Продукція > GD1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GD1000HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1000HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100FFX170C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8146.38 грн
10+7127.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6259.78 грн
5+6020.45 грн
10+5599.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 157
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 512
Verlustleistung: 512
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C6 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8908.12 грн
10+8799.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C6 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
Verlustleistung Pd: 1.136
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C1S
Код товару: 67457
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5149.77 грн
5+4886.51 грн
10+4629.02 грн
50+4208.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Код товару: 73798
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 154A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 791W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 791W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 154A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4054.62 грн
5+3912.67 грн
10+3641.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4391.34 грн
5+4222.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 127A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 319W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 127A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3220.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3514.88 грн
5+3379.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 638W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 638W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8954.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 451W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4457.36 грн
5+4292.30 грн
10+3992.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9105.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100PIX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 511
Verlustleistung: 511
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7789.86 грн
5+7503.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100SGY120D6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD101Box PartnersDescription: LOW TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE,
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7782.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD103Glue DotsDescription: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7405.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1030221MAWKYOCERA AVX ComponentsMicro Wave Singlelayer Ceramic Capacitor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1030221ZAWAVXMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 220pF W/O BORDER .01pF Tol MAXI SGLYR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1030301ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: -20%, +80%
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 300 pF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+278.64 грн
800+255.58 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
GD1030301ZA6NKYOCERA AVXArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1030301ZAWKYOCERA AVX ComponentsCap Ceramic Single 300pF 25V X7R 20% (0.254 X 0.254 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD103RDot ShotDescription: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3658.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD103SRDot ShotDescription: HIGH TACK GLUE STITCH, LOW PROFI
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3770.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10GS-SP1M-CATGBICSDescription: Compatible DAC 10G 1m
Features: Passive
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Black
Length: 3.28' (1.00m)
Shielding: Unshielded
Cable Type: Round
Usage: Data Center Server Rack, Network, Ethernet
Fastening Type: Push-Pull
Cable Connectors: SFP+ to SFP+
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2121.63 грн
50+1941.02 грн
150+1838.86 грн
1000+1629.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10GS-SP1M-CApproved TechnolgyGD10GS-SP1M-C
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2277.52 грн
50+2163.64 грн
150+2049.77 грн
1000+1866.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.70 грн
10+242.47 грн
25+230.45 грн
100+200.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.01 грн
10+289.67 грн
100+272.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+238.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.57 грн
10+273.27 грн
25+200.11 грн
100+193.48 грн
250+186.13 грн
500+183.92 грн
2500+180.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.9V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.31 грн
5+256.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+257.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.9V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.43 грн
5+206.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12AGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.81 грн
10+247.89 грн
25+204.52 грн
100+189.81 грн
250+180.24 грн
500+172.89 грн
1000+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS12E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.37 грн
10+230.13 грн
25+218.47 грн
100+189.93 грн
250+180.33 грн
500+173.47 грн
1000+164.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.64 грн
10+230.25 грн
100+203.02 грн
500+180.86 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+179.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+175.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.02 грн
500+180.86 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+167.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+273.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.66 грн
10+319.80 грн
30+258.96 грн
120+247.19 грн
270+238.36 грн
510+229.53 грн
1020+224.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS12H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.52 грн
10+304.92 грн
25+290.29 грн
100+253.96 грн
250+242.32 грн
500+233.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12HGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.30 грн
5+335.07 грн
10+307.01 грн
50+275.11 грн
100+244.05 грн
250+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+528.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.45 грн
10+573.61 грн
30+477.46 грн
120+445.82 грн
270+426.70 грн
510+412.72 грн
1020+404.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+924.98 грн
2+549.92 грн
6+519.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.14 грн
10+532.45 грн
25+509.12 грн
100+446.30 грн
250+427.14 грн
500+412.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+875.79 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+421.84 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+490.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17HGeneSiC Semiconductor1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1790.04 грн
2+1571.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2248.90 грн
5+2133.36 грн
10+2021.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2148.05 грн
2+1958.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1819.75 грн
5+1728.97 грн
10+1639.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJX65L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.65 V, 91 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2261.28 грн
5+2148.21 грн
10+2037.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2423.86 грн
5+2300.07 грн
10+2178.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120F4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 133 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1972.43 грн
5+1922.09 грн
10+1825.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10V_10AT-0001VicorModular Power Supplies GD10V10AT10V10AT P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10V_5A-10V_5AVicor CorporationDescription: GD10V/5A-10V/5A CONVERTERPAC R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10V_5A-10V_5AVicorModular Power Supplies GD10V5A10V5A pac R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31695.86 грн
5+31036.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Pulsed collector current: 2.4kA
Collector current: 1.2kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C3 130mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Pulsed collector current: 2.4kA
Collector current: 1.2kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C3 130mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24513.41 грн
5+24023.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1200SGX170C3SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1250-1Comet America, LPDescription: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Connector
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5093.18 грн
10+4368.11 грн
20+3984.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1250-1/0Comet America, LPDescription: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Exposed Lead Wires
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4456.53 грн
10+3831.68 грн
20+3678.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD12V_4A2AT-0V_0AVicorModular Power Supplies GD12V4.2AT0V0A Ro
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD12V_4A2AT-0V_0AVicor CorporationDescription: GD12V/4.2AT-0V/0A DUALPAC ROHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD12V_8A3A-000001VicorModular Power Supplies GD12V8.3A28V3.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD12V_8A3ATV2-001VicorModular Power Supplies GD12V8.3A24V4.2ATV1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1400HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46344.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Pulsed collector current: 2.8kA
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: P2.0
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Pulsed collector current: 2.8kA
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: P2.0
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD14LS00GS00+ DIP-14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7307.89 грн
5+6981.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11511.06 грн
5+10962.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3915.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7269.93 грн
5+7134.58 грн
10+6801.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD150HFX170C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD150HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3891.21 грн
5+3634.55 грн
10+3377.89 грн
50+3074.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4440.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S
Код товару: 204060
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6126.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C8 48mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C8 48mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5543.43 грн
5+5266.96 грн
10+4879.90 грн
50+4458.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10555.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5720.04 грн
5+5434.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150NU-212DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 10.5 ~ 19.5VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 150 VA
Power - Output Surge: 210 VA
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23616.45 грн
10+19073.93 грн
100+16432.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150NU-224DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 21 ~ 39VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 150 VA
Power - Output Surge: 210 VA
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23616.45 грн
10+19073.93 грн
100+16432.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150NU-248DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 42 ~ 78VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 150 VA
Power - Output Surge: 210 VA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23616.45 грн
10+19073.93 грн
100+16432.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150P1200module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: C6 62mm
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: C6 62mm
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150R1200CDH4-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150UR
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530331ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: -20%, +80%
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 330 pF
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+289.11 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530471MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 470 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530471ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 470 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORGD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1369.64 грн
2+915.00 грн
4+864.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.09 грн
10+710.47 грн
25+682.16 грн
100+601.66 грн
250+577.10 грн
500+559.83 грн
1000+533.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2378.47 грн
5+2316.57 грн
10+2200.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.45 V, 112 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2051.66 грн
5+1946.85 грн
10+1844.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2584.79 грн
5+2456.05 грн
10+2329.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 141 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3127.83 грн
5+2340.51 грн
10+2179.58 грн
20+1922.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2739.12 грн
5+2602.95 грн
10+2468.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 142 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3013.94 грн
5+2936.36 грн
10+2788.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2279.76 грн
2+2078.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 173W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2296.77 грн
5+2237.35 грн
10+2125.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1899.80 грн
2+1668.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15V_5A-15V_5AVicorModular Power Supplies GD15V5A15V5A PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15V_6A7A-000001VicorModular Power Supplies GD15V6.7A15V6.7A p
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32795.97 грн
5+32113.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD16043A-40ABGIGA01+ QFP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16043A-40ABGIGA01+
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16054AGIGA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16054A-40ABGIGA01+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16054A-40ABGIGA01+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16065INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16065GIGAPLCC 06+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16066GIGA01+ TO3P
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16131-GLPGIGA02+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16131-GLPGIGAQFP 02+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16132-GLPGIGA01+ QFP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16132-GLPGIGA01+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16192PLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16192-A01INTELPLCC28
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16333GIGA0013
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16333GIGAQFP-100
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16334GIGAQFP-100
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16334GIGA0015+
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16361AGIGAO1
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16361A-28BAGIGASSOP28 01+
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16361A-28BAGIGA01+ SSOP28
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16362A-28BAGIGA0027+ SSOP28
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16362A-28BAGIGASSOP28 0027+
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16367BGIGA
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16368BGIGA
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16519GIGAQFP-100
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523INTELQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523GIGA01+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523GIGATQFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523GIGA
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523-100BAGIGAQFP 0607+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523-100BAGIGA04+ QFP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524INTELQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524GIGQ07+ QFP-108
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524GIGAO109
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524GIGATQFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524-100BAGIGAQFP 0601+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524-100BAGIGA0601+ QFP
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16544-68AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16553GIGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556GIGA
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556GIGAQFP-100
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556/ECLGIGAQFP-100
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556A100BAECL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16557GIGAQFP-100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16557GIGA
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16561GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16571GDGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16571GIGAQFP-32
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16573
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16575AQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16584-132EAGIGA01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16584-EBG1AMCCBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16584132EAGIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16585GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16588-FBBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16589GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16590GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16590-48BAGIGA08+ BGA
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16591A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16591AQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16591AQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16591A-48BAGIGA0321+ QFP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16592A
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16952A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16952A08+ BGA
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD18-S/115Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 472.441" (0m ~ 12m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN - Light-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18-S/159Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 472.441" (0m ~ 12m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN - Dark-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18/115Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 787.402" (0m ~ 20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: PNP - Dark-ON/Light-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18/159Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 787.402" (0m ~ 20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN - Dark-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18/GV18/73/120PEPPERL+FUCHSGD18/GV18/73/120 Standard Photoelectric Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1826BurndyCable Accessories Grounding Connector Copper Alloy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V5V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18.5V5.4A12V8.3Ae
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V5V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18.5V 12V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V 12V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18V5.4A12V8.3A p
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00002Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00002VicorModular Power Supplies GD18V5.4A18V5.4A p
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD190UB
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD1926BurndyCable Accessories Grounding Connector Copper Alloy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 1 CH GUARD DOG, LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 10.81
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12032.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.