Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 135 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR9220TRPBF-BE3 IRFR9220TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3 IRFR9220TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 Vishay Siliconix 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.88 грн
50+119.70 грн
100+108.36 грн
500+83.06 грн
1000+77.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7326dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7326dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.84 грн
10+52.73 грн
100+36.51 грн
500+28.63 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 SI7326DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7326dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 SI7326DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7326dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651CD-T1-GE3 SIC651CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic651.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 50A
Applications: General Purpose
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651CD-T1-GE3 SIC651CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic651.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 50A
Applications: General Purpose
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.18 грн
10+117.78 грн
25+107.60 грн
100+90.44 грн
250+85.43 грн
500+82.41 грн
1000+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC652ACD-T1-GE3 SIC652ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic652.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC652ACD-T1-GE3 SIC652ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic652.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.16 грн
10+180.87 грн
25+156.50 грн
100+121.18 грн
250+108.70 грн
500+101.08 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641ACD-T1-GE3 SIC641ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641ACD-T1-GE3 SIC641ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
10+109.01 грн
100+74.39 грн
500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3 SIP2804DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 49%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3 SIP2804DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 49%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+117.18 грн
25+110.53 грн
100+88.37 грн
250+82.97 грн
500+72.60 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 DG2723DN-T1-E4 Vishay Siliconix tf-dg2723dn-t1-e4.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Charge Injection: 3pC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
-3db Bandwidth: 700MHz
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 DG2723DN-T1-E4 Vishay Siliconix tf-dg2723dn-t1-e4.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Charge Injection: 3pC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
-3db Bandwidth: 700MHz
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+74.59 грн
25+67.66 грн
100+56.35 грн
250+52.94 грн
500+50.89 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 DG2730DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2730.pdf Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.03 грн
6000+45.25 грн
9000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 DG2730DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2730.pdf Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.20 грн
10+68.76 грн
25+62.33 грн
100+51.92 грн
250+48.78 грн
500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3 IRFBC20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
50+49.68 грн
100+44.30 грн
500+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.53 грн
10+124.36 грн
100+85.59 грн
500+64.77 грн
1000+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.77 грн
6000+72.07 грн
9000+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+137.98 грн
100+109.80 грн
500+87.19 грн
1000+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ412EP.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-Y1-GE3 SIC931BED-Y1-GE3 Vishay Siliconix sic931.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 20A POWERPAK
Packaging: Tray
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.88 грн
10+1141.43 грн
25+1048.92 грн
210+926.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7223dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.71 грн
6000+28.42 грн
9000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7223dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 14311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.62 грн
10+72.32 грн
100+48.35 грн
500+35.71 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+90.10 грн
100+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 IRFL9014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 IRFL9014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.96 грн
10+130.26 грн
100+89.85 грн
500+68.10 грн
1000+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-3M6P-GE3 SUP85N03-3M6P-GE3 Vishay Siliconix sup85n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3 SIC641CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 16V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3 SIC641CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 16V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.68 грн
10+138.05 грн
25+126.36 грн
100+106.51 грн
250+100.75 грн
500+97.29 грн
1000+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 DG4157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.62 грн
6000+18.41 грн
9000+18.17 грн
15000+16.80 грн
21000+16.65 грн
30000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 DG4157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 84464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.99 грн
11+29.73 грн
25+26.66 грн
100+21.84 грн
250+20.33 грн
500+19.41 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss65dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.82 грн
6000+26.70 грн
9000+25.67 грн
15000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss65dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 17111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.34 грн
10+68.54 грн
100+45.66 грн
500+33.66 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+97.13 грн
100+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
50+67.19 грн
100+60.21 грн
500+45.00 грн
1000+41.30 грн
2000+38.19 грн
5000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 5301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.99 грн
10+32.60 грн
100+21.00 грн
500+15.02 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 SQ4850EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4850ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 SQ4850EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4850ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.91 грн
6000+27.72 грн
9000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
10+70.12 грн
100+46.95 грн
500+34.74 грн
1000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira99dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira99dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
10+149.02 грн
100+113.36 грн
500+86.59 грн
1000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9233EDY-GE3 DG9233EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX2 25OHM 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.75 грн
10+117.78 грн
25+107.42 грн
100+90.12 грн
300+84.16 грн
500+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.06 грн
5000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
10+110.22 грн
100+75.17 грн
500+56.47 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix 73045.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.69 грн
1600+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix 73045.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.29 грн
10+227.09 грн
100+162.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC SWITCH DUAL SPST SOT23-8
Part Status: Active
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3 sihfr922.pdf
IRFR9220TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3 sihfr922.pdf
IRFR9220TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+200.32 грн
10+125.12 грн
100+86.52 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF-BE3 91094.pdf
IRFB11N50APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+245.88 грн
50+119.70 грн
100+108.36 грн
500+83.06 грн
1000+77.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
SI7326DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
SI7326DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.84 грн
10+52.73 грн
100+36.51 грн
500+28.63 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 si7326dn.pdf
SI7326DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 si7326dn.pdf
SI7326DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651CD-T1-GE3 sic651.pdf
SIC651CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 50A
Applications: General Purpose
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651CD-T1-GE3 sic651.pdf
SIC651CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 50A
Applications: General Purpose
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.18 грн
10+117.78 грн
25+107.60 грн
100+90.44 грн
250+85.43 грн
500+82.41 грн
1000+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC652ACD-T1-GE3 sic652.pdf
SIC652ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC652ACD-T1-GE3 sic652.pdf
SIC652ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+285.16 грн
10+180.87 грн
25+156.50 грн
100+121.18 грн
250+108.70 грн
500+101.08 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641ACD-T1-GE3
SIC641ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641ACD-T1-GE3
SIC641ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.97 грн
10+109.01 грн
100+74.39 грн
500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3
SIP2804DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 49%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3
SIP2804DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 49%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.12 грн
10+117.18 грн
25+110.53 грн
100+88.37 грн
250+82.97 грн
500+72.60 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 tf-dg2723dn-t1-e4.pdf
DG2723DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Charge Injection: 3pC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
-3db Bandwidth: 700MHz
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 tf-dg2723dn-t1-e4.pdf
DG2723DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Charge Injection: 3pC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
-3db Bandwidth: 700MHz
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.84 грн
10+74.59 грн
25+67.66 грн
100+56.35 грн
250+52.94 грн
500+50.89 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 dg2730.pdf
DG2730DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+48.03 грн
6000+45.25 грн
9000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 dg2730.pdf
DG2730DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.20 грн
10+68.76 грн
25+62.33 грн
100+51.92 грн
250+48.78 грн
500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3 irfbc20.pdf
IRFBC20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.41 грн
50+49.68 грн
100+44.30 грн
500+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 sir626adp.pdf
SIR626ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.53 грн
10+124.36 грн
100+85.59 грн
500+64.77 грн
1000+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+77.77 грн
6000+72.07 грн
9000+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.82 грн
10+137.98 грн
100+109.80 грн
500+87.19 грн
1000+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T2_GE3 SQJ412EP.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-Y1-GE3 sic931.pdf
SIC931BED-Y1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 20A POWERPAK
Packaging: Tray
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1344.88 грн
10+1141.43 грн
25+1048.92 грн
210+926.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
SI7223DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+31.71 грн
6000+28.42 грн
9000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
SI7223DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 14311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.62 грн
10+72.32 грн
100+48.35 грн
500+35.71 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.11 грн
10+90.10 грн
100+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 sihfl901.pdf
IRFL9014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 sihfl901.pdf
IRFL9014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.96 грн
10+130.26 грн
100+89.85 грн
500+68.10 грн
1000+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-3M6P-GE3 sup85n03.pdf
SUP85N03-3M6P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3
SIC641CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 16V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3
SIC641CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 16V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 100A
Current - Output / Channel: 55A
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic, PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.68 грн
10+138.05 грн
25+126.36 грн
100+106.51 грн
250+100.75 грн
500+97.29 грн
1000+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 dg4157e.pdf
DG4157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.62 грн
6000+18.41 грн
9000+18.17 грн
15000+16.80 грн
21000+16.65 грн
30000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 dg4157e.pdf
DG4157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 84464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.99 грн
11+29.73 грн
25+26.66 грн
100+21.84 грн
250+20.33 грн
500+19.41 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 siss65dn.pdf
SISS65DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.82 грн
6000+26.70 грн
9000+25.67 грн
15000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 siss65dn.pdf
SISS65DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 17111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.34 грн
10+68.54 грн
100+45.66 грн
500+33.66 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+97.13 грн
100+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.76 грн
50+67.19 грн
100+60.21 грн
500+45.00 грн
1000+41.30 грн
2000+38.19 грн
5000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 5301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.99 грн
10+32.60 грн
100+21.00 грн
500+15.02 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 sq4850ey.pdf
SQ4850EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 sq4850ey.pdf
SQ4850EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+30.91 грн
6000+27.72 грн
9000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.69 грн
10+70.12 грн
100+46.95 грн
500+34.74 грн
1000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.10 грн
10+149.02 грн
100+113.36 грн
500+86.59 грн
1000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9233EDY-GE3 dg9232e.pdf
DG9233EDY-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX2 25OHM 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.75 грн
10+117.78 грн
25+107.42 грн
100+90.12 грн
300+84.16 грн
500+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 sq4920ey.pdf
SQ4920EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+52.06 грн
5000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 sq4920ey.pdf
SQ4920EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.32 грн
10+110.22 грн
100+75.17 грн
500+56.47 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 sir608dp.pdf
SIR608DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 sir608dp.pdf
SIR608DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+133.69 грн
1600+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+354.29 грн
10+227.09 грн
100+162.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST SOT23-8
Part Status: Active
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]