Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 323 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TLE8366EV50XUMA1 TLE8366EV50XUMA1 INFINEON 2354774.pdf Description: INFINEON - TLE8366EV50XUMA1 - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 6V bis 40Vin, 5V/1.8Aout, 370kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.8A
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 370kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 6V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.8A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.17 грн
500+122.17 грн
1000+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF INFINEON 1868662.pdf Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.14 грн
500+32.91 грн
1000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZ630N28KOFHPSA1 TZ630N28KOFHPSA1 INFINEON 3975688.pdf Description: INFINEON - TZ630N28KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, 2.8kV, 1.5kA, Phasensteuerung, Modul, Panelmontage
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 630A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.5kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.8kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TZ630N Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.8kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39631.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF IRS2101STRPBF INFINEON 667411.pdf Description: INFINEON - IRS2101STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 270mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.36 грн
250+39.47 грн
500+37.71 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184SPBF IRS2184SPBF INFINEON 844902.pdf Description: INFINEON - IRS2184SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 2.3Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.41 грн
10+209.69 грн
25+190.77 грн
50+164.17 грн
100+139.56 грн
250+132.51 грн
500+118.41 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 IPD75N04S406ATMA1 INFINEON Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t Description: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.75 грн
500+29.24 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2ATMA1 BTS428L2ATMA1 INFINEON 1836334.pdf Description: INFINEON - BTS428L2ATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 22A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 22A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TGATMA1 BTS441TGATMA1 INFINEON 1836337.pdf Description: INFINEON - BTS441TGATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 65A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 65A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+223.43 грн
250+200.17 грн
500+198.06 грн
1000+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TATMA1 BTS462TATMA1 INFINEON INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS462TATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 14A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 14A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.99 грн
250+110.66 грн
500+106.43 грн
1000+96.56 грн
2500+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 INFINEON 3795132.pdf Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22078.66 грн
5+21637.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON 1849724.pdf Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.16 грн
10+177.62 грн
100+142.26 грн
500+111.48 грн
1000+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.92 грн
500+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON 1849724.pdf Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.26 грн
500+111.48 грн
1000+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.77 грн
50+82.23 грн
250+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.23 грн
250+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.10 грн
50+41.77 грн
250+33.71 грн
1000+30.47 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.77 грн
250+33.71 грн
1000+30.47 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON 2920450.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.94 грн
50+66.11 грн
250+47.78 грн
1000+30.85 грн
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON 2920450.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.11 грн
250+47.78 грн
1000+30.85 грн
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.51 грн
500+34.13 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.21 грн
14+59.95 грн
100+42.51 грн
500+34.13 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 BTS50451EJAXUMA1 INFINEON INFNS16788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.71 грн
13+64.14 грн
50+60.36 грн
100+50.01 грн
250+44.19 грн
500+42.99 грн
1000+37.50 грн
2500+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 BTS50451EJAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS5045-1EJA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa411125b1069 Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.19 грн
250+49.62 грн
500+47.65 грн
1000+39.68 грн
2500+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS52004EKAXUMA1 BTS52004EKAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS5200-4EKA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fee7cd1052 Description: INFINEON - BTS52004EKAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 4 Ausgänge, 13.5V, 7.3A/0.2 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 26244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.34 грн
500+96.97 грн
1000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.85 грн
14+61.34 грн
100+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.76 грн
15+58.63 грн
100+40.70 грн
500+35.12 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r900p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.92 грн
500+36.80 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON 2718787.pdf Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.95 грн
500+50.01 грн
1000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.70 грн
500+35.12 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V01AUMA2 PASCO2V01AUMA2 INFINEON INFN-S-A0014391316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PASCO2V01AUMA2 - Gasdetektor, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±3%, XENSIV PAS CO2 Series
tariffCode: 90262020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: YES
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±3%
Abtastmethode: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV PAS CO2 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2364.10 грн
5+2232.54 грн
10+2142.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 TLE49645MXTSA1 INFINEON INFNS27635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.59 грн
26+32.81 грн
100+29.68 грн
500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 TLE49645MXTSA1 INFINEON Infineon-TLE4964_5M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433cabdd35013cc959c5666509 Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.60 грн
500+24.74 грн
1000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.32 грн
18+47.12 грн
100+38.89 грн
500+30.62 грн
1000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.74 грн
500+29.78 грн
1000+27.28 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+254.91 грн
50+151.30 грн
100+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.92 грн
500+109.19 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.73 грн
10+139.79 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON 1904436.pdf Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.65 грн
10+236.00 грн
25+216.26 грн
50+191.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON 1904436.pdf Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.10 грн
250+194.53 грн
500+174.80 грн
1000+147.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA1 2EDF7175FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0006623190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.59 грн
250+102.90 грн
500+98.68 грн
1000+92.33 грн
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 2ED4820EMXUMA2 INFINEON 3668052.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.58 грн
10+349.48 грн
25+341.25 грн
50+308.48 грн
100+213.56 грн
250+209.33 грн
500+205.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EB22HSV48TOBO1 2ED4820EB22HSV48TOBO1 INFINEON 3739850.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EB22HSV48TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, Power-Management, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED4820-EM, Tochterplatine XMC1100 XMC2GO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26360.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
50+90.45 грн
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 1ED44176N01FXUMA1 INFINEON 2718594.pdf Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.70 грн
14+59.86 грн
50+54.52 грн
100+45.51 грн
250+39.33 грн
500+37.78 грн
1000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 1ED44176N01FXUMA1 INFINEON 2718594.pdf Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.51 грн
250+39.33 грн
500+37.78 грн
1000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
56DN06B02ELEMXPSA1 56DN06B02ELEMXPSA1 INFINEON Infineon-56DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079eeb79038e Description: INFINEON - 56DN06B02ELEMXPSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 11.14 kA, Einfach, 940 mV, 81 kA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Scheibe
Durchlassstoßstrom: 81kA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.14kA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29267.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5011FUMA1 TLE5011FUMA1 INFINEON INFNS17091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5011FUMA1 - GMR-Sensor, Winkelsensor, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SPI, SOIC-8
tariffCode: 90318080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+340.43 грн
25+323.98 грн
50+285.57 грн
100+250.21 грн
250+239.64 грн
500+229.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON 3154705.pdf Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.65 грн
27+31.58 грн
100+25.41 грн
500+21.61 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGCAPBOM005TOBO1 KITLGCAPBOM005TOBO1 INFINEON 3739858.pdf Description: INFINEON - KITLGCAPBOM005TOBO1 - Evaluationsboard, Kondensatorkit, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Kondensator-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1298.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CH7XKSA1 IKQ120N120CH7XKSA1 INFINEON 4000733.pdf Description: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 170A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.31 грн
5+846.97 грн
10+760.62 грн
50+647.50 грн
100+542.72 грн
250+532.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 AIKQ120N75CP2XKSA1 INFINEON Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee Description: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.28 грн
5+538.60 грн
10+476.11 грн
50+432.94 грн
100+391.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N120CH7XKSA1 IKY120N120CH7XKSA1 INFINEON 4000734.pdf Description: INFINEON - IKY120N120CH7XKSA1 - IGBT, 220 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 220A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.10 грн
5+777.89 грн
10+680.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.41 грн
500+22.60 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.84 грн
500+34.89 грн
1500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.34 грн
500+15.58 грн
1000+13.46 грн
5000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.19 грн
500+20.77 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844SPBF IRS21844SPBF INFINEON 844902.pdf Description: INFINEON - IRS21844SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 270ns, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.70 грн
10+97.85 грн
50+95.39 грн
100+86.28 грн
250+78.24 грн
500+76.12 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8366EV50XUMA1 2354774.pdf
TLE8366EV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8366EV50XUMA1 - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 6V bis 40Vin, 5V/1.8Aout, 370kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.8A
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 370kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 6V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.8A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+161.17 грн
500+122.17 грн
1000+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF 1868662.pdf
IRFR7546TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.14 грн
500+32.91 грн
1000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZ630N28KOFHPSA1 3975688.pdf
TZ630N28KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TZ630N28KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, 2.8kV, 1.5kA, Phasensteuerung, Modul, Panelmontage
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 630A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.5kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.8kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TZ630N Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.8kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+39631.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF 667411.pdf
IRS2101STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2101STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 270mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.36 грн
250+39.47 грн
500+37.71 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184SPBF 844902.pdf
IRS2184SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2184SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 2.3Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+317.41 грн
10+209.69 грн
25+190.77 грн
50+164.17 грн
100+139.56 грн
250+132.51 грн
500+118.41 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t
IPD75N04S406ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.75 грн
500+29.24 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2ATMA1 1836334.pdf
BTS428L2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS428L2ATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 22A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 22A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+160.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TGATMA1 1836337.pdf
BTS441TGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS441TGATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 65A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 65A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+223.43 грн
250+200.17 грн
500+198.06 грн
1000+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462TATMA1 INFN-S-A0002953135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS462TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS462TATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 16V, 14A, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 14A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+125.99 грн
250+110.66 грн
500+106.43 грн
1000+96.56 грн
2500+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 3795132.pdf
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+22078.66 грн
5+21637.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 1849724.pdf
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+249.16 грн
10+177.62 грн
100+142.26 грн
500+111.48 грн
1000+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB028N06NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+129.92 грн
500+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 1849724.pdf
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+142.26 грн
500+111.48 грн
1000+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+116.77 грн
50+82.23 грн
250+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.23 грн
250+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+48.10 грн
50+41.77 грн
250+33.71 грн
1000+30.47 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+41.77 грн
250+33.71 грн
1000+30.47 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 2920450.pdf
IAUC100N04S6L025ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+115.94 грн
50+66.11 грн
250+47.78 грн
1000+30.85 грн
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 2920450.pdf
IAUC100N04S6L025ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+66.11 грн
250+47.78 грн
1000+30.85 грн
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+42.51 грн
500+34.13 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+77.21 грн
14+59.95 грн
100+42.51 грн
500+34.13 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 INFNS16788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS50451EJAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+77.71 грн
13+64.14 грн
50+60.36 грн
100+50.01 грн
250+44.19 грн
500+42.99 грн
1000+37.50 грн
2500+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 Infineon-BTS5045-1EJA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa411125b1069
BTS50451EJAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50451EJAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 25A/0.045 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 25A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.19 грн
250+49.62 грн
500+47.65 грн
1000+39.68 грн
2500+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS52004EKAXUMA1 Infineon-BTS5200-4EKA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fee7cd1052
BTS52004EKAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS52004EKAXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 4 Ausgänge, 13.5V, 7.3A/0.2 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 26244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+123.34 грн
500+96.97 грн
1000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.85 грн
14+61.34 грн
100+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+73.76 грн
15+58.63 грн
100+40.70 грн
500+35.12 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 infineon-ipn80r900p7-ds-en.pdf
IPN80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+55.92 грн
500+36.80 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 infineon-ipn80r2k0p7-ds-en.pdf
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 2718787.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.95 грн
500+50.01 грн
1000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.70 грн
500+35.12 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V01AUMA2 INFN-S-A0014391316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PASCO2V01AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V01AUMA2 - Gasdetektor, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±3%, XENSIV PAS CO2 Series
tariffCode: 90262020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: YES
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±3%
Abtastmethode: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV PAS CO2 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2364.10 грн
5+2232.54 грн
10+2142.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 INFNS27635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE49645MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+42.59 грн
26+32.81 грн
100+29.68 грн
500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49645MXTSA1 Infineon-TLE4964_5M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433cabdd35013cc959c5666509
TLE49645MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49645MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+29.60 грн
500+24.74 грн
1000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+100.32 грн
18+47.12 грн
100+38.89 грн
500+30.62 грн
1000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+37.74 грн
500+29.78 грн
1000+27.28 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+254.91 грн
50+151.30 грн
100+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+129.92 грн
500+109.19 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+255.73 грн
10+139.79 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR 1904436.pdf
AUIR2085STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+311.65 грн
10+236.00 грн
25+216.26 грн
50+191.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR 1904436.pdf
AUIR2085STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR2085STR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 15V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+205.10 грн
250+194.53 грн
500+174.80 грн
1000+147.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA1 INFN-S-A0006623190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7175FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+117.59 грн
250+102.90 грн
500+98.68 грн
1000+92.33 грн
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 3668052.pdf
2ED4820EMXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+515.58 грн
10+349.48 грн
25+341.25 грн
50+308.48 грн
100+213.56 грн
250+209.33 грн
500+205.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EB22HSV48TOBO1 3739850.pdf
2ED4820EB22HSV48TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EB22HSV48TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, Power-Management, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED4820-EM, Tochterplatine XMC1100 XMC2GO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+26360.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
50+90.45 грн
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 2718594.pdf
1ED44176N01FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.70 грн
14+59.86 грн
50+54.52 грн
100+45.51 грн
250+39.33 грн
500+37.78 грн
1000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44176N01FXUMA1 2718594.pdf
1ED44176N01FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44176N01FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 12.7V-20V Versorgungsspannung, 1.75Aout, 50ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.51 грн
250+39.33 грн
500+37.78 грн
1000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
56DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-56DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079eeb79038e
56DN06B02ELEMXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 56DN06B02ELEMXPSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 11.14 kA, Einfach, 940 mV, 81 kA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Scheibe
Durchlassstoßstrom: 81kA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.14kA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+29267.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5011FUMA1 INFNS17091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5011FUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5011FUMA1 - GMR-Sensor, Winkelsensor, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SPI, SOIC-8
tariffCode: 90318080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+340.43 грн
25+323.98 грн
50+285.57 грн
100+250.21 грн
250+239.64 грн
500+229.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 3154705.pdf
ISZ065N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+38.65 грн
27+31.58 грн
100+25.41 грн
500+21.61 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGCAPBOM005TOBO1 3739858.pdf
KITLGCAPBOM005TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGCAPBOM005TOBO1 - Evaluationsboard, Kondensatorkit, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Kondensator-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1298.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CH7XKSA1 4000733.pdf
IKQ120N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 170A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+933.31 грн
5+846.97 грн
10+760.62 грн
50+647.50 грн
100+542.72 грн
250+532.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee
AIKQ120N75CP2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+600.28 грн
5+538.60 грн
10+476.11 грн
50+432.94 грн
100+391.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N120CH7XKSA1 4000734.pdf
IKY120N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N120CH7XKSA1 - IGBT, 220 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 220A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+874.10 грн
5+777.89 грн
10+680.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+31.41 грн
500+22.60 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.84 грн
500+34.89 грн
1500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+18.34 грн
500+15.58 грн
1000+13.46 грн
5000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+29.19 грн
500+20.77 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844SPBF 844902.pdf
IRS21844SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21844SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 270ns, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.70 грн
10+97.85 грн
50+95.39 грн
100+86.28 грн
250+78.24 грн
500+76.12 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]