Продукція > NVH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH040N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1002.39 грн
30+	646.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH040N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH040N65S3F

Single N Channel Power MOSFET, 650 V, 65 A, 40 m

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH050N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	924.03 грн
30+	538.15 грн
120+	461.00 грн
510+	415.43 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH050N65S3F

MOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFET, FRFET650V, 50 mohm, 58A

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	972.81 грн
10+	581.42 грн
120+	433.14 грн
510+	432.39 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH082N65S3F

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	656.29 грн
30+	372.06 грн
120+	314.90 грн
510+	267.48 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH082N65S3F

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH18

NEW

SOP18 06+

на замовлення 729 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVH18

NEC

09+

на замовлення 747 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C0CP2S

APEM Inc.

Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14457.12 грн
5+	12142.53 грн
20+	10789.39 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C0CP2S

Joysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	12937.07 грн
5+	12587.37 грн
10+	10470.14 грн
20+	9518.58 грн
60+	8914.14 грн
100+	8912.64 грн
260+	8911.13 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C0CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C0CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C0CP7S

Joysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C1CP2S

APEM Inc.

Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16012.95 грн
5+	13448.47 грн
20+	11949.52 грн
40+	10568.81 грн
60+	10208.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C1CP2S

APEM Components

NVH1D1C1CP2S

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	15287.92 грн
3+	15123.62 грн
5+	13845.30 грн
10+	13061.57 грн
20+	11063.42 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C1CP2S

Joysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14858.92 грн
5+	13346.69 грн
10+	10927.43 грн
20+	10925.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C1CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C1CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH1D1C1CP7S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH2D1C0CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH2D1C0CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH2D1C0CP7S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH2D1C1CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH2D1C1CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH2D1C1CP7S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A Automotive Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L015N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2792.49 грн
10+	1901.68 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L015N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2789.02 грн
10+	2112.21 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L015N065SC1

NVH4L015N065SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L018N075SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2645.56 грн
30+	1900.29 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L018N075SC1

NVH4L018N075SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L018N075SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 750V 140A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N090SC1

MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4507.51 грн
10+	4146.33 грн
30+	3454.58 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N090SC1

Description: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2484.75 грн
10+	1773.01 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71.4A; Idm: 408A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71.4A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4015.85 грн
5+	3965.06 грн
10+	3913.42 грн
50+	2654.48 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3741.01 грн
30+	2565.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L020N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3545.26 грн
10+	2747.44 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	1420.92 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NVH4L022N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4046.19 грн
10+	3701.15 грн
25+	3150.47 грн
50+	3108.22 грн
100+	2952.77 грн
450+	2841.09 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L022N120M3S

NVH4L022N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L022N120M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3866.71 грн
10+	3497.83 грн
30+	3384.95 грн
120+	2943.70 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1525.68 грн
10+	1325.99 грн
30+	1152.28 грн
120+	996.08 грн
270+	965.14 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L023N065M3S

Description: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1433.14 грн
5+	1301.09 грн
10+	1183.42 грн
50+	1043.08 грн
100+	913.51 грн
250+	888.11 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L025N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L025N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L025N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1732.96 грн
10+	1313.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L025N065SC1

Single N-Channel MOSFET SiC Power Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L025N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1876.07 грн
10+	1534.26 грн
120+	1291.88 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L027N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1473.38 грн
30+	895.52 грн
120+	812.65 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L027N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1590.83 грн
10+	989.29 грн
120+	811.95 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1577.05 грн
30+	1082.33 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L030N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1713.20 грн
10+	1641.87 грн
30+	1106.25 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L030N120M3S

NVH4L030N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L032N065M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1025.25 грн
30+	665.36 грн
120+	625.70 грн
510+	575.21 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L032N065M3S

Description: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1169.03 грн
5+	992.11 грн
10+	815.19 грн
50+	682.29 грн
100+	527.50 грн
250+	515.89 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L032N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1045.88 грн
10+	904.24 грн
120+	679.90 грн
270+	658.02 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L032N065M3S

SiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120M3S

NVH4L040N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1412.98 грн
30+	878.90 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1095.39 грн
5+	1094.54 грн
10+	1093.69 грн
50+	1014.79 грн
100+	936.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 158171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1428.49 грн
30+	1154.34 грн
120+	1092.77 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1537.13 грн
10+	1275.66 грн
120+	1091.91 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

NVH4L040N120SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	913.42 грн
30+	573.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N65S3F

Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	936.72 грн
10+	613.53 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N65S3F

NVH4L040N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N65S3F

Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	706.84 грн
5+	651.81 грн
10+	595.94 грн
50+	525.08 грн
100+	457.84 грн
250+	431.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVH4L040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L045N065SC1

SiC MOS TO247-4L 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L045N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1337.88 грн
30+	1043.06 грн
120+	981.71 грн
510+	834.92 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1458.78 грн
10+	1343.35 грн
25+	1012.68 грн
50+	1011.92 грн
100+	952.31 грн
250+	936.46 грн
450+	847.42 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L050N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	857.91 грн
30+	510.35 грн
120+	443.40 грн
510+	402.12 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L050N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 50mohm

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	900.62 грн
30+	546.71 грн
120+	460.31 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L050N65S3F

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1111.03 грн
10+	876.47 грн
120+	618.78 грн
510+	615.76 грн
1020+	613.49 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 152A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N065SC1

Silicon Carbide MOSFET, N Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1023.61 грн
30+	614.85 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N090SC1

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N090SC1

Description: -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1194.22 грн
30+	752.53 грн
120+	709.27 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L060N090SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1458.78 грн
10+	1269.58 грн
25+	1011.92 грн
50+	1010.42 грн
100+	952.31 грн
250+	922.88 грн
450+	839.87 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1254.62 грн
30+	813.37 грн
120+	786.94 грн
510+	644.97 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1206.99 грн
10+	1047.43 грн
30+	886.66 грн
60+	836.86 грн
120+	787.81 грн
270+	763.66 грн
510+	713.86 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L075N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L075N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1016.27 грн
10+	686.77 грн
450+	564.36 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L075N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1072.29 грн
10+	741.97 грн
120+	537.28 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L080N120SC1

на замовлення 285 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVH4L080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 51642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	888.93 грн
30+	667.62 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	900.62 грн
10+	883.42 грн
30+	686.69 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L080N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	715.30 грн
5+	714.46 грн
10+	712.76 грн
50+	585.60 грн
100+	529.67 грн
250+	518.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVH4L095N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 70 mohm, 650V, M2, TO247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 95 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	878.61 грн
10+	808.79 грн
25+	609.72 грн
100+	574.25 грн
250+	564.44 грн
450+	519.17 грн
900+	476.16 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L110N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 110mohm

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.77 грн
10+	269.88 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L110N65S3F

Description: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.47 грн
30+	245.61 грн
120+	242.67 грн
510+	216.77 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	695.49 грн
10+	669.94 грн
30+	490.49 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH4L160N120SC1

NVH4L160N120SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH4L160N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	609.49 грн
5+	607.80 грн
10+	605.26 грн
50+	452.76 грн
100+	409.23 грн
250+	401.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVH4L160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	819.54 грн
34+	493.52 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH640S75L4SPB

IGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	47796.28 грн
12+	43843.62 грн
52+	38124.14 грн
100+	38123.38 грн
252+	38121.87 грн
500+	38121.12 грн
1000+	38120.36 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH640S75L4SPC

IGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	46790.02 грн
12+	44637.66 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH660S75L4SPFB

IGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49007.67 грн
12+	46754.21 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH660S75L4SPFC

IGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49007.67 грн
12+	46754.21 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPB

IGBT Modules 750V, 820A SSD

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49774.48 грн
12+	47500.51 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPB

Automotive 750 V, 820 A IGBT Module Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPC

Description: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA

на замовлення 824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	45840.60 грн
12+	42815.24 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPC

Automotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPC

Automotive IGBT Module Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPC

Power Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH820S75L4SPM

IGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49789.44 грн
12+	47500.51 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH950S75L4SPB

Description: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH950S75L4SPB

IGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	60947.28 грн
12+	59949.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NVH950S75L4SPC

Description: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1325 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVH950S75L4SPC

IGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	61601.40 грн
12+	60720.51 грн
100+	52665.37 грн
252+	52623.86 грн
500+	52411.82 грн
1000+	52129.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL015N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

на замовлення 427 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2978.30 грн
10+	2060.15 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL015N065SC1

NVHL015N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL015N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2737.80 грн
10+	1955.92 грн
450+	1742.30 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL015N065SC1

NVHL015N065SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	2448.12 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

NVHL020N090SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1958.25 грн
30+	1557.76 грн
120+	1544.67 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	2448.12 грн
100+	2325.81 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

SiC MOSFETs 20MOHM 900V

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2111.13 грн
10+	2079.24 грн
30+	1704.65 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 136A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 77850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	1876.36 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

на замовлення 704 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2614.54 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	3294.81 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

SiC MOSFETs 20MW 1200V

на замовлення 1024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2900.83 грн
10+	2695.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 267A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 267A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3080.31 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2874.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

NVHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	4875.85 грн
5+	4843.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NVHL023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1205.23 грн
10+	919.86 грн
120+	691.22 грн
1020+	690.46 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	1419.39 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1875.19 грн
10+	1476.12 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1723.98 грн
10+	1304.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

Power MOSFET, Automotive N-Channel, SUPERFET III, Easy-drive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

MOSFETs SUPERFET3 650V

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1202.59 грн
10+	974.53 грн
120+	831.57 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

на замовлення 175 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1114.22 грн
30+	881.87 грн
120+	832.76 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

Trans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	1011.58 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

Trans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL025N65S3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

NVHL027N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Description: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0215 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1348.49 грн
5+	1254.53 грн
10+	1160.57 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

на замовлення 425 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	1088.77 грн
120+	1077.94 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	925.93 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1546.81 грн
10+	1051.77 грн
120+	876.10 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	1016.18 грн
120+	1006.07 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1433.39 грн
30+	903.56 грн
120+	900.90 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL027N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2442.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2616.43 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1388.35 грн
10+	1329.46 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1382.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1283.19 грн
30+	1052.44 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1
Код товару: 190306

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

на замовлення 290 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1289.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1237.60 грн
5+	1236.75 грн
10+	1235.91 грн
50+	1142.91 грн
100+	1033.95 грн
250+	1014.36 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	770.57 грн
10+	513.60 грн
450+	353.06 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N60S5F

MOSFETs SUPERFET5 FRFET 40MOHM TO-247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3

MOSFETs SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	940.24 грн
10+	559.73 грн
120+	461.06 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3

Description: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	919.13 грн
30+	534.33 грн
120+	457.37 грн
510+	423.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1098.70 грн
10+	704.65 грн
120+	605.95 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1106.06 грн
30+	671.23 грн
120+	591.93 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

NVHL040N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

Description: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3HF

NVHL040N65S3HF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3HF

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOHM TO-247-3

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	992.18 грн
10+	616.13 грн
120+	515.39 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	986.88 грн
30+	586.13 грн
120+	503.70 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL040N65S3HF

NVHL040N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO247-3L

на замовлення 429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1418.28 грн
10+	1255.70 грн
25+	1054.94 грн
50+	1023.24 грн
100+	934.20 грн
250+	839.12 грн
450+	838.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL045N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1300.33 грн
10+	1151.17 грн
25+	1103.45 грн
100+	912.41 грн
450+	811.66 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3F

MOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFETm 650V, 50 mohm, 58A

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	738.63 грн
10+	532.83 грн
120+	461.82 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3F

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	699.55 грн
30+	438.46 грн
120+	430.40 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

NVHL050N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

MOSFETs Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.43 грн
10+	400.05 грн
120+	317.69 грн
510+	218.84 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.34 грн
30+	345.76 грн
120+	223.58 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	434.99 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL050N65S3HF

Description: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	876.99 грн
5+	766.94 грн
10+	635.73 грн
50+	529.01 грн
100+	450.59 грн
250+	420.84 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL055N60S5F

MOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM TO-247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL055N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	635.88 грн
10+	418.73 грн
450+	272.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL055N60S5F

Power MOSFET, N-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL055N60S5F

NVHL055N60S5F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1178.82 грн
10+	820.07 грн
120+	607.46 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1172.18 грн
10+	796.50 грн
450+	609.70 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

SiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

SiC MOSFETs 60MOHM

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	980.73 грн
50+	843.50 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 59783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	966.47 грн
75+	678.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

на замовлення 292 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	642.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVHL060N090SC1

NVHL060N090SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL065N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL065N65S3F

NVHL065N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL065N65S3F

NVHL065N65S3F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL065N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.58 грн
10+	694.24 грн
30+	367.49 грн
120+	311.65 грн
270+	310.90 грн
510+	301.09 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL065N65S3F

Description: SUPERFET3 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V

на замовлення 1298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.48 грн
30+	344.45 грн
120+	298.95 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL070N120M3S

Description: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1918.20 грн
5+	1754.82 грн
10+	1590.60 грн
50+	1430.60 грн
100+	1277.75 грн
250+	1097.08 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL070N120M3S

Silicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1994.04 грн
10+	1746.87 грн
30+	1417.90 грн
60+	1373.38 грн
120+	1328.86 грн
270+	1239.82 грн
510+	1140.96 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL070N120M3S

Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1246.46 грн
10+	1128.84 грн
450+	918.22 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL070N120M3S

Silicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.27 грн
30+	328.03 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.77 грн
30+	288.66 грн
120+	283.17 грн
510+	255.83 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

на замовлення 730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

NVHL072N65S3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL075N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL075N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	747.74 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NVHL075N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

на замовлення 381 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	883.01 грн
10+	593.57 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL075N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL075N065SC1

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	836.69 грн
30+	508.62 грн
120+	488.99 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL075N065SC1

Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	962.48 грн
5+	930.32 грн
10+	897.30 грн
50+	575.39 грн
100+	510.08 грн
250+	488.32 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1
Код товару: 178409

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	971.93 грн
10+	739.36 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 134411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1015.45 грн
10+	693.53 грн
450+	658.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1

на замовлення 116 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1036.13 грн
5+	898.15 грн
10+	760.17 грн
50+	631.20 грн
100+	581.92 грн
250+	580.47 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	886.95 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

NVHL080N120SC1A THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1055.45 грн
30+	639.82 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL080N120SC1A

Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1044.60 грн
5+	1043.75 грн
10+	1042.90 грн
50+	704.30 грн
100+	649.40 грн
250+	608.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3F

на замовлення 323 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET82MOHM TO247

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	680.53 грн
10+	479.89 грн
30+	395.41 грн
120+	384.85 грн
270+	326.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	614.66 грн
10+	423.05 грн
450+	312.18 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3F

NVHL082N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3HF

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.03 грн
10+	590.97 грн
30+	295.81 грн
120+	289.77 грн
510+	288.26 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3627 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	572.21 грн
30+	298.33 грн
120+	292.12 грн
510+	258.89 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3HF

NVHL082N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL082N65S3HF

N-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL095N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.74 грн
10+	492.04 грн
30+	258.83 грн
120+	251.28 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	460.38 грн
30+	262.51 грн
120+	244.58 грн
510+	225.41 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL095N65S3HF

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 95mohm, 36A FRFET fast recovery

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL095N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	581.19 грн
30+	325.71 грн
120+	274.40 грн
510+	227.49 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL1000N170M1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L

на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	518.54 грн
10+	448.65 грн
25+	362.21 грн
100+	324.48 грн
250+	289.77 грн
450+	283.73 грн
900+	252.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL1000N170M1

NVHL1000N170M1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.52 грн
10+	341.91 грн
120+	235.44 грн
1020+	218.08 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

на замовлення 43848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

Description: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.68 грн
10+	275.96 грн
100+	237.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.34 грн
30+	272.05 грн
120+	241.86 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2753 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	531.40 грн
30+	295.92 грн
120+	248.57 грн
510+	202.99 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3HF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3HF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3HF

N-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL110N65S3HF

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MOHM TO-247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	788.53 грн
30+	469.66 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL160N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	579.01 грн
5+	578.17 грн
10+	577.32 грн
50+	469.27 грн
100+	424.47 грн
250+	423.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVHL160N120SC1

на замовлення 410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVHL160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVHL160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.53 грн
10+	590.10 грн
30+	467.10 грн

В кошику од. на суму грн.

NVHL160N120SC1