Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119485) > Сторінка 1955 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1950 1951 1952 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS21531DSTRPBF IRS21531DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-on time: 0.12µs
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.13 грн
10+54.41 грн
25+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR400W.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: 10mA
Power: 0.33W
Supply voltage: 1.6...18V DC
Integrated circuit features: active bias controller
Type of integrated circuit: driver
Case: SOT343
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.23 грн
35+12.05 грн
40+10.63 грн
47+9.04 грн
52+8.12 грн
100+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2186-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.92 грн
5+108.82 грн
10+98.77 грн
25+94.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD1120EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.59 грн
10+44.87 грн
11+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G INFINEON TECHNOLOGIES BTS724G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Technology: Classic PROFET
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO20
On-state resistance: 22.5mΩ
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+456.14 грн
5+339.85 грн
10+292.97 грн
25+241.91 грн
50+217.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4141N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT343
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.24 грн
24+18.08 грн
28+15.49 грн
100+8.91 грн
500+6.07 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7005WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.52 грн
45+9.46 грн
100+6.40 грн
500+4.90 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L INFINEON TECHNOLOGIES ITS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 2
Output current: 3.7A
Supply voltage: 5.5...40V DC
Case: BSOP12
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.35 грн
10+128.07 грн
25+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+281.25 грн
3+242.75 грн
10+210.10 грн
25+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.21 грн
11+41.52 грн
100+27.12 грн
500+21.09 грн
1000+19.17 грн
2000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.06 грн
5+122.21 грн
10+107.98 грн
50+78.68 грн
100+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.03 грн
10+47.55 грн
100+31.39 грн
500+24.44 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.21 грн
10+156.53 грн
25+136.44 грн
100+114.68 грн
125+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.95 грн
10+154.86 грн
25+143.98 грн
100+134.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.85 грн
4+133.93 грн
10+101.28 грн
25+86.22 грн
50+76.17 грн
100+67.80 грн
200+61.11 грн
500+52.74 грн
1000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.99 грн
10+149.00 грн
50+107.14 грн
100+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.60 грн
10+127.23 грн
20+122.21 грн
50+119.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
10+45.79 грн
50+33.23 грн
100+29.21 грн
250+25.03 грн
500+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.14 грн
19+22.10 грн
25+20.42 грн
100+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.49 грн
4+122.21 грн
10+98.77 грн
20+91.24 грн
50+82.87 грн
100+76.17 грн
200+70.31 грн
500+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.95 грн
19+23.02 грн
25+20.76 грн
100+15.99 грн
500+10.55 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.93 грн
10+70.31 грн
25+61.94 грн
100+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.06 грн
32+13.23 грн
35+12.14 грн
50+11.38 грн
100+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Case: SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.83 грн
29+14.73 грн
33+12.89 грн
39+10.80 грн
100+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.31 грн
85+4.94 грн
101+4.17 грн
112+3.74 грн
250+3.47 грн
500+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICL8001G-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.74 грн
7+69.48 грн
25+62.78 грн
100+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.84 грн
10+176.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF IRS25401PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs25401pbf.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...16.6V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 180ns
Power: 1W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.07 грн
10+236.89 грн
50+159.04 грн
100+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.47 грн
10+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.02 грн
10+110.49 грн
50+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.97 грн
10+107.14 грн
25+89.57 грн
50+79.52 грн
100+70.31 грн
250+61.94 грн
500+56.92 грн
1000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.21 грн
79+5.36 грн
96+4.39 грн
103+4.10 грн
200+3.91 грн
500+3.69 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.21 грн
85+4.94 грн
100+4.20 грн
500+3.97 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7002VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.03 грн
36+11.80 грн
50+8.67 грн
100+7.61 грн
250+6.50 грн
500+5.76 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.72 грн
10+144.81 грн
50+136.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+133.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.03 грн
72+5.86 грн
100+4.54 грн
500+3.83 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 18A; 150W; D2PAK,TO263AB; 251ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 251ns
Technology: HEXFET®
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
800+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...175°C
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 36A
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Technology: TEMPFET®
Case: PG-TO220-7-12
Kind of integrated circuit: low-side
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+526.45 грн
3+439.46 грн
10+389.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.89 грн
10+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21531DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-on time: 0.12µs
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.13 грн
10+54.41 грн
25+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400W.pdf
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: 10mA
Power: 0.33W
Supply voltage: 1.6...18V DC
Integrated circuit features: active bias controller
Type of integrated circuit: driver
Case: SOT343
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.23 грн
35+12.05 грн
40+10.63 грн
47+9.04 грн
52+8.12 грн
100+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF infineon-irs2186-datasheet-en.pdf
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.92 грн
5+108.82 грн
10+98.77 грн
25+94.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120EL.pdf
TLD1120ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.59 грн
10+44.87 грн
11+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G.pdf
BTS724G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Technology: Classic PROFET
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO20
On-state resistance: 22.5mΩ
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.14 грн
5+339.85 грн
10+292.97 грн
25+241.91 грн
50+217.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141N.pdf
ITS4141NHUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT343
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.24 грн
24+18.08 грн
28+15.49 грн
100+8.91 грн
500+6.07 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.52 грн
45+9.46 грн
100+6.40 грн
500+4.90 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L.pdf
ITS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 2
Output current: 3.7A
Supply voltage: 5.5...40V DC
Case: BSOP12
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.35 грн
10+128.07 грн
25+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RF.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.25 грн
3+242.75 грн
10+210.10 грн
25+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.21 грн
11+41.52 грн
100+27.12 грн
500+21.09 грн
1000+19.17 грн
2000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.06 грн
5+122.21 грн
10+107.98 грн
50+78.68 грн
100+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.03 грн
10+47.55 грн
100+31.39 грн
500+24.44 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.21 грн
10+156.53 грн
25+136.44 грн
100+114.68 грн
125+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.95 грн
10+154.86 грн
25+143.98 грн
100+134.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF irs2153d.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.85 грн
4+133.93 грн
10+101.28 грн
25+86.22 грн
50+76.17 грн
100+67.80 грн
200+61.11 грн
500+52.74 грн
1000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.99 грн
10+149.00 грн
50+107.14 грн
100+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.60 грн
10+127.23 грн
20+122.21 грн
50+119.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
10+45.79 грн
50+33.23 грн
100+29.21 грн
250+25.03 грн
500+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.14 грн
19+22.10 грн
25+20.42 грн
100+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.49 грн
4+122.21 грн
10+98.77 грн
20+91.24 грн
50+82.87 грн
100+76.17 грн
200+70.31 грн
500+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.95 грн
19+23.02 грн
25+20.76 грн
100+15.99 грн
500+10.55 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N.pdf
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.93 грн
10+70.31 грн
25+61.94 грн
100+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.06 грн
32+13.23 грн
35+12.14 грн
50+11.38 грн
100+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Case: SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.83 грн
29+14.73 грн
33+12.89 грн
39+10.80 грн
100+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.31 грн
85+4.94 грн
101+4.17 грн
112+3.74 грн
250+3.47 грн
500+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001G-DTE.pdf
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.74 грн
7+69.48 грн
25+62.78 грн
100+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.84 грн
10+176.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF irs25401pbf.pdf
IRS25401PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...16.6V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 180ns
Power: 1W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.07 грн
10+236.89 грн
50+159.04 грн
100+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.47 грн
10+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.02 грн
10+110.49 грн
50+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.97 грн
10+107.14 грн
25+89.57 грн
50+79.52 грн
100+70.31 грн
250+61.94 грн
500+56.92 грн
1000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5-DTE.pdf
IKP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.21 грн
79+5.36 грн
96+4.39 грн
103+4.10 грн
200+3.91 грн
500+3.69 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.21 грн
85+4.94 грн
100+4.20 грн
500+3.97 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.03 грн
36+11.80 грн
50+8.67 грн
100+7.61 грн
250+6.50 грн
500+5.76 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.72 грн
10+144.81 грн
50+136.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1 SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+133.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.03 грн
72+5.86 грн
100+4.54 грн
500+3.83 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 18A; 150W; D2PAK,TO263AB; 251ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 251ns
Technology: HEXFET®
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3230AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...175°C
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 36A
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Technology: TEMPFET®
Case: PG-TO220-7-12
Kind of integrated circuit: low-side
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.45 грн
3+439.46 грн
10+389.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.89 грн
10+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1950 1951 1952 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]