Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145591) > Сторінка 2424 з 2427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2419 2420 2421 2422 2423 2424 2425 2426 2427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCP380HSN10AAT1G ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LMUAJAATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5...2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HSNAJAAT1G ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5...2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 70mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LSN05AAT1G ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU05AATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LSNAJAAT1G ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5...2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU10AATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU15AATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU20AATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU21AATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LMU05AATBG ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LSN10AAT1G ONSEMI ncp380-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904ADMR2G ONSEMI lm358-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; Micro8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: Micro8
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20K ONSEMI EGP20K-D.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 75ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO15
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS310FA NRVBS310FA ONSEMI ss36fa-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 0.85V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS3100T3G ONSEMI mbrs3100t3-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ6V2ALT1G MMBZ6V2ALT1G ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2V; 2.76A; 24W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 6.2V
Max. forward impulse current: 2.76A
Peak pulse power dissipation: 24W
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Leakage current: 0.5µA
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
61+6.88 грн
69+6.12 грн
95+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373MTC 74VHC373MTC ONSEMI 74vhc373-d.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; 2÷5.5VDC; SMD; TSSOP20; VHC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 40µA
Kind of package: tube
Case: TSSOP20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373MTCX 74VHC373MTCX ONSEMI 74VHC373-D.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷5.5VDC; SMD; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373MX ONSEMI 74vhc373-d.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; 2÷5.5VDC; SMD; SO20-W; VHC; -40÷85°C; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 40µA
Kind of package: reel; tape
Case: SO20-W
Family: VHC
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC373DTR2G MC74VHC373DTR2G ONSEMI MC74VHC373-D.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷5.5VDC; SMD; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC373DWR2G ONSEMI MC74VHC373-D.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷5.5VDC; SMD; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN53880UC002X ONSEMI FAN53880-D.PDF Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; WLCSP25; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Case: WLCSP25
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5V1T1G SZMMSZ5V1T1G ONSEMI MMSZxxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZxxTxG
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 214A
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+396.49 грн
10+286.82 грн
50+271.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30LT1G BZX84C30LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.32 грн
109+3.86 грн
158+2.67 грн
172+2.44 грн
184+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C30ET1G SZBZX84C30ET1G ONSEMI BZX84CxxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C30LT1G SZBZX84C30LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBB60H100CTT4G NRVBB60H100CTT4G ONSEMI mbr60h100ct-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.98V
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 350A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3063M MOC3063M ONSEMI MOC3063M-ONS.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 600V
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Manufacturer series: MOC3063M
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
13+33.38 грн
25+29.86 грн
50+27.34 грн
100+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC256M MOC256M ONSEMI MOC256M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 20-150%@10mA
Collector-emitter voltage: 30V
Case: SO8
Max. off-state voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M GBU8M ONSEMI GBU8x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904 ONSEMI MMBT3904.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14532BDR2G ONSEMI mc14532b-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; priority encoder; SMD; SOIC16; Ch: 1; IN: 8; 3÷18V
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V
Type of integrated circuit: digital
Number of inputs: 8
Case: SOIC16
Number of outputs: 3
Kind of integrated circuit: priority encoder
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 90.3W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 90.3W
Gate charge: 148nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 670µΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 68.2W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 68.2W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 1.21mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 429W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 0.65mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 357W
Gate charge: 144nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 0.9mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ15VALT1G MMBZ15VALT1G ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
54+7.88 грн
65+6.47 грн
75+5.62 грн
100+4.85 грн
250+4.00 грн
500+3.48 грн
1000+3.13 грн
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ15VALT1G SZMMBZ15VALT1G ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ15VDLT1G MMBZ15VDLT1G ONSEMI MMBZ15VDLT1.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common cathode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12.8V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
52+8.22 грн
59+7.21 грн
83+5.07 грн
100+4.41 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
1500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ15VDLT3G MMBZ15VDLT3G ONSEMI mmbz15vdlt1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common cathode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12.8V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ15VDLT1G SZMMBZ15VDLT1G ONSEMI mmbz15vdlt1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF720T1G BF720T1G ONSEMI BF720T1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
12+35.39 грн
15+29.60 грн
100+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBF720T1G SBF720T1G ONSEMI bf720t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI FDB0190N807L-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.52 грн
5+336.30 грн
10+298.56 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 ONSEMI FCMT199N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 ONSEMI FCMT299N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177 MMBFJ177 ONSEMI MMBFJ17X-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Gate-source voltage: 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L ONSEMI FDB0165N807L-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 310A; Idm: 1780A; 300W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1780A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 217nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 310A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416 MMBF4416 ONSEMI MMBF4416.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
44+9.73 грн
100+8.30 грн
500+7.63 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416A MMBF4416A ONSEMI MMBF4416A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8413DTRKG NCV8413DTRKG ONSEMI ncv8413-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK
On-state resistance: 37mΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 42V
Active logical level: low
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: thermal protection
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT50RKG NCP5501DT50RKG ONSEMI NCP5500_1.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; DPAK; SMD; ±4.9%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 6...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.19 грн
12+35.39 грн
25+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5501DT33RKG ONSEMI NCP5500_1.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.3...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
15+29.18 грн
25+25.49 грн
100+21.80 грн
250+20.38 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G ONSEMI nvmfs6h800nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.85 грн
10+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI nvmfs5c638nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.47 грн
10+132.51 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
 NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI nvmfs5c426n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+183.66 грн
100+135.02 грн
250+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HSN10AAT1G ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LMUAJAATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5...2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HSNAJAAT1G ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5...2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 70mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LSN05AAT1G ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU05AATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LSNAJAAT1G ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5...2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU10AATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU15AATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU20AATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380HMU21AATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LMU05AATBG ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: uDFN6
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP380LSN10AAT1G ncp380-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904ADMR2G lm358-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; Micro8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: Micro8
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20K EGP20K-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 75ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO15
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS310FA ss36fa-d.pdf
NRVBS310FA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 0.85V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS3100T3G mbrs3100t3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ6V2ALT1G MMBZ_ser.PDF
MMBZ6V2ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2V; 2.76A; 24W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 6.2V
Max. forward impulse current: 2.76A
Peak pulse power dissipation: 24W
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Leakage current: 0.5µA
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.03 грн
61+6.88 грн
69+6.12 грн
95+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373MTC 74vhc373-d.pdf
74VHC373MTC
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; 2÷5.5VDC; SMD; TSSOP20; VHC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 40µA
Kind of package: tube
Case: TSSOP20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373MTCX 74VHC373-D.pdf
74VHC373MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷5.5VDC; SMD; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373MX 74vhc373-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; 2÷5.5VDC; SMD; SO20-W; VHC; -40÷85°C; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 40µA
Kind of package: reel; tape
Case: SO20-W
Family: VHC
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC373DTR2G MC74VHC373-D.pdf
MC74VHC373DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷5.5VDC; SMD; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC373DWR2G MC74VHC373-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷5.5VDC; SMD; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC20
Family: VHC
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN53880UC002X FAN53880-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; WLCSP25; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Case: WLCSP25
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5V1T1G MMSZxxxT1G.PDF
SZMMSZ5V1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZxxTxG
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
FDP036N10A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 214A
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.49 грн
10+286.82 грн
50+271.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
BZX84C30LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.32 грн
109+3.86 грн
158+2.67 грн
172+2.44 грн
184+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C30ET1G BZX84CxxET1G.PDF
SZBZX84C30ET1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C30LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
SZBZX84C30LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBB60H100CTT4G mbr60h100ct-d.pdf
NRVBB60H100CTT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.98V
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 350A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3063M MOC3063M-ONS.pdf
MOC3063M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 600V
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Manufacturer series: MOC3063M
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.54 грн
13+33.38 грн
25+29.86 грн
50+27.34 грн
100+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC256M MOC256M.pdf
MOC256M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 20-150%@10mA
Collector-emitter voltage: 30V
Case: SO8
Max. off-state voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M GBU8x.PDF
GBU8M
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904.pdf
MMBT3904
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14532BDR2G mc14532b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; priority encoder; SMD; SOIC16; Ch: 1; IN: 8; 3÷18V
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V
Type of integrated circuit: digital
Number of inputs: 8
Case: SOIC16
Number of outputs: 3
Kind of integrated circuit: priority encoder
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 90.3W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 90.3W
Gate charge: 148nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 670µΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 68.2W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 68.2W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 1.21mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 429W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 0.65mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 357W
Gate charge: 144nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 0.9mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ15VALT1G MMBZ_ser.PDF
MMBZ15VALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
54+7.88 грн
65+6.47 грн
75+5.62 грн
100+4.85 грн
250+4.00 грн
500+3.48 грн
1000+3.13 грн
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ15VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
SZMMBZ15VALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ15VDLT1G MMBZ15VDLT1.PDF
MMBZ15VDLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common cathode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12.8V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
52+8.22 грн
59+7.21 грн
83+5.07 грн
100+4.41 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
1500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ15VDLT3G mmbz15vdlt1-d.pdf
MMBZ15VDLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common cathode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12.8V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ15VDLT1G mmbz15vdlt1-d.pdf
SZMMBZ15VDLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF720T1G BF720T1-D.PDF
BF720T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.67 грн
12+35.39 грн
15+29.60 грн
100+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBF720T1G bf720t1-d.pdf
SBF720T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L-D.PDF
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+433.52 грн
5+336.30 грн
10+298.56 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 FCMT199N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 FCMT299N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177 MMBFJ17X-DTE.pdf
MMBFJ177
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Gate-source voltage: 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L FDB0165N807L-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 310A; Idm: 1780A; 300W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1780A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 217nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 310A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416 MMBF4416.pdf
MMBF4416
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
44+9.73 грн
100+8.30 грн
500+7.63 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416A MMBF4416A.pdf
MMBF4416A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8413DTRKG ncv8413-d.pdf
NCV8413DTRKG
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK
On-state resistance: 37mΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 42V
Active logical level: low
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: thermal protection
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
FQD6N50CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT50RKG NCP5500_1.PDF
NCP5501DT50RKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; DPAK; SMD; ±4.9%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 6...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.19 грн
12+35.39 грн
25+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5500_1.PDF
NCP5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.3...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.25 грн
15+29.18 грн
25+25.49 грн
100+21.80 грн
250+20.38 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+355.85 грн
10+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
NVMFS5C638NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+219.47 грн
10+132.51 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G nvmfs5c426n-d.pdf
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.66 грн
10+183.66 грн
100+135.02 грн
250+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2419 2420 2421 2422 2423 2424 2425 2426 2427  [ Наступна Сторінка >> ]