Продукція > NVH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVH040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 65A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH040N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH040N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1094.55 грн
30+651.39 грн
120+564.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH050N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+880.19 грн
10+526.07 грн
120+430.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.22 грн
30+493.20 грн
120+422.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH082N65S3FonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.87 грн
30+345.54 грн
120+292.45 грн
510+248.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH18NEC09+
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH18NEWSOP18 06+
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP2SApemJoysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10320.12 грн
5+9435.42 грн
10+8146.68 грн
20+7513.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10711.20 грн
5+9384.74 грн
20+8490.65 грн
40+7926.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP7SApemJoysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11509.26 грн
5+9666.85 грн
20+8589.73 грн
40+7597.41 грн
60+7338.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP2SAPEM ComponentsNVH1D1C1CP2S
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16169.91 грн
3+15996.14 грн
5+14644.07 грн
10+13815.12 грн
20+11701.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP2SApemJoysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10002.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C0CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L015N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2541.00 грн
10+1926.81 грн
120+1653.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2444.11 грн
30+1712.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L018N075SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2489.42 грн
30+1788.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2063.07 грн
10+1796.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N090SC1onsemiDescription: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1952.52 грн
10+1452.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2801.27 грн
30+2260.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3256.30 грн
5+2944.85 грн
10+2632.60 грн
50+2395.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2753.68 грн
10+2485.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 246803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2789.75 грн
30+1839.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3660.95 грн
10+3348.76 грн
25+2850.52 грн
50+2812.28 грн
100+2671.63 грн
450+2570.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1318.29 грн
10+928.86 грн
120+721.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L023N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1348.56 грн
5+1224.30 грн
10+1113.58 грн
50+981.52 грн
100+859.59 грн
250+835.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.40 грн
10+858.07 грн
450+671.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1823.48 грн
10+1283.23 грн
450+1087.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1658.42 грн
10+1344.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 27MOHM T
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1439.37 грн
10+979.11 грн
100+807.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1361.85 грн
30+827.75 грн
120+751.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.94 грн
30+1061.68 грн
120+1000.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1554.87 грн
10+1208.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1100.04 грн
5+933.56 грн
10+767.08 грн
50+642.02 грн
100+496.37 грн
250+485.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.61 грн
30+557.38 грн
120+479.36 грн
510+439.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.04 грн
10+740.42 грн
120+556.45 грн
510+527.09 грн
1020+492.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1303.96 грн
10+880.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.54 грн
30+790.84 грн
120+712.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1461.70 грн
30+1010.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.74 грн
5+1029.94 грн
10+1029.14 грн
50+954.89 грн
100+880.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1282.45 грн
10+1136.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.12 грн
5+613.34 грн
10+560.77 грн
50+494.09 грн
100+430.82 грн
250+406.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 40MOHM T
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1038.70 грн
10+628.14 грн
100+538.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.00 грн
30+588.82 грн
120+507.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1258.92 грн
30+981.50 грн
120+923.77 грн
510+785.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1294.40 грн
10+849.56 грн
120+705.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.48 грн
30+479.96 грн
120+410.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 50MOHM T
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+860.28 грн
10+511.93 грн
100+416.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3FON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.97 грн
10+654.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 152A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 88W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.84 грн
30+537.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N090SC1onsemiDescription: -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.33 грн
30+728.51 грн
120+666.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1319.89 грн
10+1148.71 грн
25+915.58 грн
50+914.21 грн
100+861.64 грн
250+835.01 грн
450+759.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+995.69 грн
10+679.17 грн
120+589.90 грн
510+583.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.72 грн
30+642.27 грн
120+555.02 грн
510+520.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3S-IEonsemiSiC MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.49 грн
10+623.38 грн
450+454.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.20 грн
10+671.32 грн
120+486.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.96 грн
10+617.15 грн
120+475.88 грн
510+406.92 грн
1020+352.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+766.28 грн
5+663.53 грн
10+560.77 грн
50+516.28 грн
100+472.47 грн
250+468.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.46 грн
30+628.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.04 грн
10+514.29 грн
120+424.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIV
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.98 грн
10+293.65 грн
100+214.39 грн
450+212.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L110N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.66 грн
30+275.28 грн
120+231.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L110N65S3FONN
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 377mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.33 грн
10+508.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.36 грн
34+490.09 грн
102+433.67 грн
510+385.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.56 грн
5+511.39 грн
10+505.01 грн
50+462.28 грн
100+418.53 грн
250+411.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH640S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+43245.59 грн
12+39669.27 грн
52+34494.33 грн
100+34493.65 грн
252+34492.28 грн
500+34491.60 грн
1000+34490.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH640S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42335.13 грн
12+40387.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH660S75L4SPFBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44341.64 грн
12+42302.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH660S75L4SPFConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44341.64 грн
12+42302.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPBonsemiIGBT Modules 750V, 820A SSD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+37288.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPConsemiPower Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43135.15 грн
12+40288.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPMonsemiIGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+45048.98 грн
12+42977.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPBonsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+55144.48 грн
12+54241.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+55736.32 грн
12+54939.30 грн
100+47651.09 грн
252+47613.54 грн
500+47421.68 грн
1000+47166.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1325 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2395.71 грн
10+1711.56 грн
450+1694.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2490.82 грн
10+1854.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2589.36 грн
100+2460.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2034.39 грн
10+1765.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 77850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1984.61 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W
Kind of package: tube
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...19V
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 251W
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Drain-source voltage: 900V
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1925.64 грн
30+1427.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2589.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3258.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3040.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3246.01 грн
30+2218.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5157.15 грн
5+5122.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3484.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2916.18 грн
10+2679.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.90 грн
10+689.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1071.36 грн
10+745.91 грн
120+553.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1916.50 грн
10+1380.33 грн
120+1161.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1814.26 грн
10+1275.83 грн
450+1080.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1501.28 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.70 грн
30+857.43 грн
120+780.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1250.59 грн
10+952.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1069.94 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1151.58 грн
120+1140.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1417.86 грн
10+911.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1074.81 грн
120+1064.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0274 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.94 грн
5+997.28 грн
10+781.42 грн
50+724.86 грн
100+668.42 грн
250+667.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.88 грн
30+814.53 грн
120+737.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1364.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1837.64 грн
5+1734.89 грн
10+1632.13 грн
50+1452.68 грн
100+1282.22 грн
250+1224.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1669.86 грн
30+1033.03 грн
120+972.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2582.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1
Код товару: 190306
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2767.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.49 грн
10+1094.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1461.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 40MOHM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.89 грн
10+522.14 грн
100+356.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.54 грн
10+488.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 40MOHM TO-
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.67 грн
10+513.50 грн
100+417.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.02 грн
30+481.22 грн
120+411.89 грн
510+369.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.58 грн
30+604.50 грн
120+521.46 грн
510+485.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1064.19 грн
10+643.84 грн
100+555.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIV
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.13 грн
10+562.97 грн
100+466.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.75 грн
30+527.84 грн
120+453.25 грн
510+412.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1223.59 грн
10+1083.22 грн
25+1038.33 грн
100+858.57 грн
450+763.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1192.44 грн
10+825.22 грн
120+685.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3FONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 50MOHM T
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.46 грн
10+513.50 грн
100+417.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.78 грн
30+481.76 грн
120+412.37 грн
510+370.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFonsemiMOSFETs Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.69 грн
10+323.49 грн
100+236.92 грн
450+232.14 грн
900+217.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+460.09 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.51 грн
30+303.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.33 грн
10+294.72 грн
100+288.35 грн
500+261.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.60 грн
10+387.06 грн
450+252.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 159A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85.2nC
On-state resistance: 55mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 278W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.58 грн
10+741.99 грн
120+549.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.88 грн
10+695.72 грн
450+518.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.58 грн
75+694.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1250.59 грн
10+775.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 65mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.44 грн
10+365.11 грн
120+286.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.63 грн
30+352.00 грн
120+298.01 грн
510+253.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1097.65 грн
10+764.76 грн
120+570.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1063.06 грн
10+723.60 грн
450+543.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1804.99 грн
5+1651.25 грн
10+1496.72 грн
50+1346.17 грн
100+1202.34 грн
250+1032.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.66 грн
30+333.09 грн
120+281.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.07 грн
10+307.79 грн
100+246.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.87 грн
10+548.84 грн
120+467.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.68 грн
5+875.41 грн
10+844.34 грн
50+541.43 грн
100+479.98 грн
250+459.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.30 грн
30+522.94 грн
120+449.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+790.88 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1
Код товару: 178409
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 134411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+955.52 грн
10+652.60 грн
450+619.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+938.12 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+918.42 грн
10+707.44 грн
120+538.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.37 грн
5+833.19 грн
10+735.22 грн
50+648.68 грн
100+555.77 грн
250+512.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AON Semiconductor
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.94 грн
5+982.15 грн
10+981.35 грн
50+662.73 грн
100+611.07 грн
250+572.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.16 грн
30+602.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.66 грн
10+433.29 грн
450+289.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FON Semiconductor
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET82MOHM TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.80 грн
10+402.79 грн
120+281.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3627 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.51 грн
30+336.37 грн
120+284.42 грн
510+240.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.14 грн
10+320.35 грн
120+268.32 грн
510+262.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in TO-247
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.62 грн
10+298.37 грн
120+238.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.74 грн
30+303.14 грн
120+255.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.59 грн
30+305.43 грн
120+257.30 грн
510+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 95mohm, 36A FRFET fast recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.17 грн
10+405.93 грн
25+327.72 грн
100+293.59 грн
250+262.18 грн
450+256.72 грн
900+228.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.53 грн
10+254.90 грн
100+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FON Semiconductor
на замовлення 43848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.78 грн
30+259.03 грн
120+216.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110M
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.69 грн
10+276.38 грн
100+197.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2753 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.41 грн
30+281.73 грн
120+236.67 грн
510+193.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.10 грн
30+477.37 грн
120+408.70 грн
510+367.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.55 грн
10+516.64 грн
120+421.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 337mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+655.56 грн
5+575.11 грн
10+496.25 грн
50+460.07 грн
100+423.99 грн
250+423.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.