Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11085) > Сторінка 184 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 179 180 181 182 183 184 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9610STRRPBF IRF9610STRRPBF Vishay Siliconix sihf9610.pdf Description: N-CHANNEL200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+50.73 грн
100+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460 IRFP460 Vishay Siliconix 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.19 грн
18+18.05 грн
100+16.04 грн
500+14.99 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740 Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG301AAA Vishay Siliconix DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120 IRFR120 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630 IRF9630 Vishay Siliconix IRF9630%2CSiHF9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.67 грн
50+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3 SIHFR420TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3 SIHFR420TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.37 грн
10+56.83 грн
100+37.61 грн
500+27.54 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.01 грн
10+50.02 грн
100+32.93 грн
500+23.98 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3 SIHFZ48S-GE3 Vishay Siliconix sihfz48s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.35 грн
10+124.50 грн
100+88.41 грн
500+67.04 грн
1000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ DG441DJ Vishay Siliconix DG441%3B442.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302HDS-T1-GE3 SI2302HDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_JB3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N80AE-T5-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP110N65SF-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG110N65SF-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5207DN-T1-UE3 Vishay Siliconix Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5208DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N65EF-T5-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E Vishay Siliconix sihk050n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E Vishay Siliconix sihk050n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+322.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC360B Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4386dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4386dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
10+96.32 грн
100+69.94 грн
500+52.53 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP190N65E-GE3 SIHP190N65E-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP190N65E-GE3 SIHP190N65E-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB190N65E-GE3 SIHB190N65E-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB190N65E-GE3 SIHB190N65E-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG190N65E-GE3 SIHG190N65E-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH190N65E-T1-GE3 SIHH190N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42DN-T1-GE3 SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss42dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42DN-T1-GE3 SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss42dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.63 грн
10+99.80 грн
100+67.43 грн
500+50.86 грн
1000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110 IRFD110 Vishay Siliconix sihfd110.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530 Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3 IRLR110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: N-CHANNEL 100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.37 грн
10+87.93 грн
100+60.29 грн
500+46.21 грн
1000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-T1GE3 SIHB068N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-T5GE3 SIHB068N60EF-T5GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ Vishay Siliconix DG441-DG442.pdf dg441-dg442-datasheet DG441%3B442.pdf Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9112DY-T1-E3 Vishay Siliconix si9112.pdf ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7272dp.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9945bdy.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir882adp.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF Vishay Siliconix 91254.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl911.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cdv.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610STRRPBF sihf9610.pdf
IRF9610STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.08 грн
10+50.73 грн
100+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460 91237.pdf
IRFP460
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 si1480dh.pdf
SI1480DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 si1480dh.pdf
SI1480DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.19 грн
18+18.05 грн
100+16.04 грн
500+14.99 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 sqm100n04-2m7.pdf
SQM100N04-2m7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 sqm100n04-2m7.pdf
SQM100N04-2m7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 91054.pdf
IRF740
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG301AAA DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120 sihfr120.pdf
IRFR120
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630 IRF9630%2CSiHF9630.pdf
IRF9630
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.67 грн
50+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3 sihfr420.pdf
SIHFR420TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3 sihfr420.pdf
SIHFR420TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.37 грн
10+56.83 грн
100+37.61 грн
500+27.54 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.01 грн
10+50.02 грн
100+32.93 грн
500+23.98 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3 sihfz48s.pdf
SIHFZ48S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.35 грн
10+124.50 грн
100+88.41 грн
500+67.04 грн
1000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ DG441%3B442.pdf
DG441DJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302HDS-T1-GE3
SI2302HDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_JB3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N80AE-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N80AE-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP110N65SF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG110N65SF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5207DN-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5208DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N65EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E sihk050n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E sihk050n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+322.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 irf540.pdf
IRF540
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC360B
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 si4386dy.pdf
SI4386DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 si4386dy.pdf
SI4386DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.19 грн
10+96.32 грн
100+69.94 грн
500+52.53 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP190N65E-GE3
SIHP190N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP190N65E-GE3
SIHP190N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB190N65E-GE3
SIHB190N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB190N65E-GE3
SIHB190N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG190N65E-GE3
SIHG190N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH190N65E-T1-GE3
SIHH190N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42DN-T1-GE3 siss42dn.pdf
SISS42DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42DN-T1-GE3 siss42dn.pdf
SISS42DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.63 грн
10+99.80 грн
100+67.43 грн
500+50.86 грн
1000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110 description sihfd110.pdf
IRFD110
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description IRF9530.pdf
IRF9530
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 irf530.pdf
IRF530
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3 sihlr110.pdf
IRLR110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.37 грн
10+87.93 грн
100+60.29 грн
500+46.21 грн
1000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-T1GE3
SIHB068N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-T5GE3
SIHB068N60EF-T5GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 dg201b.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEQ-T1-GE3 dg4051e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-E3 dg417.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ DG441-DG442.pdf dg441-dg442-datasheet DG441%3B442.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 dg9424.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9112DY-T1-E3 si9112.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF 91254.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 179 180 181 182 183 184 185  [ Наступна Сторінка >> ]