Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149346) > Сторінка 2487 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPC100N04S5L-1R1 IPC100N04S5L-1R1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5A929452E74A&compId=IPC100N04S5L1R1.pdf?ci_sign=f8bb6dfa7d8c8c00542f9aa706c257086e3c08b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 1.1mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R5 IPC100N04S5L-1R5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5D5ED457274A&compId=IPC100N04S5L1R5.pdf?ci_sign=fc50b98bc7916b1e7b88e330071377b25f0f81f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 115W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R9 IPC100N04S5L-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA629D2730274A&compId=IPC100N04S5L1R9.pdf?ci_sign=3ce2e74ea43197018f2255b595c01b4158e75dcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-2R6 IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA66647F3E474A&compId=IPC100N04S5L2R6.pdf?ci_sign=a9ba21c0f1b95979b0e81c2e0b59aa5e9169c864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 100A; 150W; DPAK; automotive industry
Case: DPAK
Mounting: SMD
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2101-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016-2EKA BTS5016-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586986CDEB37B6469&compId=BTS5016-2EKA.pdf?ci_sign=83c8bc9d42f43a784bc704bee2630f9102c3dd63 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 28mΩ
Technology: PROFET™+ 12V
Supply voltage: 5...28V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24LTXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C29466_CY8C29566_CY8C29666_CY8C29866_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v31_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec690c03ce1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Kind of core: 8-bit
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
260+982.21 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20396A-24LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TS2000_001-64564-Software+Module+Datasheets-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; Core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Kind of core: 8-bit
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
490+475.76 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20546A-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 1.71÷5.5VDC; Core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: SSOP48
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of core: 8-bit
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+383.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1440KV33-250BZXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1440KV33_CY7C1442KV33_CY7C1440KVE33_36-Mbit_(1_M_36_2_M_18)_Pipelined_Sync_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecee95a4967&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Frequency: 250MHz
Kind of package: in-tray
Case: FBGA165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1480BV33-250BZI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Frequency: 250MHz
Kind of package: in-tray
Case: FBGA165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6XKSA1 IPA60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D3ADBD8771BF&compId=IPA60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=509a3cf4af1c085ef703fbfb7483c4f16578c9d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BADF5E3B00A11C&compId=IPB123N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=18749469d85cdd8fcc825ad705ac3b9f22b73cd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RATMA1 AIHD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA427AB6E31820&compId=AIHD04N60R.pdf?ci_sign=dcd0fb202ad805a55910c32a432f29f8924ef561 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: SMD
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Gate charge: 27nC
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RFATMA1 AIHD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA47033238F820&compId=AIHD04N60RF.pdf?ci_sign=50811ec2801f1a9e015cf51dff02af3193b8f3d1 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: SMD
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 19ns
Gate charge: 27nC
Turn-off time: 153ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 51nC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218843DAF1A6F5005056AB5A8F&compId=bcr112series.pdf?ci_sign=d5bf832fad7f3133f513aabca068cb74703f607c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D36BB609B1BF&compId=IPD65R250E6-DTE.pdf?ci_sign=1e26743aef67611033c5d4bb27513635a50357d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 208W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2L BSP603S2L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5949351EA6CD16469&compId=BSP603S2L.pdf?ci_sign=f8f722eb04392bc5053d8ee981b89e1032944b05 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4268GXUMA2 TLE4268GXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783FA94C5CA18E259&compId=TLE4268G.pdf?ci_sign=206b89d3d44db8a7ad9e5b1d89050884c81d51d0 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-DSO-20; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...45V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.43 грн
5+90.26 грн
15+65.71 грн
40+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ESD230B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD230-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c031740b5934 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 56W; 6.1V; 3A; bidirectional; 0201,0603; Ch: 1; -55÷125°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 56W
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.1V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: 0201; 0603
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Application: general purpose
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6327HTSA1 BAT68E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E053C1DBDA0469&compId=BAT6804E6327HTSA1.pdf?ci_sign=48c3ec698637286826c432ea3d7330d5dff54f64 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.35 грн
33+12.03 грн
38+10.53 грн
45+8.87 грн
50+7.92 грн
100+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFED9EF0B0C469&compId=BAT165E6327HTSA1.pdf?ci_sign=c8f270fd95f4969aef11e9b61318bf58c0a62c65 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 40V; 0.75A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 0.75A
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.17 грн
28+14.25 грн
50+10.85 грн
100+9.66 грн
188+4.99 грн
514+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E053C1DBDA0469&compId=BAT6804E6327HTSA1.pdf?ci_sign=48c3ec698637286826c432ea3d7330d5dff54f64 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.17 грн
25+16.31 грн
28+14.25 грн
29+13.70 грн
187+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR533E6327HTSA1 BCR533E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr533.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a3730114407da25d030a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.79 грн
38+10.45 грн
50+7.96 грн
100+7.28 грн
250+6.40 грн
272+3.43 грн
746+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BCR583E6327HTSA1 BCR583E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr583.pdf_folderid=db3a30431428a373011440769fd70304&fileid=db3a30431428a3730114408538a1030f.pdf bcr583.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114408538a1030f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.38 грн
72+5.54 грн
100+4.96 грн
235+3.96 грн
646+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0035FBA164469&compId=BAT5404E6327HTSA1.pdf?ci_sign=59c3f9435ae2eef0d74f82fc49616073dce28d16 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.23 грн
56+7.13 грн
63+6.33 грн
80+4.96 грн
100+4.49 грн
215+4.33 грн
500+4.10 грн
590+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BCR401UE6327HTSA1 BCR401UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=5546d4624b0b249c014b6e645ed42f3d Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: 60mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.4...40V DC
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.14 грн
19+21.06 грн
22+18.76 грн
25+16.31 грн
69+13.62 грн
189+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A752039388310B&compId=BSP372NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a6d7ddd6c52e49955daaad2485cc68445ea0abcb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.50 грн
10+41.72 грн
44+21.38 грн
50+21.30 грн
120+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28452-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C28452-24PVXIT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+592.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IDW100E60FKSA1 IDW100E60FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2820D32932469&compId=IDW100E60FKSA1.pdf?ci_sign=270dfcfc56663cc33471054f1c8a3589c99f451d Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; TO247-3
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.91 грн
8+121.13 грн
22+114.01 грн
60+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 52W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 IPA600N25NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0017271261-1.pdf Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFCABC5B6C11C&compId=IPP027N08N5-DTE.pdf?ci_sign=d638ad1442dc6e4a6a31df125f3b8d30b1be77b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28C362FDB011C&compId=BSC027N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=b4036c8c678d896af86300efb48f1e355064edf4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+169.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+218.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDACF6933851BF&compId=IKP30N65H5-DTE.pdf?ci_sign=2782473722d787c91839e4ac87cde0214d604f30 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 36A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3110N BTS3110N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCB927E883E4469&compId=BTS3110N.pdf?ci_sign=d007588d32954c0a1e0c330620de85b0f1dd61ef Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 45µs
Turn-off time: 60µs
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®; SIPMOS™
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.49 грн
10+105.30 грн
14+67.30 грн
39+63.34 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL23I06PJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD85B5CF77038BF&compId=2EDL23x06xx.pdf?ci_sign=b1ad70b6d943ae40ef982d8b7da102dac65c5aea Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,IGBT gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4122KV13-106FCXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 144MbSRAM; 8Mx18bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 144Mb SRAM
Memory organisation: 8Mx18bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 1066MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2308SXC-2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY2308_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcea4d2ec4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Unclassified
Description: CY2308SXC-2
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
48+779.29 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D665F78576611C&compId=BSC018N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=a448f615d48397db4a1ff62d882c665a5be96e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; DPAK; SMT
Electrical mounting: SMT
Technology: SiC
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.85mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Drain current: 139A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD038N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183ad6c7fb66010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 107W; DPAK; SMT
Electrical mounting: SMT
Technology: SiC
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 3.85mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 107W
Drain current: 120A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+121.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GV50ATMA1 TLE42764GV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A500F9AACDF8BF&compId=TLE42764.pdf?ci_sign=630c4e85cd0b963d269fd0b6779c2d5202f2f373 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: PG-TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...41V
Tolerance: ±2%
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.26 грн
10+98.17 грн
25+92.63 грн
50+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.04 грн
12+34.04 грн
25+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5A929452E74A&compId=IPC100N04S5L1R1.pdf?ci_sign=f8bb6dfa7d8c8c00542f9aa706c257086e3c08b3
IPC100N04S5L-1R1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 1.1mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5D5ED457274A&compId=IPC100N04S5L1R5.pdf?ci_sign=fc50b98bc7916b1e7b88e330071377b25f0f81f2
IPC100N04S5L-1R5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 115W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA629D2730274A&compId=IPC100N04S5L1R9.pdf?ci_sign=3ce2e74ea43197018f2255b595c01b4158e75dcc
IPC100N04S5L-1R9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-2R6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA66647F3E474A&compId=IPC100N04S5L2R6.pdf?ci_sign=a9ba21c0f1b95979b0e81c2e0b59aa5e9169c864
IPC100N04S5L-2R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 100A; 150W; DPAK; automotive industry
Case: DPAK
Mounting: SMD
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF infineon-irs2101-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016-2EKA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586986CDEB37B6469&compId=BTS5016-2EKA.pdf?ci_sign=83c8bc9d42f43a784bc704bee2630f9102c3dd63
BTS5016-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 28mΩ
Technology: PROFET™+ 12V
Supply voltage: 5...28V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24LTXI Infineon-CY8C29466_CY8C29566_CY8C29666_CY8C29866_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v31_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec690c03ce1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Kind of core: 8-bit
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
260+982.21 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20396A-24LQXI Infineon-TS2000_001-64564-Software+Module+Datasheets-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; Core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Kind of core: 8-bit
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+475.76 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20546A-24PVXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 1.71÷5.5VDC; Core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: SSOP48
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of core: 8-bit
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+383.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1440KV33-250BZXI Infineon-CY7C1440KV33_CY7C1442KV33_CY7C1440KVE33_36-Mbit_(1_M_36_2_M_18)_Pipelined_Sync_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecee95a4967&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Frequency: 250MHz
Kind of package: in-tray
Case: FBGA165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1480BV33-250BZI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Frequency: 250MHz
Kind of package: in-tray
Case: FBGA165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D3ADBD8771BF&compId=IPA60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=509a3cf4af1c085ef703fbfb7483c4f16578c9d6
IPA60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BADF5E3B00A11C&compId=IPB123N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=18749469d85cdd8fcc825ad705ac3b9f22b73cd7
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA427AB6E31820&compId=AIHD04N60R.pdf?ci_sign=dcd0fb202ad805a55910c32a432f29f8924ef561
AIHD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: SMD
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Gate charge: 27nC
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA47033238F820&compId=AIHD04N60RF.pdf?ci_sign=50811ec2801f1a9e015cf51dff02af3193b8f3d1
AIHD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: SMD
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 19ns
Gate charge: 27nC
Turn-off time: 153ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 51nC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218843DAF1A6F5005056AB5A8F&compId=bcr112series.pdf?ci_sign=d5bf832fad7f3133f513aabca068cb74703f607c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D36BB609B1BF&compId=IPD65R250E6-DTE.pdf?ci_sign=1e26743aef67611033c5d4bb27513635a50357d7
IPD65R250E6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 208W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5949351EA6CD16469&compId=BSP603S2L.pdf?ci_sign=f8f722eb04392bc5053d8ee981b89e1032944b05
BSP603S2L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4268GXUMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783FA94C5CA18E259&compId=TLE4268G.pdf?ci_sign=206b89d3d44db8a7ad9e5b1d89050884c81d51d0
TLE4268GXUMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-DSO-20; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...45V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.43 грн
5+90.26 грн
15+65.71 грн
40+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ESD230B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD230-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c031740b5934
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 56W; 6.1V; 3A; bidirectional; 0201,0603; Ch: 1; -55÷125°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 56W
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.1V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: 0201; 0603
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Application: general purpose
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E053C1DBDA0469&compId=BAT6804E6327HTSA1.pdf?ci_sign=48c3ec698637286826c432ea3d7330d5dff54f64
BAT68E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.35 грн
33+12.03 грн
38+10.53 грн
45+8.87 грн
50+7.92 грн
100+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFED9EF0B0C469&compId=BAT165E6327HTSA1.pdf?ci_sign=c8f270fd95f4969aef11e9b61318bf58c0a62c65
BAT165E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 40V; 0.75A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 0.75A
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.17 грн
28+14.25 грн
50+10.85 грн
100+9.66 грн
188+4.99 грн
514+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E053C1DBDA0469&compId=BAT6804E6327HTSA1.pdf?ci_sign=48c3ec698637286826c432ea3d7330d5dff54f64
BAT6804E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.17 грн
25+16.31 грн
28+14.25 грн
29+13.70 грн
187+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR533E6327HTSA1 bcr533.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a3730114407da25d030a
BCR533E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.79 грн
38+10.45 грн
50+7.96 грн
100+7.28 грн
250+6.40 грн
272+3.43 грн
746+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BCR583E6327HTSA1 bcr583.pdf_folderid=db3a30431428a373011440769fd70304&fileid=db3a30431428a3730114408538a1030f.pdf bcr583.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114408538a1030f
BCR583E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.38 грн
72+5.54 грн
100+4.96 грн
235+3.96 грн
646+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0035FBA164469&compId=BAT5404E6327HTSA1.pdf?ci_sign=59c3f9435ae2eef0d74f82fc49616073dce28d16
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.23 грн
56+7.13 грн
63+6.33 грн
80+4.96 грн
100+4.49 грн
215+4.33 грн
500+4.10 грн
590+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BCR401UE6327HTSA1 dgdl?fileId=5546d4624b0b249c014b6e645ed42f3d
BCR401UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: 60mA
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.4...40V DC
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.14 грн
19+21.06 грн
22+18.76 грн
25+16.31 грн
69+13.62 грн
189+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A752039388310B&compId=BSP372NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a6d7ddd6c52e49955daaad2485cc68445ea0abcb
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.50 грн
10+41.72 грн
44+21.38 грн
50+21.30 грн
120+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28452-24PVXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C28452-24PVXIT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+592.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IDW100E60FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2820D32932469&compId=IDW100E60FKSA1.pdf?ci_sign=270dfcfc56663cc33471054f1c8a3589c99f451d
IDW100E60FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; TO247-3
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.91 грн
8+121.13 грн
22+114.01 грн
60+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 52W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d
IPA600N25NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 INFN-S-A0017271261-1.pdf Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFCABC5B6C11C&compId=IPP027N08N5-DTE.pdf?ci_sign=d638ad1442dc6e4a6a31df125f3b8d30b1be77b3
IPP027N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28C362FDB011C&compId=BSC027N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=b4036c8c678d896af86300efb48f1e355064edf4
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+169.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+218.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDACF6933851BF&compId=IKP30N65H5-DTE.pdf?ci_sign=2782473722d787c91839e4ac87cde0214d604f30
IKP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 36A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3110N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCB927E883E4469&compId=BTS3110N.pdf?ci_sign=d007588d32954c0a1e0c330620de85b0f1dd61ef
BTS3110N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 45µs
Turn-off time: 60µs
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®; SIPMOS™
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.49 грн
10+105.30 грн
14+67.30 грн
39+63.34 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL23I06PJXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD85B5CF77038BF&compId=2EDL23x06xx.pdf?ci_sign=b1ad70b6d943ae40ef982d8b7da102dac65c5aea
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,IGBT gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4122KV13-106FCXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 144MbSRAM; 8Mx18bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 144Mb SRAM
Memory organisation: 8Mx18bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 1066MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2308SXC-2 Infineon-CY2308_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcea4d2ec4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY2308SXC-2
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
48+779.29 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D665F78576611C&compId=BSC018N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=a448f615d48397db4a1ff62d882c665a5be96e9f
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; DPAK; SMT
Electrical mounting: SMT
Technology: SiC
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.85mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Drain current: 139A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1 Infineon-IPD038N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183ad6c7fb66010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 107W; DPAK; SMT
Electrical mounting: SMT
Technology: SiC
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 3.85mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 107W
Drain current: 120A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+121.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GV50ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A500F9AACDF8BF&compId=TLE42764.pdf?ci_sign=630c4e85cd0b963d269fd0b6779c2d5202f2f373
TLE42764GV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: PG-TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...41V
Tolerance: ±2%
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.26 грн
10+98.17 грн
25+92.63 грн
50+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.04 грн
12+34.04 грн
25+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490  [ Наступна Сторінка >> ]