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58B4B5D02A469&compId=BCR148.pdf?ci_sign=e97eb104b0c53699eb1c27d2f3eeba910076f276
BCR148SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 100MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.95 грн
55+7.46 грн
100+6.64 грн
500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N.pdf
T560N16TOFXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9215.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.08 грн
4+123.83 грн
10+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.04 грн
42+9.92 грн
100+8.77 грн
500+7.87 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.17 грн
10+90.21 грн
20+80.37 грн
50+68.88 грн
100+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639_659.pdf
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Capacitance: 2.4...40pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.01 грн
41+10.17 грн
75+7.24 грн
100+6.90 грн
500+5.37 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+159.85 грн
200+133.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+299.38 грн
150+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWH6327XTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.10 грн
10+214.04 грн
100+191.89 грн
250+181.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.76 грн
10+159.91 грн
100+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+16042.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC155N06NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.52 грн
10+158.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SSOP24
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+437.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c
1EDC10I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Voltage class: 600/650/1200V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.01 грн
5+180.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25A9939DDA11C&compId=BSC014N04LS-DTE.pdf?ci_sign=702ca4986b6c1f5e5d8f755d7d5c4d74798c8fd0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25D852524411C&compId=BSC014N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=53868b51fbb5ec3ed88489a6d0c056d375046e73
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.48 грн
50+8.28 грн
65+6.31 грн
100+5.60 грн
250+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130JTRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+369.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A5F4DDE2DCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7493pbf.pdf?ci_sign=c0b1b5129242a232c27549a49cf8e89a1f378ec3
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LG-DTE.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NG-dte.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.21 грн
6+81.19 грн
10+72.99 грн
50+59.86 грн
100+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT
Technology: MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R250CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594521AEF3011BF&compId=IPP60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=079b2c37446f3fa596ccde728948be63713015c0
IPP60R250CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RF.pdf
IKD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.38 грн
6+80.37 грн
10+74.63 грн
50+63.14 грн
100+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 infineon-irf7328-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F99701188F1A303005056AB0C4F&compId=irf7328pbf.pdf?ci_sign=1056fd32db11150a9acdcdcd1953f3b20c8dc7dd
IRF7328TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1752E50D38749&compId=IPP60R120P7.pdf?ci_sign=db5d6da5af7792cb5fe3e97f682fefdab165ae7b
IPP60R120P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.57 грн
12+36.66 грн
100+27.39 грн
250+24.19 грн
500+21.98 грн
1000+19.93 грн
2000+18.04 грн
2500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.51 грн
15+28.62 грн
100+26.57 грн
250+25.34 грн
500+22.72 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS-DTE.pdf
BSC010N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSI-DTE.pdf
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C139920DB3F1A303005056AB0C4F&compId=irfr2307zpbf.pdf?ci_sign=5a02cd30d3be63779fdc26a106cfb0d6acb4247b
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 42A; 110W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L irf2804.pdf
AUIRF2804L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR auirf7342q.pdf
AUIRF7342QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+156.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R.pdf
BSP752R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.78 грн
10+135.31 грн
25+123.01 грн
100+104.97 грн
250+94.31 грн
500+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JFKLA1 Datasheet_ICE3BR4765J_v2_2_10Jun08.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a3043156fd5730115da40851e152a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+101.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]