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GUO40-16NO1 GUO40-16NO1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009463716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - GUO40-16NO1 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.6 kV, Durchsteckmontage, 5 Pin(s), 1.28 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 370A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.28V
Bauform - Brückengleichrichter: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: GU040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1633.29 грн
5+1527.66 грн
10+1421.18 грн
50+1221.59 грн
100+1036.35 грн
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IX4427NTR IX4427NTR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.40 грн
13+71.53 грн
50+63.89 грн
100+52.15 грн
250+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
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IX4427NTR IX4427NTR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.15 грн
250+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.22 грн
10+317.73 грн
100+291.11 грн
500+261.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
Dauer-Kollektorstrom: 88A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3486.41 грн
5+3050.18 грн
10+2613.95 грн
50+2414.48 грн
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IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.02 грн
5+2325.42 грн
10+2230.96 грн
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IXBOD1-06 IXBOD1-06 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003173395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.68 грн
5+1066.53 грн
10+988.39 грн
50+838.85 грн
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IXCP10M45S IXCP10M45S IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M45S - Stromregeldiode, 450 V, 10 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 10mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 450V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.91 грн
10+222.41 грн
100+182.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXCP10M90S IXCP10M90S IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.59 грн
10+244.74 грн
100+199.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXCY10M90S IXCY10M90S IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCY10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-252, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-252
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDD604PI IXDD604PI IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.73 грн
10+148.56 грн
50+114.21 грн
100+94.89 грн
250+77.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDD604SI IXDD604SI IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.58 грн
10+179.47 грн
25+164.87 грн
50+145.92 грн
100+127.34 грн
250+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD604SIATR IXDD604SIATR IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.71 грн
250+71.03 грн
500+64.92 грн
1000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDD604SIATR IXDD604SIATR IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.97 грн
10+118.50 грн
50+106.48 грн
100+87.71 грн
250+71.03 грн
500+64.92 грн
1000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD609PI IXDD609PI IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
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IXDD609SI IXDD609SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.85 грн
10+173.46 грн
25+158.86 грн
50+140.34 грн
100+122.92 грн
250+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD609SIA IXDD609SIA IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.82 грн
10+91.02 грн
50+85.87 грн
100+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
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IXDD614CI IXDD614CI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614CI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-220-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.88 грн
10+370.97 грн
25+331.47 грн
50+270.31 грн
100+228.17 грн
250+205.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDD614PI IXDD614PI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.68 грн
10+193.21 грн
25+173.46 грн
50+141.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD614SI IXDD614SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.16 грн
10+243.88 грн
25+224.13 грн
50+198.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDD614YI IXDD614YI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.72 грн
10+298.83 грн
25+279.94 грн
50+242.40 грн
100+214.19 грн
250+211.25 грн
500+208.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDH30N120D1 IXDH30N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR 2944606.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDH30N120D1 - IGBT-Einzeltransistor, 60A, 2.4V, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.09 грн
5+868.17 грн
10+831.24 грн
50+712.06 грн
100+602.09 грн
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IXDN55N120D1 IXDN55N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN55N120D1 - IGBT-Modul, Einfach, 100 A, 2.3 V, 450 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3V
Verlustleistung Pd: 450W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1700.27 грн
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IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.46 грн
250+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.46 грн
10+109.06 грн
50+91.88 грн
100+67.46 грн
250+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
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IXDN604PI IXDN604PI IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.41 грн
10+105.62 грн
50+91.02 грн
100+79.74 грн
250+69.48 грн
500+66.91 грн
1000+66.46 грн
2500+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDN604SI IXDN604SI IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.45 грн
10+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN604SIA IXDN604SIA IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.94 грн
10+90.17 грн
50+82.01 грн
100+75.19 грн
250+68.53 грн
500+67.72 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
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IXDN609SI IXDN609SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157787.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, AEC-Q100, 9Aout, 4.5V-35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.69 грн
10+165.73 грн
25+151.13 грн
50+133.96 грн
100+117.03 грн
250+113.35 грн
500+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN609SIA IXDN609SIA IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.11 грн
10+102.19 грн
50+93.60 грн
100+77.27 грн
250+68.01 грн
500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDN614SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.92 грн
10+202.66 грн
25+200.08 грн
50+183.40 грн
100+167.82 грн
250+165.61 грн
500+163.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN630YI IXDN630YI IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003019739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN630YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 30Aout, 12.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 30A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 30A
Versorgungsspannung, min.: 12.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 46ns
Ausgabeverzögerung: 46ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.88 грн
10+553.88 грн
25+522.10 грн
50+455.31 грн
100+403.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDN75N120 IXDN75N120 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3117.16 грн
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IXFA7N100P IXFA7N100P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.15 грн
5+468.86 грн
10+391.58 грн
50+291.84 грн
100+261.30 грн
250+252.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFB132N50P3 IXFB132N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2537.52 грн
10+2340.87 грн
25+2170.85 грн
100+1856.31 грн
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IXFB30N120P IXFB30N120P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR 2944611.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2300.51 грн
5+2165.69 грн
10+2030.88 грн
50+1759.83 грн
100+1508.90 грн
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IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.02 грн
5+511.80 грн
10+391.58 грн
50+349.25 грн
100+308.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.13 грн
10+252.46 грн
100+247.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.75 грн
5+859.58 грн
10+768.56 грн
50+692.93 грн
100+619.75 грн
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IXFH12N100 IXFH12N100 IXYS SEMICONDUCTOR 123288.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH12N100F IXFH12N100F IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n100-datasheet?assetguid=cefb7be4-73a0-469a-adea-87ac18070cb1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+832.10 грн
5+662.93 грн
10+493.76 грн
50+424.21 грн
100+359.19 грн
250+351.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH12N120P IXFH12N120P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1276.06 грн
5+1202.21 грн
10+1128.36 грн
50+978.39 грн
100+839.83 грн
250+776.53 грн
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IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH14N100Q2 IXFH14N100Q2 IXYS SEMICONDUCTOR 2044164.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1301.82 грн
5+1178.17 грн
10+1053.65 грн
50+949.68 грн
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IXFH15N80 IXFH15N80 IXYS SEMICONDUCTOR 40382.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH16N80P-Datasheet.PDF?assetguid=56D03F87-B6BD-4132-A722-EC1F53FA6923 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+729.91 грн
5+581.35 грн
10+431.94 грн
50+370.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.38 грн
5+806.34 грн
10+629.44 грн
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IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.72 грн
5+1481.29 грн
10+1325.01 грн
50+1194.48 грн
100+1069.48 грн
250+1048.13 грн
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IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH20N80Q IXFH20N80Q IXYS SEMICONDUCTOR 42406.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH24N50 IXFH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR 42410.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.90 грн
5+632.02 грн
10+619.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.50 грн
5+497.20 грн
10+486.89 грн
50+443.35 грн
100+400.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.77 грн
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GUO40-16NO1 IXYS-S-A0009463716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GUO40-16NO1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - GUO40-16NO1 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.6 kV, Durchsteckmontage, 5 Pin(s), 1.28 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 370A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.28V
Bauform - Brückengleichrichter: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: GU040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1633.29 грн
5+1527.66 грн
10+1421.18 грн
50+1221.59 грн
100+1036.35 грн
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IX4427NTR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IX4427NTR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.40 грн
13+71.53 грн
50+63.89 грн
100+52.15 грн
250+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
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IX4427NTR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IX4427NTR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.15 грн
250+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXA12IF1200PB littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf
IXA12IF1200PB
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+588.22 грн
10+317.73 грн
100+291.11 грн
500+261.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXA60IF1200NA littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
Dauer-Kollektorstrom: 88A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3486.41 грн
5+3050.18 грн
10+2613.95 грн
50+2414.48 грн
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IXBH42N170 LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXBH42N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2419.02 грн
5+2325.42 грн
10+2230.96 грн
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IXBOD1-06 IXYS-S-A0003173395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXBOD1-06
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.68 грн
5+1066.53 грн
10+988.39 грн
50+838.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M45S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C
IXCP10M45S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M45S - Stromregeldiode, 450 V, 10 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 10mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 450V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.91 грн
10+222.41 грн
100+182.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXCP10M90S IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXCP10M90S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+476.59 грн
10+244.74 грн
100+199.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXCY10M90S IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXCY10M90S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCY10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-252, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-252
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+389.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604PI littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200
IXDD604PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.73 грн
10+148.56 грн
50+114.21 грн
100+94.89 грн
250+77.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDD604SI 2607252.pdf
IXDD604SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.58 грн
10+179.47 грн
25+164.87 грн
50+145.92 грн
100+127.34 грн
250+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD604SIATR 2607252.pdf
IXDD604SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.71 грн
250+71.03 грн
500+64.92 грн
1000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDD604SIATR 2607252.pdf
IXDD604SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.97 грн
10+118.50 грн
50+106.48 грн
100+87.71 грн
250+71.03 грн
500+64.92 грн
1000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD609PI 3157784.pdf
IXDD609PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
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IXDD609SI 3157784.pdf
IXDD609SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.85 грн
10+173.46 грн
25+158.86 грн
50+140.34 грн
100+122.92 грн
250+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD609SIA 3157784.pdf
IXDD609SIA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.82 грн
10+91.02 грн
50+85.87 грн
100+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
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IXDD614CI 3157785.pdf
IXDD614CI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614CI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-220-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+480.88 грн
10+370.97 грн
25+331.47 грн
50+270.31 грн
100+228.17 грн
250+205.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDD614PI 3157785.pdf
IXDD614PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.68 грн
10+193.21 грн
25+173.46 грн
50+141.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD614SI 3157785.pdf
IXDD614SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+321.16 грн
10+243.88 грн
25+224.13 грн
50+198.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDD614YI 3157785.pdf
IXDD614YI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+390.72 грн
10+298.83 грн
25+279.94 грн
50+242.40 грн
100+214.19 грн
250+211.25 грн
500+208.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDH30N120D1 2944606.pdf
IXDH30N120D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDH30N120D1 - IGBT-Einzeltransistor, 60A, 2.4V, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.09 грн
5+868.17 грн
10+831.24 грн
50+712.06 грн
100+602.09 грн
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IXDN55N120D1 IXYS-S-A0008595174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN55N120D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN55N120D1 - IGBT-Modul, Einfach, 100 A, 2.3 V, 450 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3V
Verlustleistung Pd: 450W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1700.27 грн
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IXDN602SIATR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.46 грн
250+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDN602SIATR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.46 грн
10+109.06 грн
50+91.88 грн
100+67.46 грн
250+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
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IXDN604PI 2607252.pdf
IXDN604PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.41 грн
10+105.62 грн
50+91.02 грн
100+79.74 грн
250+69.48 грн
500+66.91 грн
1000+66.46 грн
2500+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SI 2607252.pdf
IXDN604SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.45 грн
10+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN604SIA 2607252.pdf
IXDN604SIA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.94 грн
10+90.17 грн
50+82.01 грн
100+75.19 грн
250+68.53 грн
500+67.72 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
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IXDN609SI 3157787.pdf
IXDN609SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, AEC-Q100, 9Aout, 4.5V-35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.69 грн
10+165.73 грн
25+151.13 грн
50+133.96 грн
100+117.03 грн
250+113.35 грн
500+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN609SIA 3157784.pdf
IXDN609SIA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.11 грн
10+102.19 грн
50+93.60 грн
100+77.27 грн
250+68.01 грн
500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
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IXDN614SI 3157785.pdf
IXDN614SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.92 грн
10+202.66 грн
25+200.08 грн
50+183.40 грн
100+167.82 грн
250+165.61 грн
500+163.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN630YI IXYS-S-A0003019739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN630YI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN630YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 30Aout, 12.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 30A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 30A
Versorgungsspannung, min.: 12.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 46ns
Ausgabeverzögerung: 46ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+711.88 грн
10+553.88 грн
25+522.10 грн
50+455.31 грн
100+403.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDN75N120 IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN75N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3117.16 грн
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IXFA7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
IXFA7N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.15 грн
5+468.86 грн
10+391.58 грн
50+291.84 грн
100+261.30 грн
250+252.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFB132N50P3 LFSI-S-A0007909191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB132N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFB210N30P3 LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2537.52 грн
10+2340.87 грн
25+2170.85 грн
100+1856.31 грн
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IXFB30N120P IXYS-S-A0008597170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB30N120P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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IXFB44N100P 2944611.pdf
IXFB44N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2300.51 грн
5+2165.69 грн
10+2030.88 грн
50+1759.83 грн
100+1508.90 грн
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IXFB52N90P IXYS-S-A0008597145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB52N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH10N100P IXYS-S-A0008597104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH10N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+632.02 грн
5+511.80 грн
10+391.58 грн
50+349.25 грн
100+308.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH10N80P IXYS-S-A0008598391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH10N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.13 грн
10+252.46 грн
100+247.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXFH110N10P IXYS-S-A0008597297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH110N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH120N15P IXYS-S-A0008598172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH120N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH120N20P IXYS-S-A0008598257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH120N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.75 грн
5+859.58 грн
10+768.56 грн
50+692.93 грн
100+619.75 грн
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IXFH12N100 123288.pdf
IXFH12N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH12N100F littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n100-datasheet?assetguid=cefb7be4-73a0-469a-adea-87ac18070cb1
IXFH12N100F
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH12N100P IXYS-S-A0008597262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH12N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+832.10 грн
5+662.93 грн
10+493.76 грн
50+424.21 грн
100+359.19 грн
250+351.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH12N120P IXYS-S-A0008597312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH12N120P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1276.06 грн
5+1202.21 грн
10+1128.36 грн
50+978.39 грн
100+839.83 грн
250+776.53 грн
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IXFH12N90P IXYS-S-A0008597161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH12N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH14N100Q2 2044164.pdf
IXFH14N100Q2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH15N100Q3 LFSI-S-A0009972230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.82 грн
5+1178.17 грн
10+1053.65 грн
50+949.68 грн
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IXFH15N80 40382.pdf
IXFH15N80
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH16N80P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH16N80P-Datasheet.PDF?assetguid=56D03F87-B6BD-4132-A722-EC1F53FA6923
IXFH16N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+729.91 грн
5+581.35 грн
10+431.94 грн
50+370.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH170N10P IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH170N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+982.38 грн
5+806.34 грн
10+629.44 грн
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IXFH18N100Q3 LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH18N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1636.72 грн
5+1481.29 грн
10+1325.01 грн
50+1194.48 грн
100+1069.48 грн
250+1048.13 грн
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IXFH20N50P3 LFSI-S-A0007924178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+486.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH20N80Q 42406.pdf
IXFH20N80Q
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH24N50 description 42410.pdf
IXFH24N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+644.90 грн
5+632.02 грн
10+619.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N80P IXYS-S-A0008597293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH24N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.50 грн
5+497.20 грн
10+486.89 грн
50+443.35 грн
100+400.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N90P IXYS-S-A0008598093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH24N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.77 грн
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