Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10944) > Сторінка 182 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 177 178 179 180 181 182 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SQA604CEJW-T1_GE3 SQA604CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa604cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
10+ 28.02 грн
100+ 19.49 грн
500+ 14.29 грн
1000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIHP12N50C-E3 SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+302.51 грн
10+ 244.6 грн
100+ 197.87 грн
500+ 165.06 грн
1000+ 141.33 грн
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.26 грн
10+ 53.97 грн
100+ 42.01 грн
500+ 33.42 грн
1000+ 27.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir166dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir166dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.57 грн
10+ 75.28 грн
100+ 58.54 грн
500+ 46.57 грн
1000+ 37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
DG403BDJ-E3 DG403BDJ-E3 Vishay Siliconix dg401b.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.09 грн
10+ 304.45 грн
25+ 287.82 грн
100+ 234.1 грн
250+ 222.09 грн
500+ 199.28 грн
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.51 грн
10+ 67.53 грн
100+ 52.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.36 грн
6000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.95 грн
10+ 50.23 грн
100+ 39.05 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9540 IRF9540 Vishay Siliconix 91078.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
DG408DJ DG408DJ Vishay Siliconix DG408_DG409.pdf Description: IC MUX 8:1 100OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 26pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120 грн
10+ 96.04 грн
100+ 76.45 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 51.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
товар відсутній
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
товар відсутній
SIR624DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir624dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товар відсутній
DG408DY DG408DY Vishay Siliconix DG408_DG409.pdf Description: IC MUX 8:1 100OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 26pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia110dj.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia110dj.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.92 грн
10+ 46.5 грн
100+ 36.18 грн
500+ 28.78 грн
1000+ 23.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120 IRFR120 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товар відсутній
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товар відсутній
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.58 грн
10+ 41.45 грн
100+ 28.71 грн
500+ 22.51 грн
1000+ 19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJQ131EL-T1_GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq131el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQJQ131EL-T1_GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq131el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.56 грн
10+ 174.16 грн
100+ 140.91 грн
500+ 117.54 грн
1000+ 100.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
DG301AAA Vishay Siliconix DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
IRFR9014PBF-BE3 IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.44 грн
75+ 76.3 грн
150+ 60.46 грн
525+ 48.09 грн
1050+ 39.18 грн
2025+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9120PBF-BE3 IRFR9120PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: P-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.25 грн
75+ 88.39 грн
150+ 72.73 грн
525+ 57.75 грн
1050+ 49 грн
2025+ 46.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI1553CDL-T1-BE3 SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товар відсутній
SI1553CDL-T1-BE3 SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
12+ 23.87 грн
100+ 14.31 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
SiP11203DLP-T1-E3 Vishay Siliconix sip11203.pdf description Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiP11204DLP-T1-E3 Vishay Siliconix sip11203.pdf Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Si9122ADLP-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI9122ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SIC477ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf
на замовлення 350 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHF530S-E3 Vishay Siliconix IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF620PBF Vishay Siliconix irf620.pdf N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHF9540S-E3 Vishay Siliconix IRF9540SPBF D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFBC30A-E3 Vishay Siliconix IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFBC40-E3 Vishay Siliconix IRFBC40PBF TO-220AB
на замовлення 168 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFD110PBF Vishay Siliconix sihfd110.pdf (MFET,N-CH,100V,1A,DIP-4)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFP360LC-E3 Vishay Siliconix IRFP360LCPBF TO-247AC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFP360PBF : SiHFP360-E3 Vishay Siliconix IRFP360PBF TO-247AC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFR9214-E3 Vishay Siliconix IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFRC20-E3 Vishay Siliconix IRFRC20PBF DPAK=TO-252
на замовлення 48 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFS11N50A Vishay Siliconix IRFS11N50A N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263
на замовлення 135 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFZ34-E3 Vishay Siliconix IRFZ34PBF TO-220-3
на замовлення 49 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRLL110PBF : IRLL110TRPBF Vishay Siliconix IRLL110PBF SOT-223
на замовлення 275 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix si1304bd.pdf SC-70
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2301BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301bds.pdf Si2301BDS P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix si2323ds.pdf MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333dds.pdf P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5403dc.pdf (1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia907edjt.pdf MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix sum55p06.pdf MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SQA604CEJW-T1_GE3 sqa604cejw.pdf
SQA604CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.49 грн
10+ 28.02 грн
100+ 19.49 грн
500+ 14.29 грн
1000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIHP12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHP12N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.51 грн
10+ 244.6 грн
100+ 197.87 грн
500+ 165.06 грн
1000+ 141.33 грн
SIR164ADP-T1-GE3 sir164adp.pdf
SIR164ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR164ADP-T1-GE3 sir164adp.pdf
SIR164ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.26 грн
10+ 53.97 грн
100+ 42.01 грн
500+ 33.42 грн
1000+ 27.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
SIR166DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
SIR166DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.57 грн
10+ 75.28 грн
100+ 58.54 грн
500+ 46.57 грн
1000+ 37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
DG403BDJ-E3 dg401b.pdf
DG403BDJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+352.09 грн
10+ 304.45 грн
25+ 287.82 грн
100+ 234.1 грн
250+ 222.09 грн
500+ 199.28 грн
SIHF9630STRL-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHF9630STRL-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.51 грн
10+ 67.53 грн
100+ 52.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQS966ENW-T1_GE3 sqs966enw.pdf
SQS966ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.36 грн
6000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQS966ENW-T1_GE3 sqs966enw.pdf
SQS966ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.95 грн
10+ 50.23 грн
100+ 39.05 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9540 description 91078.pdf
IRF9540
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
DG408DJ DG408_DG409.pdf
DG408DJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 100OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 26pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
SIR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
SIR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120 грн
10+ 96.04 грн
100+ 76.45 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 51.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
SiR618DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
товар відсутній
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
SiR618DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
товар відсутній
SIR624DP-T1-RE3 sir624dp.pdf
SIR624DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товар відсутній
DG408DY DG408_DG409.pdf
DG408DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 100OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 26pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.92 грн
10+ 46.5 грн
100+ 36.18 грн
500+ 28.78 грн
1000+ 23.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120 sihfr120.pdf
IRFR120
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товар відсутній
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товар відсутній
SISH114ADN-T1-GE3 sish114ad.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISH114ADN-T1-GE3 sish114ad.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.58 грн
10+ 41.45 грн
100+ 28.71 грн
500+ 22.51 грн
1000+ 19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJQ131EL-T1_GE3 sqjq131el.pdf
SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQJQ131EL-T1_GE3 sqjq131el.pdf
SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.56 грн
10+ 174.16 грн
100+ 140.91 грн
500+ 117.54 грн
1000+ 100.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
DG301AAA DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
IRFR9014PBF-BE3 sihfr901.pdf
IRFR9014PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.44 грн
75+ 76.3 грн
150+ 60.46 грн
525+ 48.09 грн
1050+ 39.18 грн
2025+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9120PBF-BE3 sihfr912.pdf
IRFR9120PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.25 грн
75+ 88.39 грн
150+ 72.73 грн
525+ 57.75 грн
1050+ 49 грн
2025+ 46.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI1553CDL-T1-BE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товар відсутній
SI1553CDL-T1-BE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
12+ 23.87 грн
100+ 14.31 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
SiP11203DLP-T1-E3 description sip11203.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiP11204DLP-T1-E3 sip11203.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Si9122ADLP-T1-E3 si9122a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI9122ADQ-T1-E3 si9122a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SIC477ED-T1-GE3 sic47x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
на замовлення 350 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHF530S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF540PBF irf540.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF620PBF irf620.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHF9540S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRF9540SPBF D2PAK=TO-263
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFBC30A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFBC40-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFBC40PBF TO-220AB
на замовлення 168 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFD110PBF sihfd110.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
(MFET,N-CH,100V,1A,DIP-4)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFP360LC-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFP360LCPBF TO-247AC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFP360PBF : SiHFP360-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFP360PBF TO-247AC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFR9214-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFRC20-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFRC20PBF DPAK=TO-252
на замовлення 48 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFS11N50A
Виробник: Vishay Siliconix
IRFS11N50A N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263
на замовлення 135 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SiHFZ34-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFZ34PBF TO-220-3
на замовлення 49 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRLL110PBF : IRLL110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
IRLL110PBF SOT-223
на замовлення 275 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI1304BDL-T1-E3 si1304bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
SC-70
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Si2301BDS P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2323DS-T1-E3 si2323ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
(1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SIA907EDJT-T1-GE3 sia907edjt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 177 178 179 180 181 182 183  [ Наступна Сторінка >> ]