Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142002) > Сторінка 77 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCP583SQ30T1G NCP583SQ30T1G onsemi NCP583_Rev2016.pdf Description: IC REG LINEAR 3V 150MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.5 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP583SQ33T1G NCP583SQ33T1G onsemi NCP583_Rev2016.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.5 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z10VST1G MM3Z10VST1G onsemi mm3z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.46 грн
6000+1.33 грн
9000+1.25 грн
15000+1.14 грн
21000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VST1G MM3Z11VST1G onsemi MM3Z2V4ST1-D.pdf Description: DIODE ZENER 11V 300MW SOD323
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.26 грн
6000+2.73 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z10VST1G MM3Z10VST1G onsemi mm3z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
на замовлення 30875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.52 грн
72+4.59 грн
136+2.42 грн
500+2.13 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VST1G MM3Z11VST1G onsemi MM3Z2V4ST1-D.pdf Description: DIODE ZENER 11V 300MW SOD323
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.74 грн
23+14.68 грн
100+7.77 грн
500+4.80 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G NTA4001NT1G onsemi nta4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
6000+3.24 грн
9000+2.87 грн
15000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
6000+3.54 грн
9000+3.47 грн
15000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.00 грн
6000+7.07 грн
9000+6.74 грн
15000+5.98 грн
21000+5.78 грн
30000+5.58 грн
75000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4153NT1G NTA4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+4.68 грн
9000+4.42 грн
15000+3.88 грн
21000+3.72 грн
30000+3.56 грн
75000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
6000+5.49 грн
9000+5.23 грн
15000+4.63 грн
21000+4.46 грн
30000+4.30 грн
75000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G onsemi ntgs4111p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.00 грн
6000+14.14 грн
9000+13.50 грн
15000+11.99 грн
21000+11.59 грн
30000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G onsemi nthd3100c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.50 грн
6000+29.10 грн
9000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1G NTHD3101FT1G onsemi nthd3101f-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3G NTHD4401PT3G onsemi nthd4401p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1G NTHD4502NT1G onsemi nthd4502n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1G NTHS4111PT1G onsemi NTHS4111P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G onsemi ntjd4152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.75 грн
6000+5.89 грн
9000+5.58 грн
15000+4.91 грн
21000+4.71 грн
30000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G onsemi ntjs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1G NTJS4405NT1G onsemi ntjs4405n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTQD4154ZR2 NTQD4154ZR2 onsemi NTQD4154Z-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
6000+8.36 грн
9000+7.93 грн
15000+7.00 грн
21000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
6000+5.93 грн
9000+5.62 грн
15000+4.94 грн
21000+4.75 грн
30000+4.56 грн
75000+4.07 грн
150000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.78 грн
9000+7.58 грн
21000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
6000+7.80 грн
9000+7.40 грн
15000+6.53 грн
21000+6.29 грн
30000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G onsemi ntzd3152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.83 грн
8000+6.26 грн
12000+6.07 грн
20000+5.67 грн
28000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G onsemi ntzd3154n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.08 грн
8000+6.20 грн
12000+5.89 грн
20000+5.20 грн
28000+5.00 грн
40000+4.81 грн
100000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.44 грн
8000+7.42 грн
12000+7.06 грн
20000+6.24 грн
28000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G onsemi ntzs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.68 грн
8000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G onsemi ntjd4001n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 56577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
18+18.29 грн
100+11.52 грн
500+8.07 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G onsemi ntjd4105c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
19+17.39 грн
100+10.99 грн
500+7.68 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 55783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.06 грн
17+20.01 грн
100+12.68 грн
500+8.90 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001NT1G onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
на замовлення 11346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.10 грн
20+16.73 грн
100+10.50 грн
500+7.34 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G NTA4001NT1G onsemi nta4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 16830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.88 грн
29+11.56 грн
100+6.82 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 94875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.88 грн
29+11.56 грн
100+6.79 грн
500+5.54 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 81932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.95 грн
18+18.94 грн
100+12.78 грн
500+9.29 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4153NT1G NTA4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 90591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.55 грн
22+15.01 грн
100+9.43 грн
500+6.56 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 113013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.99 грн
22+15.01 грн
100+10.09 грн
500+7.30 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G onsemi ntgs4111p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 30835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.28 грн
10+40.18 грн
100+26.01 грн
500+18.67 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G onsemi nthd3100c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 10424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+74.63 грн
100+49.77 грн
500+36.69 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3G NTHD4401PT3G onsemi nthd4401p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1G NTHD4502NT1G onsemi nthd4502n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G onsemi ntjd4152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 44179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
18+18.45 грн
100+11.63 грн
500+8.14 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G onsemi ntjs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.28 грн
10+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1 NTJS4151PT1 onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1G NTJS4405NT1G onsemi ntjs4405n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTQD4154ZR2 NTQD4154ZR2 onsemi NTQD4154Z-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.43 грн
13+25.34 грн
100+16.13 грн
500+11.38 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
19+18.12 грн
100+11.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 246344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
18+18.53 грн
100+11.69 грн
500+8.19 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 23696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.43 грн
13+26.00 грн
100+12.60 грн
500+11.75 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 40154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.03 грн
14+23.62 грн
100+15.01 грн
500+10.60 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G onsemi ntzd3152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 37311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.17 грн
15+23.13 грн
100+9.77 грн
500+8.28 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G onsemi ntzd3154n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 146598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.06 грн
17+20.01 грн
100+12.62 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
2000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 35967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.17 грн
15+23.29 грн
100+14.83 грн
500+10.47 грн
1000+9.36 грн
2000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G onsemi ntzs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.10 грн
16+21.24 грн
100+12.76 грн
500+11.09 грн
1000+7.54 грн
2000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MAC212A10 MAC212A10 onsemi MAC212A8_10.pdf Description: TRIAC 800V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP583SQ30T1G NCP583_Rev2016.pdf
NCP583SQ30T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3V 150MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.5 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP583SQ33T1G NCP583_Rev2016.pdf
NCP583SQ33T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.5 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z10VST1G mm3z2v4st1-d.pdf
MM3Z10VST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.46 грн
6000+1.33 грн
9000+1.25 грн
15000+1.14 грн
21000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VST1G MM3Z2V4ST1-D.pdf
MM3Z11VST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 11V 300MW SOD323
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.26 грн
6000+2.73 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z10VST1G mm3z2v4st1-d.pdf
MM3Z10VST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
на замовлення 30875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.52 грн
72+4.59 грн
136+2.42 грн
500+2.13 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VST1G MM3Z2V4ST1-D.pdf
MM3Z11VST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 11V 300MW SOD323
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.74 грн
23+14.68 грн
100+7.77 грн
500+4.80 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G nta4001n-d.pdf
NTA4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.94 грн
6000+3.24 грн
9000+2.87 грн
15000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTA4151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.76 грн
6000+3.54 грн
9000+3.47 грн
15000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.00 грн
6000+7.07 грн
9000+6.74 грн
15000+5.98 грн
21000+5.78 грн
30000+5.58 грн
75000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4153NT1G description nta4153n-d.pdf
NTA4153NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.39 грн
6000+4.68 грн
9000+4.42 грн
15000+3.88 грн
21000+3.72 грн
30000+3.56 грн
75000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G nta4153n-d.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.24 грн
6000+5.49 грн
9000+5.23 грн
15000+4.63 грн
21000+4.46 грн
30000+4.30 грн
75000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
NTGS4111PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.00 грн
6000+14.14 грн
9000+13.50 грн
15000+11.99 грн
21000+11.59 грн
30000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G nthd3100c-d.pdf
NTHD3100CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.50 грн
6000+29.10 грн
9000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1G nthd3101f-d.pdf
NTHD3101FT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3G nthd4401p-d.pdf
NTHD4401PT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1G nthd4502n-d.pdf
NTHD4502NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4111PT1G NTHS4111P-D.pdf
NTHS4111PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.75 грн
6000+5.89 грн
9000+5.58 грн
15000+4.91 грн
21000+4.71 грн
30000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G ntjs3151p-d.pdf
NTJS3151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1G ntjs4405n-d.pdf
NTJS4405NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTQD4154ZR2 NTQD4154Z-D.pdf
NTQD4154ZR2
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.54 грн
6000+8.36 грн
9000+7.93 грн
15000+7.00 грн
21000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.80 грн
6000+5.93 грн
9000+5.62 грн
15000+4.94 грн
21000+4.75 грн
30000+4.56 грн
75000+4.07 грн
150000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
6000+7.78 грн
9000+7.58 грн
21000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.89 грн
6000+7.80 грн
9000+7.40 грн
15000+6.53 грн
21000+6.29 грн
30000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G ntzd3152p-d.pdf
NTZD3152PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.83 грн
8000+6.26 грн
12000+6.07 грн
20000+5.67 грн
28000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.08 грн
8000+6.20 грн
12000+5.89 грн
20000+5.20 грн
28000+5.00 грн
40000+4.81 грн
100000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.44 грн
8000+7.42 грн
12000+7.06 грн
20000+6.24 грн
28000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G ntzs3151p-d.pdf
NTZS3151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.68 грн
8000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 56577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
18+18.29 грн
100+11.52 грн
500+8.07 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
NTJD4105CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
19+17.39 грн
100+10.99 грн
500+7.68 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G ntjd4401n-d.pdf
NTJD4401NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 55783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.06 грн
17+20.01 грн
100+12.68 грн
500+8.90 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
на замовлення 11346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.10 грн
20+16.73 грн
100+10.50 грн
500+7.34 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G nta4001n-d.pdf
NTA4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 16830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.88 грн
29+11.56 грн
100+6.82 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTA4151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 94875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.88 грн
29+11.56 грн
100+6.79 грн
500+5.54 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 81932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.95 грн
18+18.94 грн
100+12.78 грн
500+9.29 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4153NT1G description nta4153n-d.pdf
NTA4153NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 90591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.55 грн
22+15.01 грн
100+9.43 грн
500+6.56 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G nta4153n-d.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
на замовлення 113013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.99 грн
22+15.01 грн
100+10.09 грн
500+7.30 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
NTGS4111PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 30835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.28 грн
10+40.18 грн
100+26.01 грн
500+18.67 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G nthd3100c-d.pdf
NTHD3100CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 10424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.63 грн
10+74.63 грн
100+49.77 грн
500+36.69 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3G nthd4401p-d.pdf
NTHD4401PT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1G nthd4502n-d.pdf
NTHD4502NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 44179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
18+18.45 грн
100+11.63 грн
500+8.14 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G ntjs3151p-d.pdf
NTJS3151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.28 грн
10+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1 ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1G ntjs4405n-d.pdf
NTJS4405NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTQD4154ZR2 NTQD4154Z-D.pdf
NTQD4154ZR2
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
13+25.34 грн
100+16.13 грн
500+11.38 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
19+18.12 грн
100+11.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 246344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
18+18.53 грн
100+11.69 грн
500+8.19 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 23696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
13+26.00 грн
100+12.60 грн
500+11.75 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 40154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.03 грн
14+23.62 грн
100+15.01 грн
500+10.60 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G ntzd3152p-d.pdf
NTZD3152PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 37311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.17 грн
15+23.13 грн
100+9.77 грн
500+8.28 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 146598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.06 грн
17+20.01 грн
100+12.62 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
2000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 35967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.17 грн
15+23.29 грн
100+14.83 грн
500+10.47 грн
1000+9.36 грн
2000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G ntzs3151p-d.pdf
NTZS3151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.10 грн
16+21.24 грн
100+12.76 грн
500+11.09 грн
1000+7.54 грн
2000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MAC212A10 MAC212A8_10.pdf
MAC212A10
Виробник: onsemi
Description: TRIAC 800V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]