Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11840) > Сторінка 181 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 171 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHLZ14STRL-GE3 SIHLZ14STRL-GE3 Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRR-GE3 SIHLZ14STRR-GE3 Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3 SQ2308FES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2308fes.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
12+25.60 грн
100+16.30 грн
500+11.54 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3 SQ2318CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2318ces.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+28.87 грн
50+21.04 грн
100+17.36 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 SQ2337CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2337ces.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.44 грн
9000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 SQ2337CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2337ces.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.10 грн
12+27.20 грн
50+19.79 грн
100+16.32 грн
500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 SQ2348CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 SQ2348CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.80 грн
10+32.00 грн
50+23.33 грн
100+19.25 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 SQ2361CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 SQ2361CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.15 грн
21+14.70 грн
25+13.10 грн
100+10.59 грн
250+9.78 грн
500+9.28 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 SQ2348CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 SQ2348CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
21+14.93 грн
25+13.29 грн
100+10.74 грн
250+9.92 грн
500+9.42 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 SQ2315CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2315ces.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 SQ2315CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2315ces.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
13+24.23 грн
100+15.46 грн
500+10.95 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir770dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir770dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir774dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 SIRS580DPW-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs580dpw.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.32 грн
6000+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 SIRS580DPW-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs580dpw.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.53 грн
10+106.43 грн
25+97.06 грн
100+81.45 грн
250+76.85 грн
500+74.08 грн
1000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 SQJA61EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja61ep.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 SQJA61EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja61ep.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
10+82.97 грн
100+56.00 грн
500+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj120elp.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj120elp.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.20 грн
10+49.52 грн
25+44.68 грн
100+36.96 грн
250+34.60 грн
500+33.18 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Vishay Siliconix irf620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay Siliconix sihp30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqaa42cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqaa42cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
12+27.50 грн
100+17.65 грн
500+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5446DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 SQ3469CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469cev.pdf Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 SQ3469CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469cev.pdf Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 SQM120N04-1M7_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 SQM120N04-1M7_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7L_JE3 SQM120N04-1M7L_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7L_JE3 SQM120N04-1M7L_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.03 грн
10+178.96 грн
50+138.48 грн
100+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG444BDY-T1-E3 DG444BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 72626.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.84 грн
5000+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG444BDY-T1-E3 DG444BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 72626.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.89 грн
10+122.20 грн
25+111.66 грн
100+93.90 грн
250+88.71 грн
500+85.58 грн
1000+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EFT4-GE3 SIHD186N60EFT4-GE3 Vishay Siliconix sihd186n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EFT1-GE3 SIHD186N60EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihd186n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG301AAA Vishay Siliconix DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60ET5-GE3 SIHB35N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb35n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60ET1-GE3 SIHB35N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb35n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DJ DG408DJ Vishay Siliconix DG408_DG409.pdf Description: IC MUX 8:1 100OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 26pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850CEY-T1_GE3 SQ4850CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4850cey.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.62 грн
5000+25.58 грн
7500+24.57 грн
12500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850CEY-T1_GE3 SQ4850CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4850cey.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.22 грн
10+64.38 грн
100+42.92 грн
500+31.64 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHR120N60E-T1-GE3 SIHR120N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihr120n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHR120N60EF-T1GE3 SIHR120N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihr120n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss40dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss40dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.12 грн
10+81.21 грн
100+54.53 грн
500+40.44 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3 SIHG080N65SF-GE3 Vishay Siliconix sihg080n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+175.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3 SQJ886EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj886ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3 SQJ886EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj886ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk050n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3992 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf54dn.pdf Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32460DB-T2-GE1 SIP32460DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+14.54 грн
9000+14.34 грн
15000+13.25 грн
21000+13.13 грн
30000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32460DB-T2-GE1 SIP32460DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 59040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
13+23.85 грн
25+21.30 грн
100+17.39 грн
250+16.14 грн
500+15.39 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32437ADN-T5E3 SIP32437ADN-T5E3 Vishay Siliconix sip32435_sip32436_sip32437.pdf Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32437ADN-T5E3 SIP32437ADN-T5E3 Vishay Siliconix sip32435_sip32436_sip32437.pdf Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.41 грн
250+39.74 грн
500+38.13 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32436ADN-T5E3 SIP32436ADN-T5E3 Vishay Siliconix sip32435_sip32436_sip32437.pdf Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32436ADN-T5E3 SIP32436ADN-T5E3 Vishay Siliconix sip32435_sip32436_sip32437.pdf Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.41 грн
250+39.74 грн
500+38.13 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRL-GE3 sihlz14s.pdf
SIHLZ14STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRR-GE3 sihlz14s.pdf
SIHLZ14STRR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3 sq2308fes.pdf
SQ2308FES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.72 грн
12+25.60 грн
100+16.30 грн
500+11.54 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3 sq2318ces.pdf
SQ2318CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
11+28.87 грн
50+21.04 грн
100+17.36 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 sq2337ces.pdf
SQ2337CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.44 грн
9000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 sq2337ces.pdf
SQ2337CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.10 грн
12+27.20 грн
50+19.79 грн
100+16.32 грн
500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.80 грн
10+32.00 грн
50+23.33 грн
100+19.25 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 sq2361ces.pdf
SQ2361CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 sq2361ces.pdf
SQ2361CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.15 грн
21+14.70 грн
25+13.10 грн
100+10.59 грн
250+9.78 грн
500+9.28 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.94 грн
21+14.93 грн
25+13.29 грн
100+10.74 грн
250+9.92 грн
500+9.42 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 sq2315ces.pdf
SQ2315CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 sq2315ces.pdf
SQ2315CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.14 грн
13+24.23 грн
100+15.46 грн
500+10.95 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
SIR770DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
SIR770DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR774DP-T1-GE3 sir774dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 sirs580dpw.pdf
SIRS580DPW-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.32 грн
6000+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 sirs580dpw.pdf
SIRS580DPW-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.53 грн
10+106.43 грн
25+97.06 грн
100+81.45 грн
250+76.85 грн
500+74.08 грн
1000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 sqja61ep.pdf
SQJA61EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 sqja61ep.pdf
SQJA61EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.29 грн
10+82.97 грн
100+56.00 грн
500+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 sqj120elp.pdf
SQJ120EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 sqj120elp.pdf
SQJ120EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.20 грн
10+49.52 грн
25+44.68 грн
100+36.96 грн
250+34.60 грн
500+33.18 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 irf620.pdf
IRF620
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 sqaa42cejw.pdf
SQAA42CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 sqaa42cejw.pdf
SQAA42CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.68 грн
12+27.50 грн
100+17.65 грн
500+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5446DU-T1-GE3 si5442du.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 sq3469cev.pdf
SQ3469CEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 sq3469cev.pdf
SQ3469CEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7L_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7L_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7L_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7L_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.03 грн
10+178.96 грн
50+138.48 грн
100+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG444BDY-T1-E3 72626.pdf
DG444BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.84 грн
5000+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG444BDY-T1-E3 72626.pdf
DG444BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.89 грн
10+122.20 грн
25+111.66 грн
100+93.90 грн
250+88.71 грн
500+85.58 грн
1000+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EFT4-GE3 sihd186n60ef.pdf
SIHD186N60EFT4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EFT1-GE3 sihd186n60ef.pdf
SIHD186N60EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG301AAA DG300A_MIL301A_MIL302A_MIL.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 50OHM TO100-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-100-10 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: TO-100-10
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -74dB @ 500kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 250ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 14pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60ET5-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60ET1-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DJ DG408_DG409.pdf
DG408DJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 100OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 20pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 26pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 irf540.pdf
IRF540
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850CEY-T1_GE3 sq4850cey.pdf
SQ4850CEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.62 грн
5000+25.58 грн
7500+24.57 грн
12500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850CEY-T1_GE3 sq4850cey.pdf
SQ4850CEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.22 грн
10+64.38 грн
100+42.92 грн
500+31.64 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHR120N60E-T1-GE3 sihr120n60e.pdf
SIHR120N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHR120N60EF-T1GE3 sihr120n60ef.pdf
SIHR120N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS40DN-T1-GE3 siss40dn.pdf
SISS40DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS40DN-T1-GE3 siss40dn.pdf
SISS40DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.12 грн
10+81.21 грн
100+54.53 грн
500+40.44 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3 sihg080n65sf.pdf
SIHG080N65SF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+175.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3 sqj886ep.pdf
SQJ886EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3 sqj886ep.pdf
SQJ886EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 sihk050n65e.pdf
SIHK050N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3992 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF54DN-T1-GE3 sizf54dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32460DB-T2-GE1 sip32461.pdf
SIP32460DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.51 грн
6000+14.54 грн
9000+14.34 грн
15000+13.25 грн
21000+13.13 грн
30000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32460DB-T2-GE1 sip32461.pdf
SIP32460DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 59040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.81 грн
13+23.85 грн
25+21.30 грн
100+17.39 грн
250+16.14 грн
500+15.39 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32437ADN-T5E3 sip32435_sip32436_sip32437.pdf
SIP32437ADN-T5E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32437ADN-T5E3 sip32435_sip32436_sip32437.pdf
SIP32437ADN-T5E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.49 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.41 грн
250+39.74 грн
500+38.13 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32436ADN-T5E3 sip32435_sip32436_sip32437.pdf
SIP32436ADN-T5E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32436ADN-T5E3 sip32435_sip32436_sip32437.pdf
SIP32436ADN-T5E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 10M EFUSE WITH PROGRAMMABLE TRAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 9.2mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-TDFN (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.49 грн
10+56.61 грн
25+51.17 грн
100+42.41 грн
250+39.74 грн
500+38.13 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 171 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]