Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 184 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 179 180 181 182 183 184 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHH125N65E-T1-GE3 SIHH125N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh125n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.59 грн
10+366.65 грн
25+339.22 грн
100+290.08 грн
250+276.61 грн
500+268.49 грн
1000+257.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N65E-T1-GE3 SIHK125N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk125n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+292.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N65E-T1-GE3 SIHK125N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk125n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.09 грн
10+377.43 грн
25+349.31 грн
100+298.84 грн
250+285.02 грн
500+276.70 грн
1000+265.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N65E-GE3 SIHG125N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg125n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.20 грн
10+406.48 грн
25+376.56 грн
100+322.52 грн
250+307.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3 SIHFU024-GE3 Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3 SQS166ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs166elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3 SQS166ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs166elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.43 грн
10+33.18 грн
25+29.69 грн
100+24.37 грн
250+22.69 грн
500+21.68 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3 SQS182ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs182elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3 SQS182ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs182elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.36 грн
10+53.36 грн
100+40.14 грн
500+30.02 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3 SQS120ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs120elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3 SQS120ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs120elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.21 грн
10+66.05 грн
100+47.72 грн
500+35.22 грн
1000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS124ELNW-T1_GE3 SQS124ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs124elnw.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530 Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Vishay Siliconix 91041.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460 IRFP460 Vishay Siliconix 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 IRF520 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3 SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.66 грн
10+100.00 грн
100+68.76 грн
500+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 SISS26LDN-T1-UE3 Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 SISS26LDN-T1-UE3 Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+49.77 грн
25+44.92 грн
100+37.13 грн
250+34.73 грн
500+33.29 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510 IRF9510 Vishay Siliconix 91072.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DY DG413DY Vishay Siliconix DG411-413.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Vishay Siliconix 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Vishay Siliconix 2N6661%282%29%2C2N6661JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 SIR570DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 SIR570DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 Vishay Siliconix 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
6+104.01 грн
10+62.40 грн
100+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+207.99 грн
10+112.80 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+624.00 грн
10+139.98 грн
100+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ Vishay Siliconix DG441-DG442.pdf Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
10+62.40 грн
100+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+227.60 грн
10+212.43 грн
100+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9112DY-T1-E3 Vishay Siliconix si9112.pdf ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+175.27 грн
10+148.96 грн
100+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7272dp.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9945bdy.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+69.40 грн
10+64.79 грн
100+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir882adp.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
7+95.27 грн
10+88.92 грн
100+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF Vishay Siliconix 91254.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+624.00 грн
10+201.72 грн
100+187.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl911.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+70.47 грн
10+65.77 грн
100+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cdv.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
13+51.17 грн
14+47.75 грн
100+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+624.00 грн
10+107.86 грн
100+100.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia469dj.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+312.00 грн
10+62.40 грн
100+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia471dj.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+207.99 грн
10+62.40 грн
100+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir165dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+312.00 грн
10+109.51 грн
100+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirs4401dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+202.94 грн
10+189.40 грн
100+175.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
14+46.75 грн
15+43.63 грн
100+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+624.00 грн
10+240.43 грн
100+223.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L Vishay Siliconix P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+359.92 грн
10+335.93 грн
100+311.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+384.63 грн
10+358.99 грн
100+333.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
6+120.46 грн
10+112.43 грн
100+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11203DLP-T1-E3 Vishay Siliconix description Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11204DLP-T1-E3 Vishay Siliconix sip11203.pdf Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9122ADLP-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9122ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3 Vishay Siliconix IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF Vishay Siliconix irf620.pdf N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540S-E3 Vishay Siliconix IRF9540SPBF D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30A-E3 Vishay Siliconix IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N65E-T1-GE3 sihh125n65e.pdf
SIHH125N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.59 грн
10+366.65 грн
25+339.22 грн
100+290.08 грн
250+276.61 грн
500+268.49 грн
1000+257.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N65E-T1-GE3 sihk125n65e.pdf
SIHK125N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+292.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N65E-T1-GE3 sihk125n65e.pdf
SIHK125N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.09 грн
10+377.43 грн
25+349.31 грн
100+298.84 грн
250+285.02 грн
500+276.70 грн
1000+265.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N65E-GE3 sihg125n65e.pdf
SIHG125N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.20 грн
10+406.48 грн
25+376.56 грн
100+322.52 грн
250+307.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3 sihfr024.pdf
SIHFU024-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3 sqs166elnw.pdf
SQS166ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3 sqs166elnw.pdf
SQS166ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
10+33.18 грн
25+29.69 грн
100+24.37 грн
250+22.69 грн
500+21.68 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3 sqs182elnw.pdf
SQS182ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3 sqs182elnw.pdf
SQS182ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.36 грн
10+53.36 грн
100+40.14 грн
500+30.02 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3 sqs120elnw.pdf
SQS120ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3 sqs120elnw.pdf
SQS120ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+66.05 грн
100+47.72 грн
500+35.22 грн
1000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS124ELNW-T1_GE3 sqs124elnw.pdf
SQS124ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 irf530.pdf
IRF530
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 irf540.pdf
IRF540
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description 91041.pdf
IRF710
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460 91237.pdf
IRFP460
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description IRF9530.pdf
IRF9530
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 irl620.pdf
IRF520
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.66 грн
10+100.00 грн
100+68.76 грн
500+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 siss26ldn.pdf
SISS26LDN-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3 siss26ldn.pdf
SISS26LDN-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.45 грн
10+49.77 грн
25+44.92 грн
100+37.13 грн
250+34.73 грн
500+33.29 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510 description 91072.pdf
IRF9510
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DY DG411-413.pdf
DG413DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661%282%29%2C2N6661JANTX%28V%29.pdf
2N6661
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description irl620.pdf
IRF830
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 dg201b.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
6+104.01 грн
10+62.40 грн
100+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEQ-T1-GE3 dg4051e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.99 грн
10+112.80 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-E3 dg417.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.00 грн
10+139.98 грн
100+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG441DJ DG441-DG442.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.40 грн
100+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 dg9424.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
3+227.60 грн
10+212.43 грн
100+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9112DY-T1-E3 si9112.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
4+175.27 грн
10+148.96 грн
100+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
9+69.40 грн
10+64.79 грн
100+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
7+95.27 грн
10+88.92 грн
100+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF 91254.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.00 грн
10+201.72 грн
100+187.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.47 грн
10+65.77 грн
100+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
13+51.17 грн
14+47.75 грн
100+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.00 грн
10+107.86 грн
100+100.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.00 грн
10+62.40 грн
100+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.99 грн
10+62.40 грн
100+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 sir165dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.00 грн
10+109.51 грн
100+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3 sirs4401dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
4+202.94 грн
10+189.40 грн
100+175.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
14+46.75 грн
15+43.63 грн
100+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.00 грн
10+240.43 грн
100+223.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
2+359.92 грн
10+335.93 грн
100+311.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
2+384.63 грн
10+358.99 грн
100+333.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF 91076.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.46 грн
10+112.43 грн
100+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11203DLP-T1-E3 description
Виробник: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiP11204DLP-T1-E3 sip11203.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9122ADLP-T1-E3 si9122a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9122ADQ-T1-E3 si9122a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF irf620.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRF9540SPBF D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 179 180 181 182 183 184 185  [ Наступна Сторінка >> ]