Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146951) > Сторінка 2397 з 2450

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2392 2393 2394 2395 2396 2397 2398 2399 2400 2401 2402 2450  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MC74HC112ADTR2G ONSEMI MC74HC112-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; IN: 5; CMOS; HC; SMD; TSSOP16; HC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Number of inputs: 5
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J111 J111 ONSEMI J111.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
на замовлення 8039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.39 грн
19+20.44 грн
50+13.04 грн
100+10.68 грн
109+8.16 грн
300+7.70 грн
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI FDMC7660.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 86nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.99 грн
10+61.77 грн
50+59.49 грн
100+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S00M5X NC7S00M5X ONSEMI NC7S00.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT23-5; 2÷6VDC; -40÷85°C; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
на замовлення 14635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.71 грн
31+12.51 грн
38+10.30 грн
57+6.71 грн
100+5.72 грн
435+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T1G BC847BPDW1T1G ONSEMI BC846BPDW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+9.86 грн
53+7.25 грн
66+5.80 грн
82+4.65 грн
104+3.69 грн
475+1.88 грн
1306+1.78 грн
3000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.50 грн
50+7.78 грн
61+6.33 грн
100+3.83 грн
120+3.19 грн
340+2.62 грн
935+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
LM385D-2.5G LM385D-2.5G ONSEMI LM285_LM385B.PDF Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±3%; SO8; bulk; 20mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Tolerance: ±3%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: bulk
Maximum output current: 20mA
Reference voltage: 2.5V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.02 грн
10+54.99 грн
25+43.01 грн
29+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MC14060BDG MC14060BDG ONSEMI mc14060b-d.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 14bit,binary counter,oscillator; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Case: SO16
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: 14bit; binary counter; oscillator
Mounting: SMD
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.99 грн
10+45.91 грн
25+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC245DWG ONSEMI MC74VHC245-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus buffer,octal,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Family: VHC
Manufacturer series: VHC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC245DWR2G ONSEMI MC74VHC245-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus buffer,octal,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Family: VHC
Manufacturer series: VHC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF04M ONSEMI DF005-10m.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.35 грн
25+22.88 грн
50+18.07 грн
136+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CD-3.3R2G LP2951CD-3.3R2G ONSEMI LP2950-LP2951.PDF description Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.1A; SO8; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.35V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.25...29V
Manufacturer series: LP2951
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDR2G LP2951CDR2G ONSEMI LP2950-LP2951.PDF Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.235÷30V; 0.1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.35V
Output voltage: 1.235...30V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 0...30V
Manufacturer series: LP2951
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.03 грн
20+19.83 грн
25+17.46 грн
85+10.60 грн
233+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164D-3G MC33164D-3G ONSEMI mc34164-d.pdf description Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 1÷10VDC
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
DC supply current: 32µA
Supply voltage: 1...10V DC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Maximum output current: 30mA
Active logical level: low
Kind of RESET output: open collector
Kind of package: tube
Threshold on-voltage: 2.71V
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Mounting: SMD
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.99 грн
11+37.22 грн
25+32.11 грн
36+25.17 грн
98+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F ONSEMI fch041n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG ONSEMI N93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 ONSEMI CAT93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40WT1G ONSEMI bc817-40w-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+9.86 грн
55+7.02 грн
69+5.57 грн
124+3.10 грн
158+2.43 грн
515+1.73 грн
1417+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-40LT1G SBC817-40LT1G ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.78 грн
52+7.47 грн
74+5.22 грн
100+4.45 грн
403+2.21 грн
1107+2.10 грн
1500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-40LT3G SBC817-40LT3G ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 ONSEMI NTHL040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ONSEMI NTH4L040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08DWVLT3G ONSEMI NV24C08LV-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08MUW3VLTBG ONSEMI NV24C08LV-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08TDI-GT3 CAT24C08TDI-GT3 ONSEMI cat24c01-d.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; SPI; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSOT23-5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08WI-GT3 ONSEMI CAT24C01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08YI-GT3 ONSEMI CAT24C01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C08WE-GT3 ONSEMI CAV24C02-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C08YE-GT3 ONSEMI CAV24C02-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADG MC74HC11ADG ONSEMI MC74HC11A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADR2G MC74HC11ADR2G ONSEMI MC74HC11A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADTG MC74HC11ADTG ONSEMI mc74hc11a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.06 грн
26+14.95 грн
96+11.21 грн
163+5.49 грн
449+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADTR2G ONSEMI MC74HC11A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; TSSOP14; HC; 2÷6VDC; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3G BCP56T3G ONSEMI bcp56t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846CLT1G BC846CLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.03 грн
85+4.50 грн
143+2.67 грн
180+2.13 грн
223+1.72 грн
500+1.30 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G ONSEMI ntb25p06-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27.5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AWT1G BAT54AWT1G ONSEMI BAT54AW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 7.6pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 5ns
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.42 грн
103+3.74 грн
125+3.07 грн
136+2.81 грн
449+1.99 грн
1000+1.94 грн
1232+1.88 грн
1500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54ALT1G SBAT54ALT1G ONSEMI bat54alt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54ALT3G SBAT54ALT3G ONSEMI bat54alt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54AWT1G SBAT54AWT1G ONSEMI bat54awt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
69+6.04 грн
100+3.81 грн
120+3.20 грн
177+2.17 грн
209+1.83 грн
690+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857CLT1G SBC857CLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5931BT3G 1SMB5931BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 18V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.03 грн
17+22.57 грн
21+18.99 грн
50+12.43 грн
94+9.46 грн
200+9.08 грн
259+9.00 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C04DTVLT3G ONSEMI NV24C04LV-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C04MUW3VLTBG ONSEMI NV24C04LV-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C04WE-GT3 ONSEMI CAV24C02-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C04YE-GT3 ONSEMI CAV24C02-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.03 грн
61+6.25 грн
76+5.03 грн
133+2.87 грн
167+2.29 грн
629+1.42 грн
1500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1G SBC856BDW1T1G ONSEMI BC85xBDW1T1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3G SBC856BLT3G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BWT1G SBC856BWT1G ONSEMI BC85xBWT1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+9.86 грн
60+6.41 грн
76+5.03 грн
134+2.85 грн
168+2.28 грн
579+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI NCS20071_2_4.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 1; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Bandwidth: 3MHz
Input offset voltage: 4.5mV
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Slew rate: 2.8V/μs
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.35 грн
13+29.51 грн
37+24.71 грн
100+23.41 грн
500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.05 грн
10+88.47 грн
15+63.30 грн
40+59.49 грн
250+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC112ADTR2G MC74HC112-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; IN: 5; CMOS; HC; SMD; TSSOP16; HC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Number of inputs: 5
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J111 J111.pdf
J111
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
на замовлення 8039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.39 грн
19+20.44 грн
50+13.04 грн
100+10.68 грн
109+8.16 грн
300+7.70 грн
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660.pdf
FDMC7660
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 86nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.99 грн
10+61.77 грн
50+59.49 грн
100+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S00M5X NC7S00.pdf
NC7S00M5X
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT23-5; 2÷6VDC; -40÷85°C; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
на замовлення 14635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.71 грн
31+12.51 грн
38+10.30 грн
57+6.71 грн
100+5.72 грн
435+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T1G BC846BPDW1.PDF
BC847BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.86 грн
53+7.25 грн
66+5.80 грн
82+4.65 грн
104+3.69 грн
475+1.88 грн
1306+1.78 грн
3000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G bc846bpdw1t1-d.pdf
BC847BPDW1T2G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.50 грн
50+7.78 грн
61+6.33 грн
100+3.83 грн
120+3.19 грн
340+2.62 грн
935+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
LM385D-2.5G LM285_LM385B.PDF
LM385D-2.5G
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±3%; SO8; bulk; 20mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Tolerance: ±3%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: bulk
Maximum output current: 20mA
Reference voltage: 2.5V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.02 грн
10+54.99 грн
25+43.01 грн
29+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MC14060BDG mc14060b-d.pdf
MC14060BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 14bit,binary counter,oscillator; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Case: SO16
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: 14bit; binary counter; oscillator
Mounting: SMD
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.99 грн
10+45.91 грн
25+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC245DWG MC74VHC245-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus buffer,octal,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Family: VHC
Manufacturer series: VHC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC245DWR2G MC74VHC245-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus buffer,octal,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Family: VHC
Manufacturer series: VHC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF005-10m.pdf
DF04M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.35 грн
25+22.88 грн
50+18.07 грн
136+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CD-3.3R2G description LP2950-LP2951.PDF
LP2951CD-3.3R2G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.1A; SO8; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.35V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.25...29V
Manufacturer series: LP2951
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDR2G LP2950-LP2951.PDF
LP2951CDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.235÷30V; 0.1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.35V
Output voltage: 1.235...30V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 0...30V
Manufacturer series: LP2951
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.03 грн
20+19.83 грн
25+17.46 грн
85+10.60 грн
233+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164D-3G description mc34164-d.pdf
MC33164D-3G
Виробник: ONSEMI
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 1÷10VDC
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
DC supply current: 32µA
Supply voltage: 1...10V DC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Maximum output current: 30mA
Active logical level: low
Kind of RESET output: open collector
Kind of package: tube
Threshold on-voltage: 2.71V
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Mounting: SMD
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.99 грн
11+37.22 грн
25+32.11 грн
36+25.17 грн
98+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F fch041n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG N93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 CAT93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
BC817-40WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.86 грн
55+7.02 грн
69+5.57 грн
124+3.10 грн
158+2.43 грн
515+1.73 грн
1417+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-40LT1G BC817-xxL.pdf
SBC817-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.78 грн
52+7.47 грн
74+5.22 грн
100+4.45 грн
403+2.21 грн
1107+2.10 грн
1500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-40LT3G BC817-xxL.pdf
SBC817-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1.PDF
NTHL040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1.PDF
NTH4L040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08DWVLT3G NV24C08LV-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08MUW3VLTBG NV24C08LV-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08TDI-GT3 cat24c01-d.pdf
CAT24C08TDI-GT3
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; SPI; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSOT23-5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08WI-GT3 CAT24C01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08YI-GT3 CAT24C01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C08WE-GT3 CAV24C02-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C08YE-GT3 CAV24C02-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ fdmc6675bz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADG MC74HC11A-D.pdf
MC74HC11ADG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADR2G MC74HC11A-D.pdf
MC74HC11ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADTG mc74hc11a-d.pdf
MC74HC11ADTG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.06 грн
26+14.95 грн
96+11.21 грн
163+5.49 грн
449+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC11ADTR2G MC74HC11A-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; TSSOP14; HC; 2÷6VDC; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3G bcp56t1-d.pdf
BCP56T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846CLT1G BC846ALT1G.PDF
BC846CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.03 грн
85+4.50 грн
143+2.67 грн
180+2.13 грн
223+1.72 грн
500+1.30 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G ntb25p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27.5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AWT1G BAT54AW.pdf
BAT54AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 7.6pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 5ns
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.42 грн
103+3.74 грн
125+3.07 грн
136+2.81 грн
449+1.99 грн
1000+1.94 грн
1232+1.88 грн
1500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54ALT1G bat54alt1-d.pdf
SBAT54ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54ALT3G bat54alt1-d.pdf
SBAT54ALT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54AWT1G bat54awt1-d.pdf
SBAT54AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC857CWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
69+6.04 грн
100+3.81 грн
120+3.20 грн
177+2.17 грн
209+1.83 грн
690+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857CLT1G BC856_7_8.PDF
SBC857CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5931BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5931BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 18V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.03 грн
17+22.57 грн
21+18.99 грн
50+12.43 грн
94+9.46 грн
200+9.08 грн
259+9.00 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C04DTVLT3G NV24C04LV-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C04MUW3VLTBG NV24C04LV-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C04WE-GT3 CAV24C02-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C04YE-GT3 CAV24C02-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.03 грн
61+6.25 грн
76+5.03 грн
133+2.87 грн
167+2.29 грн
629+1.42 грн
1500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1G BC85xBDW1T1.pdf
SBC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G bc856bdw1t1-d.pdf
SBC856BDW1T3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G BC856_7_8.PDF
SBC856BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3G BC856_7_8.PDF
SBC856BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BWT1G BC85xBWT1.pdf
SBC856BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.86 грн
60+6.41 грн
76+5.03 грн
134+2.85 грн
168+2.28 грн
579+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G NCS20071_2_4.PDF
NCS20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 1; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Bandwidth: 3MHz
Input offset voltage: 4.5mV
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Slew rate: 2.8V/μs
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.35 грн
13+29.51 грн
37+24.71 грн
100+23.41 грн
500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465.pdf
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.05 грн
10+88.47 грн
15+63.30 грн
40+59.49 грн
250+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2392 2393 2394 2395 2396 2397 2398 2399 2400 2401 2402 2450  [ Наступна Сторінка >> ]