Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 136 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SISH615ADN-T1-GE3 SISH615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 SISH615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 70334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+38.20 грн
100+26.38 грн
500+19.48 грн
1000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss08dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss08dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+72.55 грн
100+56.55 грн
500+43.84 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9407ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.01 грн
5000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9407ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
10+71.03 грн
100+47.61 грн
500+35.25 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.97 грн
6000+12.36 грн
9000+11.80 грн
15000+10.49 грн
21000+10.14 грн
30000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.13 грн
10+34.87 грн
100+22.62 грн
500+16.26 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix siaa00dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix siaa00dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.42 грн
10+45.39 грн
100+34.79 грн
500+25.81 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.27 грн
10+43.35 грн
100+28.34 грн
500+20.55 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.40 грн
10+100.84 грн
100+68.44 грн
500+51.22 грн
1000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj8n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.53 грн
10+131.55 грн
100+90.78 грн
500+68.83 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF-BE3 IRFR120TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF-BE3 IRFR120TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+93.65 грн
100+63.51 грн
500+47.46 грн
1000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+91.46 грн
100+83.80 грн
500+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3 SQJA36EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja36ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3 SQJA36EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja36ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.61 грн
10+113.17 грн
100+84.04 грн
500+63.51 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.20 грн
10+68.61 грн
100+53.39 грн
500+42.47 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N02-3M5L_GE3 SQD100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix sqd100n02-3m5l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N02-3M5L_GE3 SQD100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix sqd100n02-3m5l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+89.26 грн
100+69.41 грн
500+55.21 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N02-3M5L_GE3 SQM100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix sqm100n02-3m5l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N02-3M5L_GE3 SQM100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix sqm100n02-3m5l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Vishay Siliconix sug80050e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.92 грн
10+276.26 грн
100+198.97 грн
500+155.80 грн
1000+145.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.48 грн
5000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
10+115.06 грн
100+79.08 грн
500+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr870adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.80 грн
6000+53.23 грн
9000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr870adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 17732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.75 грн
10+123.76 грн
100+85.17 грн
500+64.43 грн
1000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2788ADN-T1-E4 DG2788ADN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2788a.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.71 грн
6000+43.76 грн
9000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.48 грн
10+90.85 грн
100+70.68 грн
500+56.23 грн
1000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 DG2524DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2523.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 DG2524DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2523.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.48 грн
10+65.51 грн
25+59.43 грн
100+49.43 грн
250+46.41 грн
500+44.59 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.47 грн
10+91.46 грн
100+62.11 грн
500+46.48 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss22ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.24 грн
6000+36.21 грн
9000+34.91 грн
15000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss22ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 38923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
10+89.04 грн
100+60.17 грн
500+44.85 грн
1000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3 SUD50N02-09P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N02-09P.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3 IRL640PBF-BE3 Vishay Siliconix irl640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
50+102.06 грн
100+92.15 грн
500+70.15 грн
1000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3 SIP2802DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3 SIP2802DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2204EMP-T1-GE4 SIP2204EMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip2204.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 500MA 32QFN
Load Type: Inductive
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 2A
Current - Output / Channel: 500mA
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 350mOhm LS, 550mOhm HS
Voltage - Supply: 10V ~ 24V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 DG1413EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+312.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 DG1413EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.61 грн
10+405.09 грн
25+375.48 грн
100+321.84 грн
250+313.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415aenw.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415aenw.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3 IRF9Z30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z30_SiHF9Z30.PDF Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.74 грн
50+96.56 грн
100+91.63 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss80dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss80dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.82 грн
10+113.70 грн
100+77.89 грн
500+58.71 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.88 грн
10+154.47 грн
100+107.92 грн
500+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 SIC431BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 SIC431BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.89 грн
10+145.77 грн
25+133.47 грн
100+112.61 грн
250+106.57 грн
500+102.94 грн
1000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461ED-T1-GE3 SIC461ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+179.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 sish615adn.pdf
SISH615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 sish615adn.pdf
SISH615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 70334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.35 грн
10+38.20 грн
100+26.38 грн
500+19.48 грн
1000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 siss08dn.pdf
SISS08DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 siss08dn.pdf
SISS08DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.05 грн
10+72.55 грн
100+56.55 грн
500+43.84 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 sq9407ey.pdf
SQ9407EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+32.01 грн
5000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 sq9407ey.pdf
SQ9407EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.26 грн
10+71.03 грн
100+47.61 грн
500+35.25 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.97 грн
6000+12.36 грн
9000+11.80 грн
15000+10.49 грн
21000+10.14 грн
30000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.13 грн
10+34.87 грн
100+22.62 грн
500+16.26 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
SIAA40DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
SIAA40DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.42 грн
10+45.39 грн
100+34.79 грн
500+25.81 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.27 грн
10+43.35 грн
100+28.34 грн
500+20.55 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 sq4961ey.pdf
SQ4961EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 sq4961ey.pdf
SQ4961EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.40 грн
10+100.84 грн
100+68.44 грн
500+51.22 грн
1000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
SIHJ8N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.53 грн
10+131.55 грн
100+90.78 грн
500+68.83 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.40 грн
10+93.65 грн
100+63.51 грн
500+47.46 грн
1000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.84 грн
10+91.46 грн
100+83.80 грн
500+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3 sqja36ep.pdf
SQJA36EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3 sqja36ep.pdf
SQJA36EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+162.61 грн
10+113.17 грн
100+84.04 грн
500+63.51 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3 sizf300dt.pdf
SIZF300DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.20 грн
10+68.61 грн
100+53.39 грн
500+42.47 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N02-3M5L_GE3 sqd100n02-3m5l.pdf
SQD100N02-3M5L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N02-3M5L_GE3 sqd100n02-3m5l.pdf
SQD100N02-3M5L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+89.26 грн
100+69.41 грн
500+55.21 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N02-3M5L_GE3 sqm100n02-3m5l.pdf
SQM100N02-3M5L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N02-3M5L_GE3 sqm100n02-3m5l.pdf
SQM100N02-3M5L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 sug80050e.pdf
SUG80050E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+428.92 грн
10+276.26 грн
100+198.97 грн
500+155.80 грн
1000+145.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 sihfr901.pdf
IRFR9014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 sihfr901.pdf
IRFR9014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+55.48 грн
5000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+184.61 грн
10+115.06 грн
100+79.08 грн
500+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3 sidr870adp.pdf
SIDR870ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+58.80 грн
6000+53.23 грн
9000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3 sidr870adp.pdf
SIDR870ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 17732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+198.75 грн
10+123.76 грн
100+85.17 грн
500+64.43 грн
1000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2788ADN-T1-E4 dg2788a.pdf
DG2788ADN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 sizf906dt.pdf
SiZF906DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.71 грн
6000+43.76 грн
9000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 sizf906dt.pdf
SiZF906DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.48 грн
10+90.85 грн
100+70.68 грн
500+56.23 грн
1000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 dg2523.pdf
DG2524DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 dg2523.pdf
DG2524DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.48 грн
10+65.51 грн
25+59.43 грн
100+49.43 грн
250+46.41 грн
500+44.59 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 sqd10n30-330h.pdf
SQD10N30-330H_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 sqd10n30-330h.pdf
SQD10N30-330H_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.47 грн
10+91.46 грн
100+62.11 грн
500+46.48 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 siss22ldn.pdf
SISS22LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.24 грн
6000+36.21 грн
9000+34.91 грн
15000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 siss22ldn.pdf
SISS22LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 38923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.54 грн
10+89.04 грн
100+60.17 грн
500+44.85 грн
1000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3 SUD50N02-09P.pdf
SUD50N02-09P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3 irl640.pdf
IRL640PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.10 грн
50+102.06 грн
100+92.15 грн
500+70.15 грн
1000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3
SIP2802DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3
SIP2802DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2204EMP-T1-GE4 sip2204.pdf
SIP2204EMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 500MA 32QFN
Load Type: Inductive
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 2A
Current - Output / Channel: 500mA
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 350mOhm LS, 550mOhm HS
Voltage - Supply: 10V ~ 24V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+312.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+543.61 грн
10+405.09 грн
25+375.48 грн
100+321.84 грн
250+313.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 sq7415aenw.pdf
SQ7415AENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 sq7415aenw.pdf
SQ7415AENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3 IRF9Z30_SiHF9Z30.PDF
IRF9Z30PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+209.74 грн
50+96.56 грн
100+91.63 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.82 грн
10+113.70 грн
100+77.89 грн
500+58.71 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 sidr668dp.pdf
SIDR668DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 sidr668dp.pdf
SIDR668DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+245.88 грн
10+154.47 грн
100+107.92 грн
500+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.89 грн
10+145.77 грн
25+133.47 грн
100+112.61 грн
250+106.57 грн
500+102.94 грн
1000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC461ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+179.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]