Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника IXYS SEMICONDUCTOR (496) > Сторінка 7 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.83 грн
10+140.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.82 грн
5+452.28 грн
10+375.56 грн
50+276.73 грн
100+234.68 грн
250+229.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.24 грн
10+298.83 грн
100+273.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.66 грн
5+464.40 грн
10+373.94 грн
50+262.48 грн
100+231.22 грн
250+226.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS SEMICONDUCTOR ixty2n65x2.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.36 грн
10+326.29 грн
100+213.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+734.15 грн
5+625.93 грн
10+518.51 грн
50+380.98 грн
100+324.67 грн
250+320.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.83 грн
10+301.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.29 грн
10+268.95 грн
100+190.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR ixty2n65x2.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.01 грн
10+392.52 грн
100+277.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS SEMICONDUCTOR 2359843.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.98 грн
10+201.10 грн
100+197.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.20 грн
5+499.12 грн
10+428.86 грн
50+332.23 грн
100+294.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.33 грн
10+179.30 грн
100+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.95 грн
10+171.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.29 грн
10+194.64 грн
100+192.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXTP62N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T IXTP96P085T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.13 грн
5+385.25 грн
10+312.56 грн
50+223.49 грн
100+202.83 грн
250+199.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.32 грн
5+488.63 грн
10+478.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.70 грн
5+407.86 грн
10+340.83 грн
50+253.49 грн
100+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2 IXTQ40N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007923973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.59 грн
5+407.86 грн
10+351.33 грн
50+274.48 грн
100+233.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.32 грн
5+336.79 грн
10+300.44 грн
50+272.23 грн
100+244.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30P IXTQ69N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.22 грн
5+642.08 грн
10+521.74 грн
50+371.98 грн
100+337.83 грн
250+331.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10P IXTQ75N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.53 грн
10+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P IXTQ82N25P IXYS SEMICONDUCTOR Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.85 грн
10+502.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXTQ88N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P IXTX32P60P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1696.06 грн
5+1386.73 грн
10+1076.59 грн
50+989.94 грн
100+904.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS SEMICONDUCTOR 2944666.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.02 грн
10+219.68 грн
100+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0011027179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.17 грн
10+228.56 грн
100+207.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.87 грн
5+831.87 грн
10+789.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.82 грн
5+470.86 грн
10+432.90 грн
50+366.73 грн
100+305.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS SEMICONDUCTOR 1886685.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.75 грн
5+845.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV IXYA20N120C4HV IXYS SEMICONDUCTOR 3099154.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.19 грн
5+621.08 грн
10+566.97 грн
50+475.47 грн
100+392.52 грн
250+346.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1 IXYB82N120C3H1 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2137.03 грн
5+2018.31 грн
10+1899.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR 2359844.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4 IXYH55N120A4 IXYS SEMICONDUCTOR 3093868.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3 IXYH82N120C3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-igbts-ixyh82n120c3-datasheet?assetguid=d0b3d648-a754-4e63-a7a2-de89dbf9c1f6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1398.84 грн
5+1265.58 грн
10+1132.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4 IXYH85N120A4 IXYS SEMICONDUCTOR 3093869.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0005444546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2741.96 грн
5+2522.28 грн
10+1880.20 грн
50+1719.65 грн
100+1562.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716S LBA716S IXYS SEMICONDUCTOR 2968972.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LBA716S - MOSFET RELAY, SPST-NO/NC, 1A, 60V, SMD
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC / DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Surface Mount
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A), SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1A
Produktpalette: OptoMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Durchlasswiderstand, max.: 0.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LCB110 LCB110 IXYS SEMICONDUCTOR 1725006.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LCB110 - MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 35R, SPST-NC
tariffCode: 85364190
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 50mA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: OptoMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NC
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.06 грн
5+220.49 грн
10+210.80 грн
20+176.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-12IO1 MCC162-12IO1 IXYS SEMICONDUCTOR 2359846.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-12IO1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 300A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 300A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4713.42 грн
5+4100.42 грн
10+3425.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-16IO1 MCC162-16IO1 IXYS SEMICONDUCTOR 1829772.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-16IO1 - Thyristor-Modul, 181A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 300A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4913.71 грн
5+4358.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-12IO1 MCC255-12IO1 IXYS SEMICONDUCTOR MCC255-12io1.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC255-12IO1 - THYRISTOR-MODUL, 250A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9.2kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 250A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 450A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12144.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12IO1B MCC26-12IO1B IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009474276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1871.31 грн
5+1737.25 грн
10+1602.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12IO8B MCC26-12IO8B IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009463672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO8B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1890.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-16IO1B MCC26-16IO1B IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009474177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-16IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 27A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2123.30 грн
5+1948.85 грн
10+1774.40 грн
50+1484.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC310-16IO1 MCC310-16IO1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009474101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC310-16IO1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 320A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 500A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y2
Betriebstemperatur, max.: 140°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10821.64 грн
5+10194.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC312-16IO1 MCC312-16IO1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009463701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC312-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 320A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC44-12IO1B MCC44-12IO1B IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009474147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC44-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 49A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
RMS-Durchlassstrom: 77A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2347.02 грн
5+1926.23 грн
10+1505.45 грн
50+1391.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-12IO1B MCC56-12IO1B IXYS SEMICONDUCTOR 2359849.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-12IO1B - Thyristormodul, Reihenschaltung, 94A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 94A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2194.37 грн
5+2017.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-16IO1B MCC56-16IO1B IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008395590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-16IO1B - THYRISTOR-MODUL, 60A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
RMS-Durchlassstrom: 94A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2359.94 грн
5+2187.10 грн
10+2014.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-12IO1B MCC72-12IO1B IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0009474202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC72-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 85A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
RMS-Durchlassstrom: 133A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2610.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.83 грн
10+140.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
IXTP10P50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+529.82 грн
5+452.28 грн
10+375.56 грн
50+276.73 грн
100+234.68 грн
250+229.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+553.24 грн
10+298.83 грн
100+273.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
IXTP140P05T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+555.66 грн
5+464.40 грн
10+373.94 грн
50+262.48 грн
100+231.22 грн
250+226.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.36 грн
10+326.29 грн
100+213.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+734.15 грн
5+625.93 грн
10+518.51 грн
50+380.98 грн
100+324.67 грн
250+320.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP160N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.83 грн
10+301.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M LFSI-S-A0007924850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+347.29 грн
10+268.95 грн
100+190.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP26P20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.01 грн
10+392.52 грн
100+277.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P 2359843.pdf
IXTP36N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.98 грн
10+201.10 грн
100+197.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
IXTP3N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+570.20 грн
5+499.12 грн
10+428.86 грн
50+332.23 грн
100+294.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 LFSI-S-A0007907389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.33 грн
10+179.30 грн
100+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXYS-S-A0008598442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP4N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.95 грн
10+171.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220
IXTP50N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+368.29 грн
10+194.64 грн
100+192.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXYS-S-A0008598066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP62N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP80N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP96P085T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.13 грн
5+385.25 грн
10+312.56 грн
50+223.49 грн
100+202.83 грн
250+199.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXYS-S-A0008595788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXYS-S-A0008595727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+498.32 грн
5+488.63 грн
10+478.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXYS-S-A0008595746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ22N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+475.70 грн
5+407.86 грн
10+340.83 грн
50+253.49 грн
100+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2 LFSI-S-A0007909276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ40N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 LFSI-S-A0007923973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ460P2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+463.59 грн
5+407.86 грн
10+351.33 грн
50+274.48 грн
100+233.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXYS-S-A0008598115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ50N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
IXTQ52N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+372.32 грн
5+336.79 грн
10+300.44 грн
50+272.23 грн
100+244.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30P IXYS-S-A0008598154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ69N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+763.22 грн
5+642.08 грн
10+521.74 грн
50+371.98 грн
100+337.83 грн
250+331.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10P IXYS-S-A0008598160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ75N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.53 грн
10+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf
IXTQ82N25P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+554.85 грн
10+502.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXYS-S-A0008598399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ88N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P LFSI-S-A0007924011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTT16P60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXYS-S-A0008595624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTT170N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P LFSI-S-A0007925213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTX32P60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1696.06 грн
5+1386.73 грн
10+1076.59 грн
50+989.94 грн
100+904.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D 2944666.pdf
IXTY01N100D
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.02 грн
10+219.68 грн
100+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 LFSI-S-A0011027179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.17 грн
10+228.56 грн
100+207.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 LFSI-S-A0007912513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.87 грн
5+831.87 грн
10+789.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 LFSI-S-A0007912613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.82 грн
5+470.86 грн
10+432.90 грн
50+366.73 грн
100+305.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 1886685.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 LFSI-S-A0007912279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1050.75 грн
5+845.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV 3099154.pdf
IXYA20N120C4HV
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+675.19 грн
5+621.08 грн
10+566.97 грн
50+475.47 грн
100+392.52 грн
250+346.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
IXYB82N120C3H1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2137.03 грн
5+2018.31 грн
10+1899.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 2359844.pdf
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 LFSI-S-A0007910790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXYH40N65C3H1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4 3093868.pdf
IXYH55N120A4
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3 littelfuse-discrete-igbts-ixyh82n120c3-datasheet?assetguid=d0b3d648-a754-4e63-a7a2-de89dbf9c1f6
IXYH82N120C3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1398.84 грн
5+1265.58 грн
10+1132.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4 3093869.pdf
IXYH85N120A4
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYS-S-A0005444546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXYN100N120C3H1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2741.96 грн
5+2522.28 грн
10+1880.20 грн
50+1719.65 грн
100+1562.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716S 2968972.pdf
LBA716S
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LBA716S - MOSFET RELAY, SPST-NO/NC, 1A, 60V, SMD
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC / DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Surface Mount
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A), SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1A
Produktpalette: OptoMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Durchlasswiderstand, max.: 0.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LCB110 1725006.pdf
LCB110
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LCB110 - MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 35R, SPST-NC
tariffCode: 85364190
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 50mA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: OptoMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NC
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.06 грн
5+220.49 грн
10+210.80 грн
20+176.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-12IO1 2359846.pdf
MCC162-12IO1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-12IO1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 300A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 300A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4713.42 грн
5+4100.42 грн
10+3425.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-16IO1 1829772.pdf
MCC162-16IO1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-16IO1 - Thyristor-Modul, 181A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 300A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4913.71 грн
5+4358.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC255-12IO1 MCC255-12io1.pdf
MCC255-12IO1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC255-12IO1 - THYRISTOR-MODUL, 250A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9.2kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 250A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 450A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12144.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12IO1B IXYS-S-A0009474276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC26-12IO1B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1871.31 грн
5+1737.25 грн
10+1602.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12IO8B IXYS-S-A0009463672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC26-12IO8B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO8B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1890.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-16IO1B IXYS-S-A0009474177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC26-16IO1B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-16IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 27A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2123.30 грн
5+1948.85 грн
10+1774.40 грн
50+1484.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC310-16IO1 IXYS-S-A0009474101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC310-16IO1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC310-16IO1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 320A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 500A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y2
Betriebstemperatur, max.: 140°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10821.64 грн
5+10194.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC312-16IO1 IXYS-S-A0009463701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC312-16IO1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC312-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 320A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC44-12IO1B IXYS-S-A0009474147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC44-12IO1B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC44-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 49A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
RMS-Durchlassstrom: 77A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2347.02 грн
5+1926.23 грн
10+1505.45 грн
50+1391.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-12IO1B 2359849.pdf
MCC56-12IO1B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-12IO1B - Thyristormodul, Reihenschaltung, 94A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 94A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2194.37 грн
5+2017.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-16IO1B IXYS-S-A0008395590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC56-16IO1B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-16IO1B - THYRISTOR-MODUL, 60A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
RMS-Durchlassstrom: 94A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2359.94 грн
5+2187.10 грн
10+2014.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-12IO1B IXYS-S-A0009474202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCC72-12IO1B
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC72-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 85A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
RMS-Durchlassstrom: 133A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2610.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]