Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16271) > Сторінка 238 з 272

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH60N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 260A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N CPC1006N IXYS CPC1006N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Case: SOP4
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+74.34 грн
10+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018N CPC1018N IXYS cpc1018n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4 IXXP12N65B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 38A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06A DSEC16-06A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06A-Datasheet?assetguid=508d2251-0e5c-48cf-8629-cef1a4793aa5 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; Ifsm: 50A; TO220AB; tube; 60W
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.18 грн
3+225.59 грн
8+137.57 грн
20+130.74 грн
50+125.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06AC DSEC16-06AC IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06AC-Datasheet?assetguid=727180e8-2052-4708-a088-44156766e2f7 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; Ifsm: 50A; ISOPLUS220™; tube
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ISOPLUS220™
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TRL DSEC16-12AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-12AS-Datasheet?assetguid=1bffda27-af90-42db-9de4-c3ec94867535 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 40ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.94V
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.94V
Technology: FRED
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 183nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1138.32 грн
3+998.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-12IO7 VHF25-12IO7 IXYS VHF25-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 180A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 25/50mA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1267.15 грн
3+1038.21 грн
10+938.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1234.94 грн
3+1084.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1184.33 грн
2+831.42 грн
4+786.13 грн
50+769.90 грн
100+755.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS IXTK120N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+744.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.57 грн
5+158.08 грн
25+139.28 грн
70+131.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12NO2 VBO25-12NO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Version: square
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: FO-A
Kind of package: bulk
Leads: connectors FASTON
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1649.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS GBO25-12NO1.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: GBFP
Kind of package: tube
Leads: flat pin
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+725.14 грн
5+622.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16AO2 VBO25-16AO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1 IXYS GBO25-16NO1.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16NO2 VBO25-16NO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12AO2 VBO25-12AO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.66 грн
6+164.06 грн
17+154.66 грн
100+152.10 грн
250+148.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SI IXDD609SI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.29 грн
10+142.70 грн
25+136.72 грн
100+132.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609YI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.74 грн
10+190.55 грн
50+167.48 грн
100+157.23 грн
250+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609D2TR IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Case: DFN8
Mounting: SMD
Output current: -9...9A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 115ns
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 105ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.11 грн
10+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SITR IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190 IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+754.58 грн
2+563.97 грн
5+533.20 грн
50+522.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190S IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+750.90 грн
3+469.97 грн
6+444.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965Y CPC1965Y IXYS CPC1965G.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 260V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+842.01 грн
10+720.34 грн
25+692.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y IXYS CPC1945Y.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 120V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Switching method: zero voltage switching
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201 IXYS PD1201.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: DIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1212.86 грн
10+921.14 грн
25+815.19 грн
100+690.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943G CPC1943G IXYS CPC1943.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: DIP6
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1087.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943GS CPC1943GS IXYS CPC1943.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: DIP6
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+861.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210S LCA210S IXYS LCA210.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 85mA
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Case: DIP8
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+811.64 грн
50+493.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1967J CPC1967J IXYS CPC1967.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1350mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Case: i4-pac
Max. operating current: 1350mA
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.85Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCA220 LCA220 IXYS LCA220.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 120mA; max.250VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 120mA
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Case: DIP8
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 20Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+845.69 грн
10+638.31 грн
50+562.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210 LCA210 IXYS LCA210.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 85mA
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Case: DIP8
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+492.32 грн
10+446.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS IXGH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 160ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh30n60c3-datasheet?assetguid=a74a7c9f-55b8-41f8-9782-8bc72a9bd8b5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 110A
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA35PD1600TB MCMA35PD1600TB IXYS MCMA35PD1600TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 35A; TO240AA; Ufmax: 1.22V; bulk
Gate current: 78/200mA
Max. forward voltage: 1.22V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 35A
Max. load current: 55A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.87V
Case: TO240AA
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+934.95 грн
2+833.13 грн
4+787.84 грн
36+758.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD26-08IO1B MCD26-08IO1B IXYS MCD26-08io1B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; bulk
Case: TO240AA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.27V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 27A
Max. load current: 42A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+830.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD95-16IO1B MCD95-16IO1B IXYS PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf MCD95-16IO1B-DTE.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 116A
Max. load current: 180A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Case: TO240AA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.28V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2902.39 грн
5+2585.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD56-08IO1B MCD56-08IO1B IXYS MCD56-08io1B.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.24V; bulk
Case: TO240AA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.24V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 60A
Max. load current: 100A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 1.5kA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2269.27 грн
3+1861.09 грн
10+1676.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD72-12IO1B MCD72-12IO1B IXYS MCD72-12io1B.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 85A; TO240AA; Ufmax: 1.34V; bulk
Case: TO240AA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.34V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 85A
Max. load current: 133A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 1.7kA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2840.73 грн
3+2330.21 грн
10+2091.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-16io1 MCD162-16io1 IXYS MCD162-16io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA1-18D DSA1-18D IXYS DSA1-18D.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 2.3A; Ifsm: 110A; FP-Case; tube
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 2.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: FP-Case
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 110A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.18 грн
10+249.51 грн
100+235.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN55N50 IXFN55N50 IXYS 97502.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 80mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 625W
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 330nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1020N CPC1020N IXYS cpc1020n.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1200mA; max.30VDC; max.30VAC; SMT; SOP4; 0.25Ω
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 30V AC; max. 30V DC
Relay variant: current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Case: SOP4
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+734.34 грн
3+325.56 грн
9+308.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1020NTR CPC1020NTR IXYS CPC1020N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1200mA; max.30VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 30V AC; max. 30V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200TZ-TUB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=5ded1566-2d7d-4412-a055-f9a4f5f53ef4&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100E1200TZ-Datasheet Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 40mA; SMD; tube
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 40mA
Case: D3PAK; TO268AA
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD37-16IO1 VHFD37-16IO1 IXYS VHFD37-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 40A; screw
Leads dimensions: 2x0.5mm
Case: V1-A-Pack
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. forward impulse current: 280A
Gate current: 50/80mA
Version: module
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
Mechanical mounting: screw
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors
Load current: 40A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2705.46 грн
10+2332.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG12100S-BN2MM IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=e4f80881-79d4-48fd-9161-54b8568e400c&filename=littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12100s_bn2mm_datasheet.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: package S
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12150W-XN2MM IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12150w_xn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: package W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12200D-BN2MM IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: Y3-DCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12300D-BN2MM IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: Y3-DCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC240-04A DSEC240-04A IXYS DSEC240-04A.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 400V; If: 120Ax2; SOT227UI
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 120A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT227UI
Max. forward impulse current: 2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA320A100NB DSA320A100NB IXYS Category: Diode modules
Description: Module: diode; double x2,common anode; 100V; 80Ax4; SOT227B; screw
Max. forward voltage: 0.77V
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.1kV
Electrical mounting: screw
Load current: 80A x4
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common anode; double x2
Case: SOT227B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1700.58 грн
2+1492.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P IXYS IXFR102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Power dissipation: 250W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1263.47 грн
3+1045.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20P IXFK120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25P IXFK120N25P IXYS IXFK(X)120N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 260A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N CPC1006N.pdf
CPC1006N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Case: SOP4
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+74.34 грн
10+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018N cpc1018n.pdf
CPC1018N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4
IXXP12N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 38A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06A Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06A-Datasheet?assetguid=508d2251-0e5c-48cf-8629-cef1a4793aa5
DSEC16-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; Ifsm: 50A; TO220AB; tube; 60W
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.18 грн
3+225.59 грн
8+137.57 грн
20+130.74 грн
50+125.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06AC Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06AC-Datasheet?assetguid=727180e8-2052-4708-a088-44156766e2f7
DSEC16-06AC
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; Ifsm: 50A; ISOPLUS220™; tube
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ISOPLUS220™
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-12AS-Datasheet?assetguid=1bffda27-af90-42db-9de4-c3ec94867535
DSEC16-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 40ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.94V
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.94V
Technology: FRED
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK(X)100N65X2.pdf
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 183nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1138.32 грн
3+998.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-12IO7 VHF25-ser.pdf
VHF25-12IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 180A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 25/50mA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1267.15 грн
3+1038.21 грн
10+938.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBT24N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1234.94 грн
3+1084.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P-DTE.pdf
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1184.33 грн
2+831.42 грн
4+786.13 грн
50+769.90 грн
100+755.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTK120N20P-DTE.pdf
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+744.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY(A,P)1N120P.pdf
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.57 грн
5+158.08 грн
25+139.28 грн
70+131.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12NO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-12NO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Version: square
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: FO-A
Kind of package: bulk
Leads: connectors FASTON
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1649.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: GBFP
Kind of package: tube
Leads: flat pin
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+725.14 грн
5+622.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16AO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-16AO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1.pdf
GBO25-16NO1
Виробник: IXYS
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16NO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-16NO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12AO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-12AO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI.pdf
IXDD609CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.66 грн
6+164.06 грн
17+154.66 грн
100+152.10 грн
250+148.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SI IXDD609CI.pdf
IXDD609SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.29 грн
10+142.70 грн
25+136.72 грн
100+132.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609CI.pdf
IXDD609YI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.74 грн
10+190.55 грн
50+167.48 грн
100+157.23 грн
250+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609CI.pdf
IXDD609D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Case: DFN8
Mounting: SMD
Output current: -9...9A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 115ns
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 105ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.11 грн
10+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SITR IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190.pdf
PLB190
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+754.58 грн
2+563.97 грн
5+533.20 грн
50+522.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190.pdf
PLB190S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+750.90 грн
3+469.97 грн
6+444.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR PLB190.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965Y CPC1965G.pdf
CPC1965Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 260V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+842.01 грн
10+720.34 грн
25+692.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y.pdf
CPC1945Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 120V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Switching method: zero voltage switching
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201.pdf
PD1201
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: DIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1212.86 грн
10+921.14 грн
25+815.19 грн
100+690.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943G CPC1943.pdf
CPC1943G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: DIP6
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1087.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943GS CPC1943.pdf
CPC1943GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: DIP6
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+861.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210S LCA210.pdf
LCA210S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 85mA
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Case: DIP8
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+811.64 грн
50+493.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1967J CPC1967.pdf
CPC1967J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1350mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Case: i4-pac
Max. operating current: 1350mA
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.85Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LCA220 LCA220.pdf
LCA220
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 120mA; max.250VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 120mA
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Case: DIP8
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 20Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+845.69 грн
10+638.31 грн
50+562.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210 LCA210.pdf
LCA210
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 85mA
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Case: DIP8
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+492.32 грн
10+446.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 160ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3 littelfuse-discrete-igbts-ixxh30n60c3-datasheet?assetguid=a74a7c9f-55b8-41f8-9782-8bc72a9bd8b5
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 110A
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA35PD1600TB MCMA35PD1600TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
MCMA35PD1600TB
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 35A; TO240AA; Ufmax: 1.22V; bulk
Gate current: 78/200mA
Max. forward voltage: 1.22V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 35A
Max. load current: 55A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.87V
Case: TO240AA
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+934.95 грн
2+833.13 грн
4+787.84 грн
36+758.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD26-08IO1B MCD26-08io1B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
MCD26-08IO1B
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; bulk
Case: TO240AA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.27V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 27A
Max. load current: 42A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 520A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+830.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD95-16IO1B PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf MCD95-16IO1B-DTE.pdf
MCD95-16IO1B
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 116A
Max. load current: 180A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Case: TO240AA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.28V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2902.39 грн
5+2585.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD56-08IO1B MCD56-08io1B.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
MCD56-08IO1B
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.24V; bulk
Case: TO240AA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.24V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 60A
Max. load current: 100A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 1.5kA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2269.27 грн
3+1861.09 грн
10+1676.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD72-12IO1B MCD72-12io1B.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
MCD72-12IO1B
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 85A; TO240AA; Ufmax: 1.34V; bulk
Case: TO240AA
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.34V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 85A
Max. load current: 133A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 1.7kA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2840.73 грн
3+2330.21 грн
10+2091.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-16io1 MCD162-16io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCD162-16io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA1-18D DSA1-18D.pdf
DSA1-18D
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 2.3A; Ifsm: 110A; FP-Case; tube
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 2.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: FP-Case
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 110A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+390.18 грн
10+249.51 грн
100+235.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN55N50 description 97502.pdf
IXFN55N50
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 80mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 625W
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 330nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1020N cpc1020n.pdf
CPC1020N
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1200mA; max.30VDC; max.30VAC; SMT; SOP4; 0.25Ω
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 30V AC; max. 30V DC
Relay variant: current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Case: SOP4
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+734.34 грн
3+325.56 грн
9+308.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1020NTR CPC1020N.pdf
CPC1020NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1200mA; max.30VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 30V AC; max. 30V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200TZ-TUB media?resourcetype=datasheets&itemid=5ded1566-2d7d-4412-a055-f9a4f5f53ef4&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA100E1200TZ-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 40mA; SMD; tube
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 40mA
Case: D3PAK; TO268AA
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD37-16IO1 VHFD37-ser.pdf
VHFD37-16IO1
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 40A; screw
Leads dimensions: 2x0.5mm
Case: V1-A-Pack
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. forward impulse current: 280A
Gate current: 50/80mA
Version: module
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
Mechanical mounting: screw
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors
Load current: 40A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2705.46 грн
10+2332.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG12100S-BN2MM media?resourcetype=datasheets&itemid=e4f80881-79d4-48fd-9161-54b8568e400c&filename=littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12100s_bn2mm_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: package S
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12150W-XN2MM littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12150w_xn2mm_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: package W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12200D-BN2MM
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: Y3-DCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12300D-BN2MM
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: Y3-DCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC240-04A description DSEC240-04A.pdf
DSEC240-04A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 400V; If: 120Ax2; SOT227UI
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 120A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT227UI
Max. forward impulse current: 2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA320A100NB
DSA320A100NB
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double x2,common anode; 100V; 80Ax4; SOT227B; screw
Max. forward voltage: 0.77V
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.1kV
Electrical mounting: screw
Load current: 80A x4
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common anode; double x2
Case: SOT227B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1700.58 грн
2+1492.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P.pdf
IXFR102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Power dissipation: 250W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1263.47 грн
3+1045.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFK120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25P IXFK(X)120N25P.pdf
IXFK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.