Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128850) > Сторінка 2091 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA040N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.98 грн
50+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070CFD7 IPW60R070CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R070CFD7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R070P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-G FM25VN10-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DGQTR FM25V20A-DGQTR INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DGQ-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DGTR FM25V20A-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DG-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 425A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 425A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R041C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1004.06 грн
5+759.50 грн
10+677.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5-3R6 IPC90N04S5-3R6 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5L-3R3 IPC90N04S5L-3R3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 62W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1 IPB90N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I90N04S4_02-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c7efe515e2f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S304.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1 IPB90N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I90N04S4_02-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c7efe515e2f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 118nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+87.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.70 грн
9+49.19 грн
10+44.79 грн
50+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.96 грн
13+34.07 грн
100+22.60 грн
250+19.53 грн
500+17.53 грн
1000+15.87 грн
2000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.45 грн
5+138.77 грн
10+124.64 грн
50+96.39 грн
100+86.42 грн
250+74.79 грн
500+65.65 грн
1000+58.17 грн
2500+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.19 грн
5+136.28 грн
10+118.83 грн
50+84.76 грн
100+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.59 грн
10+42.05 грн
12+37.48 грн
50+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.3nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.1nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC230N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba4e6aba024a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC011N06LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f5741e469ea Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 288A; 188W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 288A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC0805NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5077b86d89 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 33W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 136W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 115W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC015NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3bdacb5c1b44 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 33A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 33A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1 BSZ0500NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd7c2c2163ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 123A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 123A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF IRS2453DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2453d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 4
Supply voltage: 10...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.18 грн
5+99.72 грн
10+89.74 грн
25+78.94 грн
50+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 135A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR24N15DTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V,5V; 0.35A; SSOP14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 3.3V; 5V
Output current: 0.35A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...40V
Integrated circuit features: Output Voltage Select Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY2B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5402VH6327XTSA1 BAT5402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.28 грн
6+73.46 грн
10+64.65 грн
50+48.94 грн
100+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS25752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-099R-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389632964e8c Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.36 грн
5+193.62 грн
10+162.04 грн
25+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DATMA1 BTS3142DATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS3142D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-3
On-state resistance: 28mΩ
Number of channels: 1
Output current: 4.6A
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06N-DTE.pdf
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+195.98 грн
50+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070CFD7 IPW60R070CFD7.pdf
IPW60R070CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6-DTE.pdf
IPW60R070P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3G-DTE.pdf
BSZ100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-G Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25VN10-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DGQTR FM25V20A-DGQ-DTE.pdf
FM25V20A-DGQTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DGTR FM25V20A-DG-DTE.pdf
FM25V20A-DGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 425A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 425A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6-DTE.pdf
IPW60R041C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1004.06 грн
5+759.50 грн
10+677.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5-3R6
IPC90N04S5-3R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5L-3R3
IPC90N04S5L-3R3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 62W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I90N04S4_02-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c7efe515e2f&ack=t
IPB90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304.pdf
IPD90N04S304ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I90N04S4_02-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c7efe515e2f&ack=t
IPB90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 118nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+87.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI-DTE.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.70 грн
9+49.19 грн
10+44.79 грн
50+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS-DTE.pdf
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.96 грн
13+34.07 грн
100+22.60 грн
250+19.53 грн
500+17.53 грн
1000+15.87 грн
2000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.45 грн
5+138.77 грн
10+124.64 грн
50+96.39 грн
100+86.42 грн
250+74.79 грн
500+65.65 грн
1000+58.17 грн
2500+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5-DTE.pdf
BSC035N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NS-DTE.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+177.19 грн
5+136.28 грн
10+118.83 грн
50+84.76 грн
100+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.59 грн
10+42.05 грн
12+37.48 грн
50+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817
BSZ065N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
BSZ040N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.6nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.3nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.1nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 Infineon-ISC230N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba4e6aba024a
ISC230N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39
BSC065N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1 Infineon-ISC011N06LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f5741e469ea
ISC011N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 288A; 188W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 288A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0805NLSATMA1 Infineon-ISC0805NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5077b86d89
ISC0805NLSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t
IPG20N06S4L26ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 33W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 136W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1 Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 115W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon-BSC015NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3bdacb5c1b44
BSC015NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 33A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 33A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1 Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4
BSC025N08LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1 Infineon-BSZ0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd7c2c2163ad
BSZ0500NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 123A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 123A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF irs2453d.pdf
IRS2453DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 4
Supply voltage: 10...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.18 грн
5+99.72 грн
10+89.74 грн
25+78.94 грн
50+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 135A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF.pdf
IRFR24N15DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf
BFQ19SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V,5V; 0.35A; SSOP14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 3.3V; 5V
Output current: 0.35A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...40V
Integrated circuit features: Output Voltage Select Pin
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY2B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116.pdf
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5402VH6327XTSA1 Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3G-DTE.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CE-DTE.pdf
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.28 грн
6+73.46 грн
10+64.65 грн
50+48.94 грн
100+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752ltrpbf.pdf
IRS25752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF.pdf
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 Infineon-BAT15-099R-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389632964e8c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP80P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.36 грн
5+193.62 грн
10+162.04 грн
25+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DATMA1 BTS3142D.pdf
BTS3142DATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-3
On-state resistance: 28mΩ
Number of channels: 1
Output current: 4.6A
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.