Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 184 з 197
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SISS61DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWEInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWEInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5408DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5408DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5406DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5406DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5402DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5402DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQJ141ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SQJ141ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIHG026N65E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIZF456LDT-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIZF456LDT-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIZF660LDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
SIHG080N65SF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIHL080N65SF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 600V |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF740 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR580DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR580DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
на замовлення 4102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5812DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5812DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5810DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR5810DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
на замовлення 5866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5208DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR5208DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C |
на замовлення 4287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR576DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR576DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 11972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR516DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR516DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR582DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR582DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5802DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR5802DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR572DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR572DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR514DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR514DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 5984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR578DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR578DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIHH180N60E-T1-FE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 600V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIHH180N60E-T1-FE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 600V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIA907EDJT-T4-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SQJ858EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQS136ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQS136ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIR178DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR178DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR178DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIR178DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SQJ110EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQJ110EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S) |
на замовлення 3138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQ3426CEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SQ3426CEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP |
на замовлення 2911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DG308BDQ-T1 | Vishay Siliconix |
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG308BDQ | Vishay Siliconix |
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG308ADY-T1 | Vishay Siliconix |
Description: IC SW SPST-NOX4 100OHM 16SOIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG308BDY-T1 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS61DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.27 грн |
| 10+ | 77.70 грн |
| 50+ | 58.29 грн |
| 100+ | 48.82 грн |
| 500+ | 38.49 грн |
| SIR5211DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.45 грн |
| SIR5211DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.07 грн |
| 10+ | 68.14 грн |
| 100+ | 45.30 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 30.37 грн |
| SIR5408DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.08 грн |
| 6000+ | 26.92 грн |
| SIR5408DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.67 грн |
| 10+ | 69.37 грн |
| 100+ | 46.19 грн |
| 500+ | 34.01 грн |
| 1000+ | 31.00 грн |
| SIR5406DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.72 грн |
| 6000+ | 28.41 грн |
| SIR5406DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.27 грн |
| 10+ | 72.69 грн |
| 100+ | 48.50 грн |
| 500+ | 35.78 грн |
| 1000+ | 32.65 грн |
| SIR5402DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.60 грн |
| 6000+ | 42.92 грн |
| SIR5402DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.30 грн |
| 10+ | 103.68 грн |
| 100+ | 70.41 грн |
| 500+ | 52.75 грн |
| 1000+ | 48.46 грн |
| SQJ141ELP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ141ELP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 168.90 грн |
| 10+ | 103.98 грн |
| 100+ | 70.77 грн |
| SIHG026N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1083.84 грн |
| 25+ | 651.22 грн |
| 50+ | 600.64 грн |
| 100+ | 523.77 грн |
| 500+ | 471.00 грн |
| SIZF456LDT-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIZF456LDT-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIZF660LDT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHG080N65SF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 442.66 грн |
| 10+ | 285.51 грн |
| 100+ | 205.51 грн |
| SIHL080N65SF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.87 грн |
| 10+ | 301.08 грн |
| 480+ | 182.50 грн |
| IRF740 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIR580DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR580DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.32 грн |
| 10+ | 131.35 грн |
| 100+ | 90.42 грн |
| 500+ | 68.43 грн |
| 1000+ | 64.99 грн |
| SIR5812DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.94 грн |
| SIR5812DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.06 грн |
| 10+ | 62.98 грн |
| 100+ | 41.73 грн |
| 500+ | 30.60 грн |
| 1000+ | 27.84 грн |
| SIR5810DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR5810DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.07 грн |
| 10+ | 68.14 грн |
| 100+ | 45.30 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 30.37 грн |
| SIR5208DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR5208DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.07 грн |
| 10+ | 73.07 грн |
| 100+ | 48.81 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 32.87 грн |
| SIR576DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.40 грн |
| 6000+ | 39.07 грн |
| SIR576DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.29 грн |
| 10+ | 95.58 грн |
| 100+ | 64.69 грн |
| 500+ | 48.28 грн |
| 1000+ | 44.29 грн |
| SIR516DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR516DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.91 грн |
| 10+ | 116.78 грн |
| 100+ | 79.89 грн |
| 500+ | 60.15 грн |
| 1000+ | 55.68 грн |
| SIR582DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 55.76 грн |
| 6000+ | 50.40 грн |
| SIR582DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.31 грн |
| 10+ | 118.94 грн |
| 100+ | 81.44 грн |
| 500+ | 61.37 грн |
| 1000+ | 57.04 грн |
| SIR5802DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.13 грн |
| 6000+ | 54.42 грн |
| SIR5802DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.12 грн |
| 10+ | 127.03 грн |
| 100+ | 87.29 грн |
| 500+ | 65.97 грн |
| 1000+ | 62.20 грн |
| SIR572DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR572DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.32 грн |
| 10+ | 131.66 грн |
| 100+ | 90.64 грн |
| 500+ | 68.61 грн |
| 1000+ | 65.19 грн |
| SIR514DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR514DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.32 грн |
| 10+ | 131.66 грн |
| 100+ | 90.64 грн |
| 500+ | 68.61 грн |
| 1000+ | 65.19 грн |
| SIR578DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR578DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 252.15 грн |
| 10+ | 158.10 грн |
| 100+ | 109.99 грн |
| 500+ | 83.92 грн |
| 1000+ | 82.85 грн |
| SIHH180N60E-T1-FE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 96.67 грн |
| SIHH180N60E-T1-FE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.18 грн |
| 10+ | 192.17 грн |
| 100+ | 135.15 грн |
| 500+ | 106.71 грн |
| SIA907EDJT-T4-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Description: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ858EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.52 грн |
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.84 грн |
| 10+ | 36.54 грн |
| 100+ | 23.63 грн |
| 500+ | 16.95 грн |
| 1000+ | 15.27 грн |
| SQS136ENW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.72 грн |
| SQS136ENW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 79.25 грн |
| 10+ | 47.87 грн |
| 100+ | 31.33 грн |
| 500+ | 22.71 грн |
| 1000+ | 20.56 грн |
| SIR178DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR178DP-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIR178DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR178DP-T1-UE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ110EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 53.30 грн |
| SQJ110EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.91 грн |
| 10+ | 114.39 грн |
| 100+ | 78.14 грн |
| 500+ | 58.78 грн |
| 1000+ | 54.16 грн |
| SQ3426CEEV-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SQ3426CEEV-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.64 грн |
| 10+ | 36.92 грн |
| 50+ | 27.06 грн |
| 100+ | 22.38 грн |
| 500+ | 17.07 грн |
| DG308BDQ-T1 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG308BDQ |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG308ADY-T1 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 100OHM 16SOIC
Description: IC SW SPST-NOX4 100OHM 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG308BDY-T1 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.

















