Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+820.99 грн
2+582.08 грн
6+530.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2031.07 грн
2+1783.55 грн
3+1782.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2437.28 грн
2+2222.58 грн
3+2139.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.85 грн
4+294.33 грн
9+278.27 грн
90+273.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+621.42 грн
4+366.78 грн
9+333.93 грн
90+328.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+362.25 грн
5+189.59 грн
13+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+434.70 грн
5+236.26 грн
13+214.67 грн
60+207.33 грн
120+206.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.72 грн
10+384.86 грн
25+188.61 грн
100+156.32 грн
240+150.45 грн
480+127.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1256.09 грн
25+761.28 грн
100+587.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.28 грн
10+628.78 грн
25+342.00 грн
100+288.43 грн
240+287.69 грн
480+264.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.37 грн
10+841.46 грн
25+436.68 грн
100+370.62 грн
240+369.89 грн
480+356.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.15 грн
10+495.43 грн
25+262.74 грн
100+219.44 грн
240+218.70 грн
1200+193.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+409.18 грн
4+252.28 грн
10+238.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.01 грн
4+314.38 грн
10+286.22 грн
510+282.56 грн
1020+275.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.58 грн
10+486.14 грн
25+291.36 грн
100+249.53 грн
240+248.80 грн
480+228.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+283.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.35 грн
25+378.11 грн
100+276.68 грн
240+275.95 грн
480+268.61 грн
2640+253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.48 грн
10+521.59 грн
25+410.99 грн
100+377.23 грн
240+355.21 грн
480+333.19 грн
1200+314.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+302.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.02 грн
10+627.93 грн
25+345.67 грн
100+291.36 грн
240+290.63 грн
480+269.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.68 грн
10+595.02 грн
100+430.80 грн
240+430.07 грн
480+380.16 грн
1200+342.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+440.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.13 грн
3+420.47 грн
6+397.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+709.35 грн
3+523.97 грн
6+477.04 грн
120+458.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.91 грн
10+719.93 грн
25+384.57 грн
100+326.59 грн
240+325.86 грн
480+306.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1062.58 грн
10+1030.52 грн
25+551.17 грн
100+473.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.06 грн
10+468.42 грн
25+314.85 грн
240+314.11 грн
480+295.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.11 грн
10+467.57 грн
25+315.58 грн
100+265.68 грн
240+256.13 грн
480+241.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+593.37 грн
10+579.82 грн
25+331.73 грн
100+289.89 грн
240+288.43 грн
480+269.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.84 грн
10+665.91 грн
25+375.76 грн
100+317.78 грн
240+291.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS media-3319048.pdf IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1483.84 грн
10+1385.00 грн
30+1022.34 грн
120+885.83 грн
270+850.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS media-3322693.pdf IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1553.20 грн
30+1125.05 грн
120+883.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS media-3320514.pdf IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1176.46 грн
30+873.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.96 грн
10+473.48 грн
100+342.00 грн
500+302.37 грн
800+271.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.95 грн
10+477.70 грн
100+346.41 грн
450+304.57 грн
900+274.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS media-3322236.pdf IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+952.12 грн
10+823.74 грн
30+584.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS media-3321654.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+909.31 грн
10+873.54 грн
30+515.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS media-3321921.pdf IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+961.54 грн
10+941.90 грн
30+501.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS media-3323848.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.23 грн
30+592.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS media-3319281.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3944.64 грн
10+3648.59 грн
25+2490.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS media-3319578.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4240.04 грн
10+3800.51 грн
100+2973.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS media-3321393.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4091.05 грн
10+3853.68 грн
30+2603.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf IGBTs
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.03 грн
10+645.66 грн
100+422.00 грн
500+405.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.58 грн
3+406.71 грн
7+384.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+762.70 грн
3+506.82 грн
7+461.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.93 грн
10+436.35 грн
30+253.93 грн
120+204.76 грн
300+199.62 грн
600+182.01 грн
1050+155.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.20 грн
10+546.07 грн
100+378.70 грн
500+364.75 грн
800+356.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1540.35 грн
10+1285.41 грн
100+1097.93 грн
250+1050.96 грн
500+937.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1089.12 грн
10+1072.72 грн
30+572.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1662.79 грн
10+1566.46 грн
30+1029.67 грн
120+998.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.80 грн
10+776.48 грн
30+515.94 грн
120+475.57 грн
270+472.64 грн
510+453.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1578.88 грн
10+1504.00 грн
30+926.19 грн
120+919.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1150.77 грн
10+1109.01 грн
500+905.64 грн
800+800.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1900.82 грн
10+1644.95 грн
25+1428.19 грн
100+1364.34 грн
250+1220.49 грн
500+1172.05 грн
800+1133.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1524.08 грн
10+1482.90 грн
30+959.95 грн
120+943.81 грн
270+869.68 грн
510+868.21 грн
1020+861.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1484.70 грн
10+1459.27 грн
30+1173.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1380.24 грн
30+1298.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1350.27 грн
10+998.45 грн
25+866.01 грн
100+760.33 грн
250+759.60 грн
500+758.13 грн
1000+644.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1059.15 грн
10+1043.18 грн
25+711.16 грн
100+702.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+684.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.99 грн
2+582.08 грн
6+530.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2031.07 грн
2+1783.55 грн
3+1782.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2437.28 грн
2+2222.58 грн
3+2139.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.85 грн
4+294.33 грн
9+278.27 грн
90+273.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.42 грн
4+366.78 грн
9+333.93 грн
90+328.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+362.25 грн
5+189.59 грн
13+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.70 грн
5+236.26 грн
13+214.67 грн
60+207.33 грн
120+206.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.72 грн
10+384.86 грн
25+188.61 грн
100+156.32 грн
240+150.45 грн
480+127.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1256.09 грн
25+761.28 грн
100+587.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.28 грн
10+628.78 грн
25+342.00 грн
100+288.43 грн
240+287.69 грн
480+264.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.37 грн
10+841.46 грн
25+436.68 грн
100+370.62 грн
240+369.89 грн
480+356.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.15 грн
10+495.43 грн
25+262.74 грн
100+219.44 грн
240+218.70 грн
1200+193.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.18 грн
4+252.28 грн
10+238.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.01 грн
4+314.38 грн
10+286.22 грн
510+282.56 грн
1020+275.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.58 грн
10+486.14 грн
25+291.36 грн
100+249.53 грн
240+248.80 грн
480+228.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.35 грн
25+378.11 грн
100+276.68 грн
240+275.95 грн
480+268.61 грн
2640+253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.48 грн
10+521.59 грн
25+410.99 грн
100+377.23 грн
240+355.21 грн
480+333.19 грн
1200+314.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+302.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.02 грн
10+627.93 грн
25+345.67 грн
100+291.36 грн
240+290.63 грн
480+269.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+704.68 грн
10+595.02 грн
100+430.80 грн
240+430.07 грн
480+380.16 грн
1200+342.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+440.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.13 грн
3+420.47 грн
6+397.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.35 грн
3+523.97 грн
6+477.04 грн
120+458.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.91 грн
10+719.93 грн
25+384.57 грн
100+326.59 грн
240+325.86 грн
480+306.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.58 грн
10+1030.52 грн
25+551.17 грн
100+473.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.06 грн
10+468.42 грн
25+314.85 грн
240+314.11 грн
480+295.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.11 грн
10+467.57 грн
25+315.58 грн
100+265.68 грн
240+256.13 грн
480+241.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.37 грн
10+579.82 грн
25+331.73 грн
100+289.89 грн
240+288.43 грн
480+269.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.84 грн
10+665.91 грн
25+375.76 грн
100+317.78 грн
240+291.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 media-3319048.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1483.84 грн
10+1385.00 грн
30+1022.34 грн
120+885.83 грн
270+850.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 media-3322693.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1553.20 грн
30+1125.05 грн
120+883.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 media-3320514.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1176.46 грн
30+873.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.96 грн
10+473.48 грн
100+342.00 грн
500+302.37 грн
800+271.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.95 грн
10+477.70 грн
100+346.41 грн
450+304.57 грн
900+274.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 media-3322236.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+952.12 грн
10+823.74 грн
30+584.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 media-3321654.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+909.31 грн
10+873.54 грн
30+515.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 media-3321921.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.54 грн
10+941.90 грн
30+501.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 media-3323848.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+850.23 грн
30+592.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 media-3319281.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3944.64 грн
10+3648.59 грн
25+2490.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 media-3319578.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4240.04 грн
10+3800.51 грн
100+2973.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 media-3321393.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4091.05 грн
10+3853.68 грн
30+2603.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.03 грн
10+645.66 грн
100+422.00 грн
500+405.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+635.58 грн
3+406.71 грн
7+384.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+762.70 грн
3+506.82 грн
7+461.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.93 грн
10+436.35 грн
30+253.93 грн
120+204.76 грн
300+199.62 грн
600+182.01 грн
1050+155.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.20 грн
10+546.07 грн
100+378.70 грн
500+364.75 грн
800+356.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1540.35 грн
10+1285.41 грн
100+1097.93 грн
250+1050.96 грн
500+937.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1089.12 грн
10+1072.72 грн
30+572.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1662.79 грн
10+1566.46 грн
30+1029.67 грн
120+998.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+852.80 грн
10+776.48 грн
30+515.94 грн
120+475.57 грн
270+472.64 грн
510+453.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1578.88 грн
10+1504.00 грн
30+926.19 грн
120+919.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1150.77 грн
10+1109.01 грн
500+905.64 грн
800+800.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1900.82 грн
10+1644.95 грн
25+1428.19 грн
100+1364.34 грн
250+1220.49 грн
500+1172.05 грн
800+1133.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1524.08 грн
10+1482.90 грн
30+959.95 грн
120+943.81 грн
270+869.68 грн
510+868.21 грн
1020+861.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1484.70 грн
10+1459.27 грн
30+1173.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1380.24 грн
30+1298.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
SCTH40N120G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1350.27 грн
10+998.45 грн
25+866.01 грн
100+760.33 грн
250+759.60 грн
500+758.13 грн
1000+644.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
SCTW40N120G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1059.15 грн
10+1043.18 грн
25+711.16 грн
100+702.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]