Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 139 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHB17N80AE-GE3 SIHB17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.09 грн
50+124.39 грн
100+112.55 грн
500+86.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.01 грн
25+159.95 грн
100+130.66 грн
500+100.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32430.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
5000+62.60 грн
7500+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32430.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 26115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.19 грн
10+92.97 грн
25+84.60 грн
100+70.80 грн
250+66.69 грн
500+64.23 грн
1000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3481ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3481ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3457ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.44 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.81 грн
10+139.04 грн
100+97.84 грн
500+76.36 грн
1000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 SUD23N06-31L-T4-E3 Vishay Siliconix sud23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 SUD23N06-31L-T4-E3 Vishay Siliconix sud23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+60.82 грн
100+40.46 грн
500+29.78 грн
1000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.19 грн
50+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.04 грн
75+76.03 грн
150+68.62 грн
525+54.51 грн
1050+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.96 грн
10+123.46 грн
100+85.15 грн
500+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.67 грн
10+147.74 грн
100+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 SIC437DED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 SIC437DED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.10 грн
10+144.48 грн
25+132.14 грн
100+111.25 грн
250+105.18 грн
500+101.52 грн
1000+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 SIC437BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.94 грн
6000+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 SIC437BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 11823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
10+147.74 грн
25+135.29 грн
100+114.14 грн
250+108.02 грн
500+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 SIC438AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Max): 20V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 28V
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 8A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 SIC438AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Max): 20V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 28V
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 8A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.68 грн
10+121.11 грн
25+110.66 грн
100+93.04 грн
250+87.88 грн
500+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437CED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Max): 25.2V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 28V
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 12A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60EF-GE3 SIHP38N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp38n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.26 грн
10+91.76 грн
100+62.36 грн
500+46.71 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+15.94 грн
9000+15.25 грн
15000+13.59 грн
21000+13.16 грн
30000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.06 грн
10+43.88 грн
100+28.62 грн
500+20.72 грн
1000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.12 грн
6000+11.19 грн
9000+10.71 грн
15000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.78 грн
10+32.23 грн
100+22.86 грн
500+16.38 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3 SIC642CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+155.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3 SIC642CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQR40020ER_GE3 SQR40020ER_GE3 Vishay Siliconix sqr40020er.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQR40020ER_GE3 SQR40020ER_GE3 Vishay Siliconix sqr40020er.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU2N80AE-GE3 SIHU2N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu2n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC830AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic830.pdf Description: IC PWR STAGE 80 A CURRENT MONITO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix siaa02dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix siaa02dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.13 грн
10+30.49 грн
100+20.83 грн
500+15.39 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.85 грн
10+30.94 грн
100+19.94 грн
500+14.27 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3 SISS63DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss63dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3 SISS63DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss63dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.34 грн
10+61.73 грн
100+41.13 грн
500+30.29 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.85 грн
50+207.95 грн
100+189.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.64 грн
10+242.52 грн
100+173.39 грн
500+135.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Vishay Siliconix siha125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.64 грн
50+190.40 грн
100+173.57 грн
500+135.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRR IRL630STRR Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+49.78 грн
100+32.82 грн
500+23.95 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3 SUD20N10-66L-BE3 Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3 SUD20N10-66L-BE3 Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+49.78 грн
100+32.82 грн
500+23.95 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja20ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja20ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+88.36 грн
100+59.69 грн
500+44.49 грн
1000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr680dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr680dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.74 грн
10+152.73 грн
100+106.66 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj570ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj570ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+66.12 грн
100+51.45 грн
500+40.92 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3 SQS411ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs411enw.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3 SQS411ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs411enw.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.62 грн
10+58.47 грн
100+38.66 грн
500+28.31 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa72adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.30 грн
6000+19.89 грн
9000+19.08 грн
15000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa72adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
на замовлення 21039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.20 грн
10+52.65 грн
100+34.77 грн
500+25.42 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-GE3 sihb17n80ae.pdf
SIHB17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.09 грн
50+124.39 грн
100+112.55 грн
500+86.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+293.01 грн
25+159.95 грн
100+130.66 грн
500+100.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 sip32430.pdf
SIP32430DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+66.44 грн
5000+62.60 грн
7500+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32430DN-T1-GE4 sip32430.pdf
SIP32430DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 99mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 26115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.19 грн
10+92.97 грн
25+84.60 грн
100+70.80 грн
250+66.69 грн
500+64.23 грн
1000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 sq3481ev.pdf
SQ3481EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_GE3 sq3481ev.pdf
SQ3481EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 sq3457ev.pdf
SQ3457EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+17.44 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 sqjq148e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3 sqjq148e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+216.81 грн
10+139.04 грн
100+97.84 грн
500+76.36 грн
1000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 sud23n06-31l.pdf
SUD23N06-31L-T4-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3 sud23n06-31l.pdf
SUD23N06-31L-T4-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.77 грн
10+60.82 грн
100+40.46 грн
500+29.78 грн
1000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.19 грн
50+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.04 грн
75+76.03 грн
150+68.62 грн
525+54.51 грн
1050+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 sihb11n80ae.pdf
SIHB11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+197.96 грн
10+123.46 грн
100+85.15 грн
500+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+235.67 грн
10+147.74 грн
100+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437DED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437DED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437DED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.10 грн
10+144.48 грн
25+132.14 грн
100+111.25 грн
250+105.18 грн
500+101.52 грн
1000+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+107.94 грн
6000+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 11823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+205.03 грн
10+147.74 грн
25+135.29 грн
100+114.14 грн
250+108.02 грн
500+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Max): 20V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 28V
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 8A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Max): 20V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 28V
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 8A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.68 грн
10+121.11 грн
25+110.66 грн
100+93.04 грн
250+87.88 грн
500+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437CED-T1-GE3 sic437.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Max): 25.2V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 28V
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 12A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60EF-GE3 sihp38n60ef.pdf
SIHP38N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 sir622dp.pdf
SiR622DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 sir622dp.pdf
SiR622DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.26 грн
10+91.76 грн
100+62.36 грн
500+46.71 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+17.95 грн
6000+15.94 грн
9000+15.25 грн
15000+13.59 грн
21000+13.16 грн
30000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.06 грн
10+43.88 грн
100+28.62 грн
500+20.72 грн
1000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
SISA88DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.12 грн
6000+11.19 грн
9000+10.71 грн
15000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
SISA88DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.78 грн
10+32.23 грн
100+22.86 грн
500+16.38 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3
SIC642CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+155.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642CD-T1-GE3
SIC642CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQR40020ER_GE3 sqr40020er.pdf
SQR40020ER_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQR40020ER_GE3 sqr40020er.pdf
SQR40020ER_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU2N80AE-GE3 sihu2n80ae.pdf
SIHU2N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC830AED-T1-GE3 sic830.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR STAGE 80 A CURRENT MONITO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 siaa02dj.pdf
SIAA02DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 siaa02dj.pdf
SIAA02DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.13 грн
10+30.49 грн
100+20.83 грн
500+15.39 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.85 грн
10+30.94 грн
100+19.94 грн
500+14.27 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3 siss63dn.pdf
SISS63DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3 siss63dn.pdf
SISS63DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.34 грн
10+61.73 грн
100+41.13 грн
500+30.29 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
SIHG125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+410.85 грн
50+207.95 грн
100+189.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+378.64 грн
10+242.52 грн
100+173.39 грн
500+135.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA125N60EF-GE3 siha125n60ef.pdf
SIHA125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+378.64 грн
50+190.40 грн
100+173.57 грн
500+135.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRR
IRL630STRR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.48 грн
10+49.78 грн
100+32.82 грн
500+23.95 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3 sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3 sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.48 грн
10+49.78 грн
100+32.82 грн
500+23.95 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 sqja20ep.pdf
SQJA20EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 sqja20ep.pdf
SQJA20EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.76 грн
10+88.36 грн
100+59.69 грн
500+44.49 грн
1000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+242.74 грн
10+152.73 грн
100+106.66 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3 sqj570ep.pdf
SQJ570EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3 sqj570ep.pdf
SQJ570EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.05 грн
10+66.12 грн
100+51.45 грн
500+40.92 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3 sqs411enw.pdf
SQS411ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS411ENW-T1_GE3 sqs411enw.pdf
SQS411ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.62 грн
10+58.47 грн
100+38.66 грн
500+28.31 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 sisa72adn.pdf
SISA72ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+22.30 грн
6000+19.89 грн
9000+19.08 грн
15000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 sisa72adn.pdf
SISA72ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
на замовлення 21039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.20 грн
10+52.65 грн
100+34.77 грн
500+25.42 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]