Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146201) > Сторінка 2434 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2429 2430 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJD210T4G NJVMJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 45...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G ONSEMI njt4030p-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
19+22.81 грн
22+19.71 грн
50+13.92 грн
100+12.08 грн
500+8.81 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR57 BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 868 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
40+10.48 грн
100+9.31 грн
500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
J109 J109 ONSEMI j109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Gate current: 10mA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.55 грн
17+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ110 MMBFJ110 ONSEMI mmbfj110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
15+29.35 грн
50+21.13 грн
100+18.20 грн
500+12.66 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR58 BSR58 ONSEMI BSR58-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.00 грн
23+18.79 грн
50+12.75 грн
100+10.82 грн
500+7.55 грн
1000+6.63 грн
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G NTMS5P02R2G ONSEMI ntms5p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8
Case: SO8
Power dissipation: 1.47W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2G NVMS5P02R2G ONSEMI ntms5p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8
Case: SO8
Power dissipation: 1.47W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FODM352 ONSEMI FODM352.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 300V
Collector-emitter voltage: 300V
CTR@If: 1000-5000%@1mA
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 20µs
Case: SOP4
Turn-off time: 0.1ms
Number of channels: 1
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7428D13R2G NCV7428D13R2G ONSEMI ncv7428-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; system basis chip SBC; 3.3÷5VDC; LIN; SMD; SO8
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3...5V DC
Type of integrated circuit: interface
Integrated circuit features: integrated voltage regulator; LIN transceiver
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Interface: LIN
Kind of integrated circuit: system basis chip SBC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7428MW3R2G NCV7428MW3R2G ONSEMI ncv7428-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; system basis chip SBC; 4÷28VDC; LIN; SMD; DFN8
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 4...28V DC
Type of integrated circuit: interface
Integrated circuit features: integrated voltage regulator; LIN transceiver
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Interface: LIN
Kind of integrated circuit: system basis chip SBC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5G ONSEMI dtc114y-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5183DR2G NCP5183DR2G ONSEMI ncp5183-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
Case: SO8
Output current: -4.3...4.3A
Supply voltage: 9...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2535CTLG MBR2535CTLG ONSEMI mbr2535ctl-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 35V; 12.5Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 12.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.41V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.67 грн
10+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5258BLT1G MMBZ5258BLT1G ONSEMI MMBZ52xxBLT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 36V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 36V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V40T1G RB751V40T1G ONSEMI RB751V40T1.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
53+8.05 грн
64+6.63 грн
87+4.83 грн
111+3.79 грн
135+3.13 грн
250+2.65 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI rb751v40t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.61 грн
13+34.38 грн
40+30.44 грн
100+22.31 грн
150+21.64 грн
250+20.38 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS3200NT3G NRVBS3200NT3G ONSEMI mbrs3200t3-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.86V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73711MX FAN73711MX ONSEMI FAN73711-D.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side,gate driver; MillerDrive™; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 50ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2131LT1G MMUN2131LT1G ONSEMI MMUN2131.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
69+6.12 грн
117+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2131T1G ONSEMI dta123e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1G NSVMMUN2131LT1G ONSEMI dta123e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5360BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 25V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 25V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5360BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 25V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 25V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N459ATR ONSEMI FAIRS22995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 1n459a-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N459A ONSEMI 1n459a-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; bulk
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N459TR ONSEMI 1n459a-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 135W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 68mΩ
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.86 грн
5+114.06 грн
10+98.96 грн
25+83.03 грн
50+72.12 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECMTTXG ONSEMI pca9535e-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; I/O expander; 1.65÷5.5VDC; I2C,SMBus; SMD; WQFN24
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: I/O expander
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Interface: I2C; SMBus
Mounting: SMD
Case: WQFN24
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 16
Frequency: 1MHz
Application: for LED applications
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1G SBC847CDXV6T1G ONSEMI bc847cdxv6t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244BT1G MMSZ5244BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
67+6.29 грн
98+4.31 грн
115+3.66 грн
250+2.95 грн
500+2.52 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244ET1G MMSZ5244ET1G ONSEMI MMSZ52xxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5244BT1G SZMMSZ5244BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5244ET1G SZMMSZ5244ET1G ONSEMI MMSZ52xxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxE
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ONSEMI DTC124E_MUNx212.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
65+6.54 грн
76+5.54 грн
137+3.07 грн
500+2.12 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP360SNT1G ONSEMI ncp360-d.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; TSOP5; Uin: 1.2÷20V; OUT: transistor; Thresh.on-volt: 3V
Type of integrated circuit: driver
Case: TSOP5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Input voltage: 1.2...20V
Application: USB
Threshold on-voltage: 3V
Kind of output: transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
25+26.84 грн
50+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865A FFSP0865A ONSEMI ffsp0865a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 13A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 13A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.14 грн
3+204.63 грн
10+176.96 грн
15+166.89 грн
30+161.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G ONSEMI nss12501uw3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Frequency: 150MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Current gain: 250
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2G ONSEMI nss12500uw3.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Collector current: 5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CA SMCJ28CA ONSEMI SMBJ5V0A.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 32.9V; 200A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.9V
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP382HD10AAR2G NCP382HD10AAR2G ONSEMI ncp382-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 2; P-Channel; SMD; SO8; 0÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 2
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.14Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP136AFCT105T2G ONSEMI ncp136-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.05V; 700mA; WLCSP6; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Case: WLCSP6
Mounting: SMD
Output voltage: 1.05V
Tolerance: ±1%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 1.05...5.5V
Manufacturer series: NCP136
Voltage drop: 60mV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 ONSEMI nth4l045n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24M01MUW3VTBG ONSEMI NV24M01MUW-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 400ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24M01WE-GT3 ONSEMI CAV24M01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 900ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24M01YE-GT3 ONSEMI CAV24M01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 900ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAP222T1G DAP222T1G ONSEMI DAP222.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.15W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SC75
Capacitance: 3.5pF
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.2V
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
68+6.21 грн
79+5.37 грн
93+4.53 грн
115+3.66 грн
133+3.16 грн
500+2.31 грн
1000+2.13 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G ONSEMI nta4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Power dissipation: 0.301W
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
34+12.58 грн
50+8.79 грн
100+7.53 грн
500+5.28 грн
600+5.08 грн
1000+4.55 грн
1500+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVA4001NT1G ONSEMI nta4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 238mA; Idm: 0.714A; 300mW; SC75
Pulsed drain current: 0.714A
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.238A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
35+12.16 грн
50+11.41 грн
100+10.99 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...150
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC75; SOT416
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
46+9.23 грн
53+7.97 грн
100+4.24 грн
500+2.85 грн
1000+2.47 грн
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAP222T1G ONSEMI Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SC75
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAW56TT1G ONSEMI baw56tt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC75; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50µA
Case: SC75
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SA1774G ONSEMI 2sa1774-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 120...560
Kind of package: reel; tape
Case: SC75; SOT416
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3S ONSEMI nthl023n065m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 131W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDMR2G ONSEMI lp2950-d.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷29V; 0.1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Output voltage: 1.25...29V
Output current: 0.1A
Case: Micro8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LZ LM317LZ ONSEMI lm317lz_fai.pdf Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.1A; TO92; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM319N LM319N ONSEMI LM319.pdf Category: THT comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 5÷30V; THT; DIP14; tube; 300nA
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Operating voltage: 5...30V
Mounting: THT
Case: DIP14
Kind of output: open collector
Input offset voltage: 10mV
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: tube
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35VM 4N35VM ONSEMI 4N35VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 100%@10mA
Collector-emitter voltage: 30V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4G mjd200-d.pdf
NJVMJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 45...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJT4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.42 грн
19+22.81 грн
22+19.71 грн
50+13.92 грн
100+12.08 грн
500+8.81 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR57 bsr57-d.pdf
BSR57
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 868 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
40+10.48 грн
100+9.31 грн
500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
J109 j109-d.pdf
J109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Gate current: 10mA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.55 грн
17+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ110 mmbfj110-d.pdf
MMBFJ110
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.77 грн
15+29.35 грн
50+21.13 грн
100+18.20 грн
500+12.66 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR58 BSR58-D.PDF
BSR58
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.00 грн
23+18.79 грн
50+12.75 грн
100+10.82 грн
500+7.55 грн
1000+6.63 грн
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2G ntms5p02r2-d.pdf
NTMS5P02R2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8
Case: SO8
Power dissipation: 1.47W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2G ntms5p02r2-d.pdf
NVMS5P02R2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8
Case: SO8
Power dissipation: 1.47W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FODM352 FODM352.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 3.75kV; Uce: 300V
Collector-emitter voltage: 300V
CTR@If: 1000-5000%@1mA
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 20µs
Case: SOP4
Turn-off time: 0.1ms
Number of channels: 1
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7428D13R2G ncv7428-d.pdf
NCV7428D13R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; system basis chip SBC; 3.3÷5VDC; LIN; SMD; SO8
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3...5V DC
Type of integrated circuit: interface
Integrated circuit features: integrated voltage regulator; LIN transceiver
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Interface: LIN
Kind of integrated circuit: system basis chip SBC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7428MW3R2G ncv7428-d.pdf
NCV7428MW3R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; system basis chip SBC; 4÷28VDC; LIN; SMD; DFN8
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 4...28V DC
Type of integrated circuit: interface
Integrated circuit features: integrated voltage regulator; LIN transceiver
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Interface: LIN
Kind of integrated circuit: system basis chip SBC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5G dtc114y-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5183DR2G ncp5183-d.pdf
NCP5183DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
Case: SO8
Output current: -4.3...4.3A
Supply voltage: 9...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2535CTLG mbr2535ctl-d.pdf
MBR2535CTLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 35V; 12.5Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 12.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.41V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.67 грн
10+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5258BLT1G MMBZ52xxBLT1G.PDF
MMBZ5258BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 36V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 36V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V40T1G RB751V40T1.PDF
RB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
53+8.05 грн
64+6.63 грн
87+4.83 грн
111+3.79 грн
135+3.13 грн
250+2.65 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G rb751v40t1-d.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.61 грн
13+34.38 грн
40+30.44 грн
100+22.31 грн
150+21.64 грн
250+20.38 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS3200NT3G mbrs3200t3-d.pdf
NRVBS3200NT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.86V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73711MX FAN73711-D.pdf
FAN73711MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side,gate driver; MillerDrive™; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 50ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2131LT1G MMUN2131.PDF
MMUN2131LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
69+6.12 грн
117+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2131T1G dta123e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1G dta123e-d.pdf
NSVMMUN2131LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5360BG 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 25V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 25V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5360BRLG 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 25V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 25V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N459ATR FAIRS22995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 1n459a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N459A 1n459a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; bulk
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N459TR 1n459a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672.pdf
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 135W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 68mΩ
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.86 грн
5+114.06 грн
10+98.96 грн
25+83.03 грн
50+72.12 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECMTTXG pca9535e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; I/O expander; 1.65÷5.5VDC; I2C,SMBus; SMD; WQFN24
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: I/O expander
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Interface: I2C; SMBus
Mounting: SMD
Case: WQFN24
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 16
Frequency: 1MHz
Application: for LED applications
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1-d.pdf
SBC847CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5244BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
67+6.29 грн
98+4.31 грн
115+3.66 грн
250+2.95 грн
500+2.52 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244ET1G MMSZ52xxET1G.PDF
MMSZ5244ET1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5244BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
SZMMSZ5244BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5244ET1G MMSZ52xxET1G.PDF
SZMMSZ5244ET1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 14V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 14V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxE
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G DTC124E_MUNx212.PDF
MMUN2212LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.03 грн
65+6.54 грн
76+5.54 грн
137+3.07 грн
500+2.12 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP360SNT1G ncp360-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; TSOP5; Uin: 1.2÷20V; OUT: transistor; Thresh.on-volt: 3V
Type of integrated circuit: driver
Case: TSOP5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Input voltage: 1.2...20V
Application: USB
Threshold on-voltage: 3V
Kind of output: transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.61 грн
25+26.84 грн
50+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865A ffsp0865a-d.pdf
FFSP0865A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 13A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 13A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.14 грн
3+204.63 грн
10+176.96 грн
15+166.89 грн
30+161.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G nss12501uw3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Frequency: 150MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Current gain: 250
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2G nss12500uw3.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Collector current: 5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CA SMBJ5V0A.pdf
SMCJ28CA
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 32.9V; 200A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.9V
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP382HD10AAR2G ncp382-d.pdf
NCP382HD10AAR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 2; P-Channel; SMD; SO8; 0÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 2
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.14Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Active logical level: high
Control voltage: 0...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP136AFCT105T2G ncp136-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.05V; 700mA; WLCSP6; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Case: WLCSP6
Mounting: SMD
Output voltage: 1.05V
Tolerance: ±1%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 1.05...5.5V
Manufacturer series: NCP136
Voltage drop: 60mV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24M01MUW3VTBG NV24M01MUW-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 400ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24M01WE-GT3 CAV24M01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 900ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24M01YE-GT3 CAV24M01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 900ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAP222T1G DAP222.PDF
DAP222T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.15W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SC75
Capacitance: 3.5pF
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.2V
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.03 грн
68+6.21 грн
79+5.37 грн
93+4.53 грн
115+3.66 грн
133+3.16 грн
500+2.31 грн
1000+2.13 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Power dissipation: 0.301W
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.29 грн
34+12.58 грн
50+8.79 грн
100+7.53 грн
500+5.28 грн
600+5.08 грн
1000+4.55 грн
1500+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVA4001NT1G nta4001n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 238mA; Idm: 0.714A; 300mW; SC75
Pulsed drain current: 0.714A
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.238A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.58 грн
35+12.16 грн
50+11.41 грн
100+10.99 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...150
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC75; SOT416
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
46+9.23 грн
53+7.97 грн
100+4.24 грн
500+2.85 грн
1000+2.47 грн
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAP222T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SC75
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAW56TT1G baw56tt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC75; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50µA
Case: SC75
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SA1774G 2sa1774-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 120...560
Kind of package: reel; tape
Case: SC75; SOT416
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3S nthl023n065m3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 131W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDMR2G lp2950-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷29V; 0.1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Output voltage: 1.25...29V
Output current: 0.1A
Case: Micro8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LZ lm317lz_fai.pdf
LM317LZ
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.1A; TO92; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM319N LM319.pdf
LM319N
Виробник: ONSEMI
Category: THT comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 5÷30V; THT; DIP14; tube; 300nA
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Operating voltage: 5...30V
Mounting: THT
Case: DIP14
Kind of output: open collector
Input offset voltage: 10mV
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: tube
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35VM 4N35VM.pdf
4N35VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 100%@10mA
Collector-emitter voltage: 30V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2429 2430 2431 2432 2433 2434 2435 2436 2437  [ Наступна Сторінка >> ]