Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119485) > Сторінка 1958 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.74 грн
7+61.27 грн
10+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp90n20d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+340.75 грн
10+243.59 грн
25+221.82 грн
100+188.34 грн
125+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65620_CY7C65630_EZ-USB_HX2LP_LOW_POWER_USB_2.0_HUB_CONTROLLER_FAMILY-DataSheet-v33_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc56b1463f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN56; Core: 8-bit
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN56
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65620_CY7C65630_EZ-USB_HX2LP_LOW_POWER_USB_2.0_HUB_CONTROLLER_FAMILY-DataSheet-v33_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc56b1463f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; PG-VQFN-56
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: PG-VQFN-56
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65631-56LTXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65621_CY7C65631_EZ-USB_HX2LP_Lite_Low_Power_USB_2.0_Hub_Controller_Family-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecaf0514410&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; PG-VQFN-56
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: PG-VQFN-56
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC CY7C65632-48AXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXC CY7C65642-48AXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXCT CY7C65642-48AXCT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.57 грн
10+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2010SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.6W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.23 грн
3+277.07 грн
10+275.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBF IR2085STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 1W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.01 грн
10+196.71 грн
25+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON TECHNOLOGIES auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR166.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 160MHz
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.24 грн
29+14.73 грн
36+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR162.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.21 грн
10+48.21 грн
50+40.77 грн
100+38.67 грн
250+36.75 грн
500+34.91 грн
1000+31.81 грн
2000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50055-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 55A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 4.4mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS50080-1TEA INFINEON TECHNOLOGIES BTS500801TEA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 16mΩ
Supply voltage: 5.5...30V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 39V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.42 грн
10+203.41 грн
100+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+406.56 грн
5+317.25 грн
25+285.44 грн
100+264.51 грн
250+251.96 грн
500+226.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+460.64 грн
10+319.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.36 грн
10+115.51 грн
50+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7805zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.59 грн
12+37.17 грн
100+29.80 грн
250+28.54 грн
500+27.04 грн
1000+24.11 грн
2000+21.76 грн
4000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP405.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Current gain: 90...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.02 грн
8+59.60 грн
10+54.49 грн
50+44.20 грн
100+41.27 грн
250+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2909.89 грн
2+2606.62 грн
3+2576.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4 INFINEON TECHNOLOGIES FP75R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONO3-3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+20363.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP450H6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 24GHz
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.57 грн
13+32.90 грн
100+24.44 грн
250+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6251-2G TLE6251-2G INFINEON TECHNOLOGIES TLE6251-2G.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 5.5÷18VDC; PG-DSO-14; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Case: PG-DSO-14
Interface: CAN
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 80mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.34 грн
28+15.40 грн
100+9.58 грн
250+7.81 грн
500+6.56 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.7A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.58 грн
15+29.13 грн
100+20.68 грн
250+18.58 грн
500+16.99 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.52 грн
6+297.99 грн
10+272.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+284.86 грн
10+174.95 грн
30+150.67 грн
60+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.79 грн
5+98.27 грн
10+88.39 грн
50+64.29 грн
100+55.92 грн
125+53.57 грн
250+47.29 грн
500+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3103spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7084TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.15 грн
10+195.87 грн
25+145.65 грн
50+130.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+165.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR FM25L16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.20 грн
10+169.92 грн
25+167.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I CY8CMBR3102-SX1I INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
490+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.74 грн
7+61.27 грн
10+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF irfp90n20d.pdf
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.75 грн
10+243.59 грн
25+221.82 грн
100+188.34 грн
125+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXC Infineon-CY7C65620_CY7C65630_EZ-USB_HX2LP_LOW_POWER_USB_2.0_HUB_CONTROLLER_FAMILY-DataSheet-v33_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc56b1463f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN56; Core: 8-bit
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN56
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXI Infineon-CY7C65620_CY7C65630_EZ-USB_HX2LP_LOW_POWER_USB_2.0_HUB_CONTROLLER_FAMILY-DataSheet-v33_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc56b1463f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; PG-VQFN-56
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: PG-VQFN-56
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65631-56LTXC Infineon-CY7C65621_CY7C65631_EZ-USB_HX2LP_Lite_Low_Power_USB_2.0_Hub_Controller_Family-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecaf0514410&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; PG-VQFN-56
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: PG-VQFN-56
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC download
CY7C65632-48AXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXC Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C65642-48AXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXCT Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C65642-48AXCT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.57 грн
10+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010SPBF.pdf
IR2010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.6W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.23 грн
3+277.07 грн
10+275.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBF Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828
IR2085STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 1W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.01 грн
10+196.71 грн
25+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f
AUIR2085STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166.pdf
BCR166E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 160MHz
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.24 грн
29+14.73 грн
36+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162.pdf
BCR162E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G-DTE.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.21 грн
10+48.21 грн
50+40.77 грн
100+38.67 грн
250+36.75 грн
500+34.91 грн
1000+31.81 грн
2000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB.pdf
BTS50055-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 55A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 4.4mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS500801TEA.pdf
BTS50080-1TEA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 16mΩ
Supply voltage: 5.5...30V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 39V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.42 грн
10+203.41 грн
100+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA.pdf
BTS50080-1TMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+406.56 грн
5+317.25 грн
25+285.44 грн
100+264.51 грн
250+251.96 грн
500+226.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB.pdf
BTS50080-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.64 грн
10+319.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.36 грн
10+115.51 грн
50+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF irf7805zpbf.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.59 грн
12+37.17 грн
100+29.80 грн
250+28.54 грн
500+27.04 грн
1000+24.11 грн
2000+21.76 грн
4000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405.pdf
BFP405H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Current gain: 90...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.02 грн
8+59.60 грн
10+54.49 грн
50+44.20 грн
100+41.27 грн
250+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4B3.pdf
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2909.89 грн
2+2606.62 грн
3+2576.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4.pdf
FP75R12KT4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONO3-3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20363.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327-dte.pdf
BFP450H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 24GHz
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.57 грн
13+32.90 грн
100+24.44 грн
250+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6251-2G TLE6251-2G.pdf
TLE6251-2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 5.5÷18VDC; PG-DSO-14; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Case: PG-DSO-14
Interface: CAN
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 80mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.34 грн
28+15.40 грн
100+9.58 грн
250+7.81 грн
500+6.56 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.7A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.58 грн
15+29.13 грн
100+20.68 грн
250+18.58 грн
500+16.99 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.52 грн
6+297.99 грн
10+272.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.86 грн
10+174.95 грн
30+150.67 грн
60+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.79 грн
5+98.27 грн
10+88.39 грн
50+64.29 грн
100+55.92 грн
125+53.57 грн
250+47.29 грн
500+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf
IRL3103STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF.pdf
IRFH7084TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irfs3206pbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6327HTSA1 bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.15 грн
10+195.87 грн
25+145.65 грн
50+130.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+165.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25L16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.20 грн
10+169.92 грн
25+167.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3G-DTE.pdf
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
CY8CMBR3102-SX1I
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXIT Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]