Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149636) > Сторінка 2478 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW67CE6327 BCW67CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C52D8FFE996469&compId=BCW67B.pdf?ci_sign=bdbfe8f0672e4b7d88af7d57146c2b876a179314 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.49 грн
45+9.03 грн
56+7.16 грн
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7 IPP60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E29801E7FF4749&compId=IPP60R060P7.pdf?ci_sign=e1878468754d31d06f5fea24df11181436da83af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFEC74B032C33D1&compId=IPZA60R060P7.pdf?ci_sign=310e8ddc118afb51589bfc4506d4483444c7a207 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 70A; 68W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817SUE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5ED6A827F8469&compId=BC817UE6327.pdf?ci_sign=273a25ffb9181e5f7966dc07fc73d775914d17ff Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Case: SC74
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.30 грн
102+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0017271261-1.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0017271261-1.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4EB1EB22211C&compId=BSZ340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=fcb9737eb5449cce02db625a02d11085b0a60560 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17SROHSBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2ED300C17S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Mounting: PCB
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Type of semiconductor module: gate driver board
Kind of output: IGBT driver
Topology: IGBT half-bridge
Operating temperature: -25...85°C
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Frequency: 60kHz
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Application: for medium and high power application
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.54 грн
23+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327 BGX50AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; 6ns; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: bridge rectifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Power dissipation: 0.21W
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+9.30 грн
100+7.67 грн
250+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 3.9A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.46 грн
10+83.92 грн
15+80.73 грн
50+74.33 грн
150+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.34 грн
11+39.64 грн
25+35.17 грн
75+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4F04963CD2143&compId=IPD80R1K2P7.pdf?ci_sign=53abc1d247d444f69459d15f762c386837b73d91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+426.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7465-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A48740D119F1A303005056AB0C4F&compId=irf7465pbf.pdf?ci_sign=cc3ec770d5137fb965e0fe69e49e73454b16f1b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.65 грн
14+30.53 грн
50+24.46 грн
100+21.98 грн
200+19.58 грн
500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 240ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: SMT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 0.17A
Control voltage: 1.2V DC
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
Leads: for PCB
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 320mA
Control voltage: 1.2V DC
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF IRFB4228PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+189.37 грн
10+126.29 грн
50+117.49 грн
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D2XKSA1 IDP15E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2; 47ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 47ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.76 грн
10+79.13 грн
50+51.95 грн
100+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D1XKSA1 IDP15E65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP15E65D1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; tube; Ifsm: 120A; TO220-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A83237A3D1CC&compId=BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf?ci_sign=304a2011c07782bc019c3f0265e7929ef67a4796 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A7635D7851CC&compId=BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=971d97016924af893a513ca586abb1484fedd47a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Output configuration: SPDT
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405E6327HTSA1 BAT6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.89 грн
72+5.59 грн
77+5.20 грн
90+4.48 грн
100+4.14 грн
500+3.40 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 186nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.95 грн
10+63.14 грн
25+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBF IRFB7734PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7734PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR420U BCR420U INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD61691658B15EA&compId=BCR420U.pdf?ci_sign=0ca17a34f60a3e7fc7f59a90f29534577755f717 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 150...200mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.73 грн
30+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR421UE6327 BCR421UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD618EC6C8DF5EA&compId=BCR421UE6327.pdf?ci_sign=dca36e6257f451c4dcb566801e7a45f24426b061 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 150...200mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.25 грн
17+23.66 грн
25+20.46 грн
100+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BCR420UE6327HTSA1 BCR420UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BCR420U-BCR421U-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617524f09e061d Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 150...200mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.54 грн
19+21.10 грн
22+18.70 грн
25+16.07 грн
100+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.57 грн
10+191.03 грн
20+172.64 грн
30+168.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586987AF60A62E469&compId=BTS5210L.pdf?ci_sign=1643026f07659dfa42b5687377d90babcf2df106 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.40 грн
10+186.23 грн
100+152.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDC60I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B62E86916C33D6&compId=1EDCxxX12AH.pdf?ci_sign=da6f019cc801fa37109c75303e594cae5bfb0871 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: galvanically isolated
Voltage class: 600/650/1200V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC30I12MHXUMA1 1EDC30I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -3...3A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Voltage class: 600/650/1200V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+189.37 грн
10+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDI05I12AFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD371C3FDD938BF&compId=1EDIxxI12AF.pdf?ci_sign=471f8bfde103508bd8c42273b85d6b83f9faec20 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -0.5...0.5A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: galvanically isolated
Voltage class: 1.2kV
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.90 грн
10+91.92 грн
50+79.13 грн
100+73.53 грн
250+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.1mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.8mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A37BEC8426F1A303005056AB0C4F&compId=irf7452pbf.pdf?ci_sign=362455816f184008d289cc4fcaf26d956f50d657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451PBF IRF7451PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A35F9093DFF1A303005056AB0C4F&compId=irf7451pbf.pdf?ci_sign=fe45e379b1aa1eedfed7f9b25048f3b66534b97a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A35F9093DFF1A303005056AB0C4F&compId=irf7451pbf.pdf?ci_sign=fe45e379b1aa1eedfed7f9b25048f3b66534b97a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A394A8FECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7455pbf.pdf?ci_sign=a8e199bc69b070ff2b01b8bdf83e57d71f58e4bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3D3C6C7FAF1A303005056AB0C4F&compId=irf7457pbf.pdf?ci_sign=f53326c1a66ccc11f63b761dfae3d8bee0ae43f5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1314ELXUMA1 TLD1314ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE994C10BB88A6898BF&compId=TLD1314EL.pdf?ci_sign=f5a79c5c9d23cf4197f383c96b3d26c6cde43150 Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC09BF31FC11C&compId=IPB107N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=3aa81fd74f1452936f06da3031e959bc85802488 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.18 грн
5+97.51 грн
10+85.52 грн
14+70.34 грн
37+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 63W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 91A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA87948325611C&compId=IPB020N10N5-dte.pdf?ci_sign=0e271e4747a3359c20c2048905fcf7fe0c97f30a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C52D8FFE996469&compId=BCW67B.pdf?ci_sign=bdbfe8f0672e4b7d88af7d57146c2b876a179314
BCW67CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.49 грн
45+9.03 грн
56+7.16 грн
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E29801E7FF4749&compId=IPP60R060P7.pdf?ci_sign=e1878468754d31d06f5fea24df11181436da83af
IPP60R060P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFEC74B032C33D1&compId=IPZA60R060P7.pdf?ci_sign=310e8ddc118afb51589bfc4506d4483444c7a207
IPZA60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 70A; 68W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5ED6A827F8469&compId=BC817UE6327.pdf?ci_sign=273a25ffb9181e5f7966dc07fc73d775914d17ff
BC817SUE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Case: SC74
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.30 грн
102+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 INFN-S-A0017271261-1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 INFN-S-A0017271261-1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4EB1EB22211C&compId=BSZ340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=fcb9737eb5449cce02db625a02d11085b0a60560
BSZ340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17SROHSBPSA1 2ED300C17S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Mounting: PCB
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Type of semiconductor module: gate driver board
Kind of output: IGBT driver
Topology: IGBT half-bridge
Operating temperature: -25...85°C
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Frequency: 60kHz
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Application: for medium and high power application
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.54 грн
23+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b
BGX50AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; 6ns; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: bridge rectifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Power dissipation: 0.21W
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+9.30 грн
100+7.67 грн
250+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 3.9A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.46 грн
10+83.92 грн
15+80.73 грн
50+74.33 грн
150+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c
IPU80R1K2P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.34 грн
11+39.64 грн
25+35.17 грн
75+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4F04963CD2143&compId=IPD80R1K2P7.pdf?ci_sign=53abc1d247d444f69459d15f762c386837b73d91
IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612PBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+426.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1 infineon-irf7465-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A48740D119F1A303005056AB0C4F&compId=irf7465pbf.pdf?ci_sign=cc3ec770d5137fb965e0fe69e49e73454b16f1b1
IRF7465TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.65 грн
14+30.53 грн
50+24.46 грн
100+21.98 грн
200+19.58 грн
500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814STRPBF INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 240ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LSPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: SMT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 0.17A
Control voltage: 1.2V DC
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
Leads: for PCB
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312PBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 320mA
Control voltage: 1.2V DC
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312SPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+323.64 грн
100+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe
IRFP4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33
IRFB4228PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+189.37 грн
10+126.29 грн
50+117.49 грн
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D2XKSA1 IDP15E65D2.pdf
IDP15E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2; 47ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 47ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.76 грн
10+79.13 грн
50+51.95 грн
100+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D1XKSA1 IDP15E65D1.pdf
IDP15E65D1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; tube; Ifsm: 120A; TO220-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A83237A3D1CC&compId=BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf?ci_sign=304a2011c07782bc019c3f0265e7929ef67a4796
BSZ180P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A7635D7851CC&compId=BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=971d97016924af893a513ca586abb1484fedd47a
BSZ180P03NS3EGATMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Output configuration: SPDT
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01
BAT6405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.89 грн
72+5.59 грн
77+5.20 грн
90+4.48 грн
100+4.14 грн
500+3.40 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf
IRFB7534PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 186nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.95 грн
10+63.14 грн
25+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBF IRFB7734PBF.pdf
IRFB7734PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR420U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD61691658B15EA&compId=BCR420U.pdf?ci_sign=0ca17a34f60a3e7fc7f59a90f29534577755f717
BCR420U
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 150...200mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.73 грн
30+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR421UE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD618EC6C8DF5EA&compId=BCR421UE6327.pdf?ci_sign=dca36e6257f451c4dcb566801e7a45f24426b061
BCR421UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 150...200mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.25 грн
17+23.66 грн
25+20.46 грн
100+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BCR420UE6327HTSA1 Infineon-BCR420U-BCR421U-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617524f09e061d
BCR420UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 150...200mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.54 грн
19+21.10 грн
22+18.70 грн
25+16.07 грн
100+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.57 грн
10+191.03 грн
20+172.64 грн
30+168.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586987AF60A62E469&compId=BTS5210L.pdf?ci_sign=1643026f07659dfa42b5687377d90babcf2df106
BTS5210L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.40 грн
10+186.23 грн
100+152.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B62E86916C33D6&compId=1EDCxxX12AH.pdf?ci_sign=da6f019cc801fa37109c75303e594cae5bfb0871
1EDC60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: galvanically isolated
Voltage class: 600/650/1200V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC30I12MHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c
1EDC30I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -3...3A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Voltage class: 600/650/1200V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+189.37 грн
10+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD371C3FDD938BF&compId=1EDIxxI12AF.pdf?ci_sign=471f8bfde103508bd8c42273b85d6b83f9faec20
1EDI05I12AFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -0.5...0.5A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: galvanically isolated
Voltage class: 1.2kV
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.90 грн
10+91.92 грн
50+79.13 грн
100+73.53 грн
250+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.1mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.8mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7452TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A37BEC8426F1A303005056AB0C4F&compId=irf7452pbf.pdf?ci_sign=362455816f184008d289cc4fcaf26d956f50d657
IRF7452TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A35F9093DFF1A303005056AB0C4F&compId=irf7451pbf.pdf?ci_sign=fe45e379b1aa1eedfed7f9b25048f3b66534b97a
IRF7451PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A35F9093DFF1A303005056AB0C4F&compId=irf7451pbf.pdf?ci_sign=fe45e379b1aa1eedfed7f9b25048f3b66534b97a
IRF7451TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A394A8FECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7455pbf.pdf?ci_sign=a8e199bc69b070ff2b01b8bdf83e57d71f58e4bc
IRF7455TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3D3C6C7FAF1A303005056AB0C4F&compId=irf7457pbf.pdf?ci_sign=f53326c1a66ccc11f63b761dfae3d8bee0ae43f5
IRF7457TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1314ELXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE994C10BB88A6898BF&compId=TLD1314EL.pdf?ci_sign=f5a79c5c9d23cf4197f383c96b3d26c6cde43150
TLD1314ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1
IPB107N20NAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC09BF31FC11C&compId=IPB107N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=3aa81fd74f1452936f06da3031e959bc85802488
IPB107N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.18 грн
5+97.51 грн
10+85.52 грн
14+70.34 грн
37+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 63W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 91A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA87948325611C&compId=IPB020N10N5-dte.pdf?ci_sign=0e271e4747a3359c20c2048905fcf7fe0c97f30a
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]