Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11065) > Сторінка 184 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 179 180 181 182 183 184 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF9630S-GE3 SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.02 грн
10+100.24 грн
100+68.92 грн
500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 SISS26LDN-T1-UE3 Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 SISS26LDN-T1-UE3 Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.78 грн
10+71.65 грн
100+47.90 грн
500+35.43 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510 IRF9510 Vishay Siliconix 91072.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DY DG413DY Vishay Siliconix DG411-413.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 SIR570DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 SIR570DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 Vishay Siliconix 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 IRF730 Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF IRFR9220TRRPBF Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF IRFR9220TRRPBF Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBF IRLZ44STRRPBF Vishay Siliconix sihlz44s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBF IRLZ44STRRPBF Vishay Siliconix sihlz44s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG301AAA Vishay Siliconix DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG442LEDQ-GE3 DG442LEDQ-GE3 Vishay Siliconix dg441le.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 26OHM 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 6.6pC
Crosstalk: -114dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 6pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.19 грн
10+81.84 грн
25+74.40 грн
100+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.19 грн
50+81.45 грн
100+79.72 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG409LEDN-T1-GE4 DG409LEDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg408le.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 2 23OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3.3V ~ 8V
Charge Injection: -10pC
Crosstalk: -109dB @ 100kHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 13.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG409LEDN-T1-GE4 DG409LEDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg408le.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 2 23OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3.3V ~ 8V
Charge Injection: -10pC
Crosstalk: -109dB @ 100kHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 13.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG409DY DG409DY Vishay Siliconix DG408_DG409.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 2 100OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBF IRF9610STRRPBF Vishay Siliconix sihf9610.pdf Description: N-CHANNEL200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460 IRFP460 Vishay Siliconix 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
18+17.47 грн
100+15.53 грн
500+14.51 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740 Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ Vishay Siliconix DG441-DG442.pdf Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9112DY-T1-E3 Vishay Siliconix si9112.pdf ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7272dp.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9945bdy.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir882adp.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF Vishay Siliconix 91254.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl911.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cdv.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia469dj.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia471dj.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir165dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirs4401dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L Vishay Siliconix P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11203DLP-T1-E3 Vishay Siliconix description Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11204DLP-T1-E3 Vishay Siliconix sip11203.pdf Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9122ADLP-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9122ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3 Vishay Siliconix IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF Vishay Siliconix irf620.pdf N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540S-E3 Vishay Siliconix IRF9540SPBF D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30A-E3 Vishay Siliconix IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF Vishay Siliconix 91115.pdf MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.02 грн
10+100.24 грн
100+68.92 грн
500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 siss26ldn.pdf
SISS26LDN-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 siss26ldn.pdf
SISS26LDN-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.78 грн
10+71.65 грн
100+47.90 грн
500+35.43 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510 description 91072.pdf
IRF9510
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DY DG411-413.pdf
DG413DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description irl620.pdf
IRF830
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 91047.pdf
IRF730
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF sihfr922.pdf
IRFR9220TRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF sihfr922.pdf
IRFR9220TRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBF sihlz44s.pdf
IRLZ44STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44STRRPBF sihlz44s.pdf
IRLZ44STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG301AAA DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG442LEDQ-GE3 dg441le.pdf
DG442LEDQ-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 26OHM 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 6.6pC
Crosstalk: -114dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 6pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+81.84 грн
25+74.40 грн
100+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 irf540.pdf
IRF540
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
50+81.45 грн
100+79.72 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG409LEDN-T1-GE4 dg408le.pdf
DG409LEDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 2 23OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3.3V ~ 8V
Charge Injection: -10pC
Crosstalk: -109dB @ 100kHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 13.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG409LEDN-T1-GE4 dg408le.pdf
DG409LEDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 2 23OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3.3V ~ 8V
Charge Injection: -10pC
Crosstalk: -109dB @ 100kHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 13.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG409DY DG408_DG409.pdf
DG409DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 2 100OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBF sihf9610.pdf
IRF9610STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460 91237.pdf
IRFP460
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 si1480dh.pdf
SI1480DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 si1480dh.pdf
SI1480DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
18+17.47 грн
100+15.53 грн
500+14.51 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 sqm100n04-2m7.pdf
SQM100N04-2m7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 sqm100n04-2m7.pdf
SQM100N04-2m7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 91054.pdf
IRF740
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 dg201b.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEQ-T1-GE3 dg4051e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-E3 dg417.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ DG441-DG442.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 dg9424.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9112DY-T1-E3 si9112.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF 91254.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 sir165dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3 sirs4401dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF 91076.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11203DLP-T1-E3 description
Виробник: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11204DLP-T1-E3 sip11203.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9122ADLP-T1-E3 si9122a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9122ADQ-T1-E3 si9122a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF irf620.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRF9540SPBF D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF 91115.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 179 180 181 182 183 184 185  [ Наступна Сторінка >> ]