| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXDF604SIA | IXYS |
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 333 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Technology: NPT Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 204 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDI602PI | IXYS |
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI602SI | IXYS |
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI602SIA | IXYS |
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI604PI | IXYS |
IXDI604PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 936 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI604SIA | IXYS |
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI609CI | IXYS |
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 778 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDI609SIA | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: inverting Turn-on time: 115ns Turn-off time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 893 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDI609YI | IXYS |
IXDI609YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI614CI | IXYS |
IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDI614PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 513 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDI630MCI | IXYS |
IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI630MYI | IXYS |
IXDI630MYI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI630YI | IXYS |
IXDI630YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 190 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN602D2TR | IXYS |
IXDN602D2TR MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN602PI | IXYS |
IXDN602PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 189 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN602SIA | IXYS |
IXDN602SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 534 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN604PI | IXYS |
IXDN604PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN604SI | IXYS |
IXDN604SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 878 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN604SIA | IXYS |
IXDN604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN609CI | IXYS |
IXDN609CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN609PI | IXYS |
IXDN609PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 623 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN609SI | IXYS |
IXDN609SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN609SIA | IXYS |
IXDN609SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 273 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN609YI | IXYS |
IXDN609YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 814 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN614CI | IXYS |
IXDN614CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDN614PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDN614SI | IXYS |
IXDN614SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN614YI | IXYS |
IXDN614YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 163 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN630CI | IXYS |
IXDN630CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 392 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN630MCI | IXYS |
IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 105 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN630MYI | IXYS |
IXDN630MYI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 289 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDN630YI | IXYS |
IXDN630YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFA10N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFA110N15T2 | IXYS | IXFA110N15T2 SMD N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Reverse recovery time: 300ns Gate charge: 29nC On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA16N50P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 330W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA16N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA180N10T2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 66ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA18N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO263 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 127ns Gate charge: 35nC Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA20N50P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA22N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO263 On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFA230N075T2 | IXYS |
IXFA230N075T2 SMD N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA230N075T2-7 | IXYS |
IXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFA24N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFA26N50P3 | IXYS |
IXFA26N50P3 SMD N channel transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA38N30X3 | IXYS |
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA3N120 | IXYS |
IXFA3N120 SMD N channel transistors |
на замовлення 319 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA4N85X | IXYS |
IXFA4N85X SMD N channel transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA56N30X3 | IXYS | IXFA56N30X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA60N25X3 | IXYS | IXFA60N25X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 79 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA72N20X3 | IXYS | IXFA72N20X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA7N100P | IXYS |
IXFA7N100P SMD N channel transistors |
на замовлення 132 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFA7N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFA80N25X3 | IXYS |
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFA8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFA8N85XHV | IXYS |
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXFA90N20X3 | IXYS |
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXFB150N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56kW Case: PLUS264™ Mounting: THT Gate charge: 355nC Kind of package: tube Reverse recovery time: 260ns On-state resistance: 17mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 150A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 333 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| 12+ | 105.80 грн |
| 31+ | 99.87 грн |
| 50+ | 99.60 грн |
| IXDH20N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Technology: NPT
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Technology: NPT
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 599.50 грн |
| 3+ | 520.58 грн |
| 10+ | 442.97 грн |
| 30+ | 397.48 грн |
| IXDI602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.58 грн |
| 17+ | 71.19 грн |
| 46+ | 67.24 грн |
| 1000+ | 66.74 грн |
| IXDI602SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.15 грн |
| 16+ | 76.13 грн |
| 43+ | 71.19 грн |
| IXDI602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.33 грн |
| 16+ | 73.17 грн |
| 44+ | 69.21 грн |
| IXDI604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI604PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI604PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 936 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.66 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| IXDI604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.71 грн |
| 10+ | 109.87 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| IXDI609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 315.19 грн |
| 6+ | 214.56 грн |
| 15+ | 202.70 грн |
| 250+ | 202.28 грн |
| IXDI609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.87 грн |
| 10+ | 136.56 грн |
| 25+ | 113.71 грн |
| 50+ | 102.83 грн |
| 100+ | 93.93 грн |
| 200+ | 90.97 грн |
| IXDI609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609YI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.60 грн |
| 6+ | 215.55 грн |
| 15+ | 203.69 грн |
| IXDI614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 406.76 грн |
| 4+ | 326.29 грн |
| 10+ | 308.49 грн |
| IXDI614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.67 грн |
| 10+ | 193.04 грн |
| 25+ | 161.17 грн |
| 50+ | 145.35 грн |
| 100+ | 142.38 грн |
| IXDI630MCI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers
IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 817.78 грн |
| 3+ | 543.82 грн |
| 6+ | 514.16 грн |
| 100+ | 513.40 грн |
| IXDI630MYI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI630MYI MOSFET/IGBT drivers
IXDI630MYI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1025.43 грн |
| 3+ | 552.72 грн |
| 6+ | 523.06 грн |
| IXDI630YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI630YI MOSFET/IGBT drivers
IXDI630YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 756.02 грн |
| 2+ | 594.25 грн |
| 6+ | 561.62 грн |
| IXDN602D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN602D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDN602D2TR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.41 грн |
| 17+ | 71.19 грн |
| 45+ | 68.22 грн |
| 1000+ | 67.77 грн |
| IXDN602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN602PI MOSFET/IGBT drivers
IXDN602PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 189 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.83 грн |
| 16+ | 73.17 грн |
| 25+ | 72.90 грн |
| 44+ | 69.21 грн |
| IXDN602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDN602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 534 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.26 грн |
| 17+ | 71.19 грн |
| 46+ | 67.24 грн |
| IXDN604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN604PI MOSFET/IGBT drivers
IXDN604PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| 12+ | 105.80 грн |
| 31+ | 100.85 грн |
| IXDN604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN604SI MOSFET/IGBT drivers
IXDN604SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 878 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.46 грн |
| 7+ | 175.01 грн |
| 19+ | 165.12 грн |
| IXDN604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDN604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.75 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 25+ | 99.60 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| IXDN609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDN609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.60 грн |
| 6+ | 204.67 грн |
| 16+ | 193.80 грн |
| IXDN609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609PI MOSFET/IGBT drivers
IXDN609PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 623 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 12+ | 99.87 грн |
| 33+ | 94.92 грн |
| IXDN609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609SI MOSFET/IGBT drivers
IXDN609SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.84 грн |
| 8+ | 155.24 грн |
| 21+ | 146.34 грн |
| IXDN609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDN609SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 12+ | 99.87 грн |
| 33+ | 94.92 грн |
| IXDN609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609YI MOSFET/IGBT drivers
IXDN609YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 814 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.66 грн |
| 7+ | 188.85 грн |
| 18+ | 178.97 грн |
| 500+ | 178.66 грн |
| IXDN614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN614CI MOSFET/IGBT drivers
IXDN614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 463.20 грн |
| 4+ | 320.36 грн |
| 11+ | 302.56 грн |
| 50+ | 301.88 грн |
| IXDN614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.74 грн |
| 10+ | 211.52 грн |
| 50+ | 158.20 грн |
| 100+ | 143.37 грн |
| 250+ | 127.55 грн |
| 500+ | 125.57 грн |
| IXDN614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN614SI MOSFET/IGBT drivers
IXDN614SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.38 грн |
| 5+ | 258.07 грн |
| 13+ | 244.22 грн |
| IXDN614YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN614YI MOSFET/IGBT drivers
IXDN614YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.13 грн |
| 4+ | 330.25 грн |
| 10+ | 312.45 грн |
| IXDN630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN630CI MOSFET/IGBT drivers
IXDN630CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 392 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 682.55 грн |
| 2+ | 617.98 грн |
| 6+ | 584.36 грн |
| IXDN630MCI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers
IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 781.58 грн |
| 2+ | 594.25 грн |
| 6+ | 561.62 грн |
| IXDN630MYI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN630MYI MOSFET/IGBT drivers
IXDN630MYI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 781.58 грн |
| 2+ | 617.98 грн |
| 6+ | 584.36 грн |
| IXDN630YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN630YI MOSFET/IGBT drivers
IXDN630YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 781.58 грн |
| 2+ | 594.25 грн |
| 6+ | 561.62 грн |
| IXFA10N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 383.34 грн |
| 3+ | 328.57 грн |
| 10+ | 245.21 грн |
| 50+ | 228.40 грн |
| IXFA110N15T2 |
Виробник: IXYS
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 630.38 грн |
| 4+ | 339.15 грн |
| 10+ | 320.36 грн |
| IXFA12N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.17 грн |
| 50+ | 218.71 грн |
| IXFA16N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.88 грн |
| 3+ | 326.52 грн |
| 10+ | 277.84 грн |
| 50+ | 250.16 грн |
| IXFA16N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.29 грн |
| IXFA180N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.09 грн |
| 10+ | 380.94 грн |
| IXFA18N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Gate charge: 35nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Gate charge: 35nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.10 грн |
| 3+ | 231.03 грн |
| IXFA20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.47 грн |
| 3+ | 235.14 грн |
| 10+ | 222.47 грн |
| IXFA22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.98 грн |
| 3+ | 341.92 грн |
| 10+ | 290.70 грн |
| 50+ | 272.90 грн |
| IXFA230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA230N075T2 SMD N channel transistors
IXFA230N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.26 грн |
| 6+ | 225.44 грн |
| 15+ | 213.57 грн |
| IXFA230N075T2-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
IXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 626.12 грн |
| 4+ | 352.00 грн |
| 10+ | 332.22 грн |
| IXFA24N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 486.62 грн |
| 3+ | 422.01 грн |
| 10+ | 358.92 грн |
| 50+ | 322.34 грн |
| IXFA26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA26N50P3 SMD N channel transistors
IXFA26N50P3 SMD N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.24 грн |
| 19+ | 163.15 грн |
| IXFA38N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.38 грн |
| 4+ | 344.09 грн |
| 10+ | 325.30 грн |
| IXFA3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA3N120 SMD N channel transistors
IXFA3N120 SMD N channel transistors
на замовлення 319 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 910.42 грн |
| 2+ | 594.25 грн |
| 6+ | 561.62 грн |
| IXFA4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA4N85X SMD N channel transistors
IXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.86 грн |
| 9+ | 134.47 грн |
| 24+ | 127.55 грн |
| IXFA56N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 786.90 грн |
| 3+ | 486.47 грн |
| 7+ | 460.76 грн |
| IXFA60N25X3 |
Виробник: IXYS
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 692.14 грн |
| 3+ | 473.62 грн |
| 7+ | 447.91 грн |
| IXFA72N20X3 |
Виробник: IXYS
IXFA72N20X3 SMD N channel transistors
IXFA72N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 749.64 грн |
| 3+ | 449.89 грн |
| 8+ | 425.17 грн |
| 500+ | 425.09 грн |
| IXFA7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA7N100P SMD N channel transistors
IXFA7N100P SMD N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 654.87 грн |
| 4+ | 352.99 грн |
| 10+ | 334.20 грн |
| IXFA7N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.50 грн |
| 50+ | 205.36 грн |
| 100+ | 179.96 грн |
| 500+ | 176.99 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 827.37 грн |
| 3+ | 538.88 грн |
| 6+ | 509.21 грн |
| IXFA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.86 грн |
| 5+ | 72.90 грн |
| 10+ | 67.24 грн |
| 50+ | 61.30 грн |
| IXFA8N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 562.23 грн |
| 3+ | 445.93 грн |
| 8+ | 422.20 грн |
| IXFA90N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 562.23 грн |
| 3+ | 543.82 грн |
| 6+ | 514.16 грн |
| 50+ | 513.40 грн |
| IXFB150N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2385.20 грн |
| 10+ | 2265.11 грн |






