Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16536) > Сторінка 239 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3287.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X IXYS IXFN66N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4116.71 грн
3+3506.64 грн
10+3031.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.43 грн
3+217.61 грн
10+185.63 грн
50+167.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.93 грн
10+200.72 грн
50+180.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP130N10T2 IXFP130N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDDFC904CE7820&compId=IXFA(P)130N10T2.pdf?ci_sign=9f7a4995595efb7e18b0a338b9a9c0baa1ff9a83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 10.1mΩ
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.57 грн
3+280.21 грн
10+239.22 грн
50+222.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N85XM IXFP14N85XM IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA7B820&compId=IXFP14N85XM.pdf?ci_sign=fba212d00ea120f7800f4e1c9c0e098254fe3612 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+442.07 грн
10+288.16 грн
50+219.12 грн
100+218.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.94 грн
10+304.06 грн
50+258.35 грн
100+244.00 грн
250+230.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.63 грн
50+276.24 грн
100+245.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+486.38 грн
3+396.47 грн
10+333.94 грн
50+330.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+401.88 грн
10+331.88 грн
50+278.45 грн
100+260.27 грн
250+235.39 грн
500+224.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.40 грн
10+336.85 грн
50+266.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+390.55 грн
10+266.30 грн
50+220.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.10 грн
6+219.12 грн
15+206.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+698.66 грн
10+599.18 грн
50+507.14 грн
100+475.56 грн
250+442.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS 238_K248734.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+696.59 грн
5+626.01 грн
10+557.85 грн
50+481.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+527.60 грн
10+342.81 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+548.21 грн
10+387.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3 IXFP36N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+319.44 грн
10+221.59 грн
50+189.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 IXFP38N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.91 грн
3+319.96 грн
10+272.71 грн
50+244.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+359.63 грн
10+305.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+300.90 грн
3+261.33 грн
10+221.99 грн
50+200.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+471.95 грн
6+198.07 грн
16+187.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3 IXFP50N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.23 грн
3+418.33 грн
10+355.95 грн
50+314.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3 IXYS IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+729.57 грн
3+481.30 грн
7+454.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+741.93 грн
3+506.18 грн
7+478.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.49 грн
10+252.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+680.11 грн
3+611.10 грн
10+520.53 грн
50+438.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A59820&compId=IXFP60N25X3M.pdf?ci_sign=313b25dbeb5aa4d0c3060d4a0514a7fa0f1de198 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+616.22 грн
3+526.64 грн
10+411.45 грн
50+409.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+747.09 грн
3+673.70 грн
10+570.29 грн
25+509.05 грн
50+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 150V
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+415.28 грн
5+275.24 грн
12+250.70 грн
250+242.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P IXFP7N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.98 грн
50+180.85 грн
100+155.97 грн
500+146.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+864.56 грн
3+508.09 грн
7+480.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.67 грн
3+192.77 грн
10+167.45 грн
50+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFP90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+440.01 грн
7+420.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+933.60 грн
3+797.91 грн
10+689.90 грн
30+681.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.11 грн
10+318.97 грн
30+280.36 грн
120+266.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+918.14 грн
10+732.33 грн
30+548.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+883.11 грн
3+503.31 грн
7+475.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+551.30 грн
4+311.94 грн
10+295.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+923.30 грн
2+636.31 грн
5+601.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ8N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFQ8N85X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+568.82 грн
4+309.07 грн
11+291.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXYS IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+920.21 грн
2+581.77 грн
6+550.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3 IXYS IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1001.61 грн
2+739.65 грн
5+699.46 грн
30+698.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1414.83 грн
3+1215.25 грн
10+1061.16 грн
30+1033.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS IXFR15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1578.67 грн
10+1311.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N120P IXFR16N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6AF3820&compId=IXFR16N120P.pdf?ci_sign=c5d52f7707a5974bc788f8cbdd3db53ecdbc4df9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+723.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR18N90P IXFR18N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1137.63 грн
3+985.71 грн
10+834.38 грн
30+752.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P IXFR20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2629.75 грн
3+2273.50 грн
10+1936.69 грн
30+1745.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B63DCDB6-3E62-405C-8F21-37A96C622526&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR20N80P-Datasheet.PDF IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.59 грн
2+630.57 грн
5+596.12 грн
30+595.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR230N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1702.25 грн
2+1609.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2956.40 грн
3+2570.61 грн
10+2180.68 грн
30+1961.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1038.71 грн
3+898.27 грн
10+764.53 грн
30+687.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3717.92 грн
3+3226.42 грн
10+2745.23 грн
30+2466.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n120p_datasheet.pdf.pdf IXFR26N120P THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2862.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+972.76 грн
3+850.58 грн
10+723.39 грн
30+649.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3981.72 грн
3+3457.95 грн
10+2939.48 грн
30+2640.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3287.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X.pdf
IXFN66N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4116.71 грн
3+3506.64 грн
10+3031.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.43 грн
3+217.61 грн
10+185.63 грн
50+167.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.93 грн
10+200.72 грн
50+180.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP130N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDDFC904CE7820&compId=IXFA(P)130N10T2.pdf?ci_sign=9f7a4995595efb7e18b0a338b9a9c0baa1ff9a83
IXFP130N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 10.1mΩ
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.57 грн
3+280.21 грн
10+239.22 грн
50+222.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N85XM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA7B820&compId=IXFP14N85XM.pdf?ci_sign=fba212d00ea120f7800f4e1c9c0e098254fe3612
IXFP14N85XM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.07 грн
10+288.16 грн
50+219.12 грн
100+218.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFP16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.94 грн
10+304.06 грн
50+258.35 грн
100+244.00 грн
250+230.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.63 грн
50+276.24 грн
100+245.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe
IXFP180N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.38 грн
3+396.47 грн
10+333.94 грн
50+330.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFP20N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFP22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.88 грн
10+331.88 грн
50+278.45 грн
100+260.27 грн
250+235.39 грн
500+224.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFP22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.40 грн
10+336.85 грн
50+266.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62
IXFP22N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.55 грн
10+266.30 грн
50+220.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.10 грн
6+219.12 грн
15+206.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFP26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+698.66 грн
10+599.18 грн
50+507.14 грн
100+475.56 грн
250+442.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 238_K248734.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.59 грн
5+626.01 грн
10+557.85 грн
50+481.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc
IXFP30N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.60 грн
10+342.81 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.21 грн
10+387.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFP36N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.44 грн
10+221.59 грн
50+189.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.91 грн
3+319.96 грн
10+272.71 грн
50+244.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.63 грн
10+305.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c
IXFP4N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.90 грн
3+261.33 грн
10+221.99 грн
50+200.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.95 грн
6+198.07 грн
16+187.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d
IXFP50N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.23 грн
3+418.33 грн
10+355.95 грн
50+314.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.57 грн
3+481.30 грн
7+454.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.93 грн
3+506.18 грн
7+478.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.49 грн
10+252.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.11 грн
3+611.10 грн
10+520.53 грн
50+438.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A59820&compId=IXFP60N25X3M.pdf?ci_sign=313b25dbeb5aa4d0c3060d4a0514a7fa0f1de198
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.22 грн
3+526.64 грн
10+411.45 грн
50+409.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34
IXFP6N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.09 грн
3+673.70 грн
10+570.29 грн
25+509.05 грн
50+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994
IXFP76N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 150V
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.28 грн
5+275.24 грн
12+250.70 грн
250+242.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181
IXFP7N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.98 грн
50+180.85 грн
100+155.97 грн
500+146.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.56 грн
3+508.09 грн
7+480.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.67 грн
3+192.77 грн
10+167.45 грн
50+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Виробник: IXYS
IXFP90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.01 грн
7+420.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFQ140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+933.60 грн
3+797.91 грн
10+689.90 грн
30+681.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.11 грн
10+318.97 грн
30+280.36 грн
120+266.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.14 грн
10+732.33 грн
30+548.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.11 грн
3+503.31 грн
7+475.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.30 грн
4+311.94 грн
10+295.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+923.30 грн
2+636.31 грн
5+601.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ8N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFQ8N85X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.82 грн
4+309.07 грн
11+291.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3
Виробник: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.21 грн
2+581.77 грн
6+550.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ94N30P3
Виробник: IXYS
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1001.61 грн
2+739.65 грн
5+699.46 грн
30+698.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664
IXFR102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1414.83 грн
3+1215.25 грн
10+1061.16 грн
30+1033.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3.pdf
IXFR15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1578.67 грн
10+1311.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6AF3820&compId=IXFR16N120P.pdf?ci_sign=c5d52f7707a5974bc788f8cbdd3db53ecdbc4df9
IXFR16N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+723.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR18N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0
IXFR18N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1137.63 грн
3+985.71 грн
10+834.38 грн
30+752.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0
IXFR20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2629.75 грн
3+2273.50 грн
10+1936.69 грн
30+1745.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=B63DCDB6-3E62-405C-8F21-37A96C622526&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR20N80P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.59 грн
2+630.57 грн
5+596.12 грн
30+595.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR230N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1702.25 грн
2+1609.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d
IXFR24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2956.40 грн
3+2570.61 грн
10+2180.68 грн
30+1961.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1038.71 грн
3+898.27 грн
10+764.53 грн
30+687.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4
IXFR26N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3717.92 грн
3+3226.42 грн
10+2745.23 грн
30+2466.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFR26N120P THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2862.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+972.76 грн
3+850.58 грн
10+723.39 грн
30+649.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588
IXFR32N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3981.72 грн
3+3457.95 грн
10+2939.48 грн
30+2640.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]