Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 323 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD75N04S406ATMA1 IPD75N04S406ATMA1 INFINEON Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t Description: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.61 грн
500+27.89 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2ATMA1 BTS428L2ATMA1 INFINEON 1836334.pdf Description: INFINEON - BTS428L2ATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 22A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 22A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TGATMA1 BTS441TGATMA1 INFINEON 1836337.pdf Description: INFINEON - BTS441TGATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 65A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 65A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.95 грн
250+197.05 грн
500+194.97 грн
1000+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TATMA1 BTS462TATMA1 INFINEON INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS462TATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 14A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 14A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.02 грн
250+108.93 грн
500+104.77 грн
1000+95.06 грн
2500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 INFINEON 3795132.pdf Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21734.45 грн
5+21299.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON 1849724.pdf Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.27 грн
10+174.85 грн
100+140.04 грн
500+109.74 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.90 грн
500+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON 1849724.pdf Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.04 грн
500+109.74 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.95 грн
50+80.95 грн
250+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.95 грн
250+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.35 грн
50+41.12 грн
250+33.19 грн
1000+29.99 грн
3000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.12 грн
250+33.19 грн
1000+29.99 грн
3000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON 2920450.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.14 грн
50+65.08 грн
250+47.03 грн
1000+30.37 грн
3000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON 2920450.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.08 грн
250+47.03 грн
1000+30.37 грн
3000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.85 грн
500+33.60 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.01 грн
14+59.01 грн
100+41.85 грн
500+33.60 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 BTS50451EJAXUMA1 INFINEON INFNS16788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.50 грн
13+63.14 грн
50+59.42 грн
100+49.23 грн
250+43.50 грн
500+42.32 грн
1000+36.91 грн
2500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 BTS50451EJAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS5045-1EJA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa411125b1069 Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.30 грн
250+48.85 грн
500+46.90 грн
1000+39.06 грн
2500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS52004EKAXUMA1 BTS52004EKAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS5200-4EKA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fee7cd1052 Description: INFINEON - BTS52004EKAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 4 Ausgänge, 13.5V, 7.3A/0.2 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.09 грн
500+112.00 грн
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.33 грн
14+60.39 грн
100+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.61 грн
15+57.72 грн
100+40.07 грн
500+34.58 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r900p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.04 грн
500+36.23 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON 2718787.pdf Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.92 грн
500+49.23 грн
1000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.07 грн
500+34.58 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V01AUMA2 PASCO2V01AUMA2 INFINEON INFN-S-A0014391316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PASCO2V01AUMA2 - Gasdetektor, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±3%, XENSIV PAS CO2 Series
tariffCode: 90262020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: YES
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±3%
Abtastmethode: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV PAS CO2 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2327.25 грн
5+2197.73 грн
10+2108.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 TLE49645MXTSA1 INFINEON INFNS27635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.93 грн
26+32.30 грн
100+29.22 грн
500+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 TLE49645MXTSA1 INFINEON Infineon-TLE4964_5M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433cabdd35013cc959c5666509 Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.14 грн
500+24.35 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.09 грн
16+52.13 грн
100+39.91 грн
500+31.42 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.15 грн
500+29.31 грн
1000+26.85 грн
5000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+250.94 грн
50+148.94 грн
100+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.90 грн
500+107.49 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.37 грн
10+136.80 грн
100+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON 1904436.pdf Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.79 грн
10+232.32 грн
25+212.89 грн
50+188.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON 1904436.pdf Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.91 грн
250+191.50 грн
500+172.07 грн
1000+145.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA1 2EDF7175FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0006623190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.76 грн
250+101.30 грн
500+97.14 грн
1000+90.89 грн
2500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 2ED4820EMXUMA2 INFINEON 3668052.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.54 грн
10+344.03 грн
25+335.93 грн
50+303.67 грн
100+210.23 грн
250+206.07 грн
500+201.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EB22HSV48TOBO1 2ED4820EB22HSV48TOBO1 INFINEON 3739850.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EB22HSV48TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, Power-Management, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED4820-EM, Tochterplatine XMC1100 XMC2GO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25949.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.56 грн
50+89.04 грн
100+66.38 грн
500+49.83 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.38 грн
500+49.83 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 1ED44176N01FXUMA1 INFINEON 2718594.pdf Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.38 грн
14+58.93 грн
50+53.67 грн
100+44.80 грн
250+38.72 грн
500+37.19 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 1ED44176N01FXUMA1 INFINEON 2718594.pdf Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.80 грн
250+38.72 грн
500+37.19 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
56DN06B02ELEMXPSA1 56DN06B02ELEMXPSA1 INFINEON Infineon-56DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079eeb79038e Description: INFINEON - 56DN06B02ELEMXPSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 11.14 kA, Einfach, 940 mV, 81 kA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Scheibe
Durchlassstoßstrom: 81kA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.14kA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28810.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5011FUMA1 TLE5011FUMA1 INFINEON INFNS17091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5011FUMA1 - GMR-Sensor, Winkelsensor, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SPI, SOIC-8
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+354.55 грн
25+335.93 грн
50+295.40 грн
100+258.11 грн
250+248.39 грн
500+238.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON 3154705.pdf Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.05 грн
27+31.08 грн
100+25.01 грн
500+21.27 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGCAPBOM005TOBO1 KITLGCAPBOM005TOBO1 INFINEON 3739858.pdf Description: INFINEON - KITLGCAPBOM005TOBO1 - Evaluationsboard, Kondensatorkit, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Kondensator-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CH7XKSA1 IKQ120N120CH7XKSA1 INFINEON 4000733.pdf Description: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 170A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.76 грн
5+833.76 грн
10+748.77 грн
50+637.41 грн
100+534.25 грн
250+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 AIKQ120N75CP2XKSA1 INFINEON Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee Description: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.92 грн
5+530.21 грн
10+468.69 грн
50+426.19 грн
100+385.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N120CH7XKSA1 IKY120N120CH7XKSA1 INFINEON 4000734.pdf Description: INFINEON - IKY120N120CH7XKSA1 - IGBT, 220 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 220A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.47 грн
5+765.76 грн
10+670.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.66 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.92 грн
500+22.25 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.08 грн
500+34.35 грн
1500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.05 грн
500+15.33 грн
1000+13.25 грн
5000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.74 грн
500+20.45 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844SPBF IRS21844SPBF INFINEON 844902.pdf Description: INFINEON - IRS21844SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 270ns, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.85 грн
10+104.42 грн
50+101.18 грн
100+85.69 грн
250+77.71 грн
500+75.63 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WE6327HTSA1 BAS170WE6327HTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS170WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS170
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.76 грн
500+9.47 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE1000XUMA1 TLE5012BE1000XUMA1 INFINEON INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BE1000XUMA1 - Winkelsensor, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.48 грн
250+174.85 грн
500+167.21 грн
1000+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1010FUMA1 TLE5009E1010FUMA1 INFINEON INFNS19696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5009E1010FUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 3V bis 3.6V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.93 грн
250+169.99 грн
500+163.05 грн
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE3005XUMA1 TLE5012BE3005XUMA1 INFINEON INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BE3005XUMA1 - GMR-Winkelsensor, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain, Push-Pull
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.68 грн
250+163.75 грн
500+156.81 грн
1000+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE5000XUMA1 TLE5012BE5000XUMA1 INFINEON INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BE5000XUMA1 - GMR-Winkelsensor, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain, Push-Pull
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.89 грн
250+185.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t
IPD75N04S406ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.61 грн
500+27.89 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2ATMA1 1836334.pdf
BTS428L2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS428L2ATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 22A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 22A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TGATMA1 1836337.pdf
BTS441TGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS441TGATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 65A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 65A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+219.95 грн
250+197.05 грн
500+194.97 грн
1000+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TATMA1 INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS462TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS462TATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 14A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 14A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.02 грн
250+108.93 грн
500+104.77 грн
1000+95.06 грн
2500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 3795132.pdf
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21734.45 грн
5+21299.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 1849724.pdf
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.27 грн
10+174.85 грн
100+140.04 грн
500+109.74 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB028N06NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.90 грн
500+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 1849724.pdf
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.04 грн
500+109.74 грн
1000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.95 грн
50+80.95 грн
250+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.95 грн
250+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.35 грн
50+41.12 грн
250+33.19 грн
1000+29.99 грн
3000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.12 грн
250+33.19 грн
1000+29.99 грн
3000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 2920450.pdf
IAUC100N04S6L025ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.14 грн
50+65.08 грн
250+47.03 грн
1000+30.37 грн
3000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 2920450.pdf
IAUC100N04S6L025ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.08 грн
250+47.03 грн
1000+30.37 грн
3000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.85 грн
500+33.60 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.01 грн
14+59.01 грн
100+41.85 грн
500+33.60 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 INFNS16788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS50451EJAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.50 грн
13+63.14 грн
50+59.42 грн
100+49.23 грн
250+43.50 грн
500+42.32 грн
1000+36.91 грн
2500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 Infineon-BTS5045-1EJA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa411125b1069
BTS50451EJAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.30 грн
250+48.85 грн
500+46.90 грн
1000+39.06 грн
2500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS52004EKAXUMA1 Infineon-BTS5200-4EKA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fee7cd1052
BTS52004EKAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS52004EKAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 4 Ausgänge, 13.5V, 7.3A/0.2 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.09 грн
500+112.00 грн
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.33 грн
14+60.39 грн
100+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.61 грн
15+57.72 грн
100+40.07 грн
500+34.58 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 infineon-ipn80r900p7-ds-en.pdf
IPN80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.04 грн
500+36.23 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 2718787.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.92 грн
500+49.23 грн
1000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.07 грн
500+34.58 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V01AUMA2 INFN-S-A0014391316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PASCO2V01AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V01AUMA2 - Gasdetektor, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±3%, XENSIV PAS CO2 Series
tariffCode: 90262020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: YES
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±3%
Abtastmethode: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV PAS CO2 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2327.25 грн
5+2197.73 грн
10+2108.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 INFNS27635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE49645MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.93 грн
26+32.30 грн
100+29.22 грн
500+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 Infineon-TLE4964_5M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433cabdd35013cc959c5666509
TLE49645MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.14 грн
500+24.35 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.09 грн
16+52.13 грн
100+39.91 грн
500+31.42 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.15 грн
500+29.31 грн
1000+26.85 грн
5000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+250.94 грн
50+148.94 грн
100+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.90 грн
500+107.49 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.37 грн
10+136.80 грн
100+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR 1904436.pdf
AUIR2085STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.79 грн
10+232.32 грн
25+212.89 грн
50+188.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR 1904436.pdf
AUIR2085STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+201.91 грн
250+191.50 грн
500+172.07 грн
1000+145.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA1 INFN-S-A0006623190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7175FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.76 грн
250+101.30 грн
500+97.14 грн
1000+90.89 грн
2500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 3668052.pdf
2ED4820EMXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.54 грн
10+344.03 грн
25+335.93 грн
50+303.67 грн
100+210.23 грн
250+206.07 грн
500+201.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EB22HSV48TOBO1 3739850.pdf
2ED4820EB22HSV48TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EB22HSV48TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, Power-Management, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED4820-EM, Tochterplatine XMC1100 XMC2GO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+25949.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.56 грн
50+89.04 грн
100+66.38 грн
500+49.83 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.38 грн
500+49.83 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 2718594.pdf
1ED44176N01FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.38 грн
14+58.93 грн
50+53.67 грн
100+44.80 грн
250+38.72 грн
500+37.19 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 2718594.pdf
1ED44176N01FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.80 грн
250+38.72 грн
500+37.19 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
56DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-56DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079eeb79038e
56DN06B02ELEMXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 56DN06B02ELEMXPSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 11.14 kA, Einfach, 940 mV, 81 kA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Scheibe
Durchlassstoßstrom: 81kA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.14kA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28810.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5011FUMA1 INFNS17091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5011FUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5011FUMA1 - GMR-Sensor, Winkelsensor, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SPI, SOIC-8
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+354.55 грн
25+335.93 грн
50+295.40 грн
100+258.11 грн
250+248.39 грн
500+238.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 3154705.pdf
ISZ065N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.05 грн
27+31.08 грн
100+25.01 грн
500+21.27 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGCAPBOM005TOBO1 3739858.pdf
KITLGCAPBOM005TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGCAPBOM005TOBO1 - Evaluationsboard, Kondensatorkit, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Kondensator-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1278.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CH7XKSA1 4000733.pdf
IKQ120N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 170A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.76 грн
5+833.76 грн
10+748.77 грн
50+637.41 грн
100+534.25 грн
250+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee
AIKQ120N75CP2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+590.92 грн
5+530.21 грн
10+468.69 грн
50+426.19 грн
100+385.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N120CH7XKSA1 4000734.pdf
IKY120N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N120CH7XKSA1 - IGBT, 220 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 220A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+860.47 грн
5+765.76 грн
10+670.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.66 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.92 грн
500+22.25 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.08 грн
500+34.35 грн
1500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.05 грн
500+15.33 грн
1000+13.25 грн
5000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.74 грн
500+20.45 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844SPBF 844902.pdf
IRS21844SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21844SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 270ns, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.85 грн
10+104.42 грн
50+101.18 грн
100+85.69 грн
250+77.71 грн
500+75.63 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WE6327HTSA1 45894.pdf
BAS170WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS170WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS170
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.76 грн
500+9.47 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE1000XUMA1 INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BE1000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BE1000XUMA1 - Winkelsensor, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.48 грн
250+174.85 грн
500+167.21 грн
1000+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1010FUMA1 INFNS19696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5009E1010FUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009E1010FUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 3V bis 3.6V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+176.93 грн
250+169.99 грн
500+163.05 грн
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE3005XUMA1 INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BE3005XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BE3005XUMA1 - GMR-Winkelsensor, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain, Push-Pull
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+170.68 грн
250+163.75 грн
500+156.81 грн
1000+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE5000XUMA1 INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BE5000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BE5000XUMA1 - GMR-Winkelsensor, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain, Push-Pull
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.89 грн
250+185.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]