Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15958) > Сторінка 239 з 266

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 260 266  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LDA110STR LDA110STR IXYS LDA110.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Kind of output: Darlington
Mounting: SMD
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1A
CTR@If: 300-30000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR CPC1017NTR IXYS CPC1017N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01A DSSK16-01A IXYS DSSK16-01A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 8Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01AS DSSK16-01AS IXYS DSSK16-01A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 8Ax2; reel,tape; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA120E1200HB IXYS CLA120E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; 70mA; TO247-3; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Gate current: 70mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.22 грн
10+148.14 грн
50+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.56 грн
10+121.90 грн
20+103.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.02 грн
10+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+818.64 грн
5+641.66 грн
10+579.86 грн
30+495.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+834.14 грн
3+698.37 грн
10+617.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DK208DRP IXYS littelfuse_thyristor_dk208d_datasheet.pdf.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 4us; DPAK,SC63; Ifsm: 180A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK; SC63
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2 IXTP160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909N CPC9909N IXYS CPC9909.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 2mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Mounting: SMD
Input voltage: 8...550V
Output current: 2mA
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.07 грн
5+122.74 грн
10+110.05 грн
25+101.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909NE CPC9909NE IXYS CPC9909.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8-EP
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Mounting: SMD
Input voltage: 8...550V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.03 грн
10+121.90 грн
15+116.82 грн
25+110.05 грн
50+104.12 грн
100+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909NETR CPC9909NETR IXYS CPC9909.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8-EP
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8-EP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Input voltage: 8...550V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909NTR CPC9909NTR IXYS CPC9909.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Input voltage: 8...550V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910B MXHV9910B IXYS MXHV9910.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BE IXYS MXHV9910.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; 12V
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BETR IXYS MXHV9910.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; 12V
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8-EP
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BTR MXHV9910BTR IXYS MXHV9910.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.03 грн
3+503.67 грн
10+413.10 грн
50+387.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+602.59 грн
3+507.91 грн
10+416.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965G CPC1965G IXYS CPC1965G.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x7.62x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 260V AC
Case: DIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+523.27 грн
10+435.11 грн
25+399.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+454.90 грн
3+374.16 грн
5+344.53 грн
10+304.74 грн
25+277.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T IXTA76N25T IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 148ns
Gate charge: 92nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRL IXTA76P10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 100V; 76A; 298W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 168A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO268HV
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-12io1 MCC132-12io1 IXYS L079.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 5.08kA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5360.37 грн
6+4756.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-08io1 MCC132-08io1 IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3952.82 грн
3+3426.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-16io1 IXYS MCC132-16IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.14V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.14V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-14io1 IXYS MCC132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 4.04kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-18io1 IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-18IO1B IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-14IO1B IXYS MCC132-14io1B.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-16IO1B IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80MT1600NHR CMA80MT1600NHR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=11388d72-0f25-488d-93bd-e4a6e9d546e9&filename=littelfuse-power-semiconductors-cma80mt1600nhr-datasheet Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 40A; ISO247™; Igt: 70/90mA; Ifsm: 325A
Case: ISO247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+725.66 грн
10+557.85 грн
30+473.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80MT1600NHB IXYS CMA80MT1600NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 325A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA60MT1600NHB IXYS CMA60MT1600NHB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 30A; TO247-3; Igt: 60/80mA; Ifsm: 220A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 220A
Case: TO247-3
Gate current: 60/80mA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA60MT1600NHR IXYS CMA60MT1600NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 30A; ISO247™; Igt: 60/80mA; Ifsm: 220A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 220A
Case: ISO247™
Gate current: 60/80mA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12A DSP8-12A IXYS DSP8-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; Ifsm: 100A; TO220AB; tube; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.72 грн
5+224.33 грн
10+187.93 грн
25+147.29 грн
50+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS-TRL IXYS DSP8-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.22 грн
5+220.94 грн
10+201.47 грн
25+176.07 грн
100+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS-TUB IXYS DSP8-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427N IX4427N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.58 грн
10+51.89 грн
25+46.13 грн
50+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427MTR IX4427MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHV IXBT16N170AHV IXYS IXBA16N170AHV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1123.13 грн
3+927.78 грн
10+832.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBT16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1137.71 грн
3+927.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 65A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3309.21 грн
3+2712.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+596.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS IXYH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS IXGH(T)40N120A2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS IXGH40N120B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS IXGH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS IXGH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n120a4_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 275A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDA110STR LDA110.pdf
LDA110STR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Kind of output: Darlington
Mounting: SMD
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1A
CTR@If: 300-30000%@1mA
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T.pdf
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR CPC1017N.pdf
CPC1017NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V DC; max. 600V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01A DSSK16-01A.pdf
DSSK16-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 8Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK16-01AS DSSK16-01A.pdf
DSSK16-01AS
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 8Ax2; reel,tape; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA120E1200HB CLA120E1200HB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; 70mA; TO247-3; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Gate current: 70mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.22 грн
10+148.14 грн
50+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.56 грн
10+121.90 грн
20+103.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+55.02 грн
10+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+818.64 грн
5+641.66 грн
10+579.86 грн
30+495.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+834.14 грн
3+698.37 грн
10+617.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DK208DRP littelfuse_thyristor_dk208d_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 4us; DPAK,SC63; Ifsm: 180A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK; SC63
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTP160N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTA160N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909N CPC9909.pdf
CPC9909N
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 2mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Mounting: SMD
Input voltage: 8...550V
Output current: 2mA
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.07 грн
5+122.74 грн
10+110.05 грн
25+101.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909NE CPC9909.pdf
CPC9909NE
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8-EP
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Mounting: SMD
Input voltage: 8...550V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.03 грн
10+121.90 грн
15+116.82 грн
25+110.05 грн
50+104.12 грн
100+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909NETR CPC9909.pdf
CPC9909NETR
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8-EP
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8-EP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Input voltage: 8...550V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC9909NTR CPC9909.pdf
CPC9909NTR
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Input voltage: 8...550V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910B MXHV9910.pdf
MXHV9910B
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: tube
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BE MXHV9910.pdf
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; 12V
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BETR MXHV9910.pdf
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; 12V
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8-EP
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXHV9910BTR MXHV9910.pdf
MXHV9910BTR
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8
Mounting: SMD
Output voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Frequency: 64kHz
Topology: buck
Input voltage: 8...450V
Output current: 0.28A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+598.03 грн
3+503.67 грн
10+413.10 грн
50+387.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+602.59 грн
3+507.91 грн
10+416.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965G CPC1965G.pdf
CPC1965G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x7.62x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 260V AC
Case: DIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.27 грн
10+435.11 грн
25+399.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXT_76P10T_HV.pdf
IXTA76P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+454.90 грн
3+374.16 грн
5+344.53 грн
10+304.74 грн
25+277.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf
IXTA76N25T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 148ns
Gate charge: 92nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
IXTA76P10T-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 100V; 76A; 298W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 168A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO268HV
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-12io1 L079.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCC132-12io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 5.08kA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5360.37 грн
6+4756.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-08io1 PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCC132-08io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3952.82 грн
3+3426.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-16io1 MCC132-16IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.14V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.14V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 4.75kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-14io1 MCC132-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 4.04kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-18io1 PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-18IO1B PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-14IO1B MCC132-14io1B.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-16IO1B PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80MT1600NHR media?resourcetype=datasheets&itemid=11388d72-0f25-488d-93bd-e4a6e9d546e9&filename=littelfuse-power-semiconductors-cma80mt1600nhr-datasheet
CMA80MT1600NHR
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 40A; ISO247™; Igt: 70/90mA; Ifsm: 325A
Case: ISO247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+725.66 грн
10+557.85 грн
30+473.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80MT1600NHB CMA80MT1600NHB.pdf
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 325A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 70/90mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 325A
Max. off-state voltage: 1.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA60MT1600NHB CMA60MT1600NHB.pdf
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 30A; TO247-3; Igt: 60/80mA; Ifsm: 220A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 220A
Case: TO247-3
Gate current: 60/80mA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA60MT1600NHR CMA60MT1600NHR.pdf
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.6kV; 30A; ISO247™; Igt: 60/80mA; Ifsm: 220A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 220A
Case: ISO247™
Gate current: 60/80mA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12A DSP8-12A.pdf
DSP8-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; Ifsm: 100A; TO220AB; tube; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+322.72 грн
5+224.33 грн
10+187.93 грн
25+147.29 грн
50+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS.pdf
DSP8-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.22 грн
5+220.94 грн
10+201.47 грн
25+176.07 грн
100+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS.pdf
DSP8-12AS-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427N IX4426-27-28.pdf
IX4427N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.58 грн
10+51.89 грн
25+46.13 грн
50+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427MTR IX4426-27-28.pdf
IX4427MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHV IXBA16N170AHV.pdf
IXBT16N170AHV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1123.13 грн
3+927.78 грн
10+832.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBT16N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1137.71 грн
3+927.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 65A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3309.21 грн
3+2712.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+596.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYP20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH(T)40N120A2.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3.pdf
IXGH40N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n120a4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 275A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 260 266  [ Наступна Сторінка >> ]