Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 135 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SiZF906DT-T1-GE3 SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.62 грн
6000+44.59 грн
9000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.67 грн
10+92.58 грн
100+72.03 грн
500+57.29 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 DG2524DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2523.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 DG2524DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2523.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+79.16 грн
25+71.90 грн
100+59.95 грн
250+56.37 грн
500+54.20 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.29 грн
10+93.19 грн
100+63.28 грн
500+47.36 грн
1000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss22ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.66 грн
9000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss22ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 70098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.69 грн
10+92.19 грн
50+69.61 грн
100+58.46 грн
500+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3 SUD50N02-09P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N02-09P.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3 IRL640PBF-BE3 Vishay Siliconix irl640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3 SIP2802DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3 SIP2802DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2204EMP-T1-GE4 SIP2204EMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip2204.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 500MA 32QFN
Load Type: Inductive
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 2A
Current - Output / Channel: 500mA
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 350mOhm LS, 550mOhm HS
Voltage - Supply: 10V ~ 24V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 DG1413EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+324.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 DG1413EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.93 грн
10+421.33 грн
25+390.53 грн
100+334.72 грн
250+326.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415aenw.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3 IRF9Z30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z30_SiHF9Z30.PDF Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.35 грн
10+165.50 грн
50+127.62 грн
100+108.31 грн
500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss80dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss80dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.91 грн
10+119.55 грн
100+81.85 грн
500+61.69 грн
1000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.55 грн
10+157.40 грн
100+109.97 грн
500+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 SIC431BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.16 грн
6000+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 SIC431BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.53 грн
10+154.86 грн
25+141.83 грн
100+119.66 грн
250+113.24 грн
500+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461ED-T1-GE3 SIC461ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+194.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461ED-T1-GE3 SIC461ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 26631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.81 грн
10+258.92 грн
25+238.62 грн
100+203.00 грн
250+193.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.05 грн
10+53.34 грн
100+35.13 грн
500+25.61 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA72ADP-T1-GE3 SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija72adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA72ADP-T1-GE3 SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija72adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihf068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.87 грн
10+301.08 грн
50+237.80 грн
100+204.07 грн
500+170.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa80enw.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.28 грн
6000+34.40 грн
9000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa80enw.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.28 грн
10+85.64 грн
100+57.64 грн
500+42.83 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG445DY-T1-E3 DG445DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg444.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Charge Injection: -1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG445DY-T1-E3 DG445DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg444.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Charge Injection: -1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.50 грн
10+122.02 грн
25+111.46 грн
100+93.74 грн
250+88.57 грн
500+85.44 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG445DY-E3 DG445DY-E3 Vishay Siliconix dg444.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Charge Injection: -1pC
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.69 грн
10+103.44 грн
50+88.75 грн
100+79.04 грн
250+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 DG604EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg604e.pdf Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.44 грн
6000+56.03 грн
9000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 DG604EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg604e.pdf Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 21564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.07 грн
10+84.41 грн
25+76.65 грн
100+63.99 грн
250+60.21 грн
500+57.92 грн
1000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.09 грн
10+103.44 грн
100+77.95 грн
500+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3 SUD23N06-31-BE3 Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3 SUD23N06-31-BE3 Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF-BE3 IRFR9120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF-BE3 IRFR9120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB186N60EF-GE3 SIHB186N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.78 грн
10+198.02 грн
50+153.42 грн
100+130.51 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.90 грн
10+109.69 грн
50+83.30 грн
100+70.18 грн
500+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4932dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.42 грн
5000+36.28 грн
7500+34.93 грн
12500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4932dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.28 грн
10+88.18 грн
100+59.45 грн
500+44.25 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6_GE3 SQD100N04-3m6_GE3 Vishay Siliconix sqd100n04-3m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6_GE3 SQD100N04-3m6_GE3 Vishay Siliconix sqd100n04-3m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Siliconix sqd100n04-3m6l.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Siliconix sqd100n04-3m6l.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.10 грн
10+101.59 грн
100+69.19 грн
500+51.93 грн
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-E3 2N7002-E3 Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.72 грн
10+141.68 грн
100+101.10 грн
500+76.82 грн
1000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3 SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4200dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3 SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4200dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 sizf906dt.pdf
SiZF906DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.62 грн
6000+44.59 грн
9000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 sizf906dt.pdf
SiZF906DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.67 грн
10+92.58 грн
100+72.03 грн
500+57.29 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 dg2523.pdf
DG2524DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2524DN-T1-GE4 dg2523.pdf
DG2524DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 550MOHM 16QFN
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -89dB @ 100kHz
Charge Injection: -19pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 310MHz
On-State Resistance (Max): 550mOhm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+79.16 грн
25+71.90 грн
100+59.95 грн
250+56.37 грн
500+54.20 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 sqd10n30-330h.pdf
SQD10N30-330H_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 sqd10n30-330h.pdf
SQD10N30-330H_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.29 грн
10+93.19 грн
100+63.28 грн
500+47.36 грн
1000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 siss22ldn.pdf
SISS22LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.66 грн
9000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 siss22ldn.pdf
SISS22LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 70098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.69 грн
10+92.19 грн
50+69.61 грн
100+58.46 грн
500+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3 SUD50N02-09P.pdf
SUD50N02-09P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3 irl640.pdf
IRL640PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3
SIP2802DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2802DY-T1-E3
SIP2802DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Frequency - Switching: 46kHz
Duty Cycle: 99%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Frequency Control
Voltage - Start Up: 12.5 V
Fault Protection: Current Limiting
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2204EMP-T1-GE4 sip2204.pdf
SIP2204EMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 500MA 32QFN
Load Type: Inductive
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 2A
Current - Output / Channel: 500mA
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 350mOhm LS, 550mOhm HS
Voltage - Supply: 10V ~ 24V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+324.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+565.93 грн
10+421.33 грн
25+390.53 грн
100+334.72 грн
250+326.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 sq7415aenw.pdf
SQ7415AENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3 IRF9Z30_SiHF9Z30.PDF
IRF9Z30PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.35 грн
10+165.50 грн
50+127.62 грн
100+108.31 грн
500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.91 грн
10+119.55 грн
100+81.85 грн
500+61.69 грн
1000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 sidr668dp.pdf
SIDR668DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+81.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 sidr668dp.pdf
SIDR668DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.55 грн
10+157.40 грн
100+109.97 грн
500+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+113.16 грн
6000+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.53 грн
10+154.86 грн
25+141.83 грн
100+119.66 грн
250+113.24 грн
500+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC461ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+194.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC461ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 26631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+353.81 грн
10+258.92 грн
25+238.62 грн
100+203.00 грн
250+193.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.05 грн
10+53.34 грн
100+35.13 грн
500+25.61 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA72ADP-T1-GE3 sija72adp.pdf
SIJA72ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA72ADP-T1-GE3 sija72adp.pdf
SIJA72ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.87 грн
10+301.08 грн
50+237.80 грн
100+204.07 грн
500+170.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.28 грн
6000+34.40 грн
9000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.28 грн
10+85.64 грн
100+57.64 грн
500+42.83 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG445DY-T1-E3 dg444.pdf
DG445DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Charge Injection: -1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG445DY-T1-E3 dg444.pdf
DG445DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Charge Injection: -1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.50 грн
10+122.02 грн
25+111.46 грн
100+93.74 грн
250+88.57 грн
500+85.44 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG445DY-E3 dg444.pdf
DG445DY-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Charge Injection: -1pC
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.69 грн
10+103.44 грн
50+88.75 грн
100+79.04 грн
250+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+59.44 грн
6000+56.03 грн
9000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 21564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.07 грн
10+84.41 грн
25+76.65 грн
100+63.99 грн
250+60.21 грн
500+57.92 грн
1000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 si4455dy.pdf
SI4455DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 si4455dy.pdf
SI4455DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.09 грн
10+103.44 грн
100+77.95 грн
500+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3 sud23n06.pdf
SUD23N06-31-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3 sud23n06.pdf
SUD23N06-31-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 sqd23n06-31l.pdf
SQD23N06-31L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 sqd23n06-31l.pdf
SQD23N06-31L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF-BE3 sihfr912.pdf
IRFR9120TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF-BE3 sihfr912.pdf
IRFR9120TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB186N60EF-GE3 sihb186n60ef.pdf
SIHB186N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.78 грн
10+198.02 грн
50+153.42 грн
100+130.51 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 sihfr420.pdf
IRFR420TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 sihfr420.pdf
IRFR420TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.90 грн
10+109.69 грн
50+83.30 грн
100+70.18 грн
500+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 si4932dy.pdf
SI4932DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.42 грн
5000+36.28 грн
7500+34.93 грн
12500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 si4932dy.pdf
SI4932DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.28 грн
10+88.18 грн
100+59.45 грн
500+44.25 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6_GE3 sqd100n04-3m6.pdf
SQD100N04-3m6_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6_GE3 sqd100n04-3m6.pdf
SQD100N04-3m6_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
SQD100N04-3m6L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
SQD100N04-3m6L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.10 грн
10+101.59 грн
100+69.19 грн
500+51.93 грн
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-E3 70226.pdf
2N7002-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 sir680adp.pdf
SIR680ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 sir680adp.pdf
SIR680ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.72 грн
10+141.68 грн
100+101.10 грн
500+76.82 грн
1000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3 si4200dy.pdf
SI4200DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3 si4200dy.pdf
SI4200DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]