Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149481) > Сторінка 2477 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
19+21.65 грн
25+20.01 грн
100+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1356C-166AXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 512kx18bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1360C-166AXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Polarisation: N
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.06 грн
10+101.69 грн
50+89.39 грн
100+84.47 грн
250+75.45 грн
500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C8327D1226F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4227pbf.pdf?ci_sign=ba7e3a94bc4be1c6dca7d3cb57bd4f88452d247b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 IPW60R031CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.02 грн
3+699.51 грн
10+652.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.78 грн
2+474.81 грн
5+402.65 грн
10+400.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A79FD13B11BF&compId=IPP60R099C7-DTE.pdf?ci_sign=a94abcc1c797aaf690d8a6def9357586264bf546 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59467B878FD31BF&compId=IPP60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=e6d37a5db910c45a9b2ab0cc867290efd25d278b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.69 грн
5+91.85 грн
10+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.96 грн
21+19.85 грн
25+18.29 грн
100+14.02 грн
500+9.10 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60N12AFXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDIxxy12AF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.20 грн
30+13.86 грн
50+9.59 грн
100+8.12 грн
250+6.81 грн
500+5.90 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.39 грн
15+28.54 грн
100+20.91 грн
250+18.29 грн
500+16.32 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS212XXSTRPBf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor,high-side; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: current sensor; high-side
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.58 грн
10+161.55 грн
100+154.17 грн
250+138.59 грн
500+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
22+19.19 грн
25+16.57 грн
100+9.59 грн
500+6.72 грн
1000+5.82 грн
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.57 грн
14+30.75 грн
50+21.98 грн
100+19.03 грн
250+15.75 грн
500+13.61 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 2; MOSFET; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Output current: 0.2A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
50+8.20 грн
63+6.59 грн
100+4.63 грн
500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 200W
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.48 грн
5+120.55 грн
10+113.17 грн
15+108.25 грн
25+103.33 грн
50+95.95 грн
100+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.27 грн
10+208.29 грн
25+189.43 грн
100+166.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.94 грн
10+95.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: SOIC8
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 10...20V
Maximum output current: 0.35A
Turn-on time: 220ns
Power dissipation: 0.625W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 6÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 6...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.56 грн
10+64.13 грн
50+53.55 грн
100+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.18 грн
10+195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.44 грн
10+86.11 грн
25+75.45 грн
100+68.88 грн
500+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 11.5...20V DC
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.43 грн
10+63.14 грн
100+54.12 грн
250+50.84 грн
500+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84ED23234910B&compId=SN7002NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=d6285ac03f0bea3b7779feaacb4ca2f8607ef04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.90 грн
41+10.17 грн
59+7.02 грн
100+5.96 грн
500+4.17 грн
1000+3.62 грн
3000+2.94 грн
6000+2.62 грн
9000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.79 грн
21+20.34 грн
26+15.99 грн
50+13.28 грн
100+11.15 грн
250+9.18 грн
500+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EasyPACK™ 2B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF4842F86155EA&compId=IRFS52N15DTRRP.pdf?ci_sign=ebc254e558cc0929f63fa9dc13b00da8547b2f4d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES BTS134D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.32 грн
10+137.77 грн
25+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV33ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850B0TB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf0f9cb6d40 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 500mA; D2PAK-5; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
Application: automotive industry
Number of channels: 1
Protection: overheating OTP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.91 грн
50+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB015N04NX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
19+21.65 грн
25+20.01 грн
100+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1356C-166AXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 512kx18bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1360C-166AXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Polarisation: N
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831
IRFR5410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.06 грн
10+101.69 грн
50+89.39 грн
100+84.47 грн
250+75.45 грн
500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C8327D1226F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4227pbf.pdf?ci_sign=ba7e3a94bc4be1c6dca7d3cb57bd4f88452d247b
IRFS4227TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937
IPW60R031CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.02 грн
3+699.51 грн
10+652.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.78 грн
2+474.81 грн
5+402.65 грн
10+400.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A79FD13B11BF&compId=IPP60R099C7-DTE.pdf?ci_sign=a94abcc1c797aaf690d8a6def9357586264bf546
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59467B878FD31BF&compId=IPP60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=e6d37a5db910c45a9b2ab0cc867290efd25d278b
IPP60R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF irfb260n.pdf
IRFB260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.69 грн
5+91.85 грн
10+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.96 грн
21+19.85 грн
25+18.29 грн
100+14.02 грн
500+9.10 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60N12AFXUMA1 1EDIxxy12AF.pdf
1EDI60N12AFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.20 грн
30+13.86 грн
50+9.59 грн
100+8.12 грн
250+6.81 грн
500+5.90 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.39 грн
15+28.54 грн
100+20.91 грн
250+18.29 грн
500+16.32 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21271STRPBF IRS212XXSTRPBf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor,high-side; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: current sensor; high-side
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.58 грн
10+161.55 грн
100+154.17 грн
250+138.59 грн
500+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
22+19.19 грн
25+16.57 грн
100+9.59 грн
500+6.72 грн
1000+5.82 грн
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.57 грн
14+30.75 грн
50+21.98 грн
100+19.03 грн
250+15.75 грн
500+13.61 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 2; MOSFET; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Output current: 0.2A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70
BAS116E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
50+8.20 грн
63+6.59 грн
100+4.63 грн
500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 200W
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.48 грн
5+120.55 грн
10+113.17 грн
15+108.25 грн
25+103.33 грн
50+95.95 грн
100+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.27 грн
10+208.29 грн
25+189.43 грн
100+166.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.94 грн
10+95.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: SOIC8
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 10...20V
Maximum output current: 0.35A
Turn-on time: 220ns
Power dissipation: 0.625W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 6÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 6...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.56 грн
10+64.13 грн
50+53.55 грн
100+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.18 грн
10+195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N.pdf
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.44 грн
10+86.11 грн
25+75.45 грн
100+68.88 грн
500+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 11.5...20V DC
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.43 грн
10+63.14 грн
100+54.12 грн
250+50.84 грн
500+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84ED23234910B&compId=SN7002NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=d6285ac03f0bea3b7779feaacb4ca2f8607ef04b
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.90 грн
41+10.17 грн
59+7.02 грн
100+5.96 грн
500+4.17 грн
1000+3.62 грн
3000+2.94 грн
6000+2.62 грн
9000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.79 грн
21+20.34 грн
26+15.99 грн
50+13.28 грн
100+11.15 грн
250+9.18 грн
500+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EasyPACK™ 2B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF4842F86155EA&compId=IRFS52N15DTRRP.pdf?ci_sign=ebc254e558cc0929f63fa9dc13b00da8547b2f4d
IRFS52N15DTRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D.pdf
BTS134D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.32 грн
10+137.77 грн
25+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV33ATMA1 Infineon-TLS850B0TB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf0f9cb6d40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 500mA; D2PAK-5; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
Application: automotive industry
Number of channels: 1
Protection: overheating OTP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.91 грн
50+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3G-DTE.pdf
BSB015N04NX3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NG-DTE.pdf
IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]