Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH100N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC On-state resistance: 27mΩ Drain current: 100A Power dissipation: 600W Drain-source voltage: 250V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH100N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 122nC Reverse recovery time: 130ns On-state resistance: 13.5mΩ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 48W Drain-source voltage: 300V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH10N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 10A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 380W Drain-source voltage: 1kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH10N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Drain current: 10A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH110N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH110N15T2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 288 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH110N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH120N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH120N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 100ns On-state resistance: 22mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 714W Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH120N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH120N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH120N30X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH12N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 12A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH12N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH12N80P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH12N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC On-state resistance: 1Ω Drain current: 12A Power dissipation: 380W Drain-source voltage: 900V Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH130N15X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 80ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH140N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Gate charge: 155nC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH140N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH14N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH14N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH14N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH150N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH150N20T | IXYS |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH150N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH150N30X3 | IXYS | IXFH150N30X3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH15N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 On-state resistance: 760mΩ Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Q3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH160N15T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH16N120P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH16N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH16N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH16N60P3 | IXYS | IXFH16N60P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH16N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH170N10P | IXYS | IXFH170N10P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH170N15X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 170A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH170N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH180N20X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH18N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 0.66Ω Drain current: 18A Power dissipation: 830W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH18N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH18N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 135ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH18N90P | IXYS | IXFH18N90P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH20N100P | IXYS | IXFH20N100P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH20N80P | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH20N85X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH220N06T3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH220N20X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH22N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH22N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH22N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 591 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH22N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH230N075T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO247-3; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH230N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 230A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 82ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH240N15X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH24N60X | IXYS | IXFH24N60X THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFH24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 130nC Power dissipation: 660W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH26N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IXFH100N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH100N30X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 48W
Drain-source voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 48W
Drain-source voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1100.14 грн |
2+ | 932.32 грн |
4+ | 848.28 грн |
120+ | 824.48 грн |
IXFH10N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 655.16 грн |
3+ | 484.45 грн |
7+ | 441.76 грн |
30+ | 431.28 грн |
IXFH10N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.71 грн |
4+ | 324.29 грн |
10+ | 286.57 грн |
30+ | 283.71 грн |
IXFH110N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 671.57 грн |
3+ | 427.11 грн |
8+ | 388.44 грн |
120+ | 380.82 грн |
IXFH110N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH110N15T2 THT N channel transistors
IXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 615.18 грн |
3+ | 488.41 грн |
7+ | 461.75 грн |
IXFH110N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH110N25T THT N channel transistors
IXFH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 717.71 грн |
2+ | 570.28 грн |
6+ | 538.87 грн |
IXFH120N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 817.16 грн |
3+ | 568.49 грн |
6+ | 516.97 грн |
10+ | 500.78 грн |
30+ | 497.93 грн |
IXFH120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1098.09 грн |
2+ | 794.90 грн |
5+ | 723.56 грн |
30+ | 695.96 грн |
IXFH120N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N25T THT N channel transistors
IXFH120N25T THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1107.32 грн |
2+ | 911.12 грн |
4+ | 861.61 грн |
30+ | 861.14 грн |
IXFH120N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N25X3 THT N channel transistors
IXFH120N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1168.84 грн |
2+ | 854.95 грн |
4+ | 808.30 грн |
IXFH120N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
IXFH120N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1619.96 грн |
2+ | 1032.98 грн |
3+ | 976.81 грн |
IXFH12N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 799.73 грн |
3+ | 572.44 грн |
6+ | 521.73 грн |
30+ | 501.74 грн |
IXFH12N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1410.80 грн |
2+ | 1095.45 грн |
3+ | 996.81 грн |
IXFH12N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH12N80P THT N channel transistors
IXFH12N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH12N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH130N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 846.89 грн |
2+ | 652.53 грн |
5+ | 594.08 грн |
30+ | 582.66 грн |
IXFH140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 666.44 грн |
3+ | 505.21 грн |
7+ | 459.84 грн |
30+ | 442.71 грн |
IXFH140N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1106.29 грн |
2+ | 850.26 грн |
4+ | 773.07 грн |
120+ | 751.17 грн |
510+ | 743.56 грн |
IXFH14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH14N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH14N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH14N85X THT N channel transistors
IXFH14N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH150N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH150N15P THT N channel transistors
IXFH150N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH150N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH150N20T THT N channel transistors
IXFH150N20T THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1166.27 грн |
3+ | 1103.44 грн |
IXFH150N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1476.42 грн |
2+ | 1032.98 грн |
3+ | 976.81 грн |
IXFH150N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFH150N30X3 THT N channel transistors
IXFH150N30X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH15N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1080.66 грн |
2+ | 742.50 грн |
5+ | 675.96 грн |
IXFH15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH160N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH160N15T2 THT N channel transistors
IXFH160N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH16N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH16N120P THT N channel transistors
IXFH16N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH16N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH16N60P3 |
Виробник: IXYS
IXFH16N60P3 THT N channel transistors
IXFH16N60P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH16N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH170N10P |
Виробник: IXYS
IXFH170N10P THT N channel transistors
IXFH170N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH170N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH170N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH180N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1451.82 грн |
2+ | 1032.98 грн |
3+ | 976.81 грн |
IXFH18N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH18N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 532.13 грн |
4+ | 352.96 грн |
10+ | 321.80 грн |
30+ | 314.18 грн |
IXFH18N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 274.78 грн |
IXFH18N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH18N90P |
Виробник: IXYS
IXFH18N90P THT N channel transistors
IXFH18N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH20N100P |
Виробник: IXYS
IXFH20N100P THT N channel transistors
IXFH20N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 538.28 грн |
4+ | 314.40 грн |
11+ | 286.57 грн |
270+ | 276.10 грн |
IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH20N80P THT N channel transistors
IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 964.80 грн |
2+ | 609.32 грн |
6+ | 576.00 грн |
IXFH20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH20N85X THT N channel transistors
IXFH20N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH220N06T3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH220N06T3 THT N channel transistors
IXFH220N06T3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 520.85 грн |
4+ | 332.27 грн |
10+ | 314.18 грн |
IXFH220N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH220N20X3 THT N channel transistors
IXFH220N20X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH22N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 532.13 грн |
4+ | 381.63 грн |
9+ | 347.50 грн |
120+ | 334.17 грн |
IXFH22N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 634.66 грн |
3+ | 487.42 грн |
7+ | 443.66 грн |
30+ | 437.00 грн |
IXFH22N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 549.56 грн |
4+ | 353.95 грн |
10+ | 321.80 грн |
120+ | 309.42 грн |
IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 548.53 грн |
4+ | 357.90 грн |
9+ | 325.60 грн |
30+ | 317.04 грн |
120+ | 313.23 грн |
IXFH230N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO247-3; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO247-3; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 827.41 грн |
3+ | 496.32 грн |
7+ | 452.23 грн |
120+ | 443.66 грн |
IXFH230N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 813.06 грн |
3+ | 532.90 грн |
6+ | 485.55 грн |
120+ | 476.98 грн |
IXFH240N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH240N15X3 THT N channel transistors
IXFH240N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH24N60X |
Виробник: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 637.73 грн |
3+ | 407.48 грн |
8+ | 384.63 грн |
IXFH24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 949.42 грн |
4+ | 909.58 грн |
30+ | 841.62 грн |
IXFH26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 547.51 грн |
3+ | 434.03 грн |
8+ | 395.10 грн |
30+ | 392.25 грн |
120+ | 380.82 грн |