Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника IXYS SEMICONDUCTOR (496) > Сторінка 6 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR 2359841.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS SEMICONDUCTOR 123531.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixf-12n50p-datasheet?assetguid=85deb97d-761a-4960-9e8d-233ab701f0e0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.89 грн
10+192.69 грн
100+175.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+283.07 грн
10+151.77 грн
100+145.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXYS SEMICONDUCTOR 390197.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q IXFP4N100Q IXYS SEMICONDUCTOR 2044613.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0007088796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+454.44 грн
10+241.29 грн
100+220.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85X IXFP8N85X IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP8N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3 IXFQ94N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N20P IXFR140N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1228.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N30P IXFR140N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1777.70 грн
5+1625.94 грн
10+1473.32 грн
50+1325.33 грн
100+1183.92 грн
250+1160.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR200N10P IXFR200N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 133
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60P IXFR36N60P IXYS SEMICONDUCTOR 99395.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1295.98 грн
5+1047.87 грн
10+799.75 грн
50+722.84 грн
100+648.96 грн
250+630.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS SEMICONDUCTOR 2362857.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+833.86 грн
5+816.81 грн
10+800.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.84 грн
10+586.60 грн
50+536.30 грн
100+451.28 грн
250+407.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170 IXGF32N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5
DC-Kollektorstrom: 44
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.31 грн
5+775.03 грн
10+584.89 грн
50+539.95 грн
100+495.49 грн
250+492.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH20N120A3 - IGBT, 40A, 2.5V, 180W, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 180
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170 IXGH24N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH24N170 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1443.48 грн
5+1353.95 грн
10+1264.43 грн
50+1090.19 грн
100+929.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 IXYS SEMICONDUCTOR 1392073.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH30N60C3C1 - IGBT, Einzeltransistor, Siliziumkarbid, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-247, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 220
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170 IXGH32N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH32N170 - IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS SEMICONDUCTOR 2359842.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.53 грн
5+983.07 грн
10+963.46 грн
50+875.64 грн
100+791.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-igbts-ixgh40n120c3d1-datasheet?assetguid=464a9b07-f2ac-4c4a-a7fa-3d84393cb5aa Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.23 грн
5+1028.26 грн
10+971.13 грн
50+847.93 грн
100+733.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3 IXGH48N60C3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60c3d1-datasheet?assetguid=315b5d9b-9910-45d1-8d2b-8a79450f5098 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.76 грн
5+572.11 грн
10+425.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.12 грн
5+821.07 грн
10+642.02 грн
50+592.99 грн
100+543.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR 2362858.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3516.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.18 грн
5+495.37 грн
10+459.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 IXGR16N170AH1 IXYS SEMICONDUCTOR 1795536.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - IGBT, isoliert, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 5
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR48N60C3D1 - IGBT, 56 A, 2.3 V, 125 W, 600 V, ISOPLUS-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1478.44 грн
5+1375.27 грн
10+1271.25 грн
50+1084.65 грн
100+912.06 грн
250+823.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR25N80C IXKR25N80C IXYS SEMICONDUCTOR 89372.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS SEMICONDUCTOR 2044642.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.07 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 280
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXLF19N250A IXLF19N250A IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXLF19N250A - IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3638.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+607.92 грн
5+510.72 грн
10+413.52 грн
50+353.10 грн
100+296.71 грн
250+268.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS SEMICONDUCTOR IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.05 грн
5+528.62 грн
10+501.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120 IXTA3N120 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.37 грн
5+590.86 грн
10+525.21 грн
50+425.94 грн
100+327.40 грн
250+320.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+614.74 грн
5+520.95 грн
10+426.31 грн
50+308.77 грн
100+261.63 грн
250+256.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.07 грн
5+394.76 грн
10+344.46 грн
50+273.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.20 грн
5+755.42 грн
10+580.63 грн
50+534.41 грн
100+489.65 грн
250+485.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1372.71 грн
5+1275.51 грн
10+1178.32 грн
50+1003.10 грн
100+842.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+846.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50 IXTH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+818.51 грн
5+671.86 грн
10+584.04 грн
50+503.53 грн
100+442.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.12 грн
5+2036.90 грн
10+1916.68 грн
50+1667.35 грн
100+1436.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 34
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50P IXTH36N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.11 грн
5+746.04 грн
10+642.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N50L2 IXTH40N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH62N65X2 IXTH62N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2 IXTH80N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1461.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2134.10 грн
5+1867.23 грн
10+1547.50 грн
50+1288.12 грн
100+1097.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1508.28 грн
5+1239.70 грн
10+1006.09 грн
50+852.68 грн
100+752.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 180 A, 0.01 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1474.17 грн
5+1290.01 грн
10+1068.33 грн
50+889.89 грн
100+757.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1814.37 грн
5+1495.49 грн
10+1175.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2495.61 грн
5+2170.76 грн
10+1653.22 грн
50+1504.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3515.34 грн
5+3313.27 грн
10+3112.05 грн
50+2702.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR 609817.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3482.08 грн
5+3394.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 2359841.pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P 123531.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-12n50p-datasheet?assetguid=85deb97d-761a-4960-9e8d-233ab701f0e0
IXFP12N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.89 грн
10+192.69 грн
100+175.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 LFSI-S-A0007925175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+283.07 грн
10+151.77 грн
100+145.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P 390197.pdf
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q 2044613.pdf
IXFP4N100Q
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXYS-S-A0007088796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP5N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+454.44 грн
10+241.29 грн
100+220.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85X LFSI-S-A0007907341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP8N85X
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP8N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3 LFSI-S-A0007909443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFQ94N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N20P IXYS-S-A0008595643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR140N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1228.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR140N30P IXYS-S-A0008595646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR140N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1777.70 грн
5+1625.94 грн
10+1473.32 грн
50+1325.33 грн
100+1183.92 грн
250+1160.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR200N10P IXYS-S-A0008595655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR200N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 133
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60P 99395.pdf
IXFR36N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1295.98 грн
5+1047.87 грн
10+799.75 грн
50+722.84 грн
100+648.96 грн
250+630.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P 2362857.pdf
IXFR48N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT18N100Q3 LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFT18N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+833.86 грн
5+816.81 грн
10+800.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
IXGA30N120B3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+648.84 грн
10+586.60 грн
50+536.30 грн
100+451.28 грн
250+407.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170 IXYS-S-A0008595141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGF32N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5
DC-Kollektorstrom: 44
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH16N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.31 грн
5+775.03 грн
10+584.89 грн
50+539.95 грн
100+495.49 грн
250+492.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH20N120A3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH20N120A3 - IGBT, 40A, 2.5V, 180W, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 180
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170 IXYS-S-A0008595170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH24N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH24N170 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1443.48 грн
5+1353.95 грн
10+1264.43 грн
50+1090.19 грн
100+929.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1 1392073.pdf
IXGH30N60C3C1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH30N60C3C1 - IGBT, Einzeltransistor, Siliziumkarbid, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-247, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 220
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170 IXYS-S-A0008595177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH32N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH32N170 - IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 2359842.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1003.53 грн
5+983.07 грн
10+963.46 грн
50+875.64 грн
100+791.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh40n120c3d1-datasheet?assetguid=464a9b07-f2ac-4c4a-a7fa-3d84393cb5aa
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.23 грн
5+1028.26 грн
10+971.13 грн
50+847.93 грн
100+733.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3 LFSI-S-A0009972219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH48N60C3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60c3d1-datasheet?assetguid=315b5d9b-9910-45d1-8d2b-8a79450f5098
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+718.76 грн
5+572.11 грн
10+425.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1000.12 грн
5+821.07 грн
10+642.02 грн
50+592.99 грн
100+543.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 2362858.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3516.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+531.18 грн
5+495.37 грн
10+459.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 1795536.pdf
IXGR16N170AH1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - IGBT, isoliert, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 5
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 LFSI-S-A0007912401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR48N60C3D1 - IGBT, 56 A, 2.3 V, 125 W, 600 V, ISOPLUS-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1478.44 грн
5+1375.27 грн
10+1271.25 грн
50+1084.65 грн
100+912.06 грн
250+823.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR25N80C 89372.pdf
IXKR25N80C
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C 2044642.pdf
IXKR40N60C
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.07 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 280
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXLF19N250A IXYS-S-A0008595152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXLF19N250A
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXLF19N250A - IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3638.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
IXTA10P50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+607.92 грн
5+510.72 грн
10+413.52 грн
50+353.10 грн
100+296.71 грн
250+268.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
IXTA26P20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+555.05 грн
5+528.62 грн
10+501.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120 LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA3N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+657.37 грн
5+590.86 грн
10+525.21 грн
50+425.94 грн
100+327.40 грн
250+320.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA76P10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+614.74 грн
5+520.95 грн
10+426.31 грн
50+308.77 грн
100+261.63 грн
250+256.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
IXTA96P085T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+445.07 грн
5+394.76 грн
10+344.46 грн
50+273.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH10P60
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.20 грн
5+755.42 грн
10+580.63 грн
50+534.41 грн
100+489.65 грн
250+485.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
IXTH140P10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1372.71 грн
5+1275.51 грн
10+1178.32 грн
50+1003.10 грн
100+842.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+846.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50 description
IXTH24N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+818.51 грн
5+671.86 грн
10+584.04 грн
50+503.53 грн
100+442.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891
IXTH30N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2157.12 грн
5+2036.90 грн
10+1916.68 грн
50+1667.35 грн
100+1436.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2 LFSI-S-A0007924881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 34
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50P IXYS-S-A0008598162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH36N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+867.11 грн
5+746.04 грн
10+642.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N50L2 LFSI-S-A0007909276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH40N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 LFSI-S-A0007907325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH62N65X2 LFSI-S-A0007907481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH62N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2 LFSI-S-A0007907387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH80N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXYS-S-A0008595641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK120N25P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1461.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTK120N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2134.10 грн
5+1867.23 грн
10+1547.50 грн
50+1288.12 грн
100+1097.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20P IXYS-S-A0008595589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK140N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1508.28 грн
5+1239.70 грн
10+1006.09 грн
50+852.68 грн
100+752.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXYS-S-A0008595791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK180N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 180 A, 0.01 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK200N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1474.17 грн
5+1290.01 грн
10+1068.33 грн
50+889.89 грн
100+757.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P LFSI-S-A0007907440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK90P20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1814.37 грн
5+1495.49 грн
10+1175.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTN102N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2495.61 грн
5+2170.76 грн
10+1653.22 грн
50+1504.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T LFSI-S-A0007925131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTN210P10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3515.34 грн
5+3313.27 грн
10+3112.05 грн
50+2702.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 609817.pdf
IXTN60N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3482.08 грн
5+3394.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]