Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIXG330PF1200TSF | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: X2PT Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: SimBus F кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MIXG450PF1700TSF | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 435A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: X2PT Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: SimBus F Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Collector current: 435A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MIXG490PF1200PTSF | IXYS | MIXG490PF1200PTSF IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MIXG490PF1200TSF | IXYS | MIXG490PF1200TSF IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MIXG70W1200TED | IXYS | MIXG70W1200TED IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKE38P600LB | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKE38RK600DFELB | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI100-12F8 | IXYS | MKI100-12F8 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI50-06A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI50-06A7T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI50-12F7 | IXYS | MKI50-12F7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI65-06A7T | IXYS | MKI65-06A7T IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI75-06A7 | IXYS | MKI75-06A7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MKI75-06A7T | IXYS | MKI75-06A7T IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1F132N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MMIX1F160N30T | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MMIX1F180N25T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1F210N30P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MMIX1F230N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1F360N15T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 235A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 680W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 715nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
MMIX1F40N110P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 500W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 310nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
MMIX1F420N10T | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W Reverse recovery time: 140ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 334A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 680W Polarisation: unipolar Gate charge: 670nC Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1kA Mounting: SMD Case: SMPD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1F44N100Q3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MMIX1F520N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT Power dissipation: 400W Case: SMPD Mounting: SMD Gate charge: 420nC Kind of package: tube Collector current: 105A Pulsed collector current: 700A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 1365ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1G320N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT Mounting: SMD Case: SMPD Kind of package: tube Turn-off time: 595ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1kW Gate charge: 585nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 180A Pulsed collector current: 1kA Turn-on time: 107ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1H60N150V1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1T550N055T2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MMIX1T600N04T2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MMIX1X100N60B3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1X200N60B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1X200N60B3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1X340N65B4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 40A; 400W; SMPD Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 400W Case: SMPD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 440A Mounting: SMD Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Turn-on time: 122ns Turn-off time: 265ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() +1 |
MMIX2F60N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A Polarisation: unipolar Gate charge: 96nC Technology: HiPerFET™; Polar3™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 150A Mounting: SMD Case: SMPD Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 320W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
MMIX4B22N300 | IXYS | MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMIX4G20N250 | IXYS | MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMJX1H40N150 | IXYS |
![]() Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 15.5kA Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 1.5kV Case: SMPD Mounting: SMD Max. forward impulse current: 15.5kA Features of semiconductor devices: Kelvin terminal; MOS-gated thyristor (MGT) кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO110-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO110-14IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO140-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO140-16IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO175-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO175-16IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO230-12IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO230-16IO7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
MMO62-12IO6 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.29V Load current: 30A Semiconductor structure: opposing Gate current: 100mA Max. forward impulse current: 0.4kA Kind of package: bulk Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: thyristor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
MMO62-16IO6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
MMO74-12IO6 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 40A; SOT227B; Ufmax: 1.29V Type of module: thyristor Semiconductor structure: opposing Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.29V Max. forward impulse current: 0.6kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate current: 100/150mA Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
MMO74-16IO6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO90-12io6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MMO90-14IO6 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
MMO90-16io6 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 600V; 41A; SOT227B; Ufmax: 1.43V; screw Type of module: thyristor Semiconductor structure: opposing Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 41A Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.43V Max. forward impulse current: 860A Gate current: 100/200mA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
MPK95-06DA | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MUBW10-06A6K | IXYS | MUBW10-06A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MUBW10-06A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MUBW10-12A7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MUBW100-06A8 | IXYS | MUBW100-06A8 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MUBW15-06A6K | IXYS | MUBW15-06A6K IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
MUBW15-06A7 | IXYS | MUBW15-06A7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
MIXG330PF1200TSF |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: SimBus F
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: SimBus F
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MIXG450PF1700TSF |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 435A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 435A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 435A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 435A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MIXG490PF1200PTSF |
Виробник: IXYS
MIXG490PF1200PTSF IGBT modules
MIXG490PF1200PTSF IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MIXG490PF1200TSF |
Виробник: IXYS
MIXG490PF1200TSF IGBT modules
MIXG490PF1200TSF IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MIXG70W1200TED |
Виробник: IXYS
MIXG70W1200TED IGBT modules
MIXG70W1200TED IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKE38P600LB |
![]() |
Виробник: IXYS
MKE38P600LB Multi channel transistors
MKE38P600LB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKE38RK600DFELB |
![]() |
Виробник: IXYS
MKE38RK600DFELB SMD N channel transistors
MKE38RK600DFELB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKI100-12F8 |
Виробник: IXYS
MKI100-12F8 IGBT modules
MKI100-12F8 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKI50-06A7T |
![]() |
Виробник: IXYS
MKI50-06A7T IGBT modules
MKI50-06A7T IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKI65-06A7T |
Виробник: IXYS
MKI65-06A7T IGBT modules
MKI65-06A7T IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKI75-06A7T |
Виробник: IXYS
MKI75-06A7T IGBT modules
MKI75-06A7T IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F132N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F132N50P3 SMD N channel transistors
MMIX1F132N50P3 SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3270.46 грн |
MMIX1F160N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F160N30T SMD N channel transistors
MMIX1F160N30T SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3052.49 грн |
MMIX1F180N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F210N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F210N30P3 SMD N channel transistors
MMIX1F210N30P3 SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3233.68 грн |
MMIX1F230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F360N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 235A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 715nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 235A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 715nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F40N110P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4446.50 грн |
20+ | 4221.56 грн |
MMIX1F420N10T |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 680W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 670nC
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: SMD
Case: SMPD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 680W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 670nC
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: SMD
Case: SMPD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1F44N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3657.97 грн |
MMIX1F520N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1G120N120A3V1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 105A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 105A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1G320N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-off time: 595ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Pulsed collector current: 1kA
Turn-on time: 107ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-off time: 595ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Pulsed collector current: 1kA
Turn-on time: 107ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1H60N150V1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1T550N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1T550N055T2 SMD N channel transistors
MMIX1T550N055T2 SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3161.03 грн |
MMIX1T600N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1T600N04T2 SMD N channel transistors
MMIX1T600N04T2 SMD N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2435.36 грн |
2+ | 2302.60 грн |
MMIX1X100N60B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1X200N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X200N60B3 SMD IGBT transistors
MMIX1X200N60B3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1X200N60B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X200N60B3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1X200N60B3H1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1X340N65B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMIX1X340N65B4 SMD IGBT transistors
MMIX1X340N65B4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX1Y100N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 40A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 265ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 40A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 265ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX2F60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 96nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: SMPD
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 96nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: SMPD
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2885.44 грн |
20+ | 2725.57 грн |
MMIX4B22N300 |
Виробник: IXYS
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMIX4G20N250 |
Виробник: IXYS
MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMJX1H40N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 15.5kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 15.5kA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal; MOS-gated thyristor (MGT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 15.5kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 15.5kA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal; MOS-gated thyristor (MGT)
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO110-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO110-12IO7 Thyristor modules
MMO110-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO110-14IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO110-14IO7 Thyristor modules
MMO110-14IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO140-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO140-12IO7 Thyristor modules
MMO140-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO140-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO140-16IO7 Thyristor modules
MMO140-16IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO175-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO175-12IO7 Thyristor modules
MMO175-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO175-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO175-16IO7 Thyristor modules
MMO175-16IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO230-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO230-12IO7 Thyristor modules
MMO230-12IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO230-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO230-16IO7 Thyristor modules
MMO230-16IO7 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO62-12IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2301.98 грн |
2+ | 2098.67 грн |
30+ | 2003.00 грн |
100+ | 1942.90 грн |
MMO62-16IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO62-16IO6 Thyristor modules
MMO62-16IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO74-12IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 40A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/150mA
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 40A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/150mA
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2420.80 грн |
2+ | 2273.79 грн |
10+ | 2188.68 грн |
50+ | 2175.22 грн |
MMO74-16IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO74-16IO6 Thyristor modules
MMO74-16IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO90-12io6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO90-12IO6 Thyristor modules
MMO90-12IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO90-14IO6 |
![]() |
Виробник: IXYS
MMO90-14IO6 Thyristor modules
MMO90-14IO6 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMO90-16io6 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 600V; 41A; SOT227B; Ufmax: 1.43V; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 41A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.43V
Max. forward impulse current: 860A
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 600V; 41A; SOT227B; Ufmax: 1.43V; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 41A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.43V
Max. forward impulse current: 860A
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2584.05 грн |
2+ | 2356.70 грн |
3+ | 2268.51 грн |
10+ | 2215.59 грн |
MPK95-06DA |
![]() |
Виробник: IXYS
MPK95-06DA Diode modules
MPK95-06DA Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW10-06A6K |
Виробник: IXYS
MUBW10-06A6K IGBT modules
MUBW10-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW10-06A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW10-06A7 IGBT modules
MUBW10-06A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW10-12A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
MUBW10-12A7 IGBT modules
MUBW10-12A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW100-06A8 |
Виробник: IXYS
MUBW100-06A8 IGBT modules
MUBW100-06A8 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW15-06A6K |
Виробник: IXYS
MUBW15-06A6K IGBT modules
MUBW15-06A6K IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUBW15-06A7 |
Виробник: IXYS
MUBW15-06A7 IGBT modules
MUBW15-06A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.