Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11841) > Сторінка 183 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 171 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHH186N60EF-T1FE3 SIHH186N60EF-T1FE3 Vishay Siliconix sihh186n60ef-fe3.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.79 грн
10+204.79 грн
50+159.46 грн
100+135.95 грн
500+117.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_BE3 SQJ457EP-T2_BE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_BE3 SQJ457EP-T2_BE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+67.96 грн
100+45.25 грн
500+33.30 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419cev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
9000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419cev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.55 грн
10+35.05 грн
50+25.67 грн
100+21.24 грн
500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3 SIHP065N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp065n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3 Vishay Siliconix sisd4604dn.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3 Vishay Siliconix sisd4604dn.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3 SIR626LDP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3 SIR626LDP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-UE3 SIR626LDP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss61dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss61dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.79 грн
10+76.80 грн
50+57.61 грн
100+48.25 грн
500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir5211dp.pdf Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir5211dp.pdf Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.35 грн
100+44.77 грн
500+32.94 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3 SIR5408DP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir5408dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.73 грн
6000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3 SIR5408DP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir5408dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.35 грн
10+68.57 грн
100+45.65 грн
500+33.61 грн
1000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3 SIR5406DP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir5406dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.35 грн
6000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3 SIR5406DP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir5406dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.88 грн
10+71.84 грн
100+47.94 грн
500+35.36 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3 SIR5402DP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir5402dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.04 грн
6000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3 SIR5402DP-T1-UE3 Vishay Siliconix sir5402dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
10+102.47 грн
100+69.60 грн
500+52.13 грн
1000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3 SQJ141ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj141elp.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3 SQJ141ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj141elp.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.94 грн
10+102.77 грн
100+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3 SIHG026N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg026n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.23 грн
25+643.65 грн
50+593.66 грн
100+517.68 грн
500+465.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3 SIZF456LDT-T1-UE3 Vishay Siliconix sizf456ldt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3 SIZF456LDT-T1-UE3 Vishay Siliconix sizf456ldt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF660LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf660ldt.pdf Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3 SIHG080N65SF-GE3 Vishay Siliconix sihg080n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.51 грн
10+282.19 грн
100+203.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL080N65SF-GE3 SIHL080N65SF-GE3 Vishay Siliconix sihl080n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.46 грн
10+297.58 грн
480+180.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740 Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3 SIR580DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir580dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3 SIR580DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir580dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.87 грн
10+129.82 грн
100+89.37 грн
500+67.64 грн
1000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3 SIR5812DP-T1-RE3 Vishay Siliconix doc?62298 Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3 SIR5812DP-T1-RE3 Vishay Siliconix doc?62298 Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.24 грн
100+41.25 грн
500+30.24 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3 SIR5810DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5810dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3 SIR5810DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5810dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.35 грн
100+44.77 грн
500+32.94 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5208DP-T1-RE3 SIR5208DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5208dp.pdf Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5208DP-T1-RE3 SIR5208DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5208dp.pdf Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.67 грн
10+72.07 грн
50+53.99 грн
100+45.17 грн
500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3 SIR576DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir576dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.89 грн
6000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3 SIR576DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir576dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.49 грн
10+94.47 грн
100+63.94 грн
500+47.72 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3 SIR516DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir516dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3 SIR516DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir516dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.71 грн
10+115.42 грн
100+78.96 грн
500+59.45 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3 SIR582DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir582dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.11 грн
6000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3 SIR582DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir582dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.09 грн
10+117.56 грн
100+80.49 грн
500+60.66 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3 SIR5802DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir5802dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.43 грн
6000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3 SIR5802DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir5802dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.75 грн
10+125.55 грн
100+86.27 грн
500+65.20 грн
1000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3 SIR572DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir572dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3 SIR572DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir572dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.87 грн
10+130.13 грн
100+89.59 грн
500+67.81 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3 SIR514DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir514dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3 SIR514DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir514dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.87 грн
10+130.13 грн
100+89.59 грн
500+67.81 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3 SIR578DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir578dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3 SIR578DP-T1-BE3 Vishay Siliconix sir578dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.22 грн
10+156.26 грн
100+108.71 грн
500+82.94 грн
1000+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH180N60E-T1-FE3 SIHH180N60E-T1-FE3 Vishay Siliconix sihh180n60e-fe3.pdf Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH180N60E-T1-FE3 SIHH180N60E-T1-FE3 Vishay Siliconix sihh180n60e-fe3.pdf Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.64 грн
10+189.93 грн
100+133.58 грн
500+105.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T4-GE3 Vishay Siliconix sia907edjt.pdf Description: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ858EP.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 SQA448CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa448cejw.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 SQA448CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa448cejw.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.50 грн
10+37.41 грн
50+27.43 грн
100+22.69 грн
500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.33 грн
10+47.31 грн
100+30.96 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH186N60EF-T1FE3 sihh186n60ef-fe3.pdf
SIHH186N60EF-T1FE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.79 грн
10+204.79 грн
50+159.46 грн
100+135.95 грн
500+117.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_BE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_BE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.55 грн
10+67.96 грн
100+45.25 грн
500+33.30 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 sq3419cev.pdf
SQ3419CEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.87 грн
9000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 sq3419cev.pdf
SQ3419CEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.55 грн
10+35.05 грн
50+25.67 грн
100+21.24 грн
500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3 sihp065n65e.pdf
SIHP065N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3 sisd4604dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3 sisd4604dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-BE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-UE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.79 грн
10+76.80 грн
50+57.61 грн
100+48.25 грн
500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3 sir5211dp.pdf
SIR5211DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3 sir5211dp.pdf
SIR5211DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+67.35 грн
100+44.77 грн
500+32.94 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3 sir5408dp.pdf
SIR5408DP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.73 грн
6000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3 sir5408dp.pdf
SIR5408DP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.35 грн
10+68.57 грн
100+45.65 грн
500+33.61 грн
1000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3 sir5406dp.pdf
SIR5406DP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.35 грн
6000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3 sir5406dp.pdf
SIR5406DP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.88 грн
10+71.84 грн
100+47.94 грн
500+35.36 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3 sir5402dp.pdf
SIR5402DP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.04 грн
6000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3 sir5402dp.pdf
SIR5402DP-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.35 грн
10+102.47 грн
100+69.60 грн
500+52.13 грн
1000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3 sqj141elp.pdf
SQJ141ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3 sqj141elp.pdf
SQJ141ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.94 грн
10+102.77 грн
100+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3 sihg026n65e.pdf
SIHG026N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1071.23 грн
25+643.65 грн
50+593.66 грн
100+517.68 грн
500+465.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3 sizf456ldt.pdf
SIZF456LDT-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3 sizf456ldt.pdf
SIZF456LDT-T1-UE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF660LDT-T1-GE3 sizf660ldt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3 sihg080n65sf.pdf
SIHG080N65SF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.51 грн
10+282.19 грн
100+203.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL080N65SF-GE3 sihl080n65sf.pdf
SIHL080N65SF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+460.46 грн
10+297.58 грн
480+180.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 91054.pdf
IRF740
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3 sir580dp.pdf
SIR580DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-BE3 sir580dp.pdf
SIR580DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.87 грн
10+129.82 грн
100+89.37 грн
500+67.64 грн
1000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3 doc?62298
SIR5812DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5812DP-T1-RE3 doc?62298
SIR5812DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.85 грн
10+62.24 грн
100+41.25 грн
500+30.24 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3 sir5810dp.pdf
SIR5810DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5810DP-T1-RE3 sir5810dp.pdf
SIR5810DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+67.35 грн
100+44.77 грн
500+32.94 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5208DP-T1-RE3 sir5208dp.pdf
SIR5208DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5208DP-T1-RE3 sir5208dp.pdf
SIR5208DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.67 грн
10+72.07 грн
50+53.99 грн
100+45.17 грн
500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3 sir576dp.pdf
SIR576DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.89 грн
6000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-BE3 sir576dp.pdf
SIR576DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.49 грн
10+94.47 грн
100+63.94 грн
500+47.72 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3 sir516dp.pdf
SIR516DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3 sir516dp.pdf
SIR516DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.71 грн
10+115.42 грн
100+78.96 грн
500+59.45 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3 sir582dp.pdf
SIR582DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+55.11 грн
6000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-BE3 sir582dp.pdf
SIR582DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.09 грн
10+117.56 грн
100+80.49 грн
500+60.66 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3 sir5802dp.pdf
SIR5802DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+59.43 грн
6000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-BE3 sir5802dp.pdf
SIR5802DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.75 грн
10+125.55 грн
100+86.27 грн
500+65.20 грн
1000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3 sir572dp.pdf
SIR572DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-BE3 sir572dp.pdf
SIR572DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.87 грн
10+130.13 грн
100+89.59 грн
500+67.81 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3 sir514dp.pdf
SIR514DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3 sir514dp.pdf
SIR514DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.87 грн
10+130.13 грн
100+89.59 грн
500+67.81 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3 sir578dp.pdf
SIR578DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-BE3 sir578dp.pdf
SIR578DP-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.22 грн
10+156.26 грн
100+108.71 грн
500+82.94 грн
1000+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH180N60E-T1-FE3 sihh180n60e-fe3.pdf
SIHH180N60E-T1-FE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH180N60E-T1-FE3 sihh180n60e-fe3.pdf
SIHH180N60E-T1-FE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.64 грн
10+189.93 грн
100+133.58 грн
500+105.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T4-GE3 sia907edjt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858EP-T1_GE3 SQJ858EP.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 sqa448cejw.pdf
SQA448CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 sqa448cejw.pdf
SQA448CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.50 грн
10+37.41 грн
50+27.43 грн
100+22.69 грн
500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 sqrs144elp.pdf
SQS136ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS136ENW-T1_GE3 sqrs144elp.pdf
SQS136ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.33 грн
10+47.31 грн
100+30.96 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 171 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]