Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149962) > Сторінка 2488 з 2500

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2492 2493 2500  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY62137FV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-55ZSXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV30_MoBL_Automotive_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eccfd7a4737&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 55ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.219Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBF IRL3713PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3713.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24LTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ESD24VS2UE6327.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.81 грн
21+19.02 грн
26+15.08 грн
50+12.99 грн
100+11.29 грн
115+7.89 грн
316+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.63 грн
5+210.33 грн
12+198.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Case: SOT89-4
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.64 грн
18+22.35 грн
50+18.40 грн
63+14.54 грн
172+13.69 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+269.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32146887c81 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP04CN10NG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850D0TAV50ATMA1 TLS850D0TAV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850D0TA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969edb50c4266 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 70mV
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F0TAV33ATMA1 TLS850F0TAV33ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLS850F0TAV33.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 80mV
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.425V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N08S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99F44220F611C&compId=IPA093N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=87044a85167c1e9177d48340fcf91e0c88be2e0d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6304WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS SGW50N60HS INFINEON TECHNOLOGIES SGW50N60HS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC57FDD6B9C4FA8&compId=IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=c85ceeb339f596a4d154c0a214d80d7732e29408 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.40 грн
10+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHB010 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHI013 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHM010 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHM013 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD5098EL-Data-Sheet-11-Infineon.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432c59a87e012c5e98d2853514&ack=t Category: LED drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.29 грн
31+30.16 грн
83+28.46 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.44 грн
8+52.74 грн
23+40.98 грн
50+40.91 грн
61+38.74 грн
100+38.43 грн
250+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.30 грн
15+27.37 грн
54+17.01 грн
147+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.36 грн
12+79.65 грн
32+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT1400N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT1400N16P55.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.4kA
Case: BG-PS55-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2183-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d765b229f7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61H6327XTSA1 BSP61H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3 Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW16N50C3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+116.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E85F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl1404s.pdf?ci_sign=b327d0b23e37d769d8b62015833a0041e3f77431 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213SPBF IR2213SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2213PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO16
Power: 1.25W
Supply voltage: 12...20V DC
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 225ns
Output current: -2...1.7A
Number of channels: 2
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2213.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9621716d8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+347.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062GE30-10BGXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062G30-10BGXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062G30-10BGXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062GE30-10BGXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B064PA-SFXI INFINEON TECHNOLOGIES ?docID=49685 Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; SOIC16; -40÷85°C; serial; tube
Memory: 64kb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101I-SFXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC16; -40÷85°C; serial
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 3.4MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101J2-SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY14C101I_CY14B101I_CY14E101I_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(I2C)_nvSRAM_with_Real_Time_Clock-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebfe05a3466 Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC8; -40÷85°C; serial; tube
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 3.4MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: tube
Case: SOIC8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101J2-SXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC8; -40÷85°C; serial
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 3.4MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101PA-SFXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY14C101PA_CY14B101PA_CY14E101PA_1-Mbit_(128K_x_8)_Serial_(SPI)_nvSRAM_with_Real-Time_Clock-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebfd3223457&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC16; -40÷85°C; serial
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q2-LHXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; DFN8; -40÷85°C; serial; 40MHz
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: in-tray
Case: DFN8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q2-LHXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; DFN8; -40÷85°C; serial; 40MHz
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q2A-SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY14C101Q_CY14B101Q_CY14E101Q_1_MBIT_(128K_X_8)_SERIAL_(SPI)_NVSRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebfce093450&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration- Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC8; -40÷85°C; serial; tube
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: tube
Case: SOIC8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-45ZSXI Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-55ZSXE Infineon-CY62137FV30_MoBL_Automotive_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eccfd7a4737&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 55ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.219Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBF description irl3713.pdf
IRL3713PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11.pdf
BGT24LTR11N16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327.pdf
ESD24VS2UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.81 грн
21+19.02 грн
26+15.08 грн
50+12.99 грн
100+11.29 грн
115+7.89 грн
316+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.63 грн
5+210.33 грн
12+198.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Case: SOT89-4
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.64 грн
18+22.35 грн
50+18.40 грн
63+14.54 грн
172+13.69 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1 Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+269.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32146887c81
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NG.pdf
IPP04CN10NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5-DTE.pdf
IPP030N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850D0TAV50ATMA1 Infineon-TLS850D0TA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969edb50c4266
TLS850D0TAV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 70mV
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F0TAV33ATMA1 TLS850F0TAV33.pdf
TLS850F0TAV33ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 80mV
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.425V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07.pdf
IPB80N08S2L07ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99F44220F611C&compId=IPA093N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=87044a85167c1e9177d48340fcf91e0c88be2e0d
IPA093N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6304WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS SGW50N60HS.pdf
SGW50N60HS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC57FDD6B9C4FA8&compId=IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=c85ceeb339f596a4d154c0a214d80d7732e29408
IPI90R800C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+46.40 грн
10+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHB010 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHI013 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHM010 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHM013 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: octal
Operating frequency: 200MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098ELXUMA1 TLD5098EL-Data-Sheet-11-Infineon.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432c59a87e012c5e98d2853514&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.29 грн
31+30.16 грн
83+28.46 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.44 грн
8+52.74 грн
23+40.98 грн
50+40.91 грн
61+38.74 грн
100+38.43 грн
250+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.30 грн
15+27.37 грн
54+17.01 грн
147+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.36 грн
12+79.65 грн
32+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3G-DTE.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT1400N16P55XPSA1 STT1400N16P55.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.4kA
Case: BG-PS55-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3
2ED2182S06FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 Infineon-2ED2183-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d765b229f7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3
BSP61H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+116.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E85F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl1404s.pdf?ci_sign=b327d0b23e37d769d8b62015833a0041e3f77431
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213SPBF IR2213PBF.pdf
IR2213SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO16
Power: 1.25W
Supply voltage: 12...20V DC
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 225ns
Output current: -2...1.7A
Number of channels: 2
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213STRPBF ir2213.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9621716d8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+347.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062GE30-10BGXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062G30-10BGXI Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062G30-10BGXIT Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1062GE30-10BGXI Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B064PA-SFXI ?docID=49685
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; SOIC16; -40÷85°C; serial; tube
Memory: 64kb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101I-SFXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC16; -40÷85°C; serial
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 3.4MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101J2-SXI Infineon-CY14C101I_CY14B101I_CY14E101I_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(I2C)_nvSRAM_with_Real_Time_Clock-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebfe05a3466
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC8; -40÷85°C; serial; tube
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 3.4MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: tube
Case: SOIC8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101J2-SXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC8; -40÷85°C; serial
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 3.4MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101PA-SFXIT Infineon-CY14C101PA_CY14B101PA_CY14E101PA_1-Mbit_(128K_x_8)_Serial_(SPI)_nvSRAM_with_Real-Time_Clock-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebfd3223457&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC16; -40÷85°C; serial
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q2-LHXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; DFN8; -40÷85°C; serial; 40MHz
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: in-tray
Case: DFN8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q2-LHXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; DFN8; -40÷85°C; serial; 40MHz
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q2A-SXI Infineon-CY14C101Q_CY14B101Q_CY14E101Q_1_MBIT_(128K_X_8)_SERIAL_(SPI)_NVSRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebfce093450&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial SRAM memories - integrated circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; SOIC8; -40÷85°C; serial; tube
Memory: 1Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of interface: serial
Frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Kind of package: tube
Case: SOIC8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2492 2493 2500  [ Наступна Сторінка >> ]