Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148833) > Сторінка 2481 з 2481

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2476 2477 2478 2479 2480 2481
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4315pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120CS7.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 BC847BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8748pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.85 грн
7+62.46 грн
10+52.24 грн
25+40.95 грн
50+34.69 грн
100+30.16 грн
250+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.00 грн
25+268.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.51 грн
30+13.93 грн
50+11.62 грн
100+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.16 грн
150+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6327 BC857BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN7550B.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.58 грн
10+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E120ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2.15V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2.15V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.55 грн
10+78.28 грн
100+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E60ATMA1 IDB30E60ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E60ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV001 S25FL128SAGNFV001 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Case: WSON8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.17A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.75 грн
33+12.52 грн
38+11.04 грн
100+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811 Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.54 грн
8+51.91 грн
50+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.73 грн
5+214.23 грн
10+190.34 грн
25+163.15 грн
50+149.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 8.6A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+146.41 грн
5+121.12 грн
10+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA95R450P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 8.6A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 30W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.22 грн
5+144.19 грн
10+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 29W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.29 грн
10+84.87 грн
50+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 73W
Pulsed drain current: 29A
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.72 грн
4+132.66 грн
10+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R450P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 6.5A
Gate charge: 13.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 22.7W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.99 грн
8+56.85 грн
10+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R450E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 9.2A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 30W
Technology: CoolMOS™ E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 73W; PG-TO252-3; ESD
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 7.1A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 73W
Technology: CoolMOS™ P7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7257.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7420pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -11.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4104F64F64ABXQMA1 XMC4104F64F64ABXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4100-4200-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 20kBSRAM,64kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4100
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...85°C
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 35
Memory: 20kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4108F64K64ABXQMA1 XMC4108F64K64ABXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4100-4200-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 20kBSRAM,64kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4100
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...125°C
Number of A/D channels: 8
Number of inputs/outputs: 21
Memory: 20kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4104F64K64ABXQSA1 XMC4104F64K64ABXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4100-4200-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 20kBSRAM,64kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4100
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...125°C
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 35
Memory: 20kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4400F64K512ABXQSA1 XMC4400F64K512ABXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,512kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4400
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...125°C
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
Number of 16bit timers: 26
Memory: 80kB SRAM; 512kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF irfl4315pbf.pdf
IRFL4315TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF irlb8748pbf.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.85 грн
7+62.46 грн
10+52.24 грн
25+40.95 грн
50+34.69 грн
100+30.16 грн
250+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.00 грн
25+268.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf
IRLHS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.51 грн
30+13.93 грн
50+11.62 грн
100+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description irfr3910.pdf
IRFU3910PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.16 грн
150+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550B.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.58 грн
10+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1.pdf
IDB30E120ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2.15V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2.15V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.55 грн
10+78.28 грн
100+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E60ATMA1 IDB30E60ATMA1.pdf
IDB30E60ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 2V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO263-3
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV001 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGNFV001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Case: WSON8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.17A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.75 грн
33+12.52 грн
38+11.04 грн
100+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.54 грн
8+51.91 грн
50+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.73 грн
5+214.23 грн
10+190.34 грн
25+163.15 грн
50+149.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 8.6A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+146.41 грн
5+121.12 грн
10+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7.pdf
IPA95R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 8.6A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 30W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.22 грн
5+144.19 грн
10+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 29W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.29 грн
10+84.87 грн
50+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
IPP80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 73W
Pulsed drain current: 29A
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.72 грн
4+132.66 грн
10+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7S.pdf
IPAN70R450P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 6.5A
Gate charge: 13.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 22.7W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.99 грн
8+56.85 грн
10+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6-DTE.pdf
IPA60R450E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 9.2A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 30W
Technology: CoolMOS™ E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7.pdf
IPD80R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 73W; PG-TO252-3; ESD
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 7.1A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 73W
Technology: CoolMOS™ P7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257.pdf
TLE7257SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF irf7420pbf.pdf
IRF7420TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -11.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4104F64F64ABXQMA1 XMC4100-4200-DTE.pdf
XMC4104F64F64ABXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 20kBSRAM,64kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4100
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...85°C
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 35
Memory: 20kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4108F64K64ABXQMA1 XMC4100-4200-DTE.pdf
XMC4108F64K64ABXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 20kBSRAM,64kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4100
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...125°C
Number of A/D channels: 8
Number of inputs/outputs: 21
Memory: 20kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4104F64K64ABXQSA1 XMC4100-4200-DTE.pdf
XMC4104F64K64ABXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 20kBSRAM,64kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4100
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...125°C
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 35
Memory: 20kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4400F64K512ABXQSA1 XMC4400-DTE.pdf
XMC4400F64K512ABXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,512kBFLASH; 3.3VDC
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4400
Case: PG-LQFP-64
Operating temperature: -40...125°C
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
Number of 16bit timers: 26
Memory: 80kB SRAM; 512kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2476 2477 2478 2479 2480 2481