| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFH110N25T | IXYS |
IXFH110N25T THT N channel transistors |
на замовлення 256 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N15P | IXYS | IXFH120N15P THT N channel transistors |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N20P | IXYS |
IXFH120N20P THT N channel transistors |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH120N30X3 | IXYS |
IXFH120N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH12N100P | IXYS |
IXFH12N100P THT N channel transistors |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH130N15X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 80ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH140N10P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH140N20X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH150N25X3 | IXYS |
IXFH150N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH15N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 On-state resistance: 760mΩ Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH160N15T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 253nC On-state resistance: 9mΩ Drain current: 160A Power dissipation: 880W Drain-source voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH170N25X3 | IXYS |
IXFH170N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH180N20X3 | IXYS |
IXFH180N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH18N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH230N075T2 | IXYS |
IXFH230N075T2 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH230N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 250nC Reverse recovery time: 82ns On-state resistance: 4.7mΩ Drain current: 230A Power dissipation: 650W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH24N90P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 660W Gate charge: 130nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH26N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH26N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH26N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH28N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH30N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; PolarHV™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH34N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC On-state resistance: 0.18Ω Drain current: 34A Power dissipation: 695W Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Technology: HiPerFET™; X2-Class Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH34N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH36N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH40N50Q | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH44N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 658W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH46N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH50N30Q3 | IXYS | IXFH50N30Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH52N30P | IXYS |
IXFH52N30P THT N channel transistors |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH52N50P2 | IXYS |
IXFH52N50P2 THT N channel transistors |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH56N30X3 | IXYS |
IXFH56N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH60N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 60A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH6N120 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 56nC Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH70N30Q3 | IXYS |
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH72N30X3 | IXYS |
IXFH72N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH74N20P | IXYS |
IXFH74N20P THT N channel transistors |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH76N15T2 | IXYS |
IXFH76N15T2 THT N channel transistors |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH80N25X3 | IXYS |
IXFH80N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFH80N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH80N65X2-4 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH88N30P | IXYS |
IXFH88N30P THT N channel transistors |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH96N15P | IXYS |
IXFH96N15P THT N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFH96N20P | IXYS |
IXFH96N20P THT N channel transistors |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFJ20N85X | IXYS |
IXFJ20N85X THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFK100N65X2 | IXYS |
IXFK100N65X2 THT N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFK102N30P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 102A Gate charge: 224nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 700W Kind of package: tube Case: TO264 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFK120N30T | IXYS | IXFK120N30T THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFK140N30P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 Mounting: THT Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 185nC On-state resistance: 24mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1.04kW Drain current: 140A Case: TO264 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFK150N30P3 | IXYS | IXFK150N30P3 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFK180N25T | IXYS | IXFK180N25T THT N channel transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFK210N30X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 190ns Gate charge: 375nC On-state resistance: 5.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 210A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1.25kW Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Case: TO264 Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFK220N20X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A Power dissipation: 960W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 116ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IXFH110N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH110N25T THT N channel transistors
IXFH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 979.23 грн |
| 2+ | 589.46 грн |
| 6+ | 556.98 грн |
| IXFH120N15P |
Виробник: IXYS
IXFH120N15P THT N channel transistors
IXFH120N15P THT N channel transistors
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 881.73 грн |
| 3+ | 572.73 грн |
| 6+ | 541.24 грн |
| 30+ | 540.59 грн |
| IXFH120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N20P THT N channel transistors
IXFH120N20P THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1185.88 грн |
| 2+ | 801.03 грн |
| 5+ | 757.73 грн |
| IXFH120N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1591.77 грн |
| 2+ | 1069.68 грн |
| 4+ | 1011.62 грн |
| IXFH12N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH12N100P THT N channel transistors
IXFH12N100P THT N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 865.83 грн |
| 3+ | 569.78 грн |
| 6+ | 539.27 грн |
| IXFH130N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 810.72 грн |
| 3+ | 690.82 грн |
| 10+ | 597.33 грн |
| 30+ | 593.39 грн |
| IXFH140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 757.73 грн |
| 3+ | 657.09 грн |
| 10+ | 559.94 грн |
| 30+ | 502.86 грн |
| IXFH140N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1059.77 грн |
| 10+ | 952.43 грн |
| 30+ | 842.36 грн |
| 120+ | 768.56 грн |
| IXFH150N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1526.07 грн |
| 2+ | 987.02 грн |
| 4+ | 933.88 грн |
| IXFH15N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1035.39 грн |
| 3+ | 892.13 грн |
| 10+ | 759.70 грн |
| 30+ | 681.96 грн |
| IXFH160N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 683.55 грн |
| 30+ | 535.49 грн |
| IXFH170N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1262.56 грн |
| 3+ | 1193.68 грн |
| IXFH180N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1335.31 грн |
| 2+ | 1069.68 грн |
| 4+ | 1011.62 грн |
| IXFH18N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 508.69 грн |
| 10+ | 333.15 грн |
| 30+ | 319.82 грн |
| IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.87 грн |
| 10+ | 414.90 грн |
| 30+ | 362.14 грн |
| 120+ | 318.84 грн |
| IXFH22N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 508.69 грн |
| 10+ | 387.31 грн |
| 30+ | 345.41 грн |
| IXFH22N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 608.31 грн |
| 3+ | 518.11 грн |
| 10+ | 448.74 грн |
| 30+ | 441.85 грн |
| IXFH22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 525.64 грн |
| 10+ | 364.82 грн |
| 30+ | 322.77 грн |
| 120+ | 319.82 грн |
| IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 521.41 грн |
| 5+ | 410.81 грн |
| 10+ | 341.47 грн |
| 30+ | 323.76 грн |
| IXFH230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 899.74 грн |
| 3+ | 494.00 грн |
| 7+ | 467.43 грн |
| IXFH230N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 778.93 грн |
| 10+ | 621.33 грн |
| 30+ | 487.11 грн |
| 120+ | 482.19 грн |
| IXFH24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 936.83 грн |
| IXFH26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 565.92 грн |
| 10+ | 450.67 грн |
| 30+ | 405.44 грн |
| 120+ | 394.61 грн |
| IXFH26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 615.72 грн |
| 5+ | 499.72 грн |
| 10+ | 433.97 грн |
| IXFH26N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 755.61 грн |
| 3+ | 622.35 грн |
| 5+ | 526.48 грн |
| 10+ | 507.78 грн |
| IXFH28N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.65 грн |
| 5+ | 468.04 грн |
| 10+ | 406.42 грн |
| IXFH30N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 759.85 грн |
| 3+ | 671.40 грн |
| 5+ | 617.01 грн |
| 10+ | 575.68 грн |
| 30+ | 520.57 грн |
| 60+ | 507.78 грн |
| IXFH34N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 874.31 грн |
| 10+ | 694.90 грн |
| 30+ | 510.73 грн |
| IXFH34N60X2A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 588.17 грн |
| 3+ | 532.42 грн |
| IXFH34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 647.52 грн |
| 10+ | 517.09 грн |
| 30+ | 465.46 грн |
| 120+ | 425.12 грн |
| 510+ | 406.42 грн |
| IXFH36N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 716.40 грн |
| IXFH40N50Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1828.10 грн |
| 3+ | 1564.56 грн |
| 10+ | 1351.13 грн |
| 30+ | 1212.37 грн |
| IXFH44N50P | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1008.90 грн |
| 6+ | 849.21 грн |
| 10+ | 710.50 грн |
| 30+ | 665.23 грн |
| IXFH46N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.45 грн |
| IXFH50N30Q3 |
Виробник: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1111.70 грн |
| 2+ | 953.56 грн |
| 4+ | 901.41 грн |
| 30+ | 900.31 грн |
| IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 834.04 грн |
| 5+ | 653.01 грн |
| 10+ | 574.70 грн |
| IXFH52N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
IXFH52N30P THT N channel transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 676.13 грн |
| 3+ | 425.12 грн |
| 8+ | 401.50 грн |
| IXFH52N50P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH52N50P2 THT N channel transistors
IXFH52N50P2 THT N channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1095.80 грн |
| 2+ | 727.23 грн |
| 5+ | 687.86 грн |
| IXFH56N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 850.99 грн |
| 2+ | 629.80 грн |
| 6+ | 596.35 грн |
| 60+ | 594.76 грн |
| IXFH60N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 690.97 грн |
| 5+ | 596.80 грн |
| IXFH6N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 927.30 грн |
| 3+ | 834.91 грн |
| 10+ | 686.88 грн |
| 30+ | 672.12 грн |
| IXFH70N30Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2108.94 грн |
| 2+ | 809.89 грн |
| 4+ | 765.61 грн |
| IXFH72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1037.51 грн |
| 2+ | 684.91 грн |
| 5+ | 647.52 грн |
| IXFH74N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
IXFH74N20P THT N channel transistors
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 681.43 грн |
| 3+ | 440.86 грн |
| 8+ | 416.26 грн |
| IXFH76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 618.90 грн |
| 4+ | 354.27 грн |
| 10+ | 335.57 грн |
| IXFH80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1115.94 грн |
| 2+ | 597.33 грн |
| 6+ | 564.86 грн |
| IXFH80N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1118.05 грн |
| 3+ | 1007.61 грн |
| 5+ | 895.50 грн |
| IXFH80N65X2-4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1243.11 грн |
| 5+ | 1076.08 грн |
| 10+ | 928.96 грн |
| 30+ | 915.18 грн |
| IXFH88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1369.22 грн |
| 2+ | 888.62 грн |
| 4+ | 840.40 грн |
| IXFH96N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 671.89 грн |
| 3+ | 392.64 грн |
| 9+ | 370.99 грн |
| IXFH96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 604.07 грн |
| 3+ | 544.19 грн |
| 6+ | 514.67 грн |
| IXFJ20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1197.54 грн |
| 2+ | 753.80 грн |
| 5+ | 713.45 грн |
| IXFK100N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK100N65X2 THT N channel transistors
IXFK100N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1233.04 грн |
| 3+ | 1165.14 грн |
| IXFK102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1372.40 грн |
| 10+ | 1131.26 грн |
| 25+ | 921.09 грн |
| IXFK120N30T |
Виробник: IXYS
IXFK120N30T THT N channel transistors
IXFK120N30T THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.46 грн |
| 3+ | 445.78 грн |
| 8+ | 421.18 грн |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1716.82 грн |
| 5+ | 1457.26 грн |
| 10+ | 1305.86 грн |
| IXFK150N30P3 |
Виробник: IXYS
IXFK150N30P3 THT N channel transistors
IXFK150N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1481.02 грн |
| 3+ | 1400.33 грн |
| IXFK180N25T |
Виробник: IXYS
IXFK180N25T THT N channel transistors
IXFK180N25T THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1363.92 грн |
| 3+ | 1289.13 грн |
| IXFK210N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2526.49 грн |
| 10+ | 2177.71 грн |
| IXFK220N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1576.93 грн |
| 3+ | 1340.76 грн |
| 10+ | 1171.04 грн |




