Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16536) > Сторінка 238 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH70N20Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1196.37 грн
2+814.29 грн
4+770.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 IXYS 70n30q3datasheetpdf.pdf IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1230.38 грн
2+787.50 грн
4+744.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+994.40 грн
2+661.19 грн
5+624.83 грн
270+624.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20P IXFH74N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+583.24 грн
30+400.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.23 грн
4+344.47 грн
10+326.29 грн
270+325.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+867.65 грн
2+580.81 грн
6+549.24 грн
510+548.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1087.14 грн
3+979.75 грн
5+870.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1208.74 грн
5+1046.33 грн
10+903.28 грн
30+889.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1331.36 грн
2+864.04 грн
4+817.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFH90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+575.00 грн
3+553.07 грн
6+522.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+522.45 грн
3+381.79 грн
9+360.74 грн
30+359.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+587.37 грн
3+530.10 грн
6+500.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1164.43 грн
2+732.96 грн
5+693.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1398.34 грн
5+1201.34 грн
10+1083.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1334.45 грн
10+1099.98 грн
25+895.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+421.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1669.35 грн
5+1416.96 грн
10+1269.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1695.12 грн
3+1553.09 грн
10+1308.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D54A180A387820&compId=IXFK(X)180N25T.pdf?ci_sign=df55105c078d9abc2821a1e455a37ba5cb1f4c8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2456.63 грн
10+2117.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 204nC
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 6.2mΩ
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1533.33 грн
3+1303.69 грн
10+1136.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T IXFK230N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCF347BAAB5820&compId=IXFK(X)230N20T.pdf?ci_sign=e4a579f4f1660cfb2f2f8a74c12b8edd99086286 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 358nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1687.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD7F081F39820&compId=IXFK(X)240N25X3.pdf?ci_sign=505f1373677b8d12c73e55874fb205a4c2db2269 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2287.63 грн
2+2201.96 грн
10+2039.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1016.04 грн
3+883.37 грн
10+752.09 грн
25+676.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1757.97 грн
10+1510.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1613.71 грн
3+1377.22 грн
10+1188.42 грн
25+1108.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1452.96 грн
5+1193.39 грн
10+1140.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1598.25 грн
3+1461.68 грн
5+1342.48 грн
10+1264.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1392.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 IXFK520N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BAAC72B01820&compId=IXFK(X)520N075T2.pdf?ci_sign=c82dec6155d9cee277baecf17a89f241b95daf23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1047.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1242.74 грн
5+1045.33 грн
10+915.72 грн
25+861.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1172.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1322.09 грн
10+1054.28 грн
25+842.04 грн
100+818.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1450.60 грн
3+1371.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1308.69 грн
10+1053.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1993.95 грн
10+1591.85 грн
25+1369.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1341.67 грн
2+944.42 грн
4+892.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94FFC4111820&compId=IXFL210N30P3.pdf?ci_sign=8debaaf3e40442e35f52c30c53f9fb7705cad9b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 108A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 520W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1104.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P IXFL32N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94881C72F820&compId=IXFL32N120P.pdf?ci_sign=d80523daf804ad9e5f99e697e80218a7346589fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 24A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2160.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1119.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1144.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA4F820&compId=IXFL82N60P.pdf?ci_sign=aceb8365e96b8b9623c8f150f5e611f540782014 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1040.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6536.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2180.46 грн
5+1853.18 грн
10+1741.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2312.36 грн
5+1897.90 грн
10+1769.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1426.16 грн
3+1328.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3357.26 грн
10+3053.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3101.70 грн
3+2641.16 грн
10+2383.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2522.58 грн
3+2152.27 грн
10+1860.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3740.59 грн
3+3183.70 грн
10+2755.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P IXYS IXFN26N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3858.06 грн
3+3285.05 грн
10+2841.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2165.01 грн
5+1774.68 грн
10+1655.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100 IXFN36N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA766581850B820&compId=IXFN36N100.pdf?ci_sign=ed624506c3a3f62202f258b7df94949020d4b004 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 36A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.24Ω
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 180ns
Gate charge: 380nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7862.45 грн
3+6698.28 грн
10+5792.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS IXFN40N110P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2362.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3 IXYS IXFN40N110Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2134.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS IXFN420N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2448.39 грн
5+2022.10 грн
10+1929.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6917.51 грн
10+4779.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3128.49 грн
3+2666.99 грн
10+2306.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+8052.05 грн
3+6864.22 грн
10+5936.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1196.37 грн
2+814.29 грн
4+770.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 70n30q3datasheetpdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1230.38 грн
2+787.50 грн
4+744.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.40 грн
2+661.19 грн
5+624.83 грн
270+624.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba
IXFH74N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.24 грн
30+400.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.23 грн
4+344.47 грн
10+326.29 грн
270+325.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+867.65 грн
2+580.81 грн
6+549.24 грн
510+548.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1087.14 грн
3+979.75 грн
5+870.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c
IXFH80N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1208.74 грн
5+1046.33 грн
10+903.28 грн
30+889.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Виробник: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1331.36 грн
2+864.04 грн
4+817.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Виробник: IXYS
IXFH90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.00 грн
3+553.07 грн
6+522.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N15P 99208.pdf
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.45 грн
3+381.79 грн
9+360.74 грн
30+359.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.37 грн
3+530.10 грн
6+500.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1164.43 грн
2+732.96 грн
5+693.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1398.34 грн
5+1201.34 грн
10+1083.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1334.45 грн
10+1099.98 грн
25+895.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFK120N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2
IXFK140N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1669.35 грн
5+1416.96 грн
10+1269.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1695.12 грн
3+1553.09 грн
10+1308.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D54A180A387820&compId=IXFK(X)180N25T.pdf?ci_sign=df55105c078d9abc2821a1e455a37ba5cb1f4c8f
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFK210N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2456.63 грн
10+2117.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFK220N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 204nC
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 6.2mΩ
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1533.33 грн
3+1303.69 грн
10+1136.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCF347BAAB5820&compId=IXFK(X)230N20T.pdf?ci_sign=e4a579f4f1660cfb2f2f8a74c12b8edd99086286
IXFK230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 358nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1687.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD7F081F39820&compId=IXFK(X)240N25X3.pdf?ci_sign=505f1373677b8d12c73e55874fb205a4c2db2269
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2287.63 грн
2+2201.96 грн
10+2039.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.04 грн
3+883.37 грн
10+752.09 грн
25+676.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1757.97 грн
10+1510.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b
IXFK32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1613.71 грн
3+1377.22 грн
10+1188.42 грн
25+1108.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c
IXFK420N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1452.96 грн
5+1193.39 грн
10+1140.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1598.25 грн
3+1461.68 грн
5+1342.48 грн
10+1264.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1392.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BAAC72B01820&compId=IXFK(X)520N075T2.pdf?ci_sign=c82dec6155d9cee277baecf17a89f241b95daf23
IXFK520N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1047.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1242.74 грн
5+1045.33 грн
10+915.72 грн
25+861.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.09 грн
10+1054.28 грн
25+842.04 грн
100+818.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1450.60 грн
3+1371.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1308.69 грн
10+1053.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFK80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1993.95 грн
10+1591.85 грн
25+1369.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1341.67 грн
2+944.42 грн
4+892.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94FFC4111820&compId=IXFL210N30P3.pdf?ci_sign=8debaaf3e40442e35f52c30c53f9fb7705cad9b7
IXFL210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 108A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 520W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1104.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94881C72F820&compId=IXFL32N120P.pdf?ci_sign=d80523daf804ad9e5f99e697e80218a7346589fd
IXFL32N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 24A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2160.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd
IXFL38N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1119.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39
IXFL44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA4F820&compId=IXFL82N60P.pdf?ci_sign=aceb8365e96b8b9623c8f150f5e611f540782014
IXFL82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6536.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2180.46 грн
5+1853.18 грн
10+1741.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2312.36 грн
5+1897.90 грн
10+1769.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1426.16 грн
3+1328.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3357.26 грн
10+3053.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFN220N20X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3101.70 грн
3+2641.16 грн
10+2383.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2522.58 грн
3+2152.27 грн
10+1860.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3740.59 грн
3+3183.70 грн
10+2755.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P.pdf
IXFN26N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3858.06 грн
3+3285.05 грн
10+2841.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2165.01 грн
5+1774.68 грн
10+1655.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA766581850B820&compId=IXFN36N100.pdf?ci_sign=ed624506c3a3f62202f258b7df94949020d4b004
IXFN36N100
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 36A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.24Ω
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 180ns
Gate charge: 380nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7862.45 грн
3+6698.28 грн
10+5792.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P.pdf
IXFN40N110P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2362.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3.pdf
IXFN40N110Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2134.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T.pdf
IXFN420N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2448.39 грн
5+2022.10 грн
10+1929.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6917.51 грн
10+4779.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3128.49 грн
3+2666.99 грн
10+2306.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet
IXFN50N120SK
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8052.05 грн
3+6864.22 грн
10+5936.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]