Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149306) > Сторінка 2488 з 2489

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY15B256J-SXE INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee624b26e3a Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256Q_256-KBIT_32K_X_8_AUTOMOTIVE-E_SERIAL_SPI_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1bf9a5ff15a4 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 33MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 33MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256Q_256-KBIT_32K_X_8_AUTOMOTIVE-E_SERIAL_SPI_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1bf9a5ff15a4 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 33MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 33MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254LCXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-TSON-14; -40÷150°C
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-TSON-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254SKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9254_Rev1.0_10-16-19.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-14; -40÷150°C; 48mA
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-DSO-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254VLCXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9254V_Rev1.0_10-16-19.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-TSON-14; 48mA
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-TSON-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254VSKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9254V_Rev1.0_10-16-19.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-DSO-14; 48mA
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-DSO-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3D3C6C7FAF1A303005056AB0C4F&compId=irf7457pbf.pdf?ci_sign=f53326c1a66ccc11f63b761dfae3d8bee0ae43f5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61BE6327 BCV61BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69899F14555811C&compId=BCV61BE6327-DTE.pdf?ci_sign=226bb373ff6cfbdc71da33125b90df15faf29c58 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.35 грн
32+12.17 грн
100+10.05 грн
139+6.43 грн
381+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R5 IPC100N04S5L-1R5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5D5ED457274A&compId=IPC100N04S5L1R5.pdf?ci_sign=fc50b98bc7916b1e7b88e330071377b25f0f81f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R9 IPC100N04S5-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5216505FA74A&compId=IPC100N04S51R9.pdf?ci_sign=2871d189f489fc547c6611456c441bcb643cc716 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-2R8 IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5609480CC74A&compId=IPC100N04S52R8.pdf?ci_sign=5b7f2247667a57b86e00f4f164c65681cdb98334 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3248C8A286143&compId=IPB100N04S303.pdf?ci_sign=2b702d83a25df2bc0e3b44f941578f4d31d91f02 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R1 IPC100N04S5L-1R1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5A929452E74A&compId=IPC100N04S5L1R1.pdf?ci_sign=f8bb6dfa7d8c8c00542f9aa706c257086e3c08b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R2 IPC100N04S5-1R2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA49771D5F674A&compId=IPC100N04S51R2.pdf?ci_sign=5f94a9b9fd21e204afc56b8d21626078719b2d53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R7 IPC100N04S5-1R7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA4DBB5DE0274A&compId=IPC100N04S51R7.pdf?ci_sign=98c11ae58317b34a2cf3add2c3722b43b2bd6908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R9 IPC100N04S5L-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA629D2730274A&compId=IPC100N04S5L1R9.pdf?ci_sign=3ce2e74ea43197018f2255b595c01b4158e75dcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-2R6 IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA66647F3E474A&compId=IPC100N04S5L2R6.pdf?ci_sign=a9ba21c0f1b95979b0e81c2e0b59aa5e9169c864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FFC98BBD611C&compId=BSC050N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=bab86aea4c7844d5cff3c21b3c415e028bec8062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA BSC060P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Category: Unclassified
Description: BSC076N04NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ESD101_B1_02series_rev_1_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433e9d5d11013e9d6619a20002 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.05 грн
10+40.52 грн
37+24.64 грн
100+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+135.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+372.02 грн
3+299.34 грн
9+282.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A60961A4E73D7&compId=FF200R17KE4.pdf?ci_sign=57d7f67c089c0a8f2ad55fa545e7f1876fe92b70 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13651.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5AA0FD11CAA18&compId=IRF200P222.pdf?ci_sign=d9afdb99cae98fec1b59ed6668faa1e90e91f9fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 129A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 203nC
Technology: StrongIRFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.75 грн
2+454.30 грн
6+429.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD175N34K DD175N34K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CA14F134BAC469&compId=DD175N34K.pdf?ci_sign=0812af0b93d1c9bc2a1d4b148c0be92b818bf063 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 3.4kV; If: 175A; BG-PB50-1; screw
Case: BG-PB50-1
Max. forward impulse current: 4.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Max. off-state voltage: 3.4kV
Max. forward voltage: 2.05V
Load current: 175A
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXET Infineon-CY15B256J-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee624b26e3a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXA Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXE Infineon-CY15B256Q_256-KBIT_32K_X_8_AUTOMOTIVE-E_SERIAL_SPI_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1bf9a5ff15a4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 33MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 33MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXET Infineon-CY15B256Q_256-KBIT_32K_X_8_AUTOMOTIVE-E_SERIAL_SPI_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1bf9a5ff15a4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 33MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 33MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254LCXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-TSON-14; -40÷150°C
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-TSON-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254SKXUMA1 TLE9254_Rev1.0_10-16-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-14; -40÷150°C; 48mA
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-DSO-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254VLCXUMA1 TLE9254V_Rev1.0_10-16-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-TSON-14; 48mA
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-TSON-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9254VSKXUMA1 TLE9254V_Rev1.0_10-16-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-DSO-14; 48mA
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-DSO-14
DC supply current: 48mA
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: CAN-FD
Integrated circuit features: WUP
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 2
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3D3C6C7FAF1A303005056AB0C4F&compId=irf7457pbf.pdf?ci_sign=f53326c1a66ccc11f63b761dfae3d8bee0ae43f5
IRF7457TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61BE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69899F14555811C&compId=BCV61BE6327-DTE.pdf?ci_sign=226bb373ff6cfbdc71da33125b90df15faf29c58
BCV61BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.35 грн
32+12.17 грн
100+10.05 грн
139+6.43 грн
381+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5D5ED457274A&compId=IPC100N04S5L1R5.pdf?ci_sign=fc50b98bc7916b1e7b88e330071377b25f0f81f2
IPC100N04S5L-1R5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5216505FA74A&compId=IPC100N04S51R9.pdf?ci_sign=2871d189f489fc547c6611456c441bcb643cc716
IPC100N04S5-1R9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-2R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5609480CC74A&compId=IPC100N04S52R8.pdf?ci_sign=5b7f2247667a57b86e00f4f164c65681cdb98334
IPC100N04S5-2R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3248C8A286143&compId=IPB100N04S303.pdf?ci_sign=2b702d83a25df2bc0e3b44f941578f4d31d91f02
IPB100N04S303ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5A929452E74A&compId=IPC100N04S5L1R1.pdf?ci_sign=f8bb6dfa7d8c8c00542f9aa706c257086e3c08b3
IPC100N04S5L-1R1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA49771D5F674A&compId=IPC100N04S51R2.pdf?ci_sign=5f94a9b9fd21e204afc56b8d21626078719b2d53
IPC100N04S5-1R2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA4DBB5DE0274A&compId=IPC100N04S51R7.pdf?ci_sign=98c11ae58317b34a2cf3add2c3722b43b2bd6908
IPC100N04S5-1R7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA629D2730274A&compId=IPC100N04S5L1R9.pdf?ci_sign=3ce2e74ea43197018f2255b595c01b4158e75dcc
IPC100N04S5L-1R9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-2R6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA66647F3E474A&compId=IPC100N04S5L2R6.pdf?ci_sign=a9ba21c0f1b95979b0e81c2e0b59aa5e9169c864
IPC100N04S5L-2R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FFC98BBD611C&compId=BSC050N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=bab86aea4c7844d5cff3c21b3c415e028bec8062
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917
BSC060P03NS3EGATMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393
BSC076N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BSC076N04NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BPSA1 Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELE6327XTMA1 ESD101_B1_02series_rev_1_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433e9d5d11013e9d6619a20002
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009
BSB012NE2LXIXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4
BSP324H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.05 грн
10+40.52 грн
37+24.64 грн
100+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04
IPP029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+135.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+372.02 грн
3+299.34 грн
9+282.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A60961A4E73D7&compId=FF200R17KE4.pdf?ci_sign=57d7f67c089c0a8f2ad55fa545e7f1876fe92b70
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13651.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5AA0FD11CAA18&compId=IRF200P222.pdf?ci_sign=d9afdb99cae98fec1b59ed6668faa1e90e91f9fe
IRF200P222
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 129A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 203nC
Technology: StrongIRFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.75 грн
2+454.30 грн
6+429.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD175N34K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CA14F134BAC469&compId=DD175N34K.pdf?ci_sign=0812af0b93d1c9bc2a1d4b148c0be92b818bf063
DD175N34K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 3.4kV; If: 175A; BG-PB50-1; screw
Case: BG-PB50-1
Max. forward impulse current: 4.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Max. off-state voltage: 3.4kV
Max. forward voltage: 2.05V
Load current: 175A
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489  [ Наступна Сторінка >> ]