Продукція > GD1
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD1000HFX170P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 1kA Case: P2.0 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 2kA Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1000HFX170P2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 Dauer-Kollektorstrom: 1.604 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 Verlustleistung Pd: 6.25 Verlustleistung: 6.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 1.604 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFX170C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 168A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 632W euEccn: NLR Verlustleistung: 632W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 168A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 100A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFX65C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 331W Verlustleistung: 331W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 130A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFX65C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFY120C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 157 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 512 Verlustleistung: 512 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke DC-Kollektorstrom: 157 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFY120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 511W Verlustleistung: 511W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 155A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 155A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100FFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFU120C1S Код товару: 67457
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD100HFU120C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1 Verlustleistung Pd: 1.136 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 200 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFU120C2S Код товару: 73798
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD100HFU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 1.136kW Verlustleistung: 1.136kW SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFU120C8S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Dauer-Kollektorstrom: 154A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V Verlustleistung Pd: 791W euEccn: NLR Verlustleistung: 791W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 154A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFU120C8S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: C8 48mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFX170C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 632W Verlustleistung: 632W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 168A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 168A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFX170C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFX65C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 127A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 319W euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 127A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFX65C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFY120C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HFY120C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 511W Verlustleistung: 511W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 155A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 155A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HHU120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 638W euEccn: NLR Verlustleistung: 638W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 160A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: H-Brücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100HHU120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: H-bridge Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100MLX65L3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 451W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 160A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100MLX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Case: L3.1 Type of semiconductor module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100PIX65C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 331W euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100PIX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100PIY120C6SN | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 511 Verlustleistung: 511 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100PIY120C6SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100SGY120D6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 500 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: - DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD100SGY120D6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: D6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD101 | Box Partners | Description: LOW TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE, Part Status: Active Type: Adhesive For Use With/Related Products: Multi-Purpose Features: Clear Packaging: Box | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD103 | Glue Dots | Description: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE Features: Clear Packaging: Box For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD1030221MAW | KYOCERA AVX Components | Micro Wave Singlelayer Ceramic Capacitor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1030221ZAW | AVX | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 220pF W/O BORDER .01pF Tol MAXI SGLYR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1030301ZA6N | KYOCERA AVX | Description: CAP CER Tolerance: -20%, +80% Packaging: Tray Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.008" (0.20mm) Part Status: Active Capacitance: 300 pF | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD1030301ZA6N | KYOCERA AVX | Array | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1030301ZAW | KYOCERA AVX Components | Cap Ceramic Single 300pF 25V X7R 20% (0.254 X 0.254 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD103R | Dot Shot | Description: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE Features: Clear Packaging: Box For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD103SR | Dot Shot | Description: HIGH TACK GLUE STITCH, LOW PROFI Features: Clear Packaging: Box For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10GS-SP1M-C | Approved Technolgy | GD10GS-SP1M-C | на замовлення 8551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10GS-SP1M-C | ATGBICS | Description: Compatible DAC 10G 1m Cable Connectors: SFP+ to SFP+ Fastening Type: Push-Pull Usage: Data Center Server Rack, Network, Ethernet Cable Type: Round Shielding: Unshielded Length: 3.28' (1.00m) Color: Black Gender: Male to Male Connector Type: Plug to Plug Features: Passive Packaging: Bag | на замовлення 8551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12A | GENESIC | Description: GENESIC - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 32nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 3138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 29A Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 29A Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12H | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 42A Features of semiconductor devices: MPS | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A Type of semiconductor module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 20A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD10PJX65F1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 79W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 20A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJX65L2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 95W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 20A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 10A Case: L2.5 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJY120F1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD10PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.65 V, 91 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJY120F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 10A Case: F1.1 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJY120F4S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 91W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 20A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJY120F4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 10A Case: F4.1 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJY120L2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD10PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 133 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 133W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 20A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10PJY120L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 10A Case: L2.2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10V_10AT-0001 | Vicor | Modular Power Supplies GD10V10AT10V10AT P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10V_5A-10V_5A | Vicor Corporation | Description: GD10V/5A-10V/5A CONVERTERPAC R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD10V_5A-10V_5A | Vicor | Modular Power Supplies GD10V5A10V5A pac R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1200HFY120C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 1.2kA Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1200HFY120C3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 8.196kW euEccn: NLR Verlustleistung: 8.196kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.23kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1200SGX170C3SN | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 1.2kA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1200SGX170C3SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of semiconductor module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.4kA Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C3 130mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Topology: IGBT x2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1250-1 | Comet America, LP | Description: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE Packaging: Bulk Temperature Range: -65°C ~ 980°C Terminal Type: Connector Length - Lead Wire: 3.281' (1m) Element Type: K - Type Conductor Type: Non-Grounded Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD1250-1/0 | Comet America, LP | Description: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE Packaging: Bulk Temperature Range: -65°C ~ 980°C Terminal Type: Exposed Lead Wires Length - Lead Wire: 3.281' (1m) Element Type: K - Type Conductor Type: Non-Grounded Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD12V_4A2AT-0V_0A | Vicor | Modular Power Supplies GD12V4.2AT0V0A Ro | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD12V_4A2AT-0V_0A | Vicor Corporation | Description: GD12V/4.2AT-0V/0A DUALPAC ROHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD12V_8A3A-000001 | Vicor | Modular Power Supplies GD12V8.3A28V3.6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD12V_8A3ATV2-001 | Vicor | Modular Power Supplies GD12V8.3A24V4.2ATV1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1400HFX170P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: P2.0 Semiconductor structure: transistor/transistor Collector current: 1.4kA Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 2.8kA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1400HFX170P2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 9.37kW euEccn: NLR Verlustleistung: 9.37kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 2.342kA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.342kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD1400HFY120P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: P2.0 Semiconductor structure: transistor/transistor Collector current: 1.4kA Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 2.8kA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD14LS00 | GS | 00+ DIP-14 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD150FFX65C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 442W Verlustleistung: 442W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 181A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 181A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]