Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149184) > Сторінка 2487 з 2487

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2482 2483 2484 2485 2486 2487
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FFC98BBD611C&compId=BSC050N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=bab86aea4c7844d5cff3c21b3c415e028bec8062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA BSC060P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Category: Unclassified
Description: BSC076N04NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FFC98BBD611C&compId=BSC050N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=bab86aea4c7844d5cff3c21b3c415e028bec8062
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917
BSC060P03NS3EGATMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393
BSC076N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BSC076N04NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BPSA1 Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2482 2483 2484 2485 2486 2487