Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149962) > Сторінка 2487 з 2500

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2492 2500  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C1041G-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10VXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G18-15BVXI INFINEON TECHNOLOGIES download Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 15ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 15ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G18-15BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 15ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 15ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10ZSXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_AUTOMOTIVE_4-MBIT_(256K_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed752145879&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10ZSXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_AUTOMOTIVE_4-MBIT_(256K_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed752145879&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350VSJXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE9350VSJ-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6eebccb1259 Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202Q024X0032ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-24; 16kBSRAM,32kBFLASH; XMC1200
Case: PG-VQFN-24
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Number of inputs/outputs: 22
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 8
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55SXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55ZAXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55ZAXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB21N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d07ff47f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT015N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef5e9b67212b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1800+139.90 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF5BECB9EB618BF&compId=ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf?ci_sign=7dde4d2a75d65a9ef62c31dbf4bd98fe87ec22df Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Max. forward voltage: 1.73V
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: BG-PB60ECO-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Load current: 542A
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700E196K2048AAXQMA1 XMC4700E196K2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs/outputs: 155
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4700
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LFBGA-196
Supply voltage: 3.3V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E65D1XKSA1 IDP30E65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDP30E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493816a4eb19a2 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO220-2; 143W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.58 грн
10+89.70 грн
12+81.97 грн
31+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16SH6727XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7DE5C88B86469&compId=SMBT3906E6327.pdf?ci_sign=c9d3548f357d41a291b0ddb7dd0abd5245648fbc Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.66 грн
59+6.65 грн
72+5.44 грн
100+4.93 грн
250+4.27 грн
270+3.35 грн
743+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N INFINEON TECHNOLOGIES BTS3118N-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.75 грн
10+81.97 грн
13+71.14 грн
35+67.28 грн
100+66.50 грн
250+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Leakage current: 0.4µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA1 IDK02G65C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDK02G65C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.31 грн
14+29.69 грн
25+28.30 грн
84+28.07 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6225GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE6225G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+201.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 BCV62CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Case: SOT143
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.48 грн
25+15.62 грн
100+10.52 грн
139+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GDXKMA1 IKCM15L60GDXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACEA79D16AF3D7&compId=IKCM15L60GD.pdf?ci_sign=398345fa98c1b63f7ad382e4628995eafd40f542 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 58.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM20L60GAXKMA1 IKCM20L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM20L60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 29.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC INFINEON TECHNOLOGIES CY7C64225.PDF Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY7C64225-28PVXC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+229.01 грн
141+191.00 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.59 грн
10+85.83 грн
13+71.14 грн
35+67.28 грн
250+66.50 грн
500+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.28 грн
7+60.32 грн
24+38.74 грн
65+36.65 грн
500+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF IR2233SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 1.2kV
Mounting: SMD
Case: SO28-W
Power: 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF IR2233PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.5W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+587.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.76 грн
28+32.94 грн
76+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB4E5872EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7807zpbf.pdf?ci_sign=c1df805b56b2417932bb256a741c2f70a29cea6c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB2C875C09F1A303005056AB0C4F&compId=irf7807vpbf.pdf?ci_sign=78f9e59fb9aca18cea2e3a1094d175afcb9560cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ040N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.45 грн
10+59.62 грн
22+41.99 грн
60+39.67 грн
500+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137EV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8fb93241&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV18LL-55BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV18_MoBL(R)_2-Mbit_(128_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe93e13249 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 55ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 55ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.65...2.25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-45BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-45ZSXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV30_MoBL_Automotive_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eccfd7a4737&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10VXI Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10VXIT Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10ZSXIT Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G18-15BVXI download Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 15ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 15ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G18-15BVXIT Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 15ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 15ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXI Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXIT Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10ZSXA Infineon-CY7C1041G_AUTOMOTIVE_4-MBIT_(256K_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed752145879&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10ZSXE Infineon-CY7C1041G_AUTOMOTIVE_4-MBIT_(256K_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed752145879&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350VSJXTMA1 Infineon-TLE9350VSJ-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6eebccb1259
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202Q024X0032ABXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-24; 16kBSRAM,32kBFLASH; XMC1200
Case: PG-VQFN-24
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Number of inputs/outputs: 22
Number of 16bit timers: 4
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 8
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXA Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXAT Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55SXE Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55SXET Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55ZAXE Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-55ZAXET Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXIT Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZXIT Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 SPB21N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d07ff47f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1 Infineon-IPT015N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef5e9b67212b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+139.90 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF5BECB9EB618BF&compId=ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf?ci_sign=7dde4d2a75d65a9ef62c31dbf4bd98fe87ec22df
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Max. forward voltage: 1.73V
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: BG-PB60ECO-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Load current: 542A
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700E196K2048AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4700E196K2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs/outputs: 155
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4700
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LFBGA-196
Supply voltage: 3.3V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E65D1XKSA1 Infineon-IDP30E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493816a4eb19a2
IDP30E65D1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO220-2; 143W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.58 грн
10+89.70 грн
12+81.97 грн
31+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16SH6727XTSA1 bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7DE5C88B86469&compId=SMBT3906E6327.pdf?ci_sign=c9d3548f357d41a291b0ddb7dd0abd5245648fbc
SMBT3906E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.66 грн
59+6.65 грн
72+5.44 грн
100+4.93 грн
250+4.27 грн
270+3.35 грн
743+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N-DTE.pdf
BTS3118N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.75 грн
10+81.97 грн
13+71.14 грн
35+67.28 грн
100+66.50 грн
250+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Leakage current: 0.4µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA1 IDK02G65C5-DTE.pdf
IDK02G65C5XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.31 грн
14+29.69 грн
25+28.30 грн
84+28.07 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6225GXUMA1 TLE6225G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+201.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24
BCV62CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Case: SOT143
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.48 грн
25+15.62 грн
100+10.52 грн
139+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GDXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACEA79D16AF3D7&compId=IKCM15L60GD.pdf?ci_sign=398345fa98c1b63f7ad382e4628995eafd40f542
IKCM15L60GDXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 58.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM20L60GAXKMA1 IKCM20L60GA.pdf
IKCM20L60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 29.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC CY7C64225.PDF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY7C64225-28PVXC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+229.01 грн
141+191.00 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3G-DTE.pdf
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.59 грн
10+85.83 грн
13+71.14 грн
35+67.28 грн
250+66.50 грн
500+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3G-DTE.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.28 грн
7+60.32 грн
24+38.74 грн
65+36.65 грн
500+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6327HTSA1 bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116E6433HTMA1 bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 1.2kV
Mounting: SMD
Case: SO28-W
Power: 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.5W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JTRPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+587.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NS-DTE.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CE-DTE.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.76 грн
28+32.94 грн
76+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB4E5872EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7807zpbf.pdf?ci_sign=c1df805b56b2417932bb256a741c2f70a29cea6c
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB2C875C09F1A303005056AB0C4F&compId=irf7807vpbf.pdf?ci_sign=78f9e59fb9aca18cea2e3a1094d175afcb9560cf
IRF7807VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CP-DTE.pdf
IPP50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSG-DTE.pdf
BSZ040N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.45 грн
10+59.62 грн
22+41.99 грн
60+39.67 грн
500+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62137EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8fb93241&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV18LL-55BVXI Infineon-CY62137FV18_MoBL(R)_2-Mbit_(128_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe93e13249
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 55ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 55ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.65...2.25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-45BVXI Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-45ZSXA Infineon-CY62137FV30_MoBL_Automotive_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eccfd7a4737&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2492 2500  [ Наступна Сторінка >> ]