Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11831) > Сторінка 180 з 198

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHH075N65E-T1-GE3 SIHH075N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh075n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+195.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N65E-T1-GE3 SIHK075N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk075n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC11N50AB Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS5712DN-T1-GE3 SIS5712DN-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?62070 Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS5712DN-T1-GE3 SIS5712DN-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?62070 Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+79.80 грн
100+53.09 грн
500+39.32 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS944ENW-T1_GE3 SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs944enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS944ENW-T1_GE3 SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs944enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+73.22 грн
50+54.91 грн
100+45.98 грн
500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS940ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs940elnw.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF680LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf680ldt.pdf Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 80-V (D-S) M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 72A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 6 x 5FS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF Vishay Siliconix 91185.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
10+169.02 грн
50+130.73 грн
100+111.10 грн
500+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-GE3 DG9431EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9431.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3 SIHL040N65E-GE3 Vishay Siliconix sihl040n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5344 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+304.85 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9630B Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3 SI2319DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS144ELP-T1_GE3 SQRS144ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS144ELP-T1_GE3 SQRS144ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.98 грн
50+99.51 грн
100+84.17 грн
500+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD240N60E-T4-GE3 SIHD240N60E-T4-GE3 Vishay Siliconix sihd240n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2122DS-T1-BE3 SI2122DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2122ds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2122DS-T1-GE3 SI2122DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2122ds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5812DN-T1-GE3 SISS5812DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5812dn.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3 SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3 SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
23+13.54 грн
25+11.97 грн
100+9.66 грн
250+8.91 грн
500+8.45 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3 SQ2309CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
9000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3 SQ2309CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.72 грн
50+20.90 грн
100+17.23 грн
500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-T1-GE3 SIHD12N50E-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14S-GE3 SIHLZ14S-GE3 Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRL-GE3 SIHLZ14STRL-GE3 Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRR-GE3 SIHLZ14STRR-GE3 Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3 SQ2308FES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2308fes.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.13 грн
100+16.00 грн
500+11.32 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3 SQ2318CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2318ces.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.77 грн
50+19.49 грн
100+16.07 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 SQ2337CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2337ces.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
9000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 SQ2337CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2337ces.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.27 грн
50+20.60 грн
100+16.97 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 SQ2348CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 SQ2348CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+29.02 грн
50+21.15 грн
100+17.46 грн
500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 SQ2361CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 SQ2361CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
21+14.43 грн
25+12.86 грн
100+10.39 грн
250+9.60 грн
500+9.11 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 SQ2348CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 SQ2348CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2348ces.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
21+14.66 грн
25+13.04 грн
100+10.54 грн
250+9.73 грн
500+9.25 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 SQ2315CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2315ces.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 SQ2315CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2315ces.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.78 грн
100+15.17 грн
500+10.75 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir770dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir770dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir774dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 SIRS580DPW-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs580dpw.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.92 грн
6000+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 SIRS580DPW-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs580dpw.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.78 грн
10+104.48 грн
25+95.28 грн
100+79.95 грн
250+75.44 грн
500+72.72 грн
1000+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 SQJA61EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja61ep.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 SQJA61EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja61ep.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+91.54 грн
50+69.06 грн
100+57.99 грн
500+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj120elp.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj120elp.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+48.61 грн
25+43.86 грн
100+36.29 грн
250+33.97 грн
500+32.57 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Vishay Siliconix irf620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay Siliconix sihp30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqaa42cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqaa42cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
12+27.00 грн
100+17.33 грн
500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5446DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 SQ3469CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469cev.pdf Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 SQ3469CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469cev.pdf Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 SQM120N04-1M7_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 SQM120N04-1M7_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7L_JE3 SQM120N04-1M7L_JE3 Vishay Siliconix sqrs144elp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH075N65E-T1-GE3 sihh075n65e.pdf
SIHH075N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+195.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N65E-T1-GE3 sihk075n65e.pdf
SIHK075N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC11N50AB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS5712DN-T1-GE3 doc?62070
SIS5712DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS5712DN-T1-GE3 doc?62070
SIS5712DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.47 грн
10+79.80 грн
100+53.09 грн
500+39.32 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS944ENW-T1_GE3 sqs944enw.pdf
SQS944ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS944ENW-T1_GE3 sqs944enw.pdf
SQS944ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.60 грн
10+73.22 грн
50+54.91 грн
100+45.98 грн
500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS940ELNW-T1_GE3 sqs940elnw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS965ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF680LDT-T1-GE3 sizf680ldt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 80-V (D-S) M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 72A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 6 x 5FS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF 91185.pdf
IRFIBF20GPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.94 грн
10+169.02 грн
50+130.73 грн
100+111.10 грн
500+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-GE3 dg9431.pdf
DG9431EDY-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3 sihl040n65e.pdf
SIHL040N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5344 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
480+304.85 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9630B
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-BE3
SI2319DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS144ELP-T1_GE3 sqrs144elp.pdf
SQRS144ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS144ELP-T1_GE3 sqrs144elp.pdf
SQRS144ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.14 грн
10+129.98 грн
50+99.51 грн
100+84.17 грн
500+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD240N60E-T4-GE3 sihd240n60e.pdf
SIHD240N60E-T4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2122DS-T1-BE3 si2122ds.pdf
SI2122DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2122DS-T1-GE3 si2122ds.pdf
SI2122DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5812DN-T1-GE3 siss5812dn.pdf
SISS5812DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3 sq2309ces.pdf
SQ2309CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3 sq2309ces.pdf
SQ2309CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
23+13.54 грн
25+11.97 грн
100+9.66 грн
250+8.91 грн
500+8.45 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3 sq2309ces.pdf
SQ2309CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.04 грн
9000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3 sq2309ces.pdf
SQ2309CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.15 грн
11+28.72 грн
50+20.90 грн
100+17.23 грн
500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-T1-GE3
SIHD12N50E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14S-GE3 sihlz14s.pdf
SIHLZ14S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRL-GE3 sihlz14s.pdf
SIHLZ14STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRR-GE3 sihlz14s.pdf
SIHLZ14STRR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3 sq2308fes.pdf
SQ2308FES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.94 грн
12+25.13 грн
100+16.00 грн
500+11.32 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3 sq2318ces.pdf
SQ2318CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.04 грн
12+26.77 грн
50+19.49 грн
100+16.07 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 sq2337ces.pdf
SQ2337CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.86 грн
9000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 sq2337ces.pdf
SQ2337CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.37 грн
11+28.27 грн
50+20.60 грн
100+16.97 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.25 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.15 грн
11+29.02 грн
50+21.15 грн
100+17.46 грн
500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 sq2361ces.pdf
SQ2361CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3 sq2361ces.pdf
SQ2361CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.75 грн
21+14.43 грн
25+12.86 грн
100+10.39 грн
250+9.60 грн
500+9.11 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3 sq2348ces.pdf
SQ2348CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.52 грн
21+14.66 грн
25+13.04 грн
100+10.54 грн
250+9.73 грн
500+9.25 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 sq2315ces.pdf
SQ2315CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3 sq2315ces.pdf
SQ2315CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.38 грн
13+23.78 грн
100+15.17 грн
500+10.75 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
SIR770DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
SIR770DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR774DP-T1-GE3 sir774dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 sirs580dpw.pdf
SIRS580DPW-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+74.92 грн
6000+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3 sirs580dpw.pdf
SIRS580DPW-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.78 грн
10+104.48 грн
25+95.28 грн
100+79.95 грн
250+75.44 грн
500+72.72 грн
1000+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 sqja61ep.pdf
SQJA61EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3 sqja61ep.pdf
SQJA61EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
10+91.54 грн
50+69.06 грн
100+57.99 грн
500+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 sqj120elp.pdf
SQJ120EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3 sqj120elp.pdf
SQJ120EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.90 грн
10+48.61 грн
25+43.86 грн
100+36.29 грн
250+33.97 грн
500+32.57 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 irf620.pdf
IRF620
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 sqaa42cejw.pdf
SQAA42CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 sqaa42cejw.pdf
SQAA42CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
12+27.00 грн
100+17.33 грн
500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5446DU-T1-GE3 si5442du.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 sq3469cev.pdf
SQ3469CEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469CEV-T1_GE3 sq3469cev.pdf
SQ3469CEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1M7L_JE3 sqrs144elp.pdf
SQM120N04-1M7L_JE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.