Продукція > NVH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVH040N65S3FONSEMINVH040N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH040N65S3FON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, 650 V, 65 A, 40 m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH040N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.25 грн
30+630.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH040N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.77 грн
30+533.93 грн
120+457.39 грн
510+424.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH050N65S3FonsemiMOSFET SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH082N65S3FonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.17 грн
30+390.37 грн
120+330.41 грн
510+289.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH18NEWSOP18 06+
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH18NEC09+
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14094.58 грн
5+11838.04 грн
20+10518.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP2SApemJoysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12612.65 грн
5+12271.72 грн
10+10207.59 грн
20+9279.89 грн
60+8690.61 грн
100+8689.14 грн
260+8687.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C0CP7SApemJoysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP2SApemJoysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14486.31 грн
5+13012.00 грн
10+10653.41 грн
20+10651.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP2SAPEM ComponentsNVH1D1C1CP2S
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15251.17 грн
3+15087.27 грн
5+13812.02 грн
10+13030.17 грн
20+11036.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16378.56 грн
5+13755.56 грн
20+12222.32 грн
40+10810.06 грн
60+10441.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH1D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C0CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH2D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2719.08 грн
10+2059.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2722.46 грн
10+1853.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L015N065SC1ONSEMINVH4L015N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A Automotive Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L018N075SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2579.22 грн
30+1852.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L018N075SC1ONSEMINVH4L018N075SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L018N075SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 140A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4394.47 грн
10+4042.35 грн
30+3367.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N090SC1onsemiDescription: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4178.80 грн
10+3754.05 грн
100+3259.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1ONSEMINVH4L020N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 20 m?, TO247?4L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3769.63 грн
10+3654.87 грн
30+2571.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3647.20 грн
30+2501.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3718.73 грн
5+3585.86 грн
10+3452.16 грн
50+2587.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SONSEMINVH4L022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1385.29 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3944.73 грн
10+3608.34 грн
25+3071.47 грн
50+3030.27 грн
100+2878.72 грн
450+2769.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3769.75 грн
10+3410.12 грн
30+3300.07 грн
120+2869.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L023N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1397.21 грн
5+1268.46 грн
10+1153.75 грн
50+1016.93 грн
100+890.60 грн
250+865.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1ONSEMINVH4L025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1ON SemiconductorSingle N-Channel MOSFET SiC Power Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1758.65 грн
10+1456.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1689.50 грн
10+1280.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1234.30 грн
30+850.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1991.25 грн
10+1840.97 грн
30+1415.45 грн
60+1391.17 грн
120+1327.17 грн
270+1277.88 грн
510+1138.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1613.11 грн
30+1107.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3SONSEMINVH4L030N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1139.72 грн
5+967.23 грн
10+794.75 грн
50+665.18 грн
100+514.27 грн
250+502.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1577.55 грн
10+1453.49 грн
30+1095.43 грн
60+1094.69 грн
120+1030.69 грн
270+1013.03 грн
510+932.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.41 грн
30+973.86 грн
120+957.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3SONSEMINVH4L040N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.92 грн
5+1067.09 грн
10+1066.27 грн
50+989.34 грн
100+912.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ONSEMINVH4L040N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1441.94 грн
10+1418.80 грн
30+1176.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1466.68 грн
30+1206.52 грн
120+1143.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FONSEMINVH4L040N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.94 грн
5+650.32 грн
10+610.71 грн
50+529.54 грн
100+454.85 грн
250+420.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.76 грн
10+945.87 грн
30+574.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.51 грн
30+559.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.33 грн
30+1016.90 грн
120+957.09 грн
510+813.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1ON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1422.20 грн
10+1309.66 грн
25+987.28 грн
50+986.55 грн
100+928.43 грн
250+912.98 грн
450+826.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 50mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.67 грн
10+876.49 грн
30+489.96 грн
120+450.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.05 грн
30+515.51 грн
120+444.71 грн
510+411.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L050N65S3FON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1109.78 грн
30+1093.08 грн
120+778.35 грн
270+615.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.95 грн
30+599.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1ONSEMINVH4L060N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET, N Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1422.20 грн
10+1237.75 грн
25+986.55 грн
50+985.08 грн
100+928.43 грн
250+899.74 грн
450+818.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N090SC1onsemiDescription: -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2244.18 грн
10+1920.51 грн
100+1679.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N090SC1ON SemiconductorAutomotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1176.72 грн
10+1021.16 грн
30+864.43 грн
60+815.87 грн
120+768.05 грн
270+744.51 грн
510+695.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1223.16 грн
30+792.98 грн
120+767.20 грн
510+628.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO247-4L
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1008.50 грн
10+725.05 грн
30+629.74 грн
270+607.67 грн
510+605.47 грн
1020+526.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.33 грн
10+702.42 грн
450+577.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.93 грн
5+604.11 грн
10+603.28 грн
50+559.42 грн
100+515.68 грн
250+514.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1ONSEMINVH4L080N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.21 грн
10+785.97 грн
30+669.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.64 грн
30+650.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 70 mohm, 650V, M2, TO247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 95 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.58 грн
10+788.50 грн
25+594.43 грн
100+559.85 грн
250+550.29 грн
450+506.15 грн
900+464.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L110N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.33 грн
30+232.15 грн
120+227.84 грн
510+209.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 110mohm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.22 грн
30+291.04 грн
120+231.74 грн
510+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1ONSEMINVH4L160N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.05 грн
10+653.14 грн
30+478.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.99 грн
34+481.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.72 грн
5+486.92 грн
10+467.11 грн
50+422.25 грн
100+379.16 грн
250+368.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH640S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46597.72 грн
12+42744.18 грн
52+37168.12 грн
100+37167.38 грн
252+37165.91 грн
500+37165.17 грн
1000+37164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH640S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+45616.69 грн
12+43518.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH660S75L4SPFBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47778.73 грн
12+45581.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH660S75L4SPFConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47778.73 грн
12+45581.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPBonsemiIGBT Modules 750V, 820A SSD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+48526.31 грн
12+46309.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPBON SemiconductorAutomotive 750 V, 820 A IGBT Module Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44691.08 грн
12+41741.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPConsemiPower Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive IGBT Module Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH820S75L4SPMonsemiIGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+48540.90 грн
12+46309.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+59418.94 грн
12+58445.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPBonsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1325 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH950S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+60056.65 грн
12+59197.85 грн
100+51344.71 грн
252+51304.24 грн
500+51097.52 грн
1000+50822.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2669.15 грн
10+1906.87 грн
450+1698.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2903.61 грн
10+2008.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1ON SemiconductorNVHL015N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1ONSEMINVHL015N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 136A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+2583.56 грн
25+2531.71 грн
100+2429.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ONSEMINVHL020N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2395.39 грн
30+1681.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+2583.56 грн
25+2531.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2053.90 грн
30+1911.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3658.02 грн
5+3546.48 грн
10+3327.38 грн
20+3006.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2548.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2663.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2944.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ONSEMINVHL020N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2868.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 25mohm, 650V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 19mohm, 99A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1794.70 грн
10+1446.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1680.75 грн
10+1271.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ON SemiconductorPower MOSFET, Automotive N-Channel, SUPERFET III, Easy-drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.20 грн
30+913.50 грн
120+871.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1419.62 грн
10+1338.43 грн
30+896.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3ONSEMINVHL025N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.84 грн
30+1139.54 грн
120+1057.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1325.21 грн
10+1219.98 грн
30+857.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0215 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1314.68 грн
5+1223.07 грн
10+1131.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FONSEMINVHL027N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ONSEMINVHL040N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1286.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.02 грн
5+1277.54 грн
10+1274.24 грн
50+1164.83 грн
100+1057.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1
Код товару: 190306
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2436.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1606.74 грн
30+1357.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2262.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?3L
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1362.11 грн
10+1335.04 грн
30+1132.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.22 грн
10+529.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 59 A, 40 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, 57A, 40mohm, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3onsemiMOSFETs MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III,Automotive, Easy-Drive 650 V, 65 A, 40 mohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+957.00 грн
10+940.79 грн
30+501.74 грн
120+452.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.08 грн
30+520.93 грн
120+445.90 грн
510+412.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FONSEMINVHL040N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.32 грн
30+654.40 грн
120+577.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247 TO-247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1229.08 грн
10+1193.75 грн
30+646.66 грн
120+592.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.13 грн
30+571.43 грн
120+491.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247 fast recovery
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1073.73 грн
10+1015.24 грн
30+565.00 грн
120+504.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HFON SemiconductorNVHL040N65S3HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HFONSEMINVHL040N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1267.72 грн
10+1122.30 грн
25+1075.78 грн
100+889.53 грн
450+791.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO247-3L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1382.71 грн
10+1224.21 грн
25+1028.48 грн
50+997.58 грн
100+910.77 грн
250+818.08 грн
450+817.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.43 грн
30+440.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3FonsemiMOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFETm 650V, 50 mohm, 58A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.88 грн
30+520.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFONSEMINVHL050N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+433.95 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.99 грн
5+747.71 грн
10+619.79 грн
50+515.74 грн
100+439.29 грн
250+410.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.02 грн
30+393.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL050N65S3HFonsemiMOSFETs Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.57 грн
30+465.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.87 грн
10+416.81 грн
100+307.98 грн
500+260.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL055N60S5FONSEMINVHL055N60S5F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.78 грн
10+776.53 грн
450+594.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60mohm, 650 V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 44mohm, 47A
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1190.46 грн
10+770.74 грн
30+669.47 грн
60+595.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.92 грн
75+717.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ON SemiconductorSiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.14 грн
50+822.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1ONSEMINVHL060N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.05 грн
30+335.81 грн
120+291.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FON SemiconductorNVHL065N65S3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 65mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+690.93 грн
10+670.06 грн
30+357.54 грн
120+309.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FONSEMINVHL065N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1870.09 грн
5+1710.81 грн
10+1550.71 грн
50+1394.73 грн
100+1245.71 грн
250+1069.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.20 грн
10+1100.53 грн
450+895.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1944.04 грн
10+1703.07 грн
30+1382.35 грн
60+1338.94 грн
120+1295.54 грн
270+1208.73 грн
510+1112.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.64 грн
30+422.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3onsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 44 A, 72 mohm, TO-247
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.46 грн
30+337.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ONSEMINVHL072N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.29 грн
30+520.24 грн
120+500.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 57mohm, 38A
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.60 грн
30+615.91 грн
120+504.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.35 грн
5+906.99 грн
10+874.80 грн
50+560.96 грн
100+497.29 грн
250+476.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+745.94 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+884.82 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 134411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.99 грн
10+676.14 грн
450+641.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.56 грн
10+720.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.32 грн
5+820.33 грн
10+715.52 грн
50+596.98 грн
100+539.74 грн
250+529.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1
Код товару: 178409
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.98 грн
30+623.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AONSEMINVHL080N120SC1A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+959.81 грн
5+899.56 грн
10+834.36 грн
50+675.14 грн
100+601.28 грн
250+588.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL080N120SC1AON Semiconductor
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FONSEMINVHL082N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.28 грн
10+434.05 грн
450+326.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, TO-247
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.64 грн
10+483.93 грн
30+384.76 грн
120+382.55 грн
270+335.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3FON Semiconductor
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFONSEMINVHL082N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3627 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.82 грн
30+312.89 грн
120+305.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL082N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, TO-247 fast recovery
на замовлення 450 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
1+626.56 грн
10+529.62 грн
25+417.13 грн
100+383.29 грн
250+360.48 грн
450+337.68 грн
900+304.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in TO-247
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.24 грн
30+296.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.36 грн
30+280.91 грн
120+260.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL095N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 95mohm, 36A FRFET fast recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.54 грн
10+437.40 грн
25+353.13 грн
100+316.34 грн
250+282.50 грн
450+276.62 грн
900+245.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL1000N170M1ONSEMINVHL1000N170M1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.07 грн
10+269.04 грн
100+231.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.32 грн
30+207.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FON Semiconductor
на замовлення 43848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 30 A, 110 mohm, TO-247
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.75 грн
10+274.12 грн
30+213.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3FONSEMINVHL110N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 30 A, 110 mohm, TO-247 fast recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFONSEMINVHL110N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2753 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.52 грн
30+305.00 грн
120+256.21 грн
510+215.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 160 m?, TO247?3L
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.48 грн
10+556.69 грн
30+455.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.75 грн
30+457.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+533.13 грн
5+531.48 грн
10+529.83 грн
50+412.29 грн
100+372.79 грн
250+365.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1ONSEMINVHL160N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.