Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18218) > Сторінка 238 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.59 грн
10+366.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2 IXFA18N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097BF3E60CAD8BF&compId=IXF_18N65X2.pdf?ci_sign=ca3bb5a7d1dc01179cd59a86ff8db7c31cd310ae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+281.96 грн
3+244.20 грн
10+218.97 грн
50+214.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV IXYS DS100897A(IXFA20N85XHV)_.pdf IXFA20N85XHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf IXFA220N06T3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.36 грн
3+329.23 грн
4+287.52 грн
10+279.91 грн
11+271.34 грн
50+260.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2 IXFA22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 IXFA230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+336.30 грн
3+291.66 грн
6+218.02 грн
15+205.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+602.87 грн
4+352.96 грн
10+320.84 грн
50+311.32 грн
100+308.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.47 грн
3+438.97 грн
4+336.08 грн
10+317.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFA26N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3 IXFA26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3 IXFA270N06T3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A4328E9678BE27&compId=IXxx270N06T3-DTE.pdf?ci_sign=19ddd571869c0b9ce2fbd4148878297eb900047f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFA30N25X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60X IXFA30N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C1609820&compId=IXFA34N65X2.pdf?ci_sign=2925d4e0e806409ff82e30397fb37dc4d7cc660b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa34n65x3-datasheet?assetguid=7bd01bfc-f3d8-4755-8e6c-5e250cb5176f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_36n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFA36N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFA36N30P3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa36n60x3-datasheet?assetguid=9c561014-ffa0-419b-994f-22f5fa914d61 IXFA36N60X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_38n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+417.29 грн
4+332.27 грн
10+313.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 IXFA3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39C93820&compId=IXFA3N120.pdf?ci_sign=8c812837976fee0aac5a23608e183a8630e51a8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.35 грн
2+595.18 грн
6+541.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d4d53a59-e025-4cd0-9ea6-9898c3e6cbeb&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Reverse recovery time: 87ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf IXFA4N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf IXFA4N100Q SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.55 грн
6+210.40 грн
15+198.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3 IXYS IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+668.49 грн
3+469.36 грн
7+443.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P IXFA5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3 IXYS IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+564.94 грн
3+451.28 грн
7+426.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P IXFA6N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3 IXYS IXFA72N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+590.57 грн
3+469.36 грн
7+443.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472 IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 IXYS DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.08 грн
4+292.28 грн
11+276.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P IXFA7N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+562.89 грн
4+353.95 грн
5+339.88 грн
10+321.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+418.32 грн
6+194.77 грн
17+178.04 грн
500+174.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXYS IXFx80N25X3.pdf IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+738.21 грн
3+517.92 грн
6+489.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.26 грн
10+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.36 грн
3+429.38 грн
8+405.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1 IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+676.69 грн
2+560.76 грн
6+530.30 грн
50+528.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50P IXYS IXFB100N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3 IXYS IXFB100N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED44AB02F76EA18&compId=IXFB110N60P3.pdf?ci_sign=0293312a91129e825963c35231f446f72a37e881 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3 IXFB132N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4611EE4E6AA18&compId=IXFB132N50P3.pdf?ci_sign=5f657928f29000d858e2b0c3da93947744b88203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2486.34 грн
2+2267.04 грн
10+2146.89 грн
25+2100.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED466DF8CDA6A18&compId=IXFB170N30P.pdf?ci_sign=d2e1603ab2b4ff6c3b3926b7ca4a5bff751cbdb1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1534.87 грн
3+1398.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39CBF820&compId=IXFB210N20P.pdf?ci_sign=45107975032c44e04f2a5e02350874bd4d821178 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 1.5kW
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46B16B9872A18&compId=IXFB210N30P3.pdf?ci_sign=bf9c00172d85f0f1adf86ab7c01e6aacacfaa7ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2301.79 грн
2+2098.96 грн
25+1943.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120P IXYS IXFB30N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3 IXYS IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2137.74 грн
2+1948.68 грн
100+1855.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3 IXYS IXFB44N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47DC7EBC6CA18&compId=IXFB52N90P.pdf?ci_sign=a749aeddde2cd217116ff866933808aa3cec515f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 308nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P IXFB60N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B28FB248CCFA4A15&compId=IXFB60N80P.pdf?ci_sign=74ac471adf1c30241a4f29653fe0f24dc4a054f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2260.77 грн
2+2061.39 грн
10+1943.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2870.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2200.28 грн
2+2007.01 грн
5+1931.73 грн
25+1899.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4881A0D0D8A18&compId=IXFB82N60Q3.pdf?ci_sign=45d0b854272d2bfbbaa194f4db1d7265f64eef15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1139.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb90n85x_datasheet.pdf.pdf IXFB90N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe
IXFA180N10T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.59 грн
10+366.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097BF3E60CAD8BF&compId=IXF_18N65X2.pdf?ci_sign=ca3bb5a7d1dc01179cd59a86ff8db7c31cd310ae
IXFA18N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.96 грн
3+244.20 грн
10+218.97 грн
50+214.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV DS100897A(IXFA20N85XHV)_.pdf
Виробник: IXYS
IXFA20N85XHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA220N06T3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFA22N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.36 грн
3+329.23 грн
4+287.52 грн
10+279.91 грн
11+271.34 грн
50+260.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFA22N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01
IXFA230N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.30 грн
3+291.66 грн
6+218.02 грн
15+205.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9
IXFA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.87 грн
4+352.96 грн
10+320.84 грн
50+311.32 грн
100+308.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.47 грн
3+438.97 грн
4+336.08 грн
10+317.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA26N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFA26N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A4328E9678BE27&compId=IXxx270N06T3-DTE.pdf?ci_sign=19ddd571869c0b9ce2fbd4148878297eb900047f
IXFA270N06T3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA30N25X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc
IXFA30N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C1609820&compId=IXFA34N65X2.pdf?ci_sign=2925d4e0e806409ff82e30397fb37dc4d7cc660b
IXFA34N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa34n65x3-datasheet?assetguid=7bd01bfc-f3d8-4755-8e6c-5e250cb5176f
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_36n20x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA36N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n30p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA36N30P3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa36n60x3-datasheet?assetguid=9c561014-ffa0-419b-994f-22f5fa914d61
Виробник: IXYS
IXFA36N60X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_38n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.29 грн
4+332.27 грн
10+313.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39C93820&compId=IXFA3N120.pdf?ci_sign=8c812837976fee0aac5a23608e183a8630e51a8a
IXFA3N120
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.35 грн
2+595.18 грн
6+541.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=d4d53a59-e025-4cd0-9ea6-9898c3e6cbeb&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Reverse recovery time: 87ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA4N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA4N100Q SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.55 грн
6+210.40 грн
15+198.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3
Виробник: IXYS
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.49 грн
3+469.36 грн
7+443.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFA5N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3
Виробник: IXYS
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.94 грн
3+451.28 грн
7+426.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34
IXFA6N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3
Виробник: IXYS
IXFA72N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.57 грн
3+469.36 грн
7+443.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472
Виробник: IXYS
IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf
Виробник: IXYS
IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.08 грн
4+292.28 грн
11+276.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181
IXFA7N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.89 грн
4+353.95 грн
5+339.88 грн
10+321.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.32 грн
6+194.77 грн
17+178.04 грн
500+174.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFx80N25X3.pdf
Виробник: IXYS
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.21 грн
3+517.92 грн
6+489.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.26 грн
10+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.36 грн
3+429.38 грн
8+405.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1
Виробник: IXYS
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.69 грн
2+560.76 грн
6+530.30 грн
50+528.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50P
Виробник: IXYS
IXFB100N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3
Виробник: IXYS
IXFB100N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED44AB02F76EA18&compId=IXFB110N60P3.pdf?ci_sign=0293312a91129e825963c35231f446f72a37e881
IXFB110N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4611EE4E6AA18&compId=IXFB132N50P3.pdf?ci_sign=5f657928f29000d858e2b0c3da93947744b88203
IXFB132N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2486.34 грн
2+2267.04 грн
10+2146.89 грн
25+2100.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED466DF8CDA6A18&compId=IXFB170N30P.pdf?ci_sign=d2e1603ab2b4ff6c3b3926b7ca4a5bff751cbdb1
IXFB170N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1534.87 грн
3+1398.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39CBF820&compId=IXFB210N20P.pdf?ci_sign=45107975032c44e04f2a5e02350874bd4d821178
IXFB210N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 1.5kW
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46B16B9872A18&compId=IXFB210N30P3.pdf?ci_sign=bf9c00172d85f0f1adf86ab7c01e6aacacfaa7ad
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99
IXFB300N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2301.79 грн
2+2098.96 грн
25+1943.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120P
Виробник: IXYS
IXFB30N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3
Виробник: IXYS
IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2137.74 грн
2+1948.68 грн
100+1855.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3
Виробник: IXYS
IXFB44N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47DC7EBC6CA18&compId=IXFB52N90P.pdf?ci_sign=a749aeddde2cd217116ff866933808aa3cec515f
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 308nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B28FB248CCFA4A15&compId=IXFB60N80P.pdf?ci_sign=74ac471adf1c30241a4f29653fe0f24dc4a054f0
IXFB60N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2260.77 грн
2+2061.39 грн
10+1943.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3
Виробник: IXYS
IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2870.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2
IXFB82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2200.28 грн
2+2007.01 грн
5+1931.73 грн
25+1899.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4881A0D0D8A18&compId=IXFB82N60Q3.pdf?ci_sign=45d0b854272d2bfbbaa194f4db1d7265f64eef15
IXFB82N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1139.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb90n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFB90N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]