Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+690.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+828.86 грн
2+604.84 грн
6+551.24 грн
30+549.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2106.94 грн
2+1849.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2528.33 грн
2+2304.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3 IGW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW40N120H3_DS_v02_02_EN-3360239.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.66 грн
10+307.07 грн
100+215.58 грн
480+191.37 грн
1200+181.54 грн
2640+164.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.34 грн
4+303.36 грн
9+286.81 грн
30+277.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+569.20 грн
4+378.03 грн
9+344.17 грн
30+332.82 грн
90+330.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.52 грн
10+200.94 грн
100+130.86 грн
480+116.49 грн
1200+99.85 грн
2640+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.33 грн
10+722.87 грн
100+543.11 грн
480+514.36 грн
1200+437.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.45 грн
10+449.73 грн
100+326.02 грн
480+290.46 грн
1200+258.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.87 грн
10+461.91 грн
100+335.09 грн
480+319.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.25 грн
10+355.78 грн
100+249.62 грн
480+222.39 грн
1200+189.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.79 грн
4+260.02 грн
10+245.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+599.75 грн
4+324.02 грн
10+295.00 грн
120+283.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.55 грн
10+324.47 грн
100+237.52 грн
480+204.99 грн
1200+191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+293.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.97 грн
10+353.17 грн
100+257.94 грн
480+250.37 грн
2640+206.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.38 грн
10+397.54 грн
100+279.87 грн
480+250.37 грн
2640+212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+313.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.53 грн
3+417.61 грн
7+394.76 грн
30+379.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.08 грн
10+328.82 грн
100+267.02 грн
480+240.54 грн
1200+218.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.85 грн
10+398.41 грн
100+304.08 грн
1200+228.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+456.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.96 грн
3+433.36 грн
6+409.73 грн
30+393.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+766.75 грн
3+540.04 грн
6+491.67 грн
30+472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.33 грн
10+397.54 грн
100+288.20 грн
480+285.93 грн
1200+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+987.50 грн
10+727.22 грн
100+546.13 грн
480+518.15 грн
1200+439.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.15 грн
10+401.89 грн
100+290.46 грн
480+258.70 грн
1200+230.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.90 грн
10+339.25 грн
100+239.03 грн
480+216.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.26 грн
10+398.41 грн
100+279.87 грн
480+248.86 грн
1200+212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.22 грн
10+494.09 грн
100+357.79 грн
480+319.21 грн
1200+284.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS media-3319048.pdf IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.51 грн
10+1093.44 грн
120+944.77 грн
510+925.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS media-3322693.pdf IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1368.74 грн
10+1138.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS media-3320514.pdf IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1148.12 грн
10+1090.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.80 грн
10+615.01 грн
500+513.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.10 грн
120+625.44 грн
510+533.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS media-3322236.pdf IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.32 грн
10+693.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS media-3321654.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.26 грн
10+575.86 грн
120+428.89 грн
510+428.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS media-3321921.pdf IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+828.66 грн
10+595.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS media-3323848.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+958.38 грн
10+705.47 грн
120+531.01 грн
510+502.26 грн
1020+426.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS media-3319281.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3337.57 грн
10+2367.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS media-3319578.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4094.75 грн
10+3294.24 грн
100+2330.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS media-3321393.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3461.12 грн
10+2477.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf IGBTs
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+880.72 грн
10+601.96 грн
100+416.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.08 грн
3+419.18 грн
7+396.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+786.09 грн
3+522.37 грн
7+475.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.54 грн
10+360.13 грн
120+253.40 грн
600+225.41 грн
1050+192.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+735.11 грн
10+543.68 грн
100+392.58 грн
500+366.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1547.88 грн
10+1199.57 грн
100+1029.49 грн
500+962.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1148.12 грн
10+675.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1608.78 грн
10+1100.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+835.72 грн
10+519.32 грн
120+422.08 грн
510+406.95 грн
1020+388.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.47 грн
10+1085.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1366.97 грн
10+1143.02 грн
100+928.13 грн
500+826.77 грн
800+826.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1867.35 грн
10+1545.78 грн
100+1282.13 грн
500+1163.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1540.82 грн
10+1278.73 грн
120+1094.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1391.68 грн
10+1332.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1257.55 грн
10+935.99 грн
100+726.92 грн
500+726.16 грн
1000+600.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1125.17 грн
10+768.98 грн
100+615.72 грн
600+602.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.86 грн
2+604.84 грн
6+551.24 грн
30+549.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2106.94 грн
2+1849.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2528.33 грн
2+2304.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3 Infineon_IGW40N120H3_DS_v02_02_EN-3360239.pdf
IGW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.66 грн
10+307.07 грн
100+215.58 грн
480+191.37 грн
1200+181.54 грн
2640+164.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.34 грн
4+303.36 грн
9+286.81 грн
30+277.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.20 грн
4+378.03 грн
9+344.17 грн
30+332.82 грн
90+330.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.52 грн
10+200.94 грн
100+130.86 грн
480+116.49 грн
1200+99.85 грн
2640+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.33 грн
10+722.87 грн
100+543.11 грн
480+514.36 грн
1200+437.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.45 грн
10+449.73 грн
100+326.02 грн
480+290.46 грн
1200+258.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.87 грн
10+461.91 грн
100+335.09 грн
480+319.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.25 грн
10+355.78 грн
100+249.62 грн
480+222.39 грн
1200+189.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.79 грн
4+260.02 грн
10+245.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.75 грн
4+324.02 грн
10+295.00 грн
120+283.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.55 грн
10+324.47 грн
100+237.52 грн
480+204.99 грн
1200+191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.97 грн
10+353.17 грн
100+257.94 грн
480+250.37 грн
2640+206.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.38 грн
10+397.54 грн
100+279.87 грн
480+250.37 грн
2640+212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+313.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.53 грн
3+417.61 грн
7+394.76 грн
30+379.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.08 грн
10+328.82 грн
100+267.02 грн
480+240.54 грн
1200+218.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.85 грн
10+398.41 грн
100+304.08 грн
1200+228.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+456.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.96 грн
3+433.36 грн
6+409.73 грн
30+393.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.75 грн
3+540.04 грн
6+491.67 грн
30+472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.33 грн
10+397.54 грн
100+288.20 грн
480+285.93 грн
1200+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.50 грн
10+727.22 грн
100+546.13 грн
480+518.15 грн
1200+439.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.15 грн
10+401.89 грн
100+290.46 грн
480+258.70 грн
1200+230.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.90 грн
10+339.25 грн
100+239.03 грн
480+216.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.26 грн
10+398.41 грн
100+279.87 грн
480+248.86 грн
1200+212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.22 грн
10+494.09 грн
100+357.79 грн
480+319.21 грн
1200+284.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 media-3319048.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.51 грн
10+1093.44 грн
120+944.77 грн
510+925.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 media-3322693.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1368.74 грн
10+1138.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 media-3320514.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1148.12 грн
10+1090.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.80 грн
10+615.01 грн
500+513.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.10 грн
120+625.44 грн
510+533.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 media-3322236.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+951.32 грн
10+693.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 media-3321654.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.26 грн
10+575.86 грн
120+428.89 грн
510+428.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 media-3321921.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.66 грн
10+595.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 media-3323848.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+958.38 грн
10+705.47 грн
120+531.01 грн
510+502.26 грн
1020+426.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 media-3319281.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3337.57 грн
10+2367.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 media-3319578.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4094.75 грн
10+3294.24 грн
100+2330.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 media-3321393.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3461.12 грн
10+2477.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.72 грн
10+601.96 грн
100+416.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.08 грн
3+419.18 грн
7+396.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+786.09 грн
3+522.37 грн
7+475.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.54 грн
10+360.13 грн
120+253.40 грн
600+225.41 грн
1050+192.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.11 грн
10+543.68 грн
100+392.58 грн
500+366.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1547.88 грн
10+1199.57 грн
100+1029.49 грн
500+962.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1148.12 грн
10+675.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1608.78 грн
10+1100.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.72 грн
10+519.32 грн
120+422.08 грн
510+406.95 грн
1020+388.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1558.47 грн
10+1085.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1366.97 грн
10+1143.02 грн
100+928.13 грн
500+826.77 грн
800+826.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1867.35 грн
10+1545.78 грн
100+1282.13 грн
500+1163.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1540.82 грн
10+1278.73 грн
120+1094.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1391.68 грн
10+1332.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
SCTH40N120G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1257.55 грн
10+935.99 грн
100+726.92 грн
500+726.16 грн
1000+600.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
SCTW40N120G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1125.17 грн
10+768.98 грн
100+615.72 грн
600+602.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]