Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128721) > Сторінка 2137 з 2146
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L11ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC847CE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IPD70R600P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPTG017N12NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPTG007N06NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPTG014N10NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPTG018N10NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPTG020N13NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPTG025N08NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPTG025N10NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BGT60UTR11AIPXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: RF modulesDescription: IC: RF power detector Type of integrated circuit: RF power detector |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPB107N20N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 300W Case: D2PAK-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSC040N10NS5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 100A Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Gate charge: 58nC Application: automotive industry |
на замовлення 4635 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSZ440N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 29W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Application: automotive industry |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Technology: TRENCHSTOP™ |
на замовлення 437 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKA10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7.2A Power dissipation: 30W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 20ns Turn-off time: 250ns Technology: TRENCHSTOP™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ICE3RBR4765JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3PCS01GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3RBR0665JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3BR0680JZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3BR2280JZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3BS03LJGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC Type of integrated circuit: PMIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3RBR1765JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ICE3AR2280JZ | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: PMIC; 100kHz; flyback Type of integrated circuit: PMIC Frequency: 0.1MHz Mounting: THT Topology: flyback |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IPP60R280P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP60R299CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 96W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP60R250CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPP60R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPP60R360CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 674mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPP60R600C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPP60R600E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP60R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BCR555E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BCR555E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ150N10LS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 63W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 5005 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSC155N06NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 1.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSP296NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 On-state resistance: 329mΩ Power dissipation: 1.8W Gate charge: 4.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 1.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| HYWBSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Unclassified Description: HYWBSP295H6327XTSA1 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BCR321UE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Case: SC74 Output current: 0.25A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating voltage: 0...4.5V DC Topology: single transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS500101LUAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS500101TADATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BGA123N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BGA123L4E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BGA125N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
DD435N40K | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double series; 4kV; If: 435A; BG-PB60-1; Ufmax: 0.84V Case: BG-PB60-1 Max. forward voltage: 0.84V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 4kV Electrical mounting: screw Load current: 435A Semiconductor structure: double series Max. forward impulse current: 14.5kA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DZ435N40K | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; single diode; 4kV; If: 435A; BG-PB501-1; Ufmax: 0.84V Case: BG-PB501-1 Max. forward voltage: 0.84V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 4kV Electrical mounting: screw Load current: 435A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 14.5kA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY8CKIT-062S2-AI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Microchip development kitsDescription: Adapter |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| CY62128ELL-45ZXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 45ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY62128ELL-45SXA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY62128ELL-45SXAT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY62128ELL-55SXE | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel; tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY62128ELL-55SXET | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY62128ELL-55ZAXE | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 468 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB80N06S2L11ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S407ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC847CE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD70R600P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG017N12NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG007N06NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG014N10NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG018N10NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG020N13NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG025N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG025N10NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGT60UTR11AIPXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RF modules
Description: IC: RF power detector
Type of integrated circuit: RF power detector
Category: RF modules
Description: IC: RF power detector
Type of integrated circuit: RF power detector
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB107N20N3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 541.90 грн |
| 10+ | 454.55 грн |
| 30+ | 421.84 грн |
| 50+ | 415.13 грн |
| 60+ | 414.29 грн |
| 100+ | 369.84 грн |
| BSC040N10NS5 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 100A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 58nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 100A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 58nC
Application: automotive industry
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 225.79 грн |
| 30+ | 176.96 грн |
| 50+ | 171.08 грн |
| 100+ | 166.05 грн |
| 200+ | 146.76 грн |
| BSZ440N10NS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 52.47 грн |
| 300+ | 44.62 грн |
| 500+ | 43.69 грн |
| 1000+ | 38.83 грн |
| 4000+ | 38.41 грн |
| IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 141.80 грн |
| 10+ | 86.80 грн |
| IKB10N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Technology: TRENCHSTOP™
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 170.70 грн |
| 10+ | 122.44 грн |
| 25+ | 103.99 грн |
| 50+ | 93.09 грн |
| 100+ | 86.38 грн |
| IGP10N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 96.44 грн |
| 10+ | 73.80 грн |
| IKA10N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Technology: TRENCHSTOP™
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3RBR4765JGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3PCS01GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3RBR0665JGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3BR0680JZXKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3BR2280JZXKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3BS03LJGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3RBR1765JGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3AR2280JZ |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Topology: flyback
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Topology: flyback
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 218.56 грн |
| 30+ | 171.08 грн |
| 50+ | 165.21 грн |
| 100+ | 160.18 грн |
| 300+ | 140.89 грн |
| IPP60R280P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 101.15 грн |
| 6+ | 83.03 грн |
| 10+ | 74.64 грн |
| 50+ | 70.45 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 124.12 грн |
| 10+ | 118.25 грн |
| 50+ | 106.51 грн |
| IPP60R250CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R280E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R360CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R600C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R600E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R280P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R070CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R037CM8XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR555E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCR555E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ150N10LS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 134.57 грн |
| 50+ | 86.38 грн |
| 100+ | 81.35 грн |
| 300+ | 77.99 грн |
| 500+ | 69.61 грн |
| 1000+ | 68.77 грн |
| BSC155N06NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 80.38 грн |
| 10+ | 50.74 грн |
| 50+ | 37.49 грн |
| 100+ | 32.79 грн |
| 125+ | 31.37 грн |
| 200+ | 28.60 грн |
| 500+ | 23.90 грн |
| 1000+ | 21.72 грн |
| BSP296NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 329mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 4.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 329mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 4.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HYWBSP295H6327XTSA1 |
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 25.56 грн |
| BCR321UE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SC74
Output current: 0.25A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 0...4.5V DC
Topology: single transistor
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SC74
Output current: 0.25A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 0...4.5V DC
Topology: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS500101LUAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS500101TADATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGA123N6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGA123L4E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGA125N6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DD435N40K |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 4kV; If: 435A; BG-PB60-1; Ufmax: 0.84V
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 0.84V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 435A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 14.5kA
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 4kV; If: 435A; BG-PB60-1; Ufmax: 0.84V
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 0.84V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 435A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 14.5kA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DZ435N40K |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 4kV; If: 435A; BG-PB501-1; Ufmax: 0.84V
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 0.84V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 435A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 14.5kA
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 4kV; If: 435A; BG-PB501-1; Ufmax: 0.84V
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 0.84V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 435A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 14.5kA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY8CKIT-062S2-AI |
![]() |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6964.27 грн |
| 2+ | 6162.40 грн |
| CY62128ELL-45ZXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62128ELL-45SXA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62128ELL-45SXAT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62128ELL-55SXE |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62128ELL-55SXET |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62128ELL-55ZAXE |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику
од. на суму грн.














