Продукція > DTA
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTA 4848 R1 Код товару: 27262
Додати до обраних
Обраний товар
| Активні компоненти > Датчики | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA-100-USD | ATC Diversified Electronics | Time Delay & Timing Relays Din Rail 10 function Timer Relay | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA.114YKA.T146 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA.99.700.5Z | LEMO | Description: TOOL TAP FOR M7X0.5 THREADS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA.99.700.5Z | LEMO | Circular Push Pull Connectors TAP | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA.99.900.6Z | LEMO | Description: TOOL TAP FOR M9X0.6 THREADS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA.99.900.6Z | LEMO | Circular Push Pull Connectors TAP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA013ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased WL-CSP EEPROM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA013ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | на замовлення 7647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA013ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 1kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT723 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA013ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 1kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT723 | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 7048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA013ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTA013Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC85 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA013ZUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC85 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC85 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA014EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA014EEBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA014EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA014EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA014EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA014EUBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TEBTL Код товару: 162183
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA014TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA014TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA014TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | на замовлення 5712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA014YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA014Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA014YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA015EEBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 9890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA015EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 8991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA015EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA01C115 | CARLO GAVAZZI | DTA01C115 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA01C230 | CARLO GAVAZZI | DTA01C230 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA01CD48 | CARLO GAVAZZI | DTA01CD48 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 12691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 7099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 13139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 7820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 5554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA023JEBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023JEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 11760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 15725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA023JUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA023J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA023JUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA023J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023JUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA023JUBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 5509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Current gain: 35 Frequency: 250MHz | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 6254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Current gain: 35 Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 8585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA023YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA023YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 4375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA024E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA024E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024XEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024XMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 15579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA024XUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA024XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3F | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA02C115 | CARLO GAVAZZI | DTA02C115 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA02C230 | CARLO GAVAZZI | DTA02C230 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA02CD48 | CARLO GAVAZZI | DTA02CD48 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 8520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 7187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043EUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 20 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT323F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043EUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 20 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT323F кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin | на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA043TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA043T Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 15669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 5941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043XEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL PNP | на замовлення 4394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 15910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043XUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | на замовлення 8963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043ZEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital TR PNP | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043ZUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT323F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043ZUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 5754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA043ZUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT323F кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 14468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA044EEBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA044EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA044E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA044EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA044E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA044EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA044E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA044EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA044E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044TEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA04DM24 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: THERMISTOR RELAY DOUBLE OUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA04DM24 | Carlo Gavazzi | Industrial Relays THERMISTOR RELAY 22.5MM DOUBLE OUTPUT RESET / TEST | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA04DM24 | CARLO GAVAZZI | DTA04DM24 Monitoring Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA04DM24 | CARLO GAVAZZI | Description: CARLO GAVAZZI - DTA04DM24 - Motor-Thermistor-Überwachungsrelais, 2x SPST-NO, 8A, 240V, -25°C bis 60°C, DIN-Schiene, Reihe DTA04 tariffCode: 85364190 rohsCompliant: YES Temperatur, Überwachung, max.: 60°C Temperatur, Überwachung, min.: -25°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kontaktstrom: 8A usEccn: EAR99 Schaltspannung, max.: 250VAC euEccn: NLR Relaismontage: DIN-Schiene DC-Versorgungsspannung, max.: 240V Produktpalette: DTA04 Series productTraceability: No AC-Versorgungsspannung, max.: 240V Kontaktkonfiguration: 2 x SPST-NO SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA1132KA | ROHM | 09+ | на замовлення 24038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EET1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.26W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Power dissipation: 0.26W Current gain: 3...5 | на замовлення 23960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 | на замовлення 368000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113EM3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.26W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Power dissipation: 0.26W Current gain: 3...5 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 23960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ESTP | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA113TA | ROHM | SOT23 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113TKA | на замовлення 2832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA113TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | на замовлення 7833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113TKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113TKT146 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA113ZCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP 50V 200mW SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 1kO Input Resist | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE | Yangjie Electronic Technology | DTA113ZE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA113ZE | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Pre-biased Transistors,SOT-523 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE-TP | Micro Commercial Components | DTA113ZE-TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE-TP | Micro Commercial Components | DTA113ZE-TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA; -50V EMT3F | на замовлення 8882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA113ZETL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 94021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZKA | ROHM | 01+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 11350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKA T146 | ROHM | SOT23-E11 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 12898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 5529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 11292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZKAT146SOT23-E11 | ROHM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA113ZKT146 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA113ZL | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3 | на замовлення 6259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZS | ROHM | TO-92S | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZSATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZU | ROHM | 10+ SOT-323 | на замовлення 118200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZU | ROHM | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA113ZU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 1kO SOT-323 | на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323 | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA113ZU3T106 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT Tape | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUA | Yangjie Technology | Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUA-TP | Micro Commercial Co | Description: BIPOLAR TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUAFRAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 22800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA113ZUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA113ZUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA113Z Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114 | ROHM | 09+ | на замовлення 6038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114-EKA-T146 Код товару: 16458
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114E | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114E | onsemi | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114E | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114E - DTA114E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114ECA-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA RF | Taiwan Semiconductor | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle PNP, -100mA | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-23 | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 10436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 50 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114ECAHZGT116 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 50 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114ECAT116 PNP SMD transistors | на замовлення 525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT PNP 100MA 3PIN | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE | ROHM | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE | onsemi | SS SC75 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE | ROHM | SOT-523 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114EE-LGE PNP SMD transistors | на замовлення 14375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE | ROHM | 10+ SOT-223 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE | ROHM/NXP | 10+ SOT-523 | на замовлення 502460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE RK | Taiwan Semiconductor | DTA114EE RK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE RK | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2583 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE-TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 2304 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-416FL 10kO Input Resist | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBHZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EEBHZGTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 100MA 50V SC-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 52102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EEBTL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V | на замовлення 8930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EEFRATL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Trans Digital BJT PNP 100mA | на замовлення 5308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 26890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 10/10K SC-75 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114EET1 - TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 3508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 43916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ONS | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ PNP SMD SC-75 Uceo=-50V; Ic=-0,05A; Pdmax=0,150W; | на замовлення 7629 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 19456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 43916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 50MA SOT-416 | на замовлення 7781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTA114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: EMT Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 13812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 84850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EH | ROHM | SOT23 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EK | ROHM | 09+ | на замовлення 36018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EK | ROHM | SOT23/ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EK FRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA Код товару: 30160
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-346 Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 30 | у наявності 277 шт: 252 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| |||||||||||||||||||
DTA114EKA | Diodes INC. | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 5; Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 30 @ 5 мА, 5 В); Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА); SOT-23-3 | на замовлення 90 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 | ROHM | SOT23-14 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3636 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 8650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 | ROHM | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 SOT23-14 | ROHM | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 SOT23-14 | ROHM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114EKA T146 SOT23-14 P | ROHM | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR PNP SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKA/06 | ROHM | 06+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKAFRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKAL-T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKAMH1146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKAT-146 | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 17815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 17851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 160979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL PNP 50V 50MA | на замовлення 11317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EKDTC114EKA | ROHM | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114EL3-TP | Micro Commercial Components | DTA114EL3-TP | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EL3-TP | Micro Commercial Components | DTA114EL3-TP | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EL3-TP | Micro Commercial Components | DTA114EL3-TP | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EL3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR PNP DFN1006-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EL3-TP | Micro Commercial Components | DTA114EL3-TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EM RM | Taiwan Semiconductor | DTA114EM RM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 184000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 1030490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 15550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 55575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 13894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin | на замовлення 6119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | ROHM | Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 11028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EMT2L PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 50MA | на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114ESA | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESA A3 | Taiwan Semiconductor | DTA114ESA A3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESA-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESA-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESA-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESATP | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 50MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ESATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.05A SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ET | PHILIPS | 09+ | на замовлення 70018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114ET | PHILIPS | 06+ SOT-23 | на замовлення 49650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU FRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EU3HZGT106 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323 | на замовлення 12708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3 | на замовлення 6195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 4755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EU3T106 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUA | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114EUA-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUA | Yangjie Technology | Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUA FAT106 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA RR | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA RV | Taiwan Semiconductor | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA T106 | ROHM | SOT23 | на замовлення 1022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA-T106 | ROHM | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors PNP 250MHz | на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUA<T106> | ROHM | SOT23 | на замовлення 3290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAF | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAF T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAFRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R AECQ Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-323 | на замовлення 5996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами) ММ PNP SOT323 (SC-70) Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30 | на замовлення 265 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL PNP 50V 50MA SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 17352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 135469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 281012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114EUAT106 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 5443 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-323FL -50V VCC -0.1A IC | на замовлення 7205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 68890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR | на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GKAT146 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive : TA114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. This is a high-r | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA114GU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GUA | ROHM | 04+ SOT-323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL PNP 50V 100MA | на замовлення 8948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114G Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114G Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114GUAT106 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114T | onsemi | Description: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA Packaging: Bulk | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114T | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114T - DTA114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114TCA-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TCA RF | Taiwan Semiconductor | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased Sgle PNP, -100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 6006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114TE-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE | ROHM | 10+ SOT-523 | на замовлення 210200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE RK | Taiwan Semiconductor | DTA114TE RK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 4824 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 10KOhms 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114TET1 - TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114TET1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TET1G | ON Semiconductor | на замовлення 4750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114TET1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 32524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 10432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TETL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114TETL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TK | ROHM | SOT-23 | на замовлення 11300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 2796 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKA | ROHM | SOT-23 | на замовлення 107325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114TKAT146 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT PNP 50V 100MA | на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TM | ROHM | SOT723 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TM FS6T2L | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114TM3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TM3T5G | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 272118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TM3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 15907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TM3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP Digital transistor (with built-in resistors) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 | на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 | на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TSA A3 | Taiwan Semiconductor | DTA114TSA A3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU T106 | ROHM | 09+ | на замовлення 39018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU T106 | ROHM | SOT323 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 1kO SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 2871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 8780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res UMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA | ROHM | SOT23 | на замовлення 2467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA | N/A | 07+ SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA | ROHM | SOT-323 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA RR | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA RV | Taiwan Semiconductor | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA T106 | ROHM | SOT323-94 | на замовлення 8119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA T106 SOT323-94 | ROHM | на замовлення 8119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114TUA T107 | ROHM | SOT23-94 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA T107 SOT23-94 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114TUA-T106 | ROHM | SOT323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 10KOhms 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUA-TP Код товару: 189468
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114TUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUAFRAT106 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 36650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | на замовлення 4665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114TUAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TUT106 | ROHM | 00+ SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114TXV3T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC89-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WK | ROHM | SOT323 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WK T146 | ROHM | SOT23-74 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WK T146 SOT23-74 | ROHM | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114WK T96 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 2857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WSATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WU | ROHM | SOT323 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA114WU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114WUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114W Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114WUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114W Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114WUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114Y | onsemi | Description: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA Packaging: Bulk | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114Y | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114Y - DTA114Y, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCA | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114YCA-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCA | YANGJIE TECHNOLOGY | DTA114YCA-YAN PNP SMD transistors | на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCA RF | Taiwan Semiconductor | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCA-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL PNP 50V 200mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114YCAHZGT116 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114YCAT116 PNP SMD transistors | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE | Yangjie Electronic Technology | DTA114YE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114YE-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE RK | Taiwan Semiconductor | DTA114YE RK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE RK | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE TL | ROHM | 09+ | на замовлення 48018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEA | ROHM | SOT523 | на замовлення 210000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114YEFRATL PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YET1 | ON Semiconductor | на замовлення 4263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 16698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 100740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YETL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YETL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 68 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 70MA | на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 4268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 68 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YK | ROHM | 97+ SOT-23 | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YK | ROHM | SOT23-54 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YK | ROHM | SOT23 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YK SOT23-54 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114YKA-T146 | на замовлення 11900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 57847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114YKAT146 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT PNP 40V 100MA | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 25016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 54237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YKT146SOT23-54 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114YM-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 70mA 100mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YM3 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT-723 BIAS RESISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 22701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114YM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 623000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 23136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 6343 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 555250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 23136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 48551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R | на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC | на замовлення 15980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 13890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 19280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL PNP 50V 70MA | на замовлення 94958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YSA A3 | Taiwan Semiconductor | DTA114YSA A3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YSA TP | ROHM | TO92 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323 | на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R | на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 8198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTA114YU3T106 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3 | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YUA | LUGUANG ELECTRONIC | DTA114YUA-LGE PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUA | Yangjie Electronic Technology | DTA114YUA | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YUA RR | Taiwan Semiconductor | DTA114YUA RR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUA RV | Taiwan Semiconductor | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUA/54 | ROHM | 02+ SOT323 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUAF | ROHM | SOT23 | на замовлення 5506 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YUAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 70MA SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA114YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA114YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA115ECA-TP | Micro Commercial Components | DTA115ECA-TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA115ECA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | PRE-BIASED TRANSISTORS,SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA115ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA115ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA115ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA115ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA115ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
DTA115EE/19 | ROHM | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
DTA115EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA115EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA115EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DTA115EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|