Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16029) > Сторінка 238 з 268

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXDI614CI IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bbefd2e4-4fe5-4ed7-ad75-4663bafc6c83&filename=ixd-614si IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+404.83 грн
4+324.74 грн
10+307.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDI614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+305.21 грн
10+192.12 грн
25+160.40 грн
50+144.66 грн
100+141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630MCI IXYS IXD_630.pdf IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1017.38 грн
3+542.22 грн
6+512.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630MYI IXYS IXD_630.pdf IXDI630MYI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1020.56 грн
3+551.08 грн
6+521.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630YI IXYS IXD_630_4-5-17.pdf IXDI630YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+928.36 грн
2+592.41 грн
6+559.94 грн
1000+558.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602D2TR IXDN602D2TR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.52 грн
10+116.50 грн
25+95.45 грн
50+84.63 грн
100+75.77 грн
250+65.93 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI IXDN602PI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.56 грн
10+74.60 грн
25+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA IXDN602SIA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
10+71.53 грн
25+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXDN604PI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2EAF820&compId=IXD_604.pdf?ci_sign=5212fc240f089b60cb86612e9306367e8987585c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
10+104.24 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SI IXDN604SI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.33 грн
50+193.14 грн
100+173.20 грн
200+161.39 грн
300+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIA IXDN604SIA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.05 грн
10+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609CI IXDN609CI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.48 грн
10+200.30 грн
25+185.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609PI IXDN609PI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
10+101.17 грн
50+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SI IXDN609SI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.27 грн
10+164.53 грн
25+150.56 грн
50+144.66 грн
100+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SIA IXDN609SIA IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
10+100.15 грн
25+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXDN609YI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+273.42 грн
10+222.78 грн
50+182.05 грн
100+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614CI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514 IXDN614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+459.94 грн
4+318.84 грн
11+302.11 грн
50+301.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614PI IXDN614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.13 грн
10+210.52 грн
50+157.45 грн
100+142.69 грн
250+126.94 грн
500+124.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514 IXDN614SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+311.57 грн
5+256.84 грн
10+249.35 грн
13+243.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614YI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514 IXDN614YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.18 грн
4+329.66 грн
10+310.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630CI IXYS IXD_630_4-5-17.pdf IXDN630CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+772.57 грн
2+616.03 грн
6+582.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630MCI IXYS IXD_630_4-5-17.pdf IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+670.83 грн
2+592.41 грн
6+559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630MYI IXYS IXD_630_4-5-17.pdf IXDN630MYI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+772.57 грн
2+616.03 грн
6+582.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630YI IXYS IXD_630_4-5-17.pdf IXDN630YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+772.57 грн
2+592.41 грн
6+559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.46 грн
3+319.86 грн
10+230.27 грн
50+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXYS IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+627.38 грн
4+337.54 грн
10+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.40 грн
3+221.76 грн
10+187.96 грн
50+169.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.85 грн
3+210.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 IXYS IXFA(P)180N10T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.93 грн
3+229.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+269.18 грн
3+234.02 грн
10+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+431.33 грн
3+374.02 грн
10+317.85 грн
50+285.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 IXFA230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Drain-source voltage: 75V
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.60 грн
3+301.47 грн
10+255.86 грн
50+230.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+623.14 грн
50+334.17 грн
100+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+484.31 грн
3+420.01 грн
10+357.22 грн
50+320.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3 IXFA26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 IXFA3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39C93820&compId=IXFA3N120.pdf?ci_sign=8c812837976fee0aac5a23608e183a8630e51a8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+827.68 грн
3+730.67 грн
5+656.37 грн
10+580.60 грн
50+538.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+513.99 грн
9+133.83 грн
24+126.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3 IXYS IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+766.21 грн
3+485.15 грн
7+458.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3 IXYS IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+592.41 грн
3+472.35 грн
7+446.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3 IXYS IXFA72N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+932.60 грн
3+447.75 грн
8+423.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf IXFA7N100P SMD N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+607.25 грн
4+351.31 грн
10+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+400.59 грн
50+204.38 грн
100+179.10 грн
500+176.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXYS IXFx80N25X3.pdf IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+816.02 грн
3+537.30 грн
6+507.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.48 грн
5+72.56 грн
10+66.92 грн
50+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.56 грн
3+444.80 грн
8+420.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1 IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+699.45 грн
3+542.22 грн
6+512.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2373.88 грн
10+2254.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf IXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1473.15 грн
3+1392.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 279nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: PLUS264™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2729.96 грн
5+2321.80 грн
25+2008.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2373.88 грн
5+2102.09 грн
25+1864.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2970.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS IXFB82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2341.03 грн
5+2023.40 грн
25+1919.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3 IXYS IXFB82N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1278.08 грн
5+1146.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXFH100N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1053.41 грн
10+951.41 грн
30+843.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 IXFH10N100P THT N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+713.22 грн
3+482.19 грн
7+456.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.22 грн
10+304.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf IXFH110N10P THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+730.18 грн
3+425.12 грн
8+401.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+635.86 грн
3+504.83 грн
7+477.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614CI media?resourcetype=datasheets&itemid=bbefd2e4-4fe5-4ed7-ad75-4663bafc6c83&filename=ixd-614si
Виробник: IXYS
IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.83 грн
4+324.74 грн
10+307.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDI614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.21 грн
10+192.12 грн
25+160.40 грн
50+144.66 грн
100+141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630MCI IXD_630.pdf
Виробник: IXYS
IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.38 грн
3+542.22 грн
6+512.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630MYI IXD_630.pdf
Виробник: IXYS
IXDI630MYI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.56 грн
3+551.08 грн
6+521.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630YI IXD_630_4-5-17.pdf
Виробник: IXYS
IXDI630YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+928.36 грн
2+592.41 грн
6+559.94 грн
1000+558.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602D2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4
IXDN602D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.52 грн
10+116.50 грн
25+95.45 грн
50+84.63 грн
100+75.77 грн
250+65.93 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4
IXDN602PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.56 грн
10+74.60 грн
25+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4
IXDN602SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
10+71.53 грн
25+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2EAF820&compId=IXD_604.pdf?ci_sign=5212fc240f089b60cb86612e9306367e8987585c
IXDN604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+104.24 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327
IXDN604SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.33 грн
50+193.14 грн
100+173.20 грн
200+161.39 грн
300+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327
IXDN604SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.05 грн
10+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609CI IXDD609CI.pdf
IXDN609CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.48 грн
10+200.30 грн
25+185.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609PI IXDD609CI.pdf
IXDN609PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
10+101.17 грн
50+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SI IXDD609CI.pdf
IXDN609SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.27 грн
10+164.53 грн
25+150.56 грн
50+144.66 грн
100+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SIA IXDD609CI.pdf
IXDN609SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
10+100.15 грн
25+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXDD609CI.pdf
IXDN609YI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.42 грн
10+222.78 грн
50+182.05 грн
100+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614CI littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514
Виробник: IXYS
IXDN614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.94 грн
4+318.84 грн
11+302.11 грн
50+301.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDN614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.13 грн
10+210.52 грн
50+157.45 грн
100+142.69 грн
250+126.94 грн
500+124.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514
Виробник: IXYS
IXDN614SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.57 грн
5+256.84 грн
10+249.35 грн
13+243.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614YI littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514
Виробник: IXYS
IXDN614YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.18 грн
4+329.66 грн
10+310.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630CI IXD_630_4-5-17.pdf
Виробник: IXYS
IXDN630CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.57 грн
2+616.03 грн
6+582.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630MCI IXD_630_4-5-17.pdf
Виробник: IXYS
IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.83 грн
2+592.41 грн
6+559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630MYI IXD_630_4-5-17.pdf
Виробник: IXYS
IXDN630MYI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.57 грн
2+616.03 грн
6+582.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630YI IXD_630_4-5-17.pdf
Виробник: IXYS
IXDN630YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.57 грн
2+592.41 грн
6+559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.46 грн
3+319.86 грн
10+230.27 грн
50+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2
Виробник: IXYS
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.38 грн
4+337.54 грн
10+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFA16N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.40 грн
3+221.76 грн
10+187.96 грн
50+169.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.85 грн
3+210.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA(P)180N10T2.pdf
IXFA180N10T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.93 грн
3+229.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.18 грн
3+234.02 грн
10+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFA22N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.33 грн
3+374.02 грн
10+317.85 грн
50+285.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01
IXFA230N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Drain-source voltage: 75V
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.60 грн
3+301.47 грн
10+255.86 грн
50+230.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9
IXFA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.14 грн
50+334.17 грн
100+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.31 грн
3+420.01 грн
10+357.22 грн
50+320.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFA26N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39C93820&compId=IXFA3N120.pdf?ci_sign=8c812837976fee0aac5a23608e183a8630e51a8a
IXFA3N120
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+827.68 грн
3+730.67 грн
5+656.37 грн
10+580.60 грн
50+538.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.99 грн
9+133.83 грн
24+126.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3
Виробник: IXYS
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.21 грн
3+485.15 грн
7+458.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3
Виробник: IXYS
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.41 грн
3+472.35 грн
7+446.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3
Виробник: IXYS
IXFA72N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.60 грн
3+447.75 грн
8+423.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA7N100P SMD N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.25 грн
4+351.31 грн
10+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.59 грн
50+204.38 грн
100+179.10 грн
500+176.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFx80N25X3.pdf
Виробник: IXYS
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.02 грн
3+537.30 грн
6+507.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.48 грн
5+72.56 грн
10+66.92 грн
50+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.56 грн
3+444.80 грн
8+420.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1
Виробник: IXYS
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.45 грн
3+542.22 грн
6+512.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2373.88 грн
10+2254.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1473.15 грн
3+1392.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99
IXFB300N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 279nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: PLUS264™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2729.96 грн
5+2321.80 грн
25+2008.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2373.88 грн
5+2102.09 грн
25+1864.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3
Виробник: IXYS
IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2970.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P.pdf
IXFB82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2341.03 грн
5+2023.40 грн
25+1919.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3.pdf
IXFB82N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1278.08 грн
5+1146.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH100N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1053.41 грн
10+951.41 грн
30+843.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4
Виробник: IXYS
IXFH10N100P THT N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.22 грн
3+482.19 грн
7+456.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.22 грн
10+304.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH110N10P THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+730.18 грн
3+425.12 грн
8+401.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+635.86 грн
3+504.83 грн
7+477.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 260 268  [ Наступна Сторінка >> ]