Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148639) > Сторінка 2478 з 2478

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2473 2474 2475 2476 2477 2478
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N INFINEON TECHNOLOGIES BTS3118N-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 2.17A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.67 грн
10+81.23 грн
13+71.27 грн
35+66.67 грн
100+65.90 грн
250+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Leakage current: 0.4µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA1 IDK02G65C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDK02G65C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.01 грн
14+29.43 грн
25+28.05 грн
84+27.82 грн
100+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6225GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE6225G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+199.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 BCV62CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV62.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.28 грн
25+15.48 грн
100+10.42 грн
139+6.44 грн
382+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GDXKMA1 IKCM15L60GDXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM15L60GD.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 58.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM20L60GAXKMA1 IKCM20L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM20L60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 29.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC INFINEON TECHNOLOGIES CY7C64225.PDF Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY7C64225-28PVXC
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+227.78 грн
141+190.05 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.59 грн
10+85.06 грн
13+70.50 грн
35+66.67 грн
250+65.90 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.53 грн
7+59.77 грн
24+38.39 грн
65+36.32 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 184A
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF IR2233SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF IR2233PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.5W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+580.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N-DTE.pdf
BTS3118N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 2.17A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.67 грн
10+81.23 грн
13+71.27 грн
35+66.67 грн
100+65.90 грн
250+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Leakage current: 0.4µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA1 IDK02G65C5-DTE.pdf
IDK02G65C5XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.01 грн
14+29.43 грн
25+28.05 грн
84+27.82 грн
100+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6225GXUMA1 TLE6225G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+199.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 BCV62.pdf
BCV62CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.28 грн
25+15.48 грн
100+10.42 грн
139+6.44 грн
382+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GDXKMA1 IKCM15L60GD.pdf
IKCM15L60GDXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 58.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM20L60GAXKMA1 IKCM20L60GA.pdf
IKCM20L60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 29.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC CY7C64225.PDF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY7C64225-28PVXC
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+227.78 грн
141+190.05 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3G-DTE.pdf
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.59 грн
10+85.06 грн
13+70.50 грн
35+66.67 грн
250+65.90 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3G-DTE.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.53 грн
7+59.77 грн
24+38.39 грн
65+36.32 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6327HTSA1 bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6433HTMA1 bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 184A
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF IR2133JPBF.pdf
IR2233SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF description IR2133JPBF.pdf
IR2233PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.5W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JTRPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+580.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2473 2474 2475 2476 2477 2478