Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149481) > Сторінка 2475 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS5120-2EKA BTS5120-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5120-2EKA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.22Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+197.82 грн
10+119.73 грн
25+109.07 грн
100+92.67 грн
250+81.19 грн
500+73.81 грн
1000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.58 грн
10+329.66 грн
25+273.90 грн
50+250.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDFE7C04F673D1&compId=IPN80R1K2P7.pdf?ci_sign=016ba9a1e5be19df356a574b4dc7ffc00988a06e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD100N16S DD100N16S INFINEON TECHNOLOGIES DD100N16S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 130A; BG-SB20-1; screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 130A
Max. forward impulse current: 2.5kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: BG-SB20-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2626.46 грн
3+2136.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
61+7.24 грн
100+5.90 грн
250+5.33 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327 BCR129E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A30C55F6E469&compId=BCR129.pdf?ci_sign=9d2fde11dd5e1f6f9d964f9ce96dfdb605cdc8bf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.40 грн
3+360.01 грн
10+289.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2A
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-36
On-state resistance: 0.8Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Integrated circuit features: thermal protection
Active logical level: low
Supply voltage: 4.5...5.5V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+413.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LF2SATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 73A; 75W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; THT; DIP6; 4kV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+423.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; SMT; DIP6; 4kV; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+423.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.14 грн
5+214.04 грн
10+190.25 грн
25+163.19 грн
50+148.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; 200mA; 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 200mA
Power dissipation: 0.625W
Number of channels: 2
Input voltage: 10...15.6V
Integrated circuit features: MOSFET
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Topology: H-bridge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 50A; 56W; DPAK; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15F60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43b29e78c1 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP24; 15A; Iout max: 15A; 14.5÷18.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP24
Output current: 15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 15A
Supply voltage: 14.5...18.5V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+818.67 грн
42+684.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2004STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.97 грн
10+126.29 грн
25+102.51 грн
50+81.19 грн
100+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 290A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 2A
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
Kind of output: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+612.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.48 грн
3+268.16 грн
10+205.01 грн
25+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+158.08 грн
200+132.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 50V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.65 грн
10+41.17 грн
100+27.72 грн
500+21.57 грн
1000+19.52 грн
2000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+141.30 грн
10+92.67 грн
25+78.73 грн
50+69.70 грн
100+63.14 грн
250+56.58 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.20 грн
10+53.22 грн
100+36.25 грн
250+31.41 грн
500+28.29 грн
1000+25.59 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 95A; PQFN5X6; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 62A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Unclassified
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
490+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 7.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A; 34W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 85nC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.53 грн
10+187.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR10080JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; Ubr: 800V; Usup: 10.5÷27V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V AC
Breakdown voltage: 800V
Supply voltage: 10.5...27V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+98.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Power dissipation: 130W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2850.77 грн
2+2553.66 грн
3+2524.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
Supply voltage: 10.5...16.5V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Mounting: THT
Case: TO220-5
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.38 грн
10+73.81 грн
25+65.60 грн
50+60.68 грн
100+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 288A
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5120-2EKA BTS5120-2EKA.pdf
BTS5120-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.22Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.82 грн
10+119.73 грн
25+109.07 грн
100+92.67 грн
250+81.19 грн
500+73.81 грн
1000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.58 грн
10+329.66 грн
25+273.90 грн
50+250.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDFE7C04F673D1&compId=IPN80R1K2P7.pdf?ci_sign=016ba9a1e5be19df356a574b4dc7ffc00988a06e
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD100N16S DD100N16S.pdf
DD100N16S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 130A; BG-SB20-1; screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 130A
Max. forward impulse current: 2.5kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: BG-SB20-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2626.46 грн
3+2136.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RF.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+7.24 грн
100+5.90 грн
250+5.33 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A30C55F6E469&compId=BCR129.pdf?ci_sign=9d2fde11dd5e1f6f9d964f9ce96dfdb605cdc8bf
BCR129E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.40 грн
3+360.01 грн
10+289.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+355.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2A
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-36
On-state resistance: 0.8Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Integrated circuit features: thermal protection
Active logical level: low
Supply voltage: 4.5...5.5V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+413.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 73A; 75W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; THT; DIP6; 4kV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+423.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412ASPBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; SMT; DIP6; 4kV; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+423.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.14 грн
5+214.04 грн
10+190.25 грн
25+163.19 грн
50+148.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; 200mA; 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 200mA
Power dissipation: 0.625W
Number of channels: 2
Input voltage: 10...15.6V
Integrated circuit features: MOSFET
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Topology: H-bridge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 50A; 56W; DPAK; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15F60GAXKMA1 Infineon-IKCM15F60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43b29e78c1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP24; 15A; Iout max: 15A; 14.5÷18.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP24
Output current: 15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 15A
Supply voltage: 14.5...18.5V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+818.67 грн
42+684.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2004STRPBF irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.97 грн
10+126.29 грн
25+102.51 грн
50+81.19 грн
100+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 290A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 2A
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
Kind of output: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+612.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.48 грн
3+268.16 грн
10+205.01 грн
25+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165
IPA030N10NF2SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+158.08 грн
200+132.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 50V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.65 грн
10+41.17 грн
100+27.72 грн
500+21.57 грн
1000+19.52 грн
2000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.30 грн
10+92.67 грн
25+78.73 грн
50+69.70 грн
100+63.14 грн
250+56.58 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.20 грн
10+53.22 грн
100+36.25 грн
250+31.41 грн
500+28.29 грн
1000+25.59 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 95A; PQFN5X6; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 62A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 7.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A; 34W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 85nC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.53 грн
10+187.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1
IPP60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR10080JZXKLA1 Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; Ubr: 800V; Usup: 10.5÷27V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V AC
Breakdown voltage: 800V
Supply voltage: 10.5...27V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+98.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Power dissipation: 130W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2850.77 грн
2+2553.66 грн
3+2524.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
Supply voltage: 10.5...16.5V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Mounting: THT
Case: TO220-5
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.38 грн
10+73.81 грн
25+65.60 грн
50+60.68 грн
100+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 288A
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]