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IX4427NTR IX4427NTR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.61 грн
11+75.10 грн
50+67.01 грн
100+54.64 грн
250+43.65 грн
500+39.40 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
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IX4427NTR IX4427NTR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.64 грн
250+43.65 грн
500+39.40 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.32 грн
10+305.36 грн
100+279.77 грн
500+251.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
Dauer-Kollektorstrom: 88A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3350.65 грн
5+2931.41 грн
10+2512.16 грн
50+2320.46 грн
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IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2324.83 грн
5+2234.87 грн
10+2144.09 грн
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IXBOD1-06 IXBOD1-06 IXYS SEMICONDUCTOR L024.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+807.95 грн
5+753.48 грн
10+698.19 грн
50+602.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXCP10M45S IXCP10M45S IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS07229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M45S - Stromregeldiode, 450 V, 10 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 10mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 450V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.96 грн
10+220.35 грн
100+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXCP10M90S IXCP10M90S IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.03 грн
10+235.21 грн
100+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXCY10M90S IXCY10M90S IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCY10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-252, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-252
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDD604PI IXDD604PI IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.58 грн
10+146.08 грн
50+137.82 грн
100+108.82 грн
250+94.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDD604SI IXDD604SI IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.04 грн
10+240.98 грн
25+227.78 грн
50+197.71 грн
100+169.07 грн
250+160.58 грн
500+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD604SIATR IXDD604SIATR IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.71 грн
10+97.38 грн
50+90.78 грн
100+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
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IXDD604SIATR IXDD604SIATR IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.40 грн
250+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDD609PI IXDD609PI IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
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IXDD609SI IXDD609SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.68 грн
10+212.92 грн
25+183.21 грн
50+154.03 грн
100+127.33 грн
250+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD609SIA IXDD609SIA IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.50 грн
10+119.67 грн
50+108.11 грн
100+88.89 грн
250+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDD614CI IXDD614CI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614CI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-220-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.16 грн
10+356.52 грн
25+318.56 грн
50+259.79 грн
100+219.29 грн
250+197.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDD614PI IXDD614PI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.32 грн
10+185.69 грн
25+166.71 грн
50+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD614SI IXDD614SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.78 грн
10+296.28 грн
25+255.84 грн
50+216.87 грн
100+180.38 грн
250+171.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDD614YI IXDD614YI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.16 грн
10+356.52 грн
25+318.56 грн
50+259.79 грн
100+219.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDH30N120D1 IXDH30N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR 2944606.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDH30N120D1 - IGBT-Einzeltransistor, 60A, 2.4V, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.85 грн
5+834.36 грн
10+798.88 грн
50+684.34 грн
100+578.64 грн
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IXDN55N120D1 IXDN55N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN55N120D1 - IGBT-Modul, Einfach, 100 A, 2.3 V, 450 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3V
Verlustleistung Pd: 450W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1634.06 грн
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IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.83 грн
12+73.04 грн
50+66.52 грн
100+55.71 грн
250+48.10 грн
500+46.90 грн
1000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
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IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.71 грн
250+48.10 грн
500+46.90 грн
1000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDN604PI IXDN604PI IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.41 грн
10+118.84 грн
50+89.96 грн
100+75.10 грн
250+67.27 грн
500+65.15 грн
1000+63.10 грн
2500+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDN604SI IXDN604SI IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.79 грн
10+228.60 грн
25+196.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN604SIA IXDN604SIA IXYS SEMICONDUCTOR 2607252.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.28 грн
10+98.21 грн
50+88.31 грн
100+73.19 грн
250+66.07 грн
500+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDN609SI IXDN609SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157787.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, AEC-Q100, 9Aout, 4.5V-35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.63 грн
10+217.05 грн
25+186.51 грн
50+157.10 грн
100+130.16 грн
250+112.47 грн
500+106.11 грн
1000+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN609SIA IXDN609SIA IXYS SEMICONDUCTOR 3157784.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.60 грн
10+122.97 грн
50+110.59 грн
100+91.19 грн
250+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDN614SI IXYS SEMICONDUCTOR 3157785.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.57 грн
10+231.08 грн
25+199.72 грн
50+182.39 грн
100+165.53 грн
250+162.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDN630YI IXDN630YI IXYS SEMICONDUCTOR IXD_630_4-5-17.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN630YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 30Aout, 12.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 30A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 30A
Versorgungsspannung, min.: 12.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 46ns
Ausgabeverzögerung: 46ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+739.45 грн
10+667.65 грн
25+651.97 грн
50+590.84 грн
100+473.95 грн
250+452.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDN75N120 IXDN75N120 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2995.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P IXFA7N100P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.88 грн
5+450.61 грн
10+376.33 грн
50+280.48 грн
100+251.12 грн
250+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFB132N50P3 IXFB132N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2438.71 грн
10+2249.72 грн
25+2086.32 грн
100+1784.03 грн
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IXFB30N120P IXFB30N120P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR 2944611.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2365.26 грн
5+2204.33 грн
10+2042.58 грн
50+1747.24 грн
100+1474.19 грн
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IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.00 грн
5+522.40 грн
10+463.81 грн
50+408.46 грн
100+355.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.35 грн
10+268.22 грн
100+228.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.76 грн
5+826.11 грн
10+738.63 грн
50+665.95 грн
100+595.62 грн
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IXFH12N100 IXFH12N100 IXYS SEMICONDUCTOR 123288.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH12N100F IXFH12N100F IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n100-datasheet?assetguid=cefb7be4-73a0-469a-adea-87ac18070cb1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+799.70 грн
5+637.12 грн
10+474.54 грн
50+407.69 грн
100+345.20 грн
250+338.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH12N120P IXFH12N120P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.37 грн
5+1155.40 грн
10+1084.42 грн
50+940.29 грн
100+807.13 грн
250+746.29 грн
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IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH14N100Q2 IXFH14N100Q2 IXYS SEMICONDUCTOR 2044164.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.13 грн
5+1132.29 грн
10+1012.62 грн
50+912.71 грн
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IXFH15N80 IXFH15N80 IXYS SEMICONDUCTOR 40382.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.26 грн
5+547.99 грн
10+420.89 грн
50+376.27 грн
100+333.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.12 грн
5+774.94 грн
10+604.93 грн
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IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.99 грн
5+1423.62 грн
10+1273.41 грн
50+1147.97 грн
100+1027.83 грн
250+1007.32 грн
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IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH20N80Q IXFH20N80Q IXYS SEMICONDUCTOR 42406.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH24N50 IXFH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR 42410.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.79 грн
5+607.41 грн
10+595.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.74 грн
5+477.84 грн
10+467.94 грн
50+426.08 грн
100+384.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.39 грн
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IXFH26N50 IXFH26N50 IXYS SEMICONDUCTOR 42410.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IX4427NTR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IX4427NTR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.61 грн
11+75.10 грн
50+67.01 грн
100+54.64 грн
250+43.65 грн
500+39.40 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
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IX4427NTR IXYS-S-A0003845070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IX4427NTR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IX4427NTR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 1.5Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.64 грн
250+43.65 грн
500+39.40 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXA12IF1200PB littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf
IXA12IF1200PB
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+565.32 грн
10+305.36 грн
100+279.77 грн
500+251.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXA60IF1200NA littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
Dauer-Kollektorstrom: 88A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3350.65 грн
5+2931.41 грн
10+2512.16 грн
50+2320.46 грн
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IXBH42N170 LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXBH42N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2324.83 грн
5+2234.87 грн
10+2144.09 грн
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IXBOD1-06 L024.pdf
IXBOD1-06
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+807.95 грн
5+753.48 грн
10+698.19 грн
50+602.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXCP10M45S IXYSS07229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXCP10M45S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M45S - Stromregeldiode, 450 V, 10 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 10mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 450V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.96 грн
10+220.35 грн
100+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXCP10M90S IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXCP10M90S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCP10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-220AB, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-220AB
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+458.03 грн
10+235.21 грн
100+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXCY10M90S IXYSS05572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXCY10M90S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXCY10M90S - Stromregeldiode, 900 V, 9 mA, TO-252, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85411000
Reglerstrom: 9mA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-252
hazardous: false
Spitzenbetriebsspannung: 900V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDD604PI littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200
IXDD604PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.58 грн
10+146.08 грн
50+137.82 грн
100+108.82 грн
250+94.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604SI 2607252.pdf
IXDD604SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.04 грн
10+240.98 грн
25+227.78 грн
50+197.71 грн
100+169.07 грн
250+160.58 грн
500+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD604SIATR littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200
IXDD604SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.71 грн
10+97.38 грн
50+90.78 грн
100+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
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IXDD604SIATR 2607252.pdf
IXDD604SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD604SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.40 грн
250+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDD609PI 3157784.pdf
IXDD609PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
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IXDD609SI 3157784.pdf
IXDD609SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.68 грн
10+212.92 грн
25+183.21 грн
50+154.03 грн
100+127.33 грн
250+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD609SIA 3157784.pdf
IXDD609SIA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.50 грн
10+119.67 грн
50+108.11 грн
100+88.89 грн
250+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDD614CI 3157785.pdf
IXDD614CI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614CI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-220-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.16 грн
10+356.52 грн
25+318.56 грн
50+259.79 грн
100+219.29 грн
250+197.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDD614PI 3157785.pdf
IXDD614PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+206.32 грн
10+185.69 грн
25+166.71 грн
50+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDD614SI 3157785.pdf
IXDD614SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.78 грн
10+296.28 грн
25+255.84 грн
50+216.87 грн
100+180.38 грн
250+171.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDD614YI 3157785.pdf
IXDD614YI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDD614YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.16 грн
10+356.52 грн
25+318.56 грн
50+259.79 грн
100+219.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDH30N120D1 2944606.pdf
IXDH30N120D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDH30N120D1 - IGBT-Einzeltransistor, 60A, 2.4V, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+869.85 грн
5+834.36 грн
10+798.88 грн
50+684.34 грн
100+578.64 грн
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IXDN55N120D1 IXYS-S-A0008595174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN55N120D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN55N120D1 - IGBT-Modul, Einfach, 100 A, 2.3 V, 450 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3V
Verlustleistung Pd: 450W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1634.06 грн
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IXDN602SIATR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.83 грн
12+73.04 грн
50+66.52 грн
100+55.71 грн
250+48.10 грн
500+46.90 грн
1000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
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IXDN602SIATR IXYS-S-A0003699795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.71 грн
250+48.10 грн
500+46.90 грн
1000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
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IXDN604PI 2607252.pdf
IXDN604PI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604PI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, DIP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.41 грн
10+118.84 грн
50+89.96 грн
100+75.10 грн
250+67.27 грн
500+65.15 грн
1000+63.10 грн
2500+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDN604SI 2607252.pdf
IXDN604SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.79 грн
10+228.60 грн
25+196.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIA 2607252.pdf
IXDN604SIA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN604SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 29ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.28 грн
10+98.21 грн
50+88.31 грн
100+73.19 грн
250+66.07 грн
500+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
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IXDN609SI 3157787.pdf
IXDN609SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, AEC-Q100, 9Aout, 4.5V-35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.63 грн
10+217.05 грн
25+186.51 грн
50+157.10 грн
100+130.16 грн
250+112.47 грн
500+106.11 грн
1000+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN609SIA 3157784.pdf
IXDN609SIA
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN609SIA - MOSFET-Treiber, Low-Side, 9Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 42ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.60 грн
10+122.97 грн
50+110.59 грн
100+91.19 грн
250+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
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IXDN614SI 3157785.pdf
IXDN614SI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN614SI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 14Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, HSOIC-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+351.57 грн
10+231.08 грн
25+199.72 грн
50+182.39 грн
100+165.53 грн
250+162.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
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IXDN630YI IXD_630_4-5-17.pdf
IXDN630YI
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN630YI - MOSFET-Treiber, Low-Side, 30Aout, 12.5V bis 35V Versorgungsspannung, TO-263-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 30A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 30A
Versorgungsspannung, min.: 12.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Eingabeverzögerung: 46ns
Ausgabeverzögerung: 46ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+739.45 грн
10+667.65 грн
25+651.97 грн
50+590.84 грн
100+473.95 грн
250+452.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXDN75N120 IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN75N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2995.78 грн
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IXFA7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
IXFA7N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+524.88 грн
5+450.61 грн
10+376.33 грн
50+280.48 грн
100+251.12 грн
250+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFB132N50P3 LFSI-S-A0007909191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB132N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFB210N30P3 LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2438.71 грн
10+2249.72 грн
25+2086.32 грн
100+1784.03 грн
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IXFB30N120P IXYS-S-A0008597170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB30N120P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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IXFB44N100P 2944611.pdf
IXFB44N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2365.26 грн
5+2204.33 грн
10+2042.58 грн
50+1747.24 грн
100+1474.19 грн
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IXFB52N90P IXYS-S-A0008597145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB52N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH10N100P IXYS-S-A0008597104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH10N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+581.00 грн
5+522.40 грн
10+463.81 грн
50+408.46 грн
100+355.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH10N80P IXYS-S-A0008598391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH10N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.35 грн
10+268.22 грн
100+228.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH110N10P IXYS-S-A0008597297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH110N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH120N15P IXYS-S-A0008598172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH120N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH120N20P IXYS-S-A0008598257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH120N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.76 грн
5+826.11 грн
10+738.63 грн
50+665.95 грн
100+595.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100 123288.pdf
IXFH12N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH12N100F littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n100-datasheet?assetguid=cefb7be4-73a0-469a-adea-87ac18070cb1
IXFH12N100F
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH12N100P IXYS-S-A0008597262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH12N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+799.70 грн
5+637.12 грн
10+474.54 грн
50+407.69 грн
100+345.20 грн
250+338.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH12N120P IXYS-S-A0008597312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH12N120P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1226.37 грн
5+1155.40 грн
10+1084.42 грн
50+940.29 грн
100+807.13 грн
250+746.29 грн
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IXFH12N90P IXYS-S-A0008597161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH12N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH14N100Q2 2044164.pdf
IXFH14N100Q2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH15N100Q3 LFSI-S-A0009972230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1251.13 грн
5+1132.29 грн
10+1012.62 грн
50+912.71 грн
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IXFH15N80 40382.pdf
IXFH15N80
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH16N80P IXYS-S-A0008598348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH16N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+674.26 грн
5+547.99 грн
10+420.89 грн
50+376.27 грн
100+333.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH170N10P IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH170N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.12 грн
5+774.94 грн
10+604.93 грн
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IXFH18N100Q3 LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH18N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1572.99 грн
5+1423.62 грн
10+1273.41 грн
50+1147.97 грн
100+1027.83 грн
250+1007.32 грн
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IXFH20N50P3 LFSI-S-A0007924178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+467.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH20N80Q 42406.pdf
IXFH20N80Q
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
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IXFH24N50 description 42410.pdf
IXFH24N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+619.79 грн
5+607.41 грн
10+595.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
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IXFH24N80P IXYS-S-A0008597293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH24N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+487.74 грн
5+477.84 грн
10+467.94 грн
50+426.08 грн
100+384.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXYS-S-A0008598093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH24N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50 42410.pdf
IXFH26N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
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