Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 139 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+93.52 грн
100+74.43 грн
500+59.11 грн
1000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiC621CD-T1-GE3 SiC621CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic621.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+137.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiC621CD-T1-GE3 SiC621CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic621.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.82 грн
10+200.57 грн
25+184.31 грн
100+156.17 грн
250+148.16 грн
500+143.34 грн
1000+137.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.62 грн
6000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 9356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.16 грн
10+103.18 грн
100+70.23 грн
500+52.68 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira14bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira14bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.64 грн
11+31.55 грн
100+21.52 грн
500+16.97 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira28bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira28bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.64 грн
10+39.44 грн
100+29.46 грн
500+21.72 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira64dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira64dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir124dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.09 грн
6000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir124dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.79 грн
10+65.11 грн
100+45.86 грн
500+38.43 грн
1000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3 SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix sud08p06-155l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.95 грн
4000+30.25 грн
6000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3 SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix sud08p06-155l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.86 грн
10+74.69 грн
100+49.73 грн
500+36.63 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL214TRPBF-BE3 IRFL214TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL214TRPBF-BE3 IRFL214TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.23 грн
100+57.47 грн
500+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF IRL630PBF Vishay Siliconix irf520.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.25 грн
25+112.90 грн
100+93.24 грн
500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630SPBF IRL630SPBF Vishay Siliconix sihl630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.29 грн
50+129.52 грн
100+117.03 грн
500+89.28 грн
1000+82.68 грн
2000+77.13 грн
5000+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF IRL630STRRPBF Vishay Siliconix sihl630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF IRL630STRRPBF Vishay Siliconix sihl630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630 IRL630 Vishay Siliconix irlz44.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630S IRL630S Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRL IRL630STRL Vishay Siliconix IRF9Z34S_2.jpg Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 SIHA17N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
10+157.75 грн
100+109.93 грн
500+84.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.25 грн
50+122.97 грн
100+111.22 грн
500+85.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-GE3 SIHB17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.10 грн
50+125.70 грн
100+113.73 грн
500+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.88 грн
25+161.61 грн
100+132.04 грн
500+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32430.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.19 грн
5000+65.19 грн
7500+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32430.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.24 грн
10+96.74 грн
25+88.12 грн
100+73.73 грн
250+69.46 грн
500+66.89 грн
1000+63.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3481ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3481ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3457ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.35 грн
6000+17.65 грн
9000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.68 грн
10+147.93 грн
100+104.10 грн
500+81.25 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 SUD23N06-31L-T4-E3 Vishay Siliconix sud23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 SUD23N06-31L-T4-E3 Vishay Siliconix sud23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.46 грн
10+64.31 грн
100+47.39 грн
500+35.93 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.58 грн
50+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.04 грн
75+80.89 грн
150+73.01 грн
525+57.99 грн
1050+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.62 грн
10+131.35 грн
100+90.59 грн
500+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.74 грн
10+157.19 грн
100+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 SIC437DED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 SIC437DED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.97 грн
10+153.73 грн
25+140.59 грн
100+118.37 грн
250+111.91 грн
500+108.02 грн
1000+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 SIC437BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.08 грн
6000+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 SIC437BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 15043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.37 грн
10+171.19 грн
25+156.75 грн
100+132.26 грн
250+125.17 грн
500+120.89 грн
1000+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 SIC438AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 SIC438AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+126.20 грн
25+115.25 грн
100+96.89 грн
250+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437CED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 25.2V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60EF-GE3 SIHP38N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp38n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.80 грн
10+97.63 грн
100+66.34 грн
500+49.70 грн
1000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
6000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.88 грн
10+43.22 грн
100+28.20 грн
500+20.40 грн
1000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
6000+11.91 грн
9000+11.40 грн
15000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 33639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.64 грн
10+34.29 грн
100+24.32 грн
500+17.43 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3 SIC642CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3 SIC642CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.01 грн
10+93.52 грн
100+74.43 грн
500+59.11 грн
1000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiC621CD-T1-GE3 sic621.pdf
SiC621CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+137.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiC621CD-T1-GE3 sic621.pdf
SiC621CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.82 грн
10+200.57 грн
25+184.31 грн
100+156.17 грн
250+148.16 грн
500+143.34 грн
1000+137.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
SIRA50ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.62 грн
6000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
SIRA50ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 9356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.16 грн
10+103.18 грн
100+70.23 грн
500+52.68 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 sira14bdp.pdf
SIRA14BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 sira14bdp.pdf
SIRA14BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.64 грн
11+31.55 грн
100+21.52 грн
500+16.97 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.64 грн
10+39.44 грн
100+29.46 грн
500+21.72 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-GE3 sira64dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-GE3 sira64dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 sir124dp.pdf
SIR124DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.09 грн
6000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 sir124dp.pdf
SIR124DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.79 грн
10+65.11 грн
100+45.86 грн
500+38.43 грн
1000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3 sud08p06-155l-ge3.pdf
SUD08P06-155L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.95 грн
4000+30.25 грн
6000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3 sud08p06-155l-ge3.pdf
SUD08P06-155L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.86 грн
10+74.69 грн
100+49.73 грн
500+36.63 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL214TRPBF-BE3 sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL214TRPBF-BE3 sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.74 грн
10+85.23 грн
100+57.47 грн
500+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF irf520.pdf
IRL630PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.25 грн
25+112.90 грн
100+93.24 грн
500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630SPBF sihl630s.pdf
IRL630SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.29 грн
50+129.52 грн
100+117.03 грн
500+89.28 грн
1000+82.68 грн
2000+77.13 грн
5000+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF sihl630s.pdf
IRL630STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF sihl630s.pdf
IRL630STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630 irlz44.pdf
IRL630
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630S
IRL630S
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRL IRF9Z34S_2.jpg
IRL630STRL
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 siha17n80ae.pdf
SIHA17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.58 грн
10+157.75 грн
100+109.93 грн
500+84.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AE-GE3 sihp17n80ae.pdf
SIHP17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.25 грн
50+122.97 грн
100+111.22 грн
500+85.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-GE3 sihb17n80ae.pdf
SIHB17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.10 грн
50+125.70 грн
100+113.73 грн
500+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.88 грн
25+161.61 грн
100+132.04 грн
500+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 sip32430.pdf
SIP32430DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.19 грн
5000+65.19 грн
7500+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 sip32430.pdf
SIP32430DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.24 грн
10+96.74 грн
25+88.12 грн
100+73.73 грн
250+69.46 грн
500+66.89 грн
1000+63.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 sq3481ev.pdf
SQ3481EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 sq3481ev.pdf
SQ3481EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 sq3457ev.pdf
SQ3457EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.35 грн
6000+17.65 грн
9000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 sqjq148e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 sqjq148e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.68 грн
10+147.93 грн
100+104.10 грн
500+81.25 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 sud23n06-31l.pdf
SUD23N06-31L-T4-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 sud23n06-31l.pdf
SUD23N06-31L-T4-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.46 грн
10+64.31 грн
100+47.39 грн
500+35.93 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.58 грн
50+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
75+80.89 грн
150+73.01 грн
525+57.99 грн
1050+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 sihb11n80ae.pdf
SIHB11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.62 грн
10+131.35 грн
100+90.59 грн
500+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.74 грн
10+157.19 грн
100+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437DED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437DED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.97 грн
10+153.73 грн
25+140.59 грн
100+118.37 грн
250+111.91 грн
500+108.02 грн
1000+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+125.08 грн
6000+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 15043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.37 грн
10+171.19 грн
25+156.75 грн
100+132.26 грн
250+125.17 грн
500+120.89 грн
1000+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.36 грн
10+126.20 грн
25+115.25 грн
100+96.89 грн
250+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437CED-T1-GE3 sic437.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 25.2V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60EF-GE3 sihp38n60ef.pdf
SIHP38N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 sir622dp.pdf
SiR622DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 sir622dp.pdf
SiR622DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.80 грн
10+97.63 грн
100+66.34 грн
500+49.70 грн
1000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.01 грн
6000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.88 грн
10+43.22 грн
100+28.20 грн
500+20.40 грн
1000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
SISA88DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.89 грн
6000+11.91 грн
9000+11.40 грн
15000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
SISA88DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 33639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.64 грн
10+34.29 грн
100+24.32 грн
500+17.43 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3
SIC642CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3
SIC642CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]