Продукція > GD1

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 8 шт

товар відсутній

GD1000HFX170P2S

товар відсутній

GD100FFX170C6S

Description: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7277.24 грн
10+	6367.49 грн

GD100FFX170C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD100FFX170C6S

товар відсутній

GD100FFX65C5S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor

товар відсутній

GD100FFX65C5S

Description: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3921.35 грн
5+	3843.2 грн
10+	3811.5 грн

GD100FFX65C5S

товар відсутній

GD100FFY120C5S

Description: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 157
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 512
Verlustleistung: 512
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар відсутній

GD100FFY120C5S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C5 45mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 12 шт

товар відсутній

GD100FFY120C5S

товар відсутній

GD100FFY120C6S

Description: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7957.7 грн
10+	7860.39 грн

GD100FFY120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD100FFY120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor

товар відсутній

GD100HFU120C1S

Description: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
Verlustleistung Pd: 1.136
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар відсутній

GD100HFU120C1S
Код товару: 67457

Транзистори > IGBT

товар відсутній

GD100HFU120C2S

Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4617.3 грн
5+	4296.6 грн
10+	3972.22 грн
50+	3615.24 грн

GD100HFU120C2S
Код товару: 73798

Транзистори > IGBT

товар відсутній

GD100HFU120C2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C2 62mm
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт

товар відсутній

GD100HFU120C2S

товар відсутній

GD100HFU120C8S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C8 48mm
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 16 шт

товар відсутній

GD100HFU120C8S

товар відсутній

GD100HFU120C8S

Description: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 154A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 791W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 791W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 154A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4059.95 грн
16+	4016.45 грн
32+	3972.22 грн

GD100HFX170C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A

товар відсутній

GD100HFX170C1S

Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3284.38 грн
5+	3111.13 грн
10+	2943.78 грн

GD100HFX170C1S

товар відсутній

GD100HFX65C1S

Description: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 127A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 319W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 127A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2876.69 грн

GD100HFX65C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 24 шт

товар відсутній

GD100HFX65C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A

товар відсутній

GD100HFY120C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 24 шт

товар відсутній

GD100HFY120C1S

товар відсутній

GD100HFY120C1S

Description: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3053.62 грн
24+	3016.02 грн

GD100HHU120C6S

Description: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 638W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 638W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 125°C

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7998.99 грн

GD100HHU120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD100HHU120C6S

товар відсутній

GD100MLX65L3S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 16 шт

товар відсутній

GD100MLX65L3S

товар відсутній

GD100MLX65L3S

Description: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 451W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4312.82 грн
5+	4097.55 грн
10+	3796.02 грн

GD100PIX65C6S

Description: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8133.9 грн

GD100PIX65C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Technology: Trench FS IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD100PIX65C6S

товар відсутній

GD100PIY120C6SN

Description: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 511
Verlustleistung: 511
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6958.75 грн
5+	6702.93 грн

GD100PIY120C6SN

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD100PIY120C6SN

товар відсутній

GD100SGY120D6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: D6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

GD100SGY120D6S

товар відсутній

GD100SGY120D6S

Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

GD101

Box Partners

Description: LOW TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE,
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6951.93 грн

GD103

Glue Dots

Description: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Features: Clear
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6615.68 грн

GD1030221MAW

KYOCERA AVX Components

Micro Wave Singlelayer Ceramic Capacitor

товар відсутній

GD1030221ZAW

AVX

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 220pF W/O BORDER .01pF Tol MAXI SGLYR

товар відсутній

GD1030301ZA6N

KYOCERA AVX

Description: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: -20%, +80%
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 300 pF

товар відсутній

GD1030301ZAW

KYOCERA AVX Components

Cap Ceramic Single 300pF 25V X7R 20% (0.254 X 0.254 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle

товар відсутній

GD103R

Dot Shot

Description: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Features: Clear
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3268.03 грн

GD103SR

Dot Shot

Description: HIGH TACK GLUE STITCH, LOW PROFI
Features: Clear
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3368.26 грн

GD10GS-SP1M-C

ATGBICS

Description: CABLE SFP+ TO SFP+ M-M 1M

на замовлення 5690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1913.04 грн
10+	1750.39 грн
100+	1657.94 грн
1000+	1469.79 грн

GD10MPS12A

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS

на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.55 грн
10+	241.09 грн
25+	199.13 грн
100+	184.67 грн
250+	175.47 грн
500+	168.9 грн
1000+	162.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

GD10MPS12A

GENESIC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	310.38 грн
10+	232.23 грн
100+	204.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

GD10MPS12A

1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

GD10MPS12A

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V

товар відсутній

GD10MPS12A

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 47 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	352.1 грн
4+	241.42 грн
11+	219.34 грн

GD10MPS12A

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.42 грн
4+	193.73 грн
11+	182.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

GD10MPS12A

Silicon Carbide Schottky Diode

товар відсутній

GD10MPS12E

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V

товар відсутній

GD10MPS12E

GD10MPS12E SMD Schottky diodes

товар відсутній

GD10MPS12E

Silicon Carbide Schottky Diode

товар відсутній

GD10MPS12E

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

на замовлення 4127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.32 грн
10+	221.44 грн
25+	182.7 грн
100+	169.56 грн
250+	161.01 грн
500+	154.44 грн
1000+	148.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

GD10MPS12E

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V

на замовлення 2397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.31 грн
10+	199.14 грн
25+	189 грн
100+	164.33 грн
250+	156.02 грн
500+	150.09 грн
1000+	142.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

GD10MPS12H

1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS

товар відсутній

GD10MPS12H

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.06 грн
10+	293.24 грн
30+	243.16 грн
120+	226.07 грн
270+	215.56 грн
510+	208.33 грн
1020+	200.44 грн

GD10MPS12H

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	306.4 грн
10+	261.64 грн
25+	249.49 грн
100+	217.87 грн
250+	207.75 грн
500+	200.41 грн
1000+	190.13 грн
2500+	181.29 грн

GD10MPS12H

1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS

товар відсутній

GD10MPS12H

GENESIC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	358.3 грн
5+	315.54 грн
10+	272.78 грн
50+	244.39 грн
100+	217.38 грн
250+	216.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

GD10MPS12H

GD10MPS12H THT Schottky diodes

товар відсутній

GD10MPS17H

1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS

товар відсутній

GD10MPS17H

GD10MPS17H THT Schottky diodes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1164.24 грн
2+	735.23 грн
4+	695.8 грн

GD10MPS17H

Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS

на замовлення 7350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	623.35 грн
10+	526.02 грн
30+	427.17 грн
120+	420.6 грн

GD10MPS17H

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V

на замовлення 726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	536.02 грн
10+	461.47 грн
25+	441.22 грн
100+	386.79 грн
250+	370.18 грн
500+	357.72 грн

GD10PJX65F1S

GD10PJX65F1S IGBT modules

товар відсутній

GD10PJX65L2S

Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1644.77 грн
24+	1624.86 грн

GD10PJX65L2S

GD10PJX65L2S IGBT modules

товар відсутній

GD10PJY120F1S

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

GD10PJY120F1S IGBT modules

товар відсутній

GD10PJY120F1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Case: F1.1
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V

товар відсутній

GD10PJY120F4S

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

GD10PJY120F4S IGBT modules

товар відсутній

GD10PJY120F4S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Case: F4.1
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V

товар відсутній

GD10PJY120L2S

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

GD10PJY120L2S IGBT modules

товар відсутній

GD10PJY120L2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Case: L2.2
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V

товар відсутній

GD10V_10AT-0001

Modular Power Supplies GD10V10AT10V10AT P

товар відсутній

GD10V_5A-10V_5A

Description: GD10V/5A-10V/5A CONVERTERPAC R

товар відсутній

GD10V_5A-10V_5A

Modular Power Supplies GD10V5A10V5A pac R

товар відсутній

GD1200HFY120C3S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT

товар відсутній

GD1200HFY120C3S

товар відсутній

GD1200HFY120C3S

Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	29508.53 грн
5+	29239.44 грн

GD1200SGX170C3SN

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Technology: Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 8 шт

товар відсутній

GD1200SGX170C3SN

Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	27843.12 грн
5+	26805.09 грн

GD1200SGX170C3SN

товар відсутній

GD1250-1

Comet America, LP

Description: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Connector
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4549.79 грн
10+	3902.07 грн
20+	3559.79 грн

GD1250-1/0

Comet America, LP

Description: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Exposed Lead Wires
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3981.06 грн
10+	3422.87 грн
20+	3285.96 грн

GD12V_4A2AT-0V_0A

Description: GD12V/4.2AT-0V/0A DUALPAC ROHS

товар відсутній

GD12V_4A2AT-0V_0A

Modular Power Supplies GD12V4.2AT0V0A Ro

товар відсутній

GD12V_8A3A-000001

Modular Power Supplies GD12V8.3A28V3.6A

товар відсутній

GD12V_8A3ATV2-001

Modular Power Supplies GD12V8.3A24V4.2ATV1

товар відсутній

GD1400HFX170P2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Case: P2.0
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 8 шт

товар відсутній

GD1400HFX170P2S

Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	45123.15 грн

GD1400HFX170P2S

товар відсутній

GD1400HFY120P2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: P2.0
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
кількість в упаковці: 8 шт

товар відсутній

GD1400HFY120P2S

товар відсутній

GD14LS00

00+ DIP-14

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD150FFX65C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Case: C6 62mm
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A

товар відсутній

GD150FFX65C6S

Description: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7785.19 грн
5+	7432.06 грн

GD150FFX65C6S

товар відсутній

GD150FFY120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A

товар відсутній

GD150FFY120C6S

Description: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8596.89 грн

GD150FFY120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD150HFU120C2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 12 шт

товар відсутній

GD150HFU120C2S

товар відсутній

GD150HFU120C2S

Description: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3341.14 грн

GD150HFX170C2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.7kV

товар відсутній

GD150HFX170C2S

Description: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6494.29 грн
5+	6373.39 грн
10+	6076.28 грн

GD150HFX170C2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 12 шт

товар відсутній

GD150HFX65C1S

Description: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3242.36 грн
5+	3095.65 грн
10+	2876.69 грн

GD150HFX65C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 24 шт

товар відсутній

GD150HFX65C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 650V

товар відсутній

GD150HFY120C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 1.2kV

товар відсутній

GD150HFY120C1S

Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3734.09 грн
5+	3573.37 грн
10+	3349.25 грн

GD150HFY120C1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 24 шт

товар відсутній

GD150HFY120C2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV

товар відсутній

GD150HFY120C2S

Description: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.102
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 291
SVHC: To Be Advised

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4940.94 грн
5+	4743.36 грн
10+	4507.45 грн
50+	4127.3 грн

GD150HFY120C2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 60 шт

товар відсутній

GD150HFY120C8S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 16 шт

товар відсутній

GD150HFY120C8S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Max. off-state voltage: 1.2kV

товар відсутній

GD150HFY120C8S

Description: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.102
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 291
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3594.02 грн

GD150HHU120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT

товар відсутній

GD150HHU120C6S

Description: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9915.06 грн
5+	9465.35 грн

GD150HHU120C6S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

GD150MLX65L3S

Description: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5109.77 грн
5+	4854.69 грн
10+	4497.86 грн

GD150MLX65L3S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 16 шт

товар відсутній

GD150MLX65L3S

товар відсутній

GD150P1200

module

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD150PIY120C6SN

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV

товар відсутній

GD150PIY120C6SN

товар відсутній

GD150R1200

CDH4-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD150UR

на замовлення 5673 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD1530331ZA6N

KYOCERA AVX

Description: CAP CER
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 330 pF

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	258.27 грн

Мінімальне замовлення: 400

GD15MPS17H

GD15MPS17H THT Schottky diodes

на замовлення 519 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1172.2 грн
2+	796.02 грн
4+	752.48 грн

GD15MPS17H

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	730.81 грн
10+	634.67 грн
25+	609.38 грн
100+	537.47 грн
250+	515.53 грн
500+	500.1 грн
1000+	476.73 грн

GD15PJX65F1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V

товар відсутній

GD15PJX65F1S

Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2231.61 грн
10+	2204.33 грн
25+	2177.05 грн

GD15PJX65F1S

товар відсутній

GD15PJX65L2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

GD15PJX65L2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V

товар відсутній

GD15PJY120F1S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

GD15PJY120F1S

товар відсутній

GD15PJY120F2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 25 шт

товар відсутній

GD15PJY120F2S

товар відсутній

GD15PJY120F4S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

GD15PJY120F4S

товар відсутній

GD15PJY120F5S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V

товар відсутній

GD15PJY120F5S

товар відсутній

GD15PJY120L2S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

GD15PJY120L2S

товар відсутній

GD15V_5A-15V_5A

Modular Power Supplies GD15V5A15V5A PAC

товар відсутній

GD15V_6A7A-000001

Modular Power Supplies GD15V6.7A15V6.7A p

товар відсутній

GD1600SGX170C3S

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
кількість в упаковці: 8 шт

товар відсутній

GD1600SGX170C3S

товар відсутній

GD16043A-40AB

01+ QFP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16043A-40AB

01+

на замовлення 395 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16054A

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16054A-40AB

01+

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16054A-40AB

01+ QFP

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16065

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16065

PLCC 06+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16066

01+ TO3P

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16131-GLP

02+ QFP

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16131-GLP

QFP 02+

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16132-GLP

01+ QFP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16132-GLP

01+

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16192

PLCC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16192-A01

PLCC28

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16333

0013

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16333

QFP-100

на замовлення 163 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16334

QFP-100

на замовлення 904 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16334

0015+

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16361A

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16361A-28BA

SSOP28 01+

на замовлення 625 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16361A-28BA

01+ SSOP28

на замовлення 625 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16362A-28BA

0027+ SSOP28

на замовлення 524 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16362A-28BA

SSOP28 0027+

на замовлення 524 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16367B

на замовлення 646 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16368B

на замовлення 637 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16519

QFP-100

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523

QFP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523

QFP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523

01+

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523

TQFP

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523-100BA

04+ QFP

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16523-100BA

QFP 0607+

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524

QFP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524

QFP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524

GIGQ

07+ QFP-108

на замовлення 173 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524

O109

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524

TQFP

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524-100BA

QFP 0601+

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16524-100BA

0601+ QFP

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16544-68AB

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16553

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16556

на замовлення 775 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16556

QFP-100

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16556/ECL

QFP-100

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16556A100BAECL

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16557

QFP-100

на замовлення 238 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16557

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16561

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16571

GDGA

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16571

QFP-32

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16573

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16575A

QFP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16584-132EA

01+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16584-EBG1

AMCC

BGA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16584132EA

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16585

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16588-FB

BGA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16589

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16590

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16590-48BA

08+ BGA

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16591A

QFP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16591A

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16591A

QFP

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16591A-48BA

0321+ QFP

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16592A

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16952A

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD16952A

08+ BGA

на замовлення 625 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

GD18/GV18/73/120

PEPPERL+FUCHS

Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20m; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; 100mA
Type of sensor: photoelectric
Range: 20m
Operation mode: transmitter-receiver
Output configuration: PNP
IP rating: IP67
Connection: connector M12
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Operating temperature: -25...60°C
Max. operating current: 0.1A
Body material: plastic
Switch housing: M18
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

GD18/GV18/73/120

PEPPERL+FUCHS

товар відсутній

GD1826

Burndy

Cable Accessories Grounding Connector Copper Alloy

товар відсутній

GD18V5V_5A4A-00001

Description: DC/DC CONVERTER 18.5V 12V
Packaging: Bulk

товар відсутній

GD18V5V_5A4A-00001

Modular Power Supplies GD18.5V5.4A12V8.3Ae

товар відсутній

GD18V_5A4A-00001

Modular Power Supplies GD18V5.4A12V8.3A p

товар відсутній

GD18V_5A4A-00001

Description: DC/DC CONVERTER 18V 12V
Packaging: Bulk

товар відсутній

GD18V_5A4A-00002

Description: DC/DC CONVERTER 18V
Packaging: Bulk

товар відсутній

GD18V_5A4A-00002