Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16356) > Сторінка 238 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+549.18 грн
3+475.41 грн
10+451.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC04B820&compId=IXFH110N25T.pdf?ci_sign=865e81011edebf9d86100c2413f31800becab293 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+845.62 грн
10+671.99 грн
30+526.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+761.37 грн
5+628.86 грн
10+506.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1024.52 грн
5+795.36 грн
10+709.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=FCE667A0-AE55-40BC-BAC0-EAB7DA190E7D&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-120N25T-Datasheet.PDF IXFH120N25T THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+898.66 грн
2+859.58 грн
4+813.22 грн
30+812.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXYS DS100865AIXFTFH120N30X3HV.pdf IXFH120N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1562.26 грн
2+1049.85 грн
3+992.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXYS DS99920BIXFHFV12N100PS.pdf IXFH12N100P THT N channel transistors
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+849.78 грн
3+559.21 грн
6+529.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3 IXFH130N15X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+795.69 грн
3+678.01 грн
10+586.25 грн
30+582.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+676.08 грн
3+586.74 грн
10+499.33 грн
30+449.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1040.12 грн
10+934.77 грн
30+826.74 грн
120+754.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1198.22 грн
2+968.72 грн
4+916.57 грн
30+914.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1016.19 грн
3+875.59 грн
10+745.62 грн
30+669.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0E5820&compId=IXFH160N15T2.pdf?ci_sign=467d005fecee5b2cd75a7e20897d1283fa7c3985 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+670.88 грн
30+525.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a IXFH170N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1239.15 грн
3+1171.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_180n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1310.55 грн
2+1049.85 грн
3+992.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.26 грн
10+326.97 грн
30+313.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+572.06 грн
10+407.21 грн
30+355.42 грн
120+312.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+879.94 грн
2+619.09 грн
6+585.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS IXFH22N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.26 грн
10+380.13 грн
30+339.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+597.03 грн
3+508.51 грн
10+440.42 грн
30+433.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+515.90 грн
10+358.06 грн
30+316.79 грн
120+313.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.74 грн
5+403.19 грн
10+335.14 грн
30+317.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+883.06 грн
3+484.84 грн
7+458.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+764.49 грн
10+609.81 грн
30+478.08 грн
120+473.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+919.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+555.42 грн
10+442.31 грн
30+397.92 грн
120+387.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+604.31 грн
5+490.45 грн
10+425.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS IXFH26N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+741.60 грн
3+610.81 грн
5+516.72 грн
10+498.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.59 грн
5+459.36 грн
10+398.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3 IXFH34N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+858.10 грн
10+682.02 грн
30+501.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.27 грн
3+522.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.27 грн
10+461.37 грн
30+415.30 грн
120+395.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+703.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS IXFH40N50Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1794.20 грн
3+1535.55 грн
10+1326.08 грн
30+1189.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P IXYS IXFK44N50P.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+990.19 грн
6+833.47 грн
10+697.32 грн
30+652.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+564.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+960.03 грн
10+874.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+818.57 грн
5+640.90 грн
10+564.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+583.51 грн
5+477.41 грн
30+379.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+946.51 грн
3+826.45 грн
10+734.99 грн
30+685.73 грн
120+649.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+735.36 грн
10+578.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXYS DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf IXFH60N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+770.73 грн
2+620.06 грн
6+586.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 IXFH6N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+910.10 грн
3+819.43 грн
10+674.14 грн
30+659.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1207.58 грн
2+821.92 грн
4+777.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 IXYS 70n30q3datasheetpdf.pdf IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1241.90 грн
2+794.87 грн
4+751.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1003.71 грн
2+667.38 грн
5+630.68 грн
270+629.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20P IXFH74N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+588.71 грн
30+404.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+485.73 грн
4+347.70 грн
10+329.35 грн
270+328.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+875.78 грн
2+586.25 грн
6+554.38 грн
510+553.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1097.32 грн
3+988.93 грн
5+878.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1220.06 грн
5+1056.13 грн
10+911.74 грн
30+898.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.83 грн
2+872.14 грн
4+824.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFH90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.39 грн
3+558.25 грн
6+527.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+527.34 грн
3+385.36 грн
9+364.12 грн
30+363.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+592.87 грн
3+535.07 грн
6+505.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1175.33 грн
2+739.82 грн
5+700.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK100N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1202.45 грн
3+1136.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1346.95 грн
10+1110.29 грн
25+904.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+425.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78
IXFH110N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.18 грн
3+475.41 грн
10+451.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC04B820&compId=IXFH110N25T.pdf?ci_sign=865e81011edebf9d86100c2413f31800becab293
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+845.62 грн
10+671.99 грн
30+526.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.37 грн
5+628.86 грн
10+506.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.52 грн
5+795.36 грн
10+709.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T media?resourcetype=datasheets&itemid=FCE667A0-AE55-40BC-BAC0-EAB7DA190E7D&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-120N25T-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFH120N25T THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+898.66 грн
2+859.58 грн
4+813.22 грн
30+812.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 DS100865AIXFTFH120N30X3HV.pdf
Виробник: IXYS
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.26 грн
2+1049.85 грн
3+992.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P DS99920BIXFHFV12N100PS.pdf
Виробник: IXYS
IXFH12N100P THT N channel transistors
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+849.78 грн
3+559.21 грн
6+529.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569
IXFH130N15X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.69 грн
3+678.01 грн
10+586.25 грн
30+582.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.08 грн
3+586.74 грн
10+499.33 грн
30+449.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.12 грн
10+934.77 грн
30+826.74 грн
120+754.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1198.22 грн
2+968.72 грн
4+916.57 грн
30+914.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c
IXFH15N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.19 грн
3+875.59 грн
10+745.62 грн
30+669.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0E5820&compId=IXFH160N15T2.pdf?ci_sign=467d005fecee5b2cd75a7e20897d1283fa7c3985
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.88 грн
30+525.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a
Виробник: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1239.15 грн
3+1171.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_180n20x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1310.55 грн
2+1049.85 грн
3+992.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.26 грн
10+326.97 грн
30+313.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.06 грн
10+407.21 грн
30+355.42 грн
120+312.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.94 грн
2+619.09 грн
6+585.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P.pdf
IXFH22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.26 грн
10+380.13 грн
30+339.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P.pdf
IXFH22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.03 грн
3+508.51 грн
10+440.42 грн
30+433.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFH22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.90 грн
10+358.06 грн
30+316.79 грн
120+313.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFH22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.74 грн
5+403.19 грн
10+335.14 грн
30+317.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.06 грн
3+484.84 грн
7+458.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.49 грн
10+609.81 грн
30+478.08 грн
120+473.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0
IXFH26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.42 грн
10+442.31 грн
30+397.92 грн
120+387.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.31 грн
5+490.45 грн
10+425.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P.pdf
IXFH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.60 грн
3+610.81 грн
5+516.72 грн
10+498.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.59 грн
5+459.36 грн
10+398.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499
IXFH34N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.10 грн
10+682.02 грн
30+501.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.27 грн
3+522.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.27 грн
10+461.37 грн
30+415.30 грн
120+395.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFH36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+703.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q.pdf
IXFH40N50Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1794.20 грн
3+1535.55 грн
10+1326.08 грн
30+1189.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P description IXFK44N50P.pdf
IXFH44N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.19 грн
6+833.47 грн
10+697.32 грн
30+652.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158
IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.03 грн
10+874.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.57 грн
5+640.90 грн
10+564.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.51 грн
5+477.41 грн
30+379.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d
IXFH52N50P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.51 грн
3+826.45 грн
10+734.99 грн
30+685.73 грн
120+649.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH56N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.36 грн
10+578.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf
Виробник: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+770.73 грн
2+620.06 грн
6+586.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d
IXFH6N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.10 грн
3+819.43 грн
10+674.14 грн
30+659.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1207.58 грн
2+821.92 грн
4+777.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 70n30q3datasheetpdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1241.90 грн
2+794.87 грн
4+751.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1003.71 грн
2+667.38 грн
5+630.68 грн
270+629.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba
IXFH74N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.71 грн
30+404.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.73 грн
4+347.70 грн
10+329.35 грн
270+328.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.78 грн
2+586.25 грн
6+554.38 грн
510+553.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1097.32 грн
3+988.93 грн
5+878.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c
IXFH80N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1220.06 грн
5+1056.13 грн
10+911.74 грн
30+898.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Виробник: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1343.83 грн
2+872.14 грн
4+824.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Виробник: IXYS
IXFH90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.39 грн
3+558.25 грн
6+527.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N15P 99208.pdf
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.34 грн
3+385.36 грн
9+364.12 грн
30+363.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.87 грн
3+535.07 грн
6+505.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.33 грн
2+739.82 грн
5+700.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK100N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1202.45 грн
3+1136.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1346.95 грн
10+1110.29 грн
25+904.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFK120N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]