Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11065) > Сторінка 137 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4943CDY-T1-E3 SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.83 грн
10+110.32 грн
100+75.31 грн
500+56.62 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3 SIP2804DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Duty Cycle: 49%
Frequency - Switching: 46kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting
Voltage - Start Up: 12.5 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3 SIP2804DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Duty Cycle: 49%
Frequency - Switching: 46kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting
Voltage - Start Up: 12.5 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.55 грн
10+118.42 грн
25+111.71 грн
100+89.31 грн
250+83.85 грн
500+73.37 грн
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 DG2723DN-T1-E4 Vishay Siliconix tf-dg2723dn-t1-e4.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 DG2723DN-T1-E4 Vishay Siliconix tf-dg2723dn-t1-e4.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.97 грн
10+75.38 грн
25+68.38 грн
100+56.95 грн
250+53.50 грн
500+51.43 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 DG2730DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2730.pdf Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.02 грн
6000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 DG2730DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2730.pdf Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 8034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.41 грн
10+71.56 грн
25+64.92 грн
100+54.07 грн
250+50.80 грн
500+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3 IRFBC20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.21 грн
50+54.13 грн
100+39.34 грн
500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 16383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.76 грн
10+132.33 грн
100+91.06 грн
500+68.90 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.59 грн
6000+72.84 грн
9000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.66 грн
10+139.44 грн
100+110.97 грн
500+88.11 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ412EP.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-Y1-GE3 SIC931BED-Y1-GE3 Vishay Siliconix sic931.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 20A POWERPAK
Packaging: Tray
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1359.14 грн
10+1153.54 грн
25+1060.04 грн
210+936.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7223dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7223dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.38 грн
10+63.76 грн
100+42.95 грн
500+31.56 грн
1000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.10 грн
10+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 IRFL9014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 IRFL9014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-3M6P-GE3 SUP85N03-3M6P-GE3 Vishay Siliconix sup85n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3 SIC641CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3 SIC641CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.14 грн
10+154.73 грн
25+141.68 грн
100+119.43 грн
250+112.98 грн
500+109.09 грн
1000+104.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 DG4157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.25 грн
6000+16.17 грн
9000+15.95 грн
15000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 DG4157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 18520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
12+26.37 грн
25+23.61 грн
100+19.29 грн
250+17.92 грн
500+17.10 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss65dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.28 грн
6000+21.66 грн
9000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss65dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.33 грн
10+57.34 грн
100+37.85 грн
500+27.67 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.32 грн
10+98.16 грн
100+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.31 грн
50+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 5436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
15+20.41 грн
100+17.16 грн
500+14.31 грн
1000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 SQ4850EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4850ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 SQ4850EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4850ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.06 грн
10+75.53 грн
100+58.74 грн
500+46.72 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.57 грн
6000+24.67 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.79 грн
10+63.68 грн
100+42.37 грн
500+31.18 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira99dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira99dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.35 грн
10+150.60 грн
100+114.56 грн
500+87.51 грн
1000+81.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9233EDY-GE3 DG9233EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX2 25OHM 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.51 грн
10+119.03 грн
25+108.56 грн
100+91.07 грн
300+85.05 грн
500+82.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.89 грн
4000+20.21 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.61 грн
5000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.21 грн
10+111.39 грн
100+75.97 грн
500+57.07 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix 73045.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.63 грн
1600+141.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix 73045.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.72 грн
10+225.07 грн
100+171.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC SWITCH DUAL SPST SOT23-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 SISH615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 SISH615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 70334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.95 грн
10+38.61 грн
100+26.66 грн
500+19.68 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss08dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss08dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.95 грн
10+73.31 грн
100+57.15 грн
500+44.30 грн
1000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9407ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.98 грн
5000+32.22 грн
7500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9407ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
10+79.81 грн
100+53.52 грн
500+39.62 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.16 грн
6000+12.66 грн
9000+12.09 грн
15000+10.75 грн
21000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.63 грн
10+35.01 грн
100+23.18 грн
500+16.66 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix siaa00dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix siaa00dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.98 грн
10+45.87 грн
100+35.16 грн
500+26.08 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
10+110.32 грн
100+75.31 грн
500+56.62 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3
SIP2804DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Duty Cycle: 49%
Frequency - Switching: 46kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting
Voltage - Start Up: 12.5 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2804DY-T1-E3
SIP2804DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Duty Cycle: 49%
Frequency - Switching: 46kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.3V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting
Voltage - Start Up: 12.5 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.55 грн
10+118.42 грн
25+111.71 грн
100+89.31 грн
250+83.85 грн
500+73.37 грн
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 tf-dg2723dn-t1-e4.pdf
DG2723DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-E4 tf-dg2723dn-t1-e4.pdf
DG2723DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -36dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
10+75.38 грн
25+68.38 грн
100+56.95 грн
250+53.50 грн
500+51.43 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 dg2730.pdf
DG2730DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.02 грн
6000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG2730DN-T1-GE4 dg2730.pdf
DG2730DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDTX1 8OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 900MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.3V
Charge Injection: 0.5pC
Crosstalk: -45dB @ 240MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 8034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.41 грн
10+71.56 грн
25+64.92 грн
100+54.07 грн
250+50.80 грн
500+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3 irfbc20.pdf
IRFBC20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
50+54.13 грн
100+39.34 грн
500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 sir626adp.pdf
SIR626ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 16383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.76 грн
10+132.33 грн
100+91.06 грн
500+68.90 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.59 грн
6000+72.84 грн
9000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.66 грн
10+139.44 грн
100+110.97 грн
500+88.11 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T2_GE3 SQJ412EP.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-Y1-GE3 sic931.pdf
SIC931BED-Y1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 20A POWERPAK
Packaging: Tray
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1359.14 грн
10+1153.54 грн
25+1060.04 грн
210+936.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
SI7223DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
SI7223DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
10+63.76 грн
100+42.95 грн
500+31.56 грн
1000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 sihfl901.pdf
IRFL9014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3 sihfl901.pdf
IRFL9014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-3M6P-GE3 sup85n03.pdf
SUP85N03-3M6P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3
SIC641CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC641CD-T1-GE3
SIC641CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 55A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.14 грн
10+154.73 грн
25+141.68 грн
100+119.43 грн
250+112.98 грн
500+109.09 грн
1000+104.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 dg4157e.pdf
DG4157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.25 грн
6000+16.17 грн
9000+15.95 грн
15000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDL-T1-GE3 dg4157e.pdf
DG4157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 18520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
12+26.37 грн
25+23.61 грн
100+19.29 грн
250+17.92 грн
500+17.10 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 siss65dn.pdf
SISS65DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.28 грн
6000+21.66 грн
9000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3 siss65dn.pdf
SISS65DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+57.34 грн
100+37.85 грн
500+27.67 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.32 грн
10+98.16 грн
100+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.31 грн
50+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 5436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
15+20.41 грн
100+17.16 грн
500+14.31 грн
1000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 sq4850ey.pdf
SQ4850EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 sq4850ey.pdf
SQ4850EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
10+75.53 грн
100+58.74 грн
500+46.72 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.57 грн
6000+24.67 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+63.68 грн
100+42.37 грн
500+31.18 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
10+150.60 грн
100+114.56 грн
500+87.51 грн
1000+81.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9233EDY-GE3 dg9232e.pdf
DG9233EDY-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX2 25OHM 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.51 грн
10+119.03 грн
25+108.56 грн
100+91.07 грн
300+85.05 грн
500+82.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.89 грн
4000+20.21 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 sq4920ey.pdf
SQ4920EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.61 грн
5000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 sq4920ey.pdf
SQ4920EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.21 грн
10+111.39 грн
100+75.97 грн
500+57.07 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 sir608dp.pdf
SIR608DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 sir608dp.pdf
SIR608DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+147.63 грн
1600+141.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.72 грн
10+225.07 грн
100+171.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST SOT23-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 sish615adn.pdf
SISH615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 sish615adn.pdf
SISH615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 70334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.95 грн
10+38.61 грн
100+26.66 грн
500+19.68 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 siss08dn.pdf
SISS08DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 siss08dn.pdf
SISS08DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.95 грн
10+73.31 грн
100+57.15 грн
500+44.30 грн
1000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 sq9407ey.pdf
SQ9407EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.98 грн
5000+32.22 грн
7500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3 sq9407ey.pdf
SQ9407EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.99 грн
10+79.81 грн
100+53.52 грн
500+39.62 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.16 грн
6000+12.66 грн
9000+12.09 грн
15000+10.75 грн
21000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+35.01 грн
100+23.18 грн
500+16.66 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
SIAA40DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
SIAA40DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.98 грн
10+45.87 грн
100+35.16 грн
500+26.08 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 sq4961ey.pdf
SQ4961EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]