Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149641) > Сторінка 2486 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60TR13CE6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGT60TR13CDataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d94bac88e5d43 Category: Unclassified
Description: BGT60TR13CE6327XUMA1
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4500+853.01 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327 BCW68FE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBAF9D236352469&compId=BCW68FE6327.pdf?ci_sign=26327f24428971b88b9fb92a44fa0833d65a9381 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.63 грн
42+9.67 грн
100+6.37 грн
250+5.44 грн
1000+4.37 грн
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 160
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 768000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACC01A37E9D3D7&compId=IGCM04G60HA.pdf?ci_sign=7d15329436abe701c9bb6bb687929afe58344d0a Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 21.8W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.85 грн
3+490.75 грн
5+442.00 грн
14+392.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586993CFFCDBBC469&compId=SMBTA92E6327.pdf?ci_sign=5614a697b45f81fbd66dbe57ff189c5f61165336 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.38 грн
23+17.66 грн
100+10.13 грн
500+6.44 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CB573E1511BF&compId=IPA60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=00d168e35ae5fbfea8f6315fd81963926b971ae3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B4891FF1D1BF&compId=IPA60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=308ea5579321e81455d0dbd6fd33a8b7f65b595d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327 BSS83PH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Power: 0.36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.82 грн
21+19.50 грн
24+16.86 грн
50+11.43 грн
100+9.67 грн
500+6.71 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XC878M16FFI5VACFXUMA1 XC878M16FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BBD6B5D218DDDE28&compId=XC878-DTE.pdf?ci_sign=73ff8bfb0968993eba897d4efa086a4563cc4514 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART; 3÷5VDC; PG-LQFP-64
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 26.7MHz
Interface: SPI; UART
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 10
Memory: 3kB SRAM; 64kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 2
Number of input capture channels: 2
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E5E68E2EF1BF&compId=IPD65R600E6-DTE.pdf?ci_sign=59c90fa50e42dc67494aef06d3d5da5c823aaa78 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8CB2819D4D1BF&compId=IPD65R190C7-DTE.pdf?ci_sign=5700f2118e7e3ee98f86e016fa83c9b88a9b5031 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8CEC73770D1BF&compId=IPD65R1K4CFD-DTE.pdf?ci_sign=b928a2b94e9621d3b5a31d08238e731a76205d22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28.4W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D067AAF6B1BF&compId=IPD65R225C7-DTE.pdf?ci_sign=1dddc7134fffe409a6f26a69ff7854928884cafb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.225Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D253D185B1BF&compId=IPD65R250C6-DTE.pdf?ci_sign=7c49b82797104a34ec95179a2417c35ddc9e098b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 16.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 208.3W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E1767A49F1BF&compId=IPD65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=9a1acad8e9e24db7a0a96064e598b98de129772e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E1767A49F1BF&compId=IPD65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=9a1acad8e9e24db7a0a96064e598b98de129772e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E362EF0191BF&compId=IPD65R600C6-DTE.pdf?ci_sign=511836bb419e94c8792531fa9672166f297aa494 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E5E68E2EF1BF&compId=IPD65R600E6-DTE.pdf?ci_sign=59c90fa50e42dc67494aef06d3d5da5c823aaa78 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E8D61025D1BF&compId=IPD65R660CFD-DTE.pdf?ci_sign=4630fb3febd7be1f79e8b800d8ac29becd5cacb2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E8D61025D1BF&compId=IPD65R660CFD-DTE.pdf?ci_sign=4630fb3febd7be1f79e8b800d8ac29becd5cacb2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8ECD181F1F1BF&compId=IPD65R950CFD-DTE.pdf?ci_sign=163a5b5405e5cffaefe3adf7167ab1bd5c1dce66 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36.7W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8ECD181F1F1BF&compId=IPD65R950CFD-DTE.pdf?ci_sign=163a5b5405e5cffaefe3adf7167ab1bd5c1dce66 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36.7W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10.1A; 86W; DPAK; SMT
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 10.1A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 650V
Technology: MOSFET
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor; SO8; 20mA; 625mW; 9.5÷20VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current sensor
Case: SO8
Output current: 20mA
Power: 625mW
Supply voltage: 9.5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV33-167AXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1370KV33_CY7C1370KVE33_CY7C1372KV33_CY7C1372KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture_(With_ECC)-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed63ffb5691&utm_source=cypress&utm_ Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 167MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV33-167AXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1370KV33_CY7C1370KVE33_CY7C1372KV33_CY7C1372KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture_(With_ECC)-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed63ffb5691&utm_source=cypress&utm_ Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 167MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV33-167AXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1370KV33_CY7C1370KVE33_CY7C1372KV33_CY7C1372KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture_(With_ECC)-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed63ffb5691&utm_source=cypress&utm_ Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 167MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEPHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD88D59151EC20E0D2&compId=ITS4200SMEP.pdf?ci_sign=9971d137799632d5ce284a6e47638746ef46beec Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 0.15Ω
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD06N60C3_rev+2+1.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1de2f997013c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 6.2A; 74W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IFF450B12ME4PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFC2DCB6C4F3D1&compId=IFF450B12ME4PB11.pdf?ci_sign=c9d3db6b276df40fc2814b42a9a6055838d01d84 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Technology: EconoDUAL™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONOD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL23N06PJXUMA1 2EDL23N06PJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD85B5CF77038BF&compId=2EDL23x06xx.pdf?ci_sign=b1ad70b6d943ae40ef982d8b7da102dac65c5aea Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; -2.5÷1.8A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA093N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698E669ECC2211C&compId=IPD053N06N-DTE.pdf?ci_sign=c387f26976ad22f24751fba530dfc2fd71aed62d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+158.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD033N06N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba517c34e6629 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; 107W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AFB9D7DF4F1A303005056AB0C4F&compId=irll024zpbf.pdf?ci_sign=0b4e180c4fd58d02cd536dccae36d45fc3c30fc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.99 грн
50+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA554F49B58E143&compId=IPD90N03S4L02.pdf?ci_sign=acd316fd8741a95f752806ce832d01a4fa19919a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66KFE6327 BCW66KFE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C53096142FA469&compId=BCW66K.pdf?ci_sign=dd3529218f8fb7c2f762685f8b56d2932dc1c672 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66KGE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw66.pdf?folderId=db3a304314dca389011545f4eb561884&fileId=db3a304314dca389011547504ebe1a07 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 800mA; SC59; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Case: SC59
Current gain: 160
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.15 грн
10+200.62 грн
100+185.43 грн
250+177.44 грн
500+159.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1354NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: Relays - Unclassified
Description: PVD1354NPBF
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+479.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: Relays - Unclassified
Description: PVD1352NPBF
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+373.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 550mA; SMT
Type of relay: solid state
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
Mounting: SMT
Case: SMD8
Body dimensions: 9.4x6.5x3.9mm
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+438.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1354NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.25VDC; Icntrl max: 25mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.25V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
Mounting: SMT
Case: SMD8
Body dimensions: 9.4x6.5x3.9mm
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+407.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DD435N34K DD435N34K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9FAE37B07C469&compId=DD435N40K.pdf?ci_sign=d36d02997142022fb2a1ac16c54d582b94394f46 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 3.4kV; If: 435A; BG-PB60-1; screw
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 435A
Max. off-state voltage: 3.4kV
Max. forward impulse current: 14.5kA
Case: BG-PB60-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD435N36K DD435N36K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9FAE37B07C469&compId=DD435N40K.pdf?ci_sign=d36d02997142022fb2a1ac16c54d582b94394f46 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 3.6kV; If: 435A; BG-PB60-1; screw
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 435A
Max. off-state voltage: 3.6kV
Max. forward impulse current: 14.5kA
Case: BG-PB60-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD435N40K DD435N40K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9FAE37B07C469&compId=DD435N40K.pdf?ci_sign=d36d02997142022fb2a1ac16c54d582b94394f46 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 4kV; If: 435A; BG-PB60-1; Ufmax: 0.84V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 435A
Max. off-state voltage: 4kV
Max. forward impulse current: 14.5kA
Case: BG-PB60-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08FF1EDDD4CED60DF&compId=IPB068N20NM6ATMA1.pdf?ci_sign=c5c2d43dc60740532496c8f4ae36adfa957dce47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 134A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Pulsed drain current: 536A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08FF221A1DC0D00DF&compId=IPP069N20NM6AKSA1.pdf?ci_sign=abb4d34089809af3b541f2eb29ed863271c9f84e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 136A; Idm: 544A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 136A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Pulsed drain current: 544A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR320UE6327HTSA1 BCR320UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD8B58201AA259&compId=BCR320UE6327.pdf?ci_sign=9fa97ba168550006b9826d564fdfacf076618fb1 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 0...25V DC
Output current: 0.25A
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402U BCR402U INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218843F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=bcr402u.pdf?ci_sign=e2aa470de93b164ecb20b5ac1c82fa9ec02cf215 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 20...65mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.79 грн
10+183.03 грн
20+162.25 грн
30+151.06 грн
120+146.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4EECEAA10C259&compId=BTS5030-1EJA.pdf?ci_sign=25f2afe1cf2c7472cefa85b9ca4559e7261c2c31 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.9W
Number of channels: 1
Output current: 4A
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+197.97 грн
10+119.89 грн
25+108.70 грн
100+92.72 грн
250+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60TR13CE6327XUMA1 Infineon-BGT60TR13CDataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d94bac88e5d43
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BGT60TR13CE6327XUMA1
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+853.01 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBAF9D236352469&compId=BCW68FE6327.pdf?ci_sign=26327f24428971b88b9fb92a44fa0833d65a9381
BCW68FE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.63 грн
42+9.67 грн
100+6.37 грн
250+5.44 грн
1000+4.37 грн
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 160
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 768000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACC01A37E9D3D7&compId=IGCM04G60HA.pdf?ci_sign=7d15329436abe701c9bb6bb687929afe58344d0a
IGCM04G60HAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 21.8W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.85 грн
3+490.75 грн
5+442.00 грн
14+392.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA92E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586993CFFCDBBC469&compId=SMBTA92E6327.pdf?ci_sign=5614a697b45f81fbd66dbe57ff189c5f61165336
SMBTA92E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.38 грн
23+17.66 грн
100+10.13 грн
500+6.44 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CB573E1511BF&compId=IPA60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=00d168e35ae5fbfea8f6315fd81963926b971ae3
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B4891FF1D1BF&compId=IPA60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=308ea5579321e81455d0dbd6fd33a8b7f65b595d
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508
IPA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327
BSS83PH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Power: 0.36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.82 грн
21+19.50 грн
24+16.86 грн
50+11.43 грн
100+9.67 грн
500+6.71 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XC878M16FFI5VACFXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BBD6B5D218DDDE28&compId=XC878-DTE.pdf?ci_sign=73ff8bfb0968993eba897d4efa086a4563cc4514
XC878M16FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART; 3÷5VDC; PG-LQFP-64
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 26.7MHz
Interface: SPI; UART
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 10
Memory: 3kB SRAM; 64kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 2
Number of input capture channels: 2
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E5E68E2EF1BF&compId=IPD65R600E6-DTE.pdf?ci_sign=59c90fa50e42dc67494aef06d3d5da5c823aaa78
IPD65R600E6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8CB2819D4D1BF&compId=IPD65R190C7-DTE.pdf?ci_sign=5700f2118e7e3ee98f86e016fa83c9b88a9b5031
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8CEC73770D1BF&compId=IPD65R1K4CFD-DTE.pdf?ci_sign=b928a2b94e9621d3b5a31d08238e731a76205d22
IPD65R1K4CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28.4W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D067AAF6B1BF&compId=IPD65R225C7-DTE.pdf?ci_sign=1dddc7134fffe409a6f26a69ff7854928884cafb
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.225Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D253D185B1BF&compId=IPD65R250C6-DTE.pdf?ci_sign=7c49b82797104a34ec95179a2417c35ddc9e098b
IPD65R250C6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 16.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 208.3W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E1767A49F1BF&compId=IPD65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=9a1acad8e9e24db7a0a96064e598b98de129772e
IPD65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E1767A49F1BF&compId=IPD65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=9a1acad8e9e24db7a0a96064e598b98de129772e
IPD65R420CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E362EF0191BF&compId=IPD65R600C6-DTE.pdf?ci_sign=511836bb419e94c8792531fa9672166f297aa494
IPD65R600C6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E5E68E2EF1BF&compId=IPD65R600E6-DTE.pdf?ci_sign=59c90fa50e42dc67494aef06d3d5da5c823aaa78
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E8D61025D1BF&compId=IPD65R660CFD-DTE.pdf?ci_sign=4630fb3febd7be1f79e8b800d8ac29becd5cacb2
IPD65R660CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E8D61025D1BF&compId=IPD65R660CFD-DTE.pdf?ci_sign=4630fb3febd7be1f79e8b800d8ac29becd5cacb2
IPD65R660CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8ECD181F1F1BF&compId=IPD65R950CFD-DTE.pdf?ci_sign=163a5b5405e5cffaefe3adf7167ab1bd5c1dce66
IPD65R950CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36.7W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8ECD181F1F1BF&compId=IPD65R950CFD-DTE.pdf?ci_sign=163a5b5405e5cffaefe3adf7167ab1bd5c1dce66
IPD65R950CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36.7W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10.1A; 86W; DPAK; SMT
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 10.1A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 650V
Technology: MOSFET
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF IRSDS17958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor; SO8; 20mA; 625mW; 9.5÷20VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current sensor
Case: SO8
Output current: 20mA
Power: 625mW
Supply voltage: 9.5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV33-167AXIT Infineon-CY7C1370KV33_CY7C1370KVE33_CY7C1372KV33_CY7C1372KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture_(With_ECC)-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed63ffb5691&utm_source=cypress&utm_
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 167MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV33-167AXC Infineon-CY7C1370KV33_CY7C1370KVE33_CY7C1372KV33_CY7C1372KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture_(With_ECC)-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed63ffb5691&utm_source=cypress&utm_
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 167MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV33-167AXI Infineon-CY7C1370KV33_CY7C1370KVE33_CY7C1372KV33_CY7C1372KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Pipelined_SRAM_with_NoBL_Architecture_(With_ECC)-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed63ffb5691&utm_source=cypress&utm_
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 167MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEPHUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD88D59151EC20E0D2&compId=ITS4200SMEP.pdf?ci_sign=9971d137799632d5ce284a6e47638746ef46beec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 0.15Ω
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N60C3ATMA1 SPD06N60C3_rev+2+1.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1de2f997013c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 6.2A; 74W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IFF450B12ME4PB11BPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFC2DCB6C4F3D1&compId=IFF450B12ME4PB11.pdf?ci_sign=c9d3db6b276df40fc2814b42a9a6055838d01d84
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Technology: EconoDUAL™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONOD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL23N06PJXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD85B5CF77038BF&compId=2EDL23x06xx.pdf?ci_sign=b1ad70b6d943ae40ef982d8b7da102dac65c5aea
2EDL23N06PJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; -2.5÷1.8A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3G-DTE.pdf
IPA093N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698E669ECC2211C&compId=IPD053N06N-DTE.pdf?ci_sign=c387f26976ad22f24751fba530dfc2fd71aed62d
IPD053N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1 Infineon-IPD033N06N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba517c34e6629
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; 107W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AFB9D7DF4F1A303005056AB0C4F&compId=irll024zpbf.pdf?ci_sign=0b4e180c4fd58d02cd536dccae36d45fc3c30fc0
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.99 грн
50+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA554F49B58E143&compId=IPD90N03S4L02.pdf?ci_sign=acd316fd8741a95f752806ce832d01a4fa19919a
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66KFE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C53096142FA469&compId=BCW66K.pdf?ci_sign=dd3529218f8fb7c2f762685f8b56d2932dc1c672
BCW66KFE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66KGE6327HTSA1 bcw66.pdf?folderId=db3a304314dca389011545f4eb561884&fileId=db3a304314dca389011547504ebe1a07
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 800mA; SC59; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Case: SC59
Current gain: 160
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
10+200.62 грн
100+185.43 грн
250+177.44 грн
500+159.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1354NPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Relays - Unclassified
Description: PVD1354NPBF
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+479.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Relays - Unclassified
Description: PVD1352NPBF
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+373.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NSPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 550mA; SMT
Type of relay: solid state
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
Mounting: SMT
Case: SMD8
Body dimensions: 9.4x6.5x3.9mm
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+438.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1354NSPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.25VDC; Icntrl max: 25mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.25V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
Mounting: SMT
Case: SMD8
Body dimensions: 9.4x6.5x3.9mm
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+407.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DD435N34K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9FAE37B07C469&compId=DD435N40K.pdf?ci_sign=d36d02997142022fb2a1ac16c54d582b94394f46
DD435N34K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 3.4kV; If: 435A; BG-PB60-1; screw
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 435A
Max. off-state voltage: 3.4kV
Max. forward impulse current: 14.5kA
Case: BG-PB60-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD435N36K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9FAE37B07C469&compId=DD435N40K.pdf?ci_sign=d36d02997142022fb2a1ac16c54d582b94394f46
DD435N36K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 3.6kV; If: 435A; BG-PB60-1; screw
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 435A
Max. off-state voltage: 3.6kV
Max. forward impulse current: 14.5kA
Case: BG-PB60-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD435N40K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9FAE37B07C469&compId=DD435N40K.pdf?ci_sign=d36d02997142022fb2a1ac16c54d582b94394f46
DD435N40K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 4kV; If: 435A; BG-PB60-1; Ufmax: 0.84V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 435A
Max. off-state voltage: 4kV
Max. forward impulse current: 14.5kA
Case: BG-PB60-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08FF1EDDD4CED60DF&compId=IPB068N20NM6ATMA1.pdf?ci_sign=c5c2d43dc60740532496c8f4ae36adfa957dce47
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 134A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Pulsed drain current: 536A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08FF221A1DC0D00DF&compId=IPP069N20NM6AKSA1.pdf?ci_sign=abb4d34089809af3b541f2eb29ed863271c9f84e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 136A; Idm: 544A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 136A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Pulsed drain current: 544A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR320UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD8B58201AA259&compId=BCR320UE6327.pdf?ci_sign=9fa97ba168550006b9826d564fdfacf076618fb1
BCR320UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 0...25V DC
Output current: 0.25A
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218843F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=bcr402u.pdf?ci_sign=e2aa470de93b164ecb20b5ac1c82fa9ec02cf215
BCR402U
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.4...40V DC
Output current: 20...65mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.79 грн
10+183.03 грн
20+162.25 грн
30+151.06 грн
120+146.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4EECEAA10C259&compId=BTS5030-1EJA.pdf?ci_sign=25f2afe1cf2c7472cefa85b9ca4559e7261c2c31
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.9W
Number of channels: 1
Output current: 4A
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.97 грн
10+119.89 грн
25+108.70 грн
100+92.72 грн
250+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2495  [ Наступна Сторінка >> ]