Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFP14N60P | IXYS |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP14N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFP14N85XM | IXYS |
![]() |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXFP16N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 300W Gate charge: 43nC Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP16N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB Mounting: THT Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: HiPerFET™; Polar3™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP180N10T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 480W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 185nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 66ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP18N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 290W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP18N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP20N50P3M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 58W Case: TO220FP On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP20N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP220N06T3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 220A Power dissipation: 440W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP22N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO220AB On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP22N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO220AB On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP22N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 37W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP230N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFP24N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFP26N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP26N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXFP26N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP270N06T3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 480W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ Reverse recovery time: 47ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXFP30N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP30N25X3M | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFP30N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO220AB On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP34N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP36N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 36A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 21nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP36N20X3M | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFP36N30P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP36N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFP38N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP38N30X3M | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP3N120 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFP44N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W Mounting: THT Power dissipation: 240W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 33nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 66A Case: TO220AB Reverse recovery time: 87ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 44A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFP4N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Power dissipation: 150W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP4N100PM | IXYS | IXFP4N100PM THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFP4N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP4N85XM | IXYS |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXFP50N20X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W Reverse recovery time: 70ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 240W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 33nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP56N30X3 | IXYS | IXFP56N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP56N30X3M | IXYS |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXFP5N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 33.4nC Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP60N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP60N25X3M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 36W Case: TO220FP On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP6N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 92nC Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP72N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO220AB Reverse recovery time: 84ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 320W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 55nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP72N20X3M | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 36W; TO220FP Reverse recovery time: 84ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 55nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP72N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP72N30X3M | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFP76N15T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns Reverse recovery time: 69ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 76A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 97nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP7N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB Mounting: THT Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A On-state resistance: 1.9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP80N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFP8N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFP8N85XM | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A On-state resistance: 12.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3M | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFP14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP14N60P THT N channel transistors
IXFP14N60P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 359.35 грн |
5+ | 224.25 грн |
13+ | 211.69 грн |
IXFP14N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP14N85X THT N channel transistors
IXFP14N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP14N85XM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP14N85XM THT N channel transistors
IXFP14N85XM THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 507.15 грн |
4+ | 320.23 грн |
10+ | 303.19 грн |
IXFP16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 338.10 грн |
3+ | 292.49 грн |
5+ | 224.25 грн |
14+ | 212.59 грн |
IXFP16N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 412.48 грн |
5+ | 267.34 грн |
12+ | 243.09 грн |
500+ | 234.12 грн |
IXFP16N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 535.16 грн |
5+ | 263.61 грн |
12+ | 240.40 грн |
500+ | 233.22 грн |
IXFP180N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 459.82 грн |
3+ | 392.16 грн |
4+ | 339.96 грн |
9+ | 321.13 грн |
50+ | 315.74 грн |
IXFP18N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.87 грн |
3+ | 213.31 грн |
10+ | 198.24 грн |
IXFP18N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP18N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP20N50P3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.91 грн |
3+ | 212.38 грн |
10+ | 195.55 грн |
IXFP220N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 289.80 грн |
3+ | 246.85 грн |
5+ | 214.38 грн |
10+ | 213.49 грн |
14+ | 202.72 грн |
50+ | 199.13 грн |
IXFP22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 447.26 грн |
5+ | 260.82 грн |
12+ | 237.70 грн |
1000+ | 228.74 грн |
IXFP22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 451.12 грн |
4+ | 285.04 грн |
11+ | 260.13 грн |
100+ | 249.37 грн |
IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 421.18 грн |
5+ | 235.67 грн |
13+ | 214.38 грн |
100+ | 209.00 грн |
500+ | 206.31 грн |
IXFP230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP230N075T2 THT N channel transistors
IXFP230N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP24N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP26N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 295.60 грн |
5+ | 220.66 грн |
14+ | 209.00 грн |
IXFP26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP26N50P3 THT N channel transistors
IXFP26N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 743.82 грн |
3+ | 454.78 грн |
7+ | 429.66 грн |
IXFP26N65X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 765.07 грн |
3+ | 493.70 грн |
7+ | 449.40 грн |
1000+ | 431.46 грн |
IXFP270N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP30N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP30N25X3 THT N channel transistors
IXFP30N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 474.31 грн |
4+ | 332.79 грн |
9+ | 314.85 грн |
IXFP30N25X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP30N25X3M THT N channel transistors
IXFP30N25X3M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP30N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP34N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP34N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP36N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.49 грн |
5+ | 219.83 грн |
14+ | 200.03 грн |
50+ | 199.13 грн |
100+ | 192.86 грн |
IXFP36N20X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N20X3M THT N channel transistors
IXFP36N20X3M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP36N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N30P3 THT N channel transistors
IXFP36N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 330.37 грн |
5+ | 231.43 грн |
13+ | 218.87 грн |
IXFP36N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP36N60X3 THT N channel transistors
IXFP36N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP38N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP38N30X3 THT N channel transistors
IXFP38N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 431.80 грн |
4+ | 272.69 грн |
11+ | 258.34 грн |
IXFP38N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP38N30X3M THT N channel transistors
IXFP38N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 479.14 грн |
4+ | 302.29 грн |
10+ | 286.14 грн |
IXFP3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP3N120 THT N channel transistors
IXFP3N120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP44N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: THT
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: THT
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP4N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 304.29 грн |
3+ | 264.55 грн |
6+ | 202.72 грн |
15+ | 191.06 грн |
IXFP4N100PM |
Виробник: IXYS
IXFP4N100PM THT N channel transistors
IXFP4N100PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.68 грн |
6+ | 185.68 грн |
16+ | 175.81 грн |
IXFP4N85XM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N85XM THT N channel transistors
IXFP4N85XM THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.62 грн |
8+ | 147.11 грн |
20+ | 139.04 грн |
IXFP50N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Reverse recovery time: 70ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Reverse recovery time: 70ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 486.86 грн |
3+ | 422.90 грн |
4+ | 324.71 грн |
9+ | 306.77 грн |
50+ | 301.39 грн |
IXFP56N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 680.06 грн |
3+ | 447.60 грн |
7+ | 422.49 грн |
IXFP56N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 750.58 грн |
3+ | 474.51 грн |
7+ | 448.50 грн |
IXFP5N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 425.04 грн |
5+ | 259.89 грн |
12+ | 236.81 грн |
1000+ | 227.84 грн |
IXFP60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 610.51 грн |
3+ | 468.54 грн |
7+ | 426.97 грн |
50+ | 419.80 грн |
IXFP60N25X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 563.18 грн |
3+ | 434.08 грн |
7+ | 395.58 грн |
50+ | 387.50 грн |
IXFP6N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 761.21 грн |
3+ | 526.30 грн |
6+ | 479.00 грн |
IXFP72N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO220AB
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO220AB
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 580.57 грн |
3+ | 446.19 грн |
7+ | 406.34 грн |
50+ | 400.06 грн |
IXFP72N20X3M |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 36W; TO220FP
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 36W; TO220FP
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 580.57 грн |
3+ | 446.19 грн |
7+ | 406.34 грн |
50+ | 400.06 грн |
IXFP72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 759.28 грн |
2+ | 546.27 грн |
6+ | 515.78 грн |
IXFP72N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP72N30X3M THT N channel transistors
IXFP72N30X3M THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 410.55 грн |
5+ | 258.03 грн |
12+ | 235.01 грн |
250+ | 226.04 грн |
IXFP7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 425.04 грн |
3+ | 362.35 грн |
4+ | 313.95 грн |
10+ | 296.91 грн |
50+ | 292.42 грн |
IXFP7N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.21 грн |
8+ | 150.90 грн |
20+ | 137.24 грн |
IXFP80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 781.49 грн |
3+ | 475.41 грн |
7+ | 449.40 грн |
IXFP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.94 грн |
3+ | 194.68 грн |
7+ | 169.53 грн |
18+ | 160.56 грн |
50+ | 156.08 грн |
IXFP8N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP8N85X THT N channel transistors
IXFP8N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP8N85XM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP8N85XM THT N channel transistors
IXFP8N85XM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP90N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 577.67 грн |
3+ | 433.15 грн |
7+ | 393.78 грн |
100+ | 391.09 грн |
250+ | 379.43 грн |
IXFP90N20X3M |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.