Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145336) > Сторінка 2401 з 2423

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2396 2397 2398 2399 2400 2401 2402 2403 2404 2405 2406 2420 2423  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVDTA144WET1G ONSEMI dta144w-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 80...140
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UPXV5T1G NUP2114UPXV5T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; SOT553; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT553
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.58 грн
26+16.12 грн
30+14.13 грн
50+10.55 грн
100+9.56 грн
250+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCW1T2G NUP4114UCW1T2G ONSEMI NUP4114.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; ESD; SC88; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 12A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T1G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT563
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T2G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT563
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP4114UCLW1T2G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS12FP ONSEMI s110fp-d.pdf FAIR-S-A0002364123-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT7053 NZT7053 ONSEMI NZT7053.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 1.5A; 1W; SOT223
Frequency: 200MHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Collector current: 1.5A
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.59 грн
11+39.22 грн
13+33.82 грн
100+20.44 грн
250+17.12 грн
500+15.21 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948 ONSEMI NDS9948.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.96 грн
8+53.68 грн
10+47.53 грн
50+35.57 грн
100+31.16 грн
500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P ONSEMI NDC7003P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.34A
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.80 грн
21+20.28 грн
50+14.96 грн
100+13.13 грн
500+9.81 грн
1000+8.64 грн
1500+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI NTD20P06-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.33 грн
7+62.65 грн
10+54.51 грн
20+48.03 грн
50+41.38 грн
100+37.48 грн
200+34.24 грн
500+30.83 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
22+19.44 грн
50+12.63 грн
100+10.47 грн
250+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI ndt452ap-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.12 грн
6+78.61 грн
10+69.14 грн
50+48.94 грн
100+42.13 грн
250+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7001C NDC7001C ONSEMI NDC7001C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.51/-0.34A
Gate charge: 1.5/2.2nC
On-state resistance: 4/10Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.80 грн
13+33.90 грн
16+27.59 грн
50+17.87 грн
100+15.54 грн
250+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
25+16.62 грн
33+12.80 грн
100+8.81 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 1.6Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.212A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.47 грн
100+8.14 грн
500+6.81 грн
1000+6.23 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PLT1G ONSEMI nvmfs5113pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -45A
Power dissipation: 75W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.25 грн
10+143.76 грн
100+102.21 грн
500+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
17+24.93 грн
20+21.69 грн
25+17.28 грн
50+14.29 грн
100+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ONSEMI njw3281-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 250V
Application: automotive industry
Current gain: 45...150
Frequency: 30MHz
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.05 грн
10+218.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI NTD25P03L.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
7+68.97 грн
10+60.66 грн
50+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G ONSEMI NTR4502P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
27+15.95 грн
32+13.13 грн
50+8.81 грн
100+7.98 грн
250+7.31 грн
500+6.98 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XET1G DTC124XET1G ONSEMI dtc124x-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.74 грн
52+8.14 грн
60+6.98 грн
106+3.93 грн
500+2.78 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z J176-D74Z ONSEMI j175-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Type of transistor: P-JFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92
On-state resistance: 250Ω
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UESD3.3DT5G ONSEMI uesd3.3dt5g-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; double,common anode; SOT723; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.64 грн
25+17.28 грн
30+14.21 грн
38+11.13 грн
50+9.47 грн
100+8.31 грн
500+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X3.3ST5G ONSEMI ESD9X3.3ST5G-D.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRDA3.3-4DR2G SRDA3.3-4DR2G ONSEMI srda3.3-4-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 500W; unidirectional; SO8; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD9X3.3ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; unidirectional; SOD923F; automotive industry
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD9C3.3ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923F
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G ESD9C3.3ST5G ONSEMI ESD9C3.3S-D.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5V; SOD923; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZUESD3.3DT5G ONSEMI uesd3.3dt5g-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; double,common anode; SOT723; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC273DWR2G MC74AC273DWR2G ONSEMI mc74ac273-d.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Case: SO20-W
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Technology: CMOS
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.91 грн
10+55.67 грн
25+47.95 грн
100+40.22 грн
250+38.06 грн
500+36.81 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15GN03CA-TB-E ONSEMI 15GN03CA-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 10V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 1.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30T1G RB520S30T1G ONSEMI RB520S30T1.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30T5G RB520S30T5G ONSEMI rb520s30t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ4700T1G SZMMSZ4700T1G ONSEMI MMSZ4xxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5938BT3G 1SMA5938BT3G ONSEMI 1SMA59xxBT3.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 36V; SMD; SMA; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 36V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.43 грн
25+16.95 грн
50+11.80 грн
100+10.30 грн
250+8.73 грн
500+7.81 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5258BT1G MMSZ5258BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 36V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 36V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
99+4.24 грн
125+3.32 грн
193+2.16 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P ONSEMI FDN340P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.16 грн
15+29.58 грн
17+25.68 грн
50+18.03 грн
100+15.54 грн
500+11.30 грн
1000+9.97 грн
1500+9.31 грн
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GBU6K ONSEMI GBU6x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
10+76.45 грн
20+68.14 грн
100+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6D GBU6D ONSEMI GBU6x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6J GBU6J ONSEMI GBU6x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6A GBU6A ONSEMI GBU6x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B GBU6B ONSEMI GBU6x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z12VT5G MM5Z12VT5G ONSEMI mm5z2v4t1-d.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; SOD523F; reel,tape; single diode; MM5Z
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD523F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM5Z
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM5Z12VT1G ONSEMI MM5ZxxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; SOD523F; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD523F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM5ZxxT1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1KFA US1KFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 75ns; SOD123F; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1KFA NRVUS1KFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 75ns; SOD123F; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP333FCT2G ONSEMI ncp333-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: WLCSP4
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB20CH60C ONSEMI fsbb20ch60c-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMMC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 3
Case: SPMMC-027
Output current: 20A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 62W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH3065B-F085 ONSEMI ffsh3065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 37A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 37A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085 FFSB3065B-F085 ONSEMI ffsb3065b-f085-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 73A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 73A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP163ASN330T1G NCP163ASN330T1G ONSEMI ncp163-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 250mA; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.175V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.25A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP163
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.2...5.5V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
23+18.61 грн
26+16.29 грн
31+13.71 грн
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G ONSEMI ntgs5120p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 18.1nC
On-state resistance: 111mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
7+59.50 грн
10+52.85 грн
50+40.47 грн
100+36.40 грн
500+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1G ONSEMI nss20300mr6t1g-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 3A; 0.545W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.545W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G ONSEMI mbt35200mt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 35V; 2A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 35V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G ONSEMI nss30201mr6t1g-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 1.75W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV2002SN1T1G ONSEMI ncs2002-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.9MHz; Ch: 1; 0.9÷7VDC; TSOP6; 9.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 10pA
Input offset voltage: 9.5mV
Voltage supply range: 0.9...7V DC
Slew rate: 1.2V/μs
Bandwidth: 0.9MHz
Integrated circuit features: rail-to-rail
Number of channels: single; 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV2002SN2T1G ONSEMI ncs2002-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.9MHz; Ch: 1; 0.9÷7VDC; TSOP6; 9.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 10pA
Input offset voltage: 9.5mV
Voltage supply range: 0.9...7V DC
Slew rate: 1.2V/μs
Bandwidth: 0.9MHz
Integrated circuit features: rail-to-rail
Number of channels: single; 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G dta144w-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 80...140
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UPXV5T1G nup2114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; SOT553; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT553
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.58 грн
26+16.12 грн
30+14.13 грн
50+10.55 грн
100+9.56 грн
250+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCW1T2G NUP4114.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; ESD; SC88; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 12A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T1G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT563
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T2G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT563
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP4114UCLW1T2G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS12FP s110fp-d.pdf FAIR-S-A0002364123-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT7053 NZT7053.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 1.5A; 1W; SOT223
Frequency: 200MHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Collector current: 1.5A
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.59 грн
11+39.22 грн
13+33.82 грн
100+20.44 грн
250+17.12 грн
500+15.21 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948 NDS9948.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.96 грн
8+53.68 грн
10+47.53 грн
50+35.57 грн
100+31.16 грн
500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.34A
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.80 грн
21+20.28 грн
50+14.96 грн
100+13.13 грн
500+9.81 грн
1000+8.64 грн
1500+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06-DTE.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.33 грн
7+62.65 грн
10+54.51 грн
20+48.03 грн
50+41.38 грн
100+37.48 грн
200+34.24 грн
500+30.83 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155C-DTE.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
22+19.44 грн
50+12.63 грн
100+10.47 грн
250+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.12 грн
6+78.61 грн
10+69.14 грн
50+48.94 грн
100+42.13 грн
250+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7001C NDC7001C.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.51/-0.34A
Gate charge: 1.5/2.2nC
On-state resistance: 4/10Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.80 грн
13+33.90 грн
16+27.59 грн
50+17.87 грн
100+15.54 грн
250+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
25+16.62 грн
33+12.80 грн
100+8.81 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 1.6Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.212A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.47 грн
100+8.14 грн
500+6.81 грн
1000+6.23 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G nvmfs5113pl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -45A
Power dissipation: 75W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.25 грн
10+143.76 грн
100+102.21 грн
500+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171P.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.32 грн
17+24.93 грн
20+21.69 грн
25+17.28 грн
50+14.29 грн
100+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 250V
Application: automotive industry
Current gain: 45...150
Frequency: 30MHz
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.05 грн
10+218.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03L.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.86 грн
7+68.97 грн
10+60.66 грн
50+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502P.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.16 грн
27+15.95 грн
32+13.13 грн
50+8.81 грн
100+7.98 грн
250+7.31 грн
500+6.98 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XET1G dtc124x-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.74 грн
52+8.14 грн
60+6.98 грн
106+3.93 грн
500+2.78 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z j175-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Type of transistor: P-JFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92
On-state resistance: 250Ω
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UESD3.3DT5G uesd3.3dt5g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; double,common anode; SOT723; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.64 грн
25+17.28 грн
30+14.21 грн
38+11.13 грн
50+9.47 грн
100+8.31 грн
500+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRDA3.3-4DR2G srda3.3-4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 500W; unidirectional; SO8; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD9X3.3ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; unidirectional; SOD923F; automotive industry
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD9C3.3ST5G esd9c3.3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923F
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G ESD9C3.3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5V; SOD923; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZUESD3.3DT5G uesd3.3dt5g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; double,common anode; SOT723; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC273DWR2G mc74ac273-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Case: SO20-W
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Technology: CMOS
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.91 грн
10+55.67 грн
25+47.95 грн
100+40.22 грн
250+38.06 грн
500+36.81 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15GN03CA-TB-E 15GN03CA-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 10V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 1.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30T1G RB520S30T1.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30T5G rb520s30t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ4700T1G MMSZ4xxxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5938BT3G 1SMA59xxBT3.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 36V; SMD; SMA; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 36V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.43 грн
25+16.95 грн
50+11.80 грн
100+10.30 грн
250+8.73 грн
500+7.81 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5258BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 36V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 36V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.26 грн
99+4.24 грн
125+3.32 грн
193+2.16 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.16 грн
15+29.58 грн
17+25.68 грн
50+18.03 грн
100+15.54 грн
500+11.30 грн
1000+9.97 грн
1500+9.31 грн
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GBU6x.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.28 грн
10+76.45 грн
20+68.14 грн
100+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6D GBU6x.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6J GBU6x.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6A GBU6x.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B GBU6x.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z12VT5G mm5z2v4t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; SOD523F; reel,tape; single diode; MM5Z
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD523F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM5Z
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM5Z12VT1G MM5ZxxxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; SOD523F; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD523F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM5ZxxT1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1KFA us1mfa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 75ns; SOD123F; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1KFA us1mfa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 75ns; SOD123F; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP333FCT2G ncp333-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: WLCSP4
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB20CH60C fsbb20ch60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMMC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 3
Case: SPMMC-027
Output current: 20A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 62W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH3065B-F085 ffsh3065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 37A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 37A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085 ffsb3065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 73A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 73A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP163ASN330T1G ncp163-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 250mA; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.175V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.25A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP163
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.2...5.5V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.16 грн
23+18.61 грн
26+16.29 грн
31+13.71 грн
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 18.1nC
On-state resistance: 111mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.64 грн
7+59.50 грн
10+52.85 грн
50+40.47 грн
100+36.40 грн
500+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1G nss20300mr6t1g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 3A; 0.545W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.545W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G mbt35200mt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 35V; 2A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 35V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G nss30201mr6t1g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 1.75W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV2002SN1T1G ncs2002-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.9MHz; Ch: 1; 0.9÷7VDC; TSOP6; 9.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 10pA
Input offset voltage: 9.5mV
Voltage supply range: 0.9...7V DC
Slew rate: 1.2V/μs
Bandwidth: 0.9MHz
Integrated circuit features: rail-to-rail
Number of channels: single; 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV2002SN2T1G ncs2002-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.9MHz; Ch: 1; 0.9÷7VDC; TSOP6; 9.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 10pA
Input offset voltage: 9.5mV
Voltage supply range: 0.9...7V DC
Slew rate: 1.2V/μs
Bandwidth: 0.9MHz
Integrated circuit features: rail-to-rail
Number of channels: single; 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2396 2397 2398 2399 2400 2401 2402 2403 2404 2405 2406 2420 2423  Наступна Сторінка >> ]